JPH0350703A - チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
チップ抵抗器の製造方法Info
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- JPH0350703A JPH0350703A JP1185513A JP18551389A JPH0350703A JP H0350703 A JPH0350703 A JP H0350703A JP 1185513 A JP1185513 A JP 1185513A JP 18551389 A JP18551389 A JP 18551389A JP H0350703 A JPH0350703 A JP H0350703A
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Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、主に、自動装着機によりプリント基板等に装
着することを目的としたチップ抵抗器の製造方法に関す
るものである。
着することを目的としたチップ抵抗器の製造方法に関す
るものである。
従来の技術
従来、この種のチップ抵抗器の製造方法は、第2図の工
程順序に従い、第3図のように複数の穴を有するシート
状の絶縁基板1にスクリーン印刷により絶縁基板の孔周
辺の基板表面と孔の内壁面2に被膜導電体3を形成し、
被膜抵抗体4と第1の被膜絶縁体6を順に形成し、レー
ザトリミングにより抵抗値調整を行い、トリミング溝と
第1の被膜絶縁体6を覆うように第2の被膜絶縁体7を
形成し、基板分割用スリット6に沿って第4図に示すチ
ップ抵抗器8に個片分割した後に、被膜導電体部9とし
てメッキ被膜を形成してからチップ抵抗器の特性検査9
選別を行うものであった。
程順序に従い、第3図のように複数の穴を有するシート
状の絶縁基板1にスクリーン印刷により絶縁基板の孔周
辺の基板表面と孔の内壁面2に被膜導電体3を形成し、
被膜抵抗体4と第1の被膜絶縁体6を順に形成し、レー
ザトリミングにより抵抗値調整を行い、トリミング溝と
第1の被膜絶縁体6を覆うように第2の被膜絶縁体7を
形成し、基板分割用スリット6に沿って第4図に示すチ
ップ抵抗器8に個片分割した後に、被膜導電体部9とし
てメッキ被膜を形成してからチップ抵抗器の特性検査9
選別を行うものであった。
第3図において、2は、孔の内壁面であり、チップ抵抗
器側面の端面電極部になるところである。
器側面の端面電極部になるところである。
3は、被膜導電体であり、主にチップ抵抗器の電極端子
の働きをするものである。4は、被膜抵抗体であり、被
膜導電体3上に一部重なるように形成するものである。
の働きをするものである。4は、被膜抵抗体であり、被
膜導電体3上に一部重なるように形成するものである。
5は、第1の被膜絶縁体であり、被膜抵抗体4を覆うよ
うに形成することで、抵抗体の耐湿性を向上させるため
のものである。
うに形成することで、抵抗体の耐湿性を向上させるため
のものである。
6は、基板分割用スリットである。第4図において、7
は、第2の被膜絶縁体であり、抵抗値調整方法であるV
−ザトリミングによって第1の被膜絶縁体6上に露出し
た被膜抵抗体4をメッキ液から保護し抵抗器の耐湿性を
向上させる働きをするだめのものである。8は、チップ
抵抗器であり、シート状の絶縁基板1を基板分割用スリ
ット6で個片分割したものである。9は、被膜導電体部
であり、メッキ工程によりメッキ被膜が形成されチップ
抵抗器の電極端子部となるものである。
は、第2の被膜絶縁体であり、抵抗値調整方法であるV
−ザトリミングによって第1の被膜絶縁体6上に露出し
た被膜抵抗体4をメッキ液から保護し抵抗器の耐湿性を
向上させる働きをするだめのものである。8は、チップ
抵抗器であり、シート状の絶縁基板1を基板分割用スリ
ット6で個片分割したものである。9は、被膜導電体部
であり、メッキ工程によりメッキ被膜が形成されチップ
抵抗器の電極端子部となるものである。
以上のような構成のチップ抵抗器の製造方法では、第2
の被膜絶縁体7に、エポキシ樹脂等を用い、被膜形成温
度が200’C以下のものを使用する。これは絶縁ガラ
スの形成温度である6oo℃よりはる25−に低い。こ
のように第2図に示す抵抗値調整工程以降に、抵抗値の
工程変化が大きくなるような熱処理工程をなくすことで
、抵抗値の精度向上と高歩留シを実現するものであった
。
の被膜絶縁体7に、エポキシ樹脂等を用い、被膜形成温
度が200’C以下のものを使用する。これは絶縁ガラ
スの形成温度である6oo℃よりはる25−に低い。こ
のように第2図に示す抵抗値調整工程以降に、抵抗値の
工程変化が大きくなるような熱処理工程をなくすことで
、抵抗値の精度向上と高歩留シを実現するものであった
。
発明が解決しようとする課題
しかしこのような従来の製造方法では、第2の被膜絶縁
体7として使用したエポキシ樹脂がメッキ工程でのメッ
キ液によって劣化し、第2の被膜絶縁体7に絶縁ガラス
を使用したチップ抵抗器と同等レベルの耐湿性を得るこ
とが困難であるという課題があった。
体7として使用したエポキシ樹脂がメッキ工程でのメッ
キ液によって劣化し、第2の被膜絶縁体7に絶縁ガラス
を使用したチップ抵抗器と同等レベルの耐湿性を得るこ
とが困難であるという課題があった。
本発明は、このような課題を解決するもので、第2の被
膜絶縁体にエポキシ樹脂や耐メッキ性Vこ劣る絶縁コー
ト剤等を使用しても、第2の被膜絶縁体に絶縁ガラスを
使用したチップ抵抗器と同等レベルの耐湿性を確保する
ことを目的とするものである。
膜絶縁体にエポキシ樹脂や耐メッキ性Vこ劣る絶縁コー
ト剤等を使用しても、第2の被膜絶縁体に絶縁ガラスを
使用したチップ抵抗器と同等レベルの耐湿性を確保する
ことを目的とするものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために、本発明は、複数の孔を有す
るシート状の絶縁基板の前記孔の周辺部及び内壁面に被
膜導電体を形成し、前記絶縁基板表面に前記被膜導電体
間を接続するように被膜抵抗体、さらにその上には第1
の被膜絶縁体を形成し、前記被膜導電体上にメッキ被膜
を形成した後に被膜抵抗体の抵抗値調整をレーザトリミ
ングによって行い、トリミング溝と第1の被膜絶縁体を
覆うように第2の被膜絶縁体を形成した後にシート基板
からチップ抵抗器の個片に分割したものである。
るシート状の絶縁基板の前記孔の周辺部及び内壁面に被
膜導電体を形成し、前記絶縁基板表面に前記被膜導電体
間を接続するように被膜抵抗体、さらにその上には第1
の被膜絶縁体を形成し、前記被膜導電体上にメッキ被膜
を形成した後に被膜抵抗体の抵抗値調整をレーザトリミ
ングによって行い、トリミング溝と第1の被膜絶縁体を
覆うように第2の被膜絶縁体を形成した後にシート基板
からチップ抵抗器の個片に分割したものである。
作用
この方法により、被膜導電体部のメッキ被膜形成工程を
抵抗値調整工程の前にもってくることで、第2の被膜絶
縁体はメッキ液の影響を受けることがなく、従って、耐
湿特性等の劣化が起こらないことになる。
抵抗値調整工程の前にもってくることで、第2の被膜絶
縁体はメッキ液の影響を受けることがなく、従って、耐
湿特性等の劣化が起こらないことになる。
実施例
本発明の一実施例について図面を用いて説明する。
第1図は本発明の一実施例であるチップ抵抗器の製造方
法を示す製造工程図である。
法を示す製造工程図である。
複数の孔を有したアルミナシート基板の孔の周辺部及び
内壁面に、スルーホール印刷法により表面電極及びスル
ーホール端面電極を形成する。さらに前記電極間を接続
するように被膜抵抗体を形成し、この上に絶縁ガラスコ
ートを形成する。この後、前記表面電極及びスルーホー
ル端面電極にメッキ被膜を形成し、前記被膜抵抗体の抵
抗値調整をレーザトリミングによって行う。そしてトリ
ミング溝と絶縁ガラスコートを覆うようにエポキシ樹脂
コートを設け、アルミナシート基板を切断しチップ抵抗
器の個片に分割する。これにより、エポキシ樹脂コート
はメッキ被膜形成工程の後に形成されるのでメッキ被膜
形成工程のメッキ液の影響を受けずにすむ。このため第
2の被膜絶縁体に絶縁ガラスを使用した場合と同等の耐
湿性を発揮することができる。
内壁面に、スルーホール印刷法により表面電極及びスル
ーホール端面電極を形成する。さらに前記電極間を接続
するように被膜抵抗体を形成し、この上に絶縁ガラスコ
ートを形成する。この後、前記表面電極及びスルーホー
ル端面電極にメッキ被膜を形成し、前記被膜抵抗体の抵
抗値調整をレーザトリミングによって行う。そしてトリ
ミング溝と絶縁ガラスコートを覆うようにエポキシ樹脂
コートを設け、アルミナシート基板を切断しチップ抵抗
器の個片に分割する。これにより、エポキシ樹脂コート
はメッキ被膜形成工程の後に形成されるのでメッキ被膜
形成工程のメッキ液の影響を受けずにすむ。このため第
2の被膜絶縁体に絶縁ガラスを使用した場合と同等の耐
湿性を発揮することができる。
なお、本実施例において、第2の被膜絶縁体は、エポキ
シ樹脂コートとしたが、耐メッキ性に劣る樹脂系コート
剤やSiO結合の無機系コート剤及び耐メッキ性のない
低温焼結型絶縁ガラス等としてもよい。
シ樹脂コートとしたが、耐メッキ性に劣る樹脂系コート
剤やSiO結合の無機系コート剤及び耐メッキ性のない
低温焼結型絶縁ガラス等としてもよい。
発明の効果
以上のように本発明によれば、抵抗値調整工程以降に、
抵抗値の工程変化が大きくなるような熱処理工程をなく
しメッキ液による耐湿性の劣化のない高精度高信頼性の
チップ抵抗器を実現することができる。
抵抗値の工程変化が大きくなるような熱処理工程をなく
しメッキ液による耐湿性の劣化のない高精度高信頼性の
チップ抵抗器を実現することができる。
第1図は本発明の一実施例によるチップ抵抗器の製造方
法を示す製造工程図、第2図は従来のチップ抵抗器の製
造方法を示す製造工程図、第3図は第1の被膜絶縁体形
成後のシート状の絶縁基板の一部を示す概略図、第4図
はチップ抵抗器を示す概略図である。
法を示す製造工程図、第2図は従来のチップ抵抗器の製
造方法を示す製造工程図、第3図は第1の被膜絶縁体形
成後のシート状の絶縁基板の一部を示す概略図、第4図
はチップ抵抗器を示す概略図である。
Claims (1)
- 複数の孔を有するシート状の絶縁基板の前記孔の周辺
部及び内壁面に被膜導電体を形成し、前記絶縁基板表面
に前記被膜導電体間を接続するように被膜抵抗体、さら
にその上には第1の被膜絶縁体を形成し、前記被膜導電
体上にメッキ被膜を形成した後に被膜抵抗体の抵抗値調
整をレーザトリミングによって行い、トリミング溝と第
1の被膜絶縁体を覆うように第2の被膜絶縁体を形成し
た後にシート基板からチップ抵抗器の個片に分割したこ
とを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1185513A JPH0350703A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1185513A JPH0350703A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0350703A true JPH0350703A (ja) | 1991-03-05 |
Family
ID=16172099
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1185513A Pending JPH0350703A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0350703A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0716427A3 (en) * | 1994-12-07 | 1996-09-25 | Dale Electronics | Resistor for surface mounting and manufacturing process |
WO1998029880A1 (fr) * | 1996-12-27 | 1998-07-09 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Resistance pastille pour reseau et procede de fabrication |
US5937767A (en) * | 1996-03-29 | 1999-08-17 | Sumitomo Chemical Company Limited | Plastic pallet |
US8836736B2 (en) | 2009-10-14 | 2014-09-16 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Variable flower display backlight system |
US9035975B2 (en) | 2009-10-14 | 2015-05-19 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Variable flower display backlight system |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS56148804A (en) * | 1980-04-22 | 1981-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Method of manufacturing chip resistor |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP1185513A patent/JPH0350703A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100498876B1 (ko) * | 1996-12-27 | 2005-10-24 | 호쿠리쿠 덴키 고교 가부시키가이샤 | 칩형태의네트워크저항기및그제조방법 |
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US9035975B2 (en) | 2009-10-14 | 2015-05-19 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Variable flower display backlight system |
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