JPH036833U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH036833U JPH036833U JP6575889U JP6575889U JPH036833U JP H036833 U JPH036833 U JP H036833U JP 6575889 U JP6575889 U JP 6575889U JP 6575889 U JP6575889 U JP 6575889U JP H036833 U JPH036833 U JP H036833U
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- JP
- Japan
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- wiring
- insulating layer
- multilayer wiring
- wiring structure
- sectional
- Prior art date
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- Granted
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Description
第1図は本考案の多層配線構造の一実施例を示
す平面説明図、第2図は第1図のA−A′の断面
説明図、第3図は本考案の他の実施例を示す平面
説明図、第4図は第3図のB−B′の断面説明図
、第5図は第3図のC−C′の断面説明図、第6
図は第3図のD−D′の断面説明図、第7図は第
3図のE−E′の断面説明図、第8図及び第9図
は本実施例の製造工程で使用するフオトリソ用マ
スク図、第10図は従来の多層配線構造の平面説
明図、第11図は第10図のZ−Z′の断面説明
図、第12図はTFT駆動型イメージセンサの等
価回路である。 2a……縦方向信号線、2b……縦方向グラン
ド線、3……絶縁層、4a……横方向信号線、4
b……横方向グランド線、5……コンタクトホー
ル、7……信号線−信号線交差部、10,11…
…首部、21……受光素子、22……受光素子ア
レイ、23……TFT(薄膜トランジスタ)、2
4……マトリツクス配線、25……アナログマル
チプレクサ。
す平面説明図、第2図は第1図のA−A′の断面
説明図、第3図は本考案の他の実施例を示す平面
説明図、第4図は第3図のB−B′の断面説明図
、第5図は第3図のC−C′の断面説明図、第6
図は第3図のD−D′の断面説明図、第7図は第
3図のE−E′の断面説明図、第8図及び第9図
は本実施例の製造工程で使用するフオトリソ用マ
スク図、第10図は従来の多層配線構造の平面説
明図、第11図は第10図のZ−Z′の断面説明
図、第12図はTFT駆動型イメージセンサの等
価回路である。 2a……縦方向信号線、2b……縦方向グラン
ド線、3……絶縁層、4a……横方向信号線、4
b……横方向グランド線、5……コンタクトホー
ル、7……信号線−信号線交差部、10,11…
…首部、21……受光素子、22……受光素子ア
レイ、23……TFT(薄膜トランジスタ)、2
4……マトリツクス配線、25……アナログマル
チプレクサ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 絶縁層を介して形成された複数の配線層か
ら成る多層配線構造において、 前記配線層の配線同士が上下で交差する部分の
配線幅を狭く形成したことを特徴とする多層配線
構造。 (2) 絶縁層を介して形成された複数の配線層か
ら成る多層配線構造において、 前記配線層の配線同士が上下で交差する部分の
前記絶縁層の膜厚を厚く形成したことを特徴とす
る多層配線構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989065758U JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1989065758U JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH036833U true JPH036833U (ja) | 1991-01-23 |
JPH0749797Y2 JPH0749797Y2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=31597872
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1989065758U Expired - Lifetime JPH0749797Y2 (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 多層配線構造 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0749797Y2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009116177A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイス |
JP2011217420A (ja) * | 2006-02-24 | 2011-10-27 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS615550A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS63209145A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63222443A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイ |
JPS63255941A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPS6446955A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-21 | Ricoh Kk | Method of wiring multilayer structure transistor |
JPH022676A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Konica Corp | イメージセンサ |
JPH02137356A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP1989065758U patent/JPH0749797Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS615550A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-11 | Hitachi Micro Comput Eng Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JPS63209145A (ja) * | 1987-02-25 | 1988-08-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPS63222443A (ja) * | 1987-03-11 | 1988-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜トランジスタマトリツクスアレイ |
JPS63255941A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JPS6446955A (en) * | 1987-08-14 | 1989-02-21 | Ricoh Kk | Method of wiring multilayer structure transistor |
JPH022676A (ja) * | 1988-06-17 | 1990-01-08 | Konica Corp | イメージセンサ |
JPH02137356A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-25 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011217420A (ja) * | 2006-02-24 | 2011-10-27 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
JP2012157078A (ja) * | 2006-02-24 | 2012-08-16 | Panasonic Corp | 弾性表面波フィルタ、アンテナ共用器、及びそれらを用いた高周波モジュール、通信機器 |
WO2009116177A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイス |
JPWO2009116177A1 (ja) * | 2008-03-21 | 2011-07-21 | 株式会社島津製作所 | 光マトリックスデバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0749797Y2 (ja) | 1995-11-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |