JPH0378012A - 基準電圧発生回路 - Google Patents
基準電圧発生回路Info
- Publication number
- JPH0378012A JPH0378012A JP1215228A JP21522889A JPH0378012A JP H0378012 A JPH0378012 A JP H0378012A JP 1215228 A JP1215228 A JP 1215228A JP 21522889 A JP21522889 A JP 21522889A JP H0378012 A JPH0378012 A JP H0378012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- source
- constant current
- reference voltage
- chtr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Dram (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体LSI において外部電源電圧以外
の基準となる電圧を発生させる基準電圧発生回路に関す
るものである。
の基準となる電圧を発生させる基準電圧発生回路に関す
るものである。
第4図はIEEE Journal of 5olid
−5tate circuitMol 5c22 No
、3. Tune 1987の「A New Ou −
ChipVoltag、 Converter for
Sabmicrometer High−Densi
tyDRAM’s Jに示された従来の基準電圧発生回
路を示す回路図である。図において(1)は定電流源発
生Pチャネルトランジスタ(以下チャネルをch、)ラ
ンジスタをTrで示す)、(2)はp−ch Tr 、
(31は負荷Tr、(4)はノードA、[5)は出力端
子である。
−5tate circuitMol 5c22 No
、3. Tune 1987の「A New Ou −
ChipVoltag、 Converter for
Sabmicrometer High−Densi
tyDRAM’s Jに示された従来の基準電圧発生回
路を示す回路図である。図において(1)は定電流源発
生Pチャネルトランジスタ(以下チャネルをch、)ラ
ンジスタをTrで示す)、(2)はp−ch Tr 、
(31は負荷Tr、(4)はノードA、[5)は出力端
子である。
電源線とGND線の間にp −ch Tr (2)を数
個と負荷Tr(3)が直列に接続されており、各p−c
h Tr(2)はゲートとソースを短絡し、p−ch
Tr(2)の最下段の端子ノードA、(4)に電源電圧
Vccからp−chT r (2)のしきい値電圧Vt
hTrの段数分だけ、減圧した電圧が発生する。ノード
A14)をゲートに接続した定電流源発生をP −ch
Tr (1)のソースを電流源に、ドレインを出力端
子(5)に接続する。出力端子(5)とGND線間に負
荷Tr(3)を接続する。
個と負荷Tr(3)が直列に接続されており、各p−c
h Tr(2)はゲートとソースを短絡し、p−ch
Tr(2)の最下段の端子ノードA、(4)に電源電圧
Vccからp−chT r (2)のしきい値電圧Vt
hTrの段数分だけ、減圧した電圧が発生する。ノード
A14)をゲートに接続した定電流源発生をP −ch
Tr (1)のソースを電流源に、ドレインを出力端
子(5)に接続する。出力端子(5)とGND線間に負
荷Tr(3)を接続する。
次に動作について説明する。電源電圧Vccとノ−ドA
(4)間に数段直列に接続されたPch−Tr(21に
より、Pch Tr (2)のしきい値電圧vthの段
数分だけの電圧が発生し、ノードA(4)をゲートに接
続した定電流源発生P−chTr(1)のゲート・ソー
ス間にと配電圧が常に印加される。ここで上記電圧を定
電流源発生P−ch Tr(11のソース・ドレイン間
にかかるドレイン電圧VDSにくらべ小さくなるように
設定すれば、定電流源発生P−chTr(1)は常に飽
和領域で動作する。これにより電源電圧Vccが数V程
度変動しても、定電流源発生P−chTr(11の飽和
領域の動作より、定電流源発生P−chTr(11に流
れる電流IDSはほとんど変動しない。第5図は上記ド
レイン電圧IVDsIに対する電流+1DsIの変化を
示すグラフである。電流IDSを負荷Tr(31に流し
て、所定の電圧が出力端子(5)とGND線間に発生す
る。しかし、上記飽和領域において、ソース・ドレイン
間電圧VDSが増加する。すなわち電源電圧VCCが高
くなるにつれて、ソース・ドレイン間に流れる電流ID
Sはわずかながら増加してゆく。
(4)間に数段直列に接続されたPch−Tr(21に
より、Pch Tr (2)のしきい値電圧vthの段
数分だけの電圧が発生し、ノードA(4)をゲートに接
続した定電流源発生P−chTr(1)のゲート・ソー
ス間にと配電圧が常に印加される。ここで上記電圧を定
電流源発生P−ch Tr(11のソース・ドレイン間
にかかるドレイン電圧VDSにくらべ小さくなるように
設定すれば、定電流源発生P−chTr(1)は常に飽
和領域で動作する。これにより電源電圧Vccが数V程
度変動しても、定電流源発生P−chTr(11の飽和
領域の動作より、定電流源発生P−chTr(11に流
れる電流IDSはほとんど変動しない。第5図は上記ド
レイン電圧IVDsIに対する電流+1DsIの変化を
示すグラフである。電流IDSを負荷Tr(31に流し
て、所定の電圧が出力端子(5)とGND線間に発生す
る。しかし、上記飽和領域において、ソース・ドレイン
間電圧VDSが増加する。すなわち電源電圧VCCが高
くなるにつれて、ソース・ドレイン間に流れる電流ID
Sはわずかながら増加してゆく。
これにより電源電流Vccの変動により出力端子(5)
に発生する基準電圧は変動することになる。
に発生する基準電圧は変動することになる。
従来の基準電圧発生回路は、飽和領域で動作させた定電
流源発生P−chTr を定電流源として利用し、こ
れを所定の負荷に流して基準電圧を得るが、電源電圧の
変動により電流源が変動する。この電流源を従来の回路
ではP−chTrで構成しているため1つしか接続する
ことができず、wL沖電電圧変動に依存した基準電圧の
変動が大きいことが問題であった。
流源発生P−chTr を定電流源として利用し、こ
れを所定の負荷に流して基準電圧を得るが、電源電圧の
変動により電流源が変動する。この電流源を従来の回路
ではP−chTrで構成しているため1つしか接続する
ことができず、wL沖電電圧変動に依存した基準電圧の
変動が大きいことが問題であった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので電流源となるn−chTrを数段直列に接続す
ることにより、飽和領域におけるソース・ドレイン間電
圧の変動(電源電圧の変動)に対する飽和電流の変動を
緩和させ、より安定な定電流源を作り、これを所定の負
荷に流して基準電圧を発生させることを目的とする。
たもので電流源となるn−chTrを数段直列に接続す
ることにより、飽和領域におけるソース・ドレイン間電
圧の変動(電源電圧の変動)に対する飽和電流の変動を
緩和させ、より安定な定電流源を作り、これを所定の負
荷に流して基準電圧を発生させることを目的とする。
この発明にかかる基準電圧発生回路は、biosTrの
しきい値電圧を利用して、ソース電圧より数vth高い
ゲート電圧を常に印加し、飽和領域で動作させたn−c
hTrを定電流源としこの定電流源を数段直列に接続し
、ソース・ドレイン電圧に対する飽和電流の変動を緩和
させ、より安定な定電流椋を作り、基準電圧を発生させ
るものである。
しきい値電圧を利用して、ソース電圧より数vth高い
ゲート電圧を常に印加し、飽和領域で動作させたn−c
hTrを定電流源としこの定電流源を数段直列に接続し
、ソース・ドレイン電圧に対する飽和電流の変動を緩和
させ、より安定な定電流椋を作り、基準電圧を発生させ
るものである。
この発明における基準電圧発生回路は、HOS Trの
しきい値電圧を利用して、常にソース電圧より数vth
高いゲート電圧を印加させ、飽和領域で動作させるn−
chTrを数段直列に接続し、これを定電流源とするこ
とにより、電源電圧の変動に対する定電流源の変動を緩
和させ、より安定な定電流源を作り、基準電圧を発生す
る。
しきい値電圧を利用して、常にソース電圧より数vth
高いゲート電圧を印加させ、飽和領域で動作させるn−
chTrを数段直列に接続し、これを定電流源とするこ
とにより、電源電圧の変動に対する定電流源の変動を緩
和させ、より安定な定電流源を作り、基準電圧を発生す
る。
以下、この発明の一実施列を図について説明する。第1
図は基準電圧発生回路の回路図である。
図は基準電圧発生回路の回路図である。
図において(2)はP−chTr(51は出力端子、(
6)は定電流源発生n−chTr(71は負荷抵抗、(
8)は定電圧回路である。この基準電圧発生回路は、電
源線とGND線の間に定電流源発生n−ch Tr (
612段と負荷抵抗(7)を図のように直列に接続する
。各定電流源発生n−ch Tr(61のゲート・ソー
ス間にはゲート・ソース間の電圧を一定に保つ定電圧回
路(8)が接続されている。定電圧回路(8)の構成は
mos trのしきい値電圧を利用するものであり、電
源線とGND線間に負荷抵抗(7)、数段のP−chT
r(21を直列に接続する。
6)は定電流源発生n−chTr(71は負荷抵抗、(
8)は定電圧回路である。この基準電圧発生回路は、電
源線とGND線の間に定電流源発生n−ch Tr (
612段と負荷抵抗(7)を図のように直列に接続する
。各定電流源発生n−ch Tr(61のゲート・ソー
ス間にはゲート・ソース間の電圧を一定に保つ定電圧回
路(8)が接続されている。定電圧回路(8)の構成は
mos trのしきい値電圧を利用するものであり、電
源線とGND線間に負荷抵抗(7)、数段のP−chT
r(21を直列に接続する。
ドレインがGND線に接続されている最下段のP ch
−tr (21のゲートは、定電流源発生n−chT
r(6)のソースと接続されている。それ以外のP−c
hTr(2)はゲート・ドレインを短絡し、最丘段のp
−chT r (21のソースは定電流源発生n−ch
tr(6)のゲートとも接続されている。ここで負荷抵
抗(7)は、定電圧回路(8)の消費電流をおさえるた
めに接続されている。
−tr (21のゲートは、定電流源発生n−chT
r(6)のソースと接続されている。それ以外のP−c
hTr(2)はゲート・ドレインを短絡し、最丘段のp
−chT r (21のソースは定電流源発生n−ch
tr(6)のゲートとも接続されている。ここで負荷抵
抗(7)は、定電圧回路(8)の消費電流をおさえるた
めに接続されている。
次に動作について説明する。
負荷抵抗(7)は、定電流源発生n−chTr(612
段で発生した定電流が流れ、所定の基準電圧が出力端子
(5)に発生するように設定する。
段で発生した定電流が流れ、所定の基準電圧が出力端子
(5)に発生するように設定する。
直列に接続された定電流源発生n−chTr(6)のゲ
ート・ソース間には各々定電圧源で使用されたp−ch
tr(21のしきい値電圧vth の段数分の電圧が常
に段加される。これにより定電流源発生n −ch T
r (61は飽和領域で動作し、ソース・ドレイン間電
圧にほとんど依存しない定電流源となるが2つの定電流
源発生n−ch tr(61を直列に接続することによ
り、ソース・ドレイン電圧に対する変動に対する。定電
流の変動をより緩和することができる。これより上記定
電流源に接続された負荷抵抗(7)に発生する電圧、す
なわち出力端子(5)に出力される基準電圧は電源電圧
Vccの変動による電圧変動を緩和することができ、よ
り安定な基準電圧を発生することが可能となる。第2図
は基準電圧発生回路の外部電源電圧Vccに対する基準
電圧の変動をシミュレーションにより求めた結果を示し
たグラフであって、第1図の回路の特性を実線で示し、
比較のため第4図の回路の特性を破線で示す。ここでこ
の回路は外部電源電圧Vcc 5Vに対して基準電圧3
.3vを供給するものである。
ート・ソース間には各々定電圧源で使用されたp−ch
tr(21のしきい値電圧vth の段数分の電圧が常
に段加される。これにより定電流源発生n −ch T
r (61は飽和領域で動作し、ソース・ドレイン間電
圧にほとんど依存しない定電流源となるが2つの定電流
源発生n−ch tr(61を直列に接続することによ
り、ソース・ドレイン電圧に対する変動に対する。定電
流の変動をより緩和することができる。これより上記定
電流源に接続された負荷抵抗(7)に発生する電圧、す
なわち出力端子(5)に出力される基準電圧は電源電圧
Vccの変動による電圧変動を緩和することができ、よ
り安定な基準電圧を発生することが可能となる。第2図
は基準電圧発生回路の外部電源電圧Vccに対する基準
電圧の変動をシミュレーションにより求めた結果を示し
たグラフであって、第1図の回路の特性を実線で示し、
比較のため第4図の回路の特性を破線で示す。ここでこ
の回路は外部電源電圧Vcc 5Vに対して基準電圧3
.3vを供給するものである。
第2図に示すごとくこの発明による発生基準電圧はVC
Cの変化に対してより安定な基準電圧となっていること
がわかる。
Cの変化に対してより安定な基準電圧となっていること
がわかる。
またL記実施例では直列に接続された定電流源発生n−
chtr(61の段数が2段であったが、それ以上の段
数を接続すれば、より効果的に、電源電圧の変動に対す
る基準電圧の変動を緩和することができる。第3図はこ
の発明の他の実施例による基準電圧発生回路の回路図で
定電流源発生n−chTr(6)を多段にしたと記の場
合を示す。図において(21、(51、(61〜(8)
は第1図に示したものと同等である。なお、J:記実施
例では負荷は抵抗を使用したが負荷trを使用しても、
上記実施例と同様の効果を奏する。
chtr(61の段数が2段であったが、それ以上の段
数を接続すれば、より効果的に、電源電圧の変動に対す
る基準電圧の変動を緩和することができる。第3図はこ
の発明の他の実施例による基準電圧発生回路の回路図で
定電流源発生n−chTr(6)を多段にしたと記の場
合を示す。図において(21、(51、(61〜(8)
は第1図に示したものと同等である。なお、J:記実施
例では負荷は抵抗を使用したが負荷trを使用しても、
上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以とのようにこの発明によれば飽和領域を利用して定電
流源となるnchtrを直列に接続するこトニより、ソ
ース・ドレイン間の電圧変動(電源電圧の変動)による
飽和領域でのソース・ドレイン電流の変動で生ずる基準
電圧の変動を緩和し、より安定な基準電圧が得られる効
果がある。
流源となるnchtrを直列に接続するこトニより、ソ
ース・ドレイン間の電圧変動(電源電圧の変動)による
飽和領域でのソース・ドレイン電流の変動で生ずる基準
電圧の変動を緩和し、より安定な基準電圧が得られる効
果がある。
第1図はこの発明の一実施例による基準電圧発生回路の
回路図、第2図は第1図及び第4図の基準電圧発生回路
の基準電圧の外部電源電圧依存性を示すシミュレーショ
ンによる特性のグラフ、第3図はこの発明の他の実施例
を示す基準電圧発生回路の回路図、第4図は従来の基準
電圧発生回路を示す回路図、第5図は第4図の回路をこ
お4する定電流源発生p−chTrのドレイン電圧多こ
対する電流の変化を示すグラフである。図艮おいて(2
1&i p −chTr 、 (5)は出力端子、(6
)は定電流源発生n−chtr(7)は負荷抵抗、(8
)は定電圧回路を示す。 なお1図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
回路図、第2図は第1図及び第4図の基準電圧発生回路
の基準電圧の外部電源電圧依存性を示すシミュレーショ
ンによる特性のグラフ、第3図はこの発明の他の実施例
を示す基準電圧発生回路の回路図、第4図は従来の基準
電圧発生回路を示す回路図、第5図は第4図の回路をこ
お4する定電流源発生p−chTrのドレイン電圧多こ
対する電流の変化を示すグラフである。図艮おいて(2
1&i p −chTr 、 (5)は出力端子、(6
)は定電流源発生n−chtr(7)は負荷抵抗、(8
)は定電圧回路を示す。 なお1図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 電流、抵抗、数段のPチャネルトランジスタ、GND
を直列に接続し、Pチャネルトランジスタの最終段のゲ
ートをソースに、Pチャネルトランジスタの初段のドレ
インをゲートに接続したnチャネルトランジスタを数段
直列に接続し、初段のnチャネルトランジスタのドレイ
ンを電源に、最終段のnチャネルトランジスタのソース
を出力端子に接続し、出力端子とGNDの間に負荷を接
続し、この数段を直列に接続したnチャネルトランジス
タで発生する電流を負荷に流すことによって生ずる電圧
を出力端子に出力し、基準電圧を発生させることを特徴
とする基準電圧発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1215228A JPH0378012A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 基準電圧発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1215228A JPH0378012A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 基準電圧発生回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0378012A true JPH0378012A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16668832
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1215228A Pending JPH0378012A (ja) | 1989-08-21 | 1989-08-21 | 基準電圧発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0378012A (ja) |
-
1989
- 1989-08-21 JP JP1215228A patent/JPH0378012A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4663584A (en) | Intermediate potential generation circuit | |
JPH0690655B2 (ja) | 中間電位発生回路 | |
JP2008015925A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
US8786324B1 (en) | Mixed voltage driving circuit | |
JPS6240756A (ja) | 半導体装置 | |
KR19980032230A (ko) | 기준 발생 회로 및 기준 전압 발생 회로 | |
JPH11353045A (ja) | バンドギャップ型基準電圧発生回路 | |
KR0126911B1 (ko) | 기준전압 발생회로 및 발생방법 | |
US8653861B2 (en) | Control voltage generating circuit, constant current source circuit, and delay circuit and logic circuit including the same | |
JPH04229313A (ja) | バッファ回路 | |
US6229382B1 (en) | MOS semiconductor integrated circuit having a current mirror | |
US20020011873A1 (en) | Voltage translator, particularly of the CMOS type | |
JP2000114891A (ja) | 電流源回路 | |
US5883507A (en) | Low power temperature compensated, current source and associated method | |
US6297688B1 (en) | Current generating circuit | |
JPH07113862B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP3024645B1 (ja) | 定電圧発生回路 | |
US11249118B2 (en) | Current sensing circuit | |
JP2950093B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
JPH0378012A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP3855810B2 (ja) | 差動増幅回路 | |
JP3227711B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
JP2871309B2 (ja) | 電源電圧検知回路 | |
JPH02161817A (ja) | インバーター回路 | |
JP2772069B2 (ja) | 定電流回路 |