JPH0349291A - 可撓性プリント回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明ｉ０Ｔ！１＠性プリント回路基板（以下、ＦＰＣ
基板と称す）の低舖電率化に関する。

（従来の技術） ＦＰＣ基板としては、ポリエステルフィルムやポリイミ
ドフィルムに接濯剤を介して銅箔全１店合わせ友ものが
知られている。

ところで、最近、　ＦＰＣｆ５板の高周波領域への通用
が、試みられるようになり、信号配線間のクロストーク
問題を解決することｆ、信号伝送のに逮化の要求が出さ
れるようになってき比。

（発明が解決！、ようとする課題） しかしながら、従来品＃′ｉ誘電率がｌ　Ｍ）（、で約
３．４〜４．０と大きく、上記問題ヤ要求に対応できな
かつ之。

また、ＦＰＣ基板としてＶｉ耐熱性も必要であるが、ポ
リエステルフィルムを用いた場合は高温環境下での使用
に不可であり、またポリイミドフィルムを用いた場合に
銅箔との接着に使用する接着剤の耐熱温度が使用限界と
なり、ポリイミドの優れた耐熱性を生かしきれない憾み
があった。

従って１本発明ｔｒｉ訪電隼が低く、ま几耐熱性の優れ
たＦＰＣ基板を提供することを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明者は上記目的を達成すべく鋭意研究を重ね、下記
（ａ）および（ｂ）を見出し１本発明を完成するに至つ
之。

（ａ）分子内にフッ素原子を有する特定構造のポリイミ
ド樹脂から成るフィルムは誘電率が低く。

このフィルム表面に金属Ｍを積層せ（７めたＦＰＣ基板
は２通常周波数領域での使用は熱論のこと。

約１０ＧＨｚの高周波領域においても実用性を有するこ
と。

（ｂ）分子内にフッ素原子を有する特定構造のポリイミ
ド樹脂を接Ｍ層とし、フッ素樹脂多孔質シートと金属層
を接着せしめ友ＦＰＣ基板は誘電率が低く且つ耐熱性に
優れていること。

即ち１本発明の第１の態様［保るＦ　Ｐ　Ｃ基板に。

一般式（Ｉ）。

〔但し、Ａｒｔは四価の脂肪族基または芳香族基。

Ａｒ、Ｆ′ｉ二価の芳香族基を示し、ＡｒｔおよびＡｒ
ｚの少なくとも一方の基にパーフルオロアルキレン基を
含む〕 で表わされる繰り返し単位を有する含フツ素ポリイミド
から収る低誘電率シートと金属層が積層されて成るもの
である。

上記一般式（１）　ｉｃおいて、Ａｒｔは四価の脂肪族
基ま之は芳香族基、　Ａｒ２　ｒｉ二価の芳香族基を示
し６本発明で？’１ｊＡｒ＋およびＡｒ２の少なくとも
いずれか一方の基ニパーフルオロアルキレン基が導入さ
れている。

のｆ４′格を有し、Ｒｆｌがパーフルオロアルキレン基
である四価の芳香族ムが好ましく、さらにＲｆｌが。

から選ばれる一種とすることが好ましい。

一方、上記一般式（１，３中のＡｒ２に。

で表ｂｉれ、　Ｒｆ　２かパーフルオロアルキレン基、
ＸおよびＹが同一もしくは異なるアルキル基、フン化ア
ルキル基から選ばれる少なくとも一種、ｎが０１之は１
２ｍが０〜４の整数、Ｉが０〜４の整数である二価の芳
香族基が低銹電率化−？電気絶縁性などの点から好まし
い。

上記含フツ素ポリイミドは分子中にフッ素原子を有する
ポリイミドであり０本発明においては約１５〜６０重量
％、好ましくは２０〜５０重量％の範囲のフッ素含量と
することによって、ポリイミド樹脂本来の特性を阻害せ
ずに低訪電特性を向」〕できるものである。

本発明において用いる含フツ素ポリイミドは。

通常０重合用モノマーとしてテトラカルボン酸筐之はそ
の誘導体からなるＭ成分と６　ンアミン成分との略等モ
ル反応によって得ることができる。但し、少なくともい
ずれかの成分にフッ素原子を有する必要がある。

上記テトラカルボン酸ま之はその誘導体のうち。

フッ素を有しないものとしては１例えばブタンテトラカ
ルホン酸、エチレンテトラカルボン酸、フロパンテトラ
カルボン酸、シクロブタンテトラカルボン酸、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸、シクロヘキサンテトラカルボ
ン酸、５−（２，５−ジオキンテトラヒドロフリル）−
３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン
酸などの脂肪族テトラカルボン酸、ピロメリット酸、ベ
ンシフエノンテトラカルボン酸、　２．　３．　６．　
７−ナフタレンテトラカルボン酸、１，２，４，５−す
７タレンテトラカルボン酸、１ｔ　　４ｓ　　５ｙ　　
８−ナフタレンテトラカルボン酸、３．　３’、　　４
．　４’　−）　７　ｚ　＝　ルテトラカルボンｐ、１
．　３．　５．　　（ｉ　−ナフタレンテトラカルボン
酸、　２．　２．　３．　３−シフェニルテトラカルホ
゛ンｌｌｌ、　　３．　４．　９．　１０−ハーヒレン
テトラカルボン酸、ビス（３，４−ジカルボキシフェニ
ル）エーテル、デカハイドロナフタレン−１，４，５，
８−テトラカルボン酸。

４．８−ジメチル−１，２，３，５，６，フーヘキ丈ハ
イドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸
、２．６−ジクロロナフタレンー１゜４．５．８−テト
ラカルボン酸、２，７−シクロロナフタレンー１．４，
５．８−テトラカルボン酸、２，３，６．７−チトラク
ロロナフタレンー１、　４．　５．　８−テトラカルボ
ン酸。フェナンスレン−１，８，９，１０−テトラカル
ボン酸、２゜３．４．５−ピロリジンテトラカルボン酸
、２゜３．５．６−ピラジンテトラカルボン酸、チオ７
エンナトラカルボン１７，２．２−ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）グロバ７．２９２−ビス（２，３−
ジカルボキシフェニル）フロパン、１゜１−ビス（２，
３−ジカルボキシフェニル）エタン、ｌ、１−ビス（３
，４−）カルボキュ／フェニル）エタン、ビス（２，３
−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカ
ルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキ
シフェニル）スルホンなどの芳香族テトラカルボン酸が
挙げられ、これらの酸二無水物、酸・・ロゲン化物。

モノエステル化物、／エステル化物が誘導体として用い
らｎる。

また、含フツ素テトラカルボン酸ま之ニ誘導体としては
、上記テトラカルボン酸のうち、アルキレン基を有する
テトラカルボン酸のアルキレン鎖中の水素原子を全てフ
ッ素原子Ｖｃ筐挨せしめたものが用いらｎる。例えは、
ビス（３，４−ジズ・ルポキシフェニル）ジフルオロメ
タン、１．３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）
へギ丈フルオログロパン、２．２’−ビス（３，４−シ
ｈ　ルｄ？キシフェニル）へキサフルオロプロパン、１
，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）オクタフ
ルオロブタン、ｌ、５−ビス（３１４−ジカルボキシフ
ェニル）デカフルオロペンタン　１．６−ビス（：３．
４−ジカルボキシフェニル）ドデカフルオロヘキサン　
２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサ
フルｔｏプロパン、２゜２−ビス（４−（３，４−ジカ
ルボキシフェノキシ）フェニル〕ヘキサフルオロプロパ
ン、２．２’−ビス（３−（３，４−ジカルボキシフェ
ノ牛７）フェニル〕へキサフルオロプロパンなどの含フ
ツ素芳香族テトラカルボン酸およびその誘導体が挙げら
れ、低誘電率化の点から、２．２’−ビス（３゜４−ジ
カルボキシフェニル）へキサフルオロプロパン、２．２
−ビス（４−に１，４−ジカルボキシフェノキシ）フェ
ニル〕へキサフルオロプロパン　２，２−ビス（３−（
３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル〕へキサフ
ルオロプロパン。

およびこれらの酸二無水物、酸・・ロゲン化・吻、モノ
エステル化物、ジエステル化物などが好適である。

一方、上記酸成分と反応せしめるジアミン成分として、
フッ素を有ｔ７１いものとしては１例えば２．２−ジメ
チルプロピレンジアミン　２，５−ジメチルへキサメチ
レンジアミン、２，５−ンメテルー＼ブタメチレンジア
ミン、４．４’−ジメチルへブタメチレンジアミン　３
−メチルへブタメチレンジアミン　５−メチルノナメチ
レンシアミン２、１７−ニイコプデシレンジアミン、ｌ
、４−ジアミノシクロヘキサン、　　ｌ、　　１０−ジ
アミノ＝１゜１〇−ンメチルデカン、　　２．　１１−
ジアミノドデカン、　　１．　１２−ジアミノオクタデ
カン。ジアミノプロピルテトラメチレンジアミン　ｌ、
２−ビス（：Ｊ−アミノプロポキシ）エタン、３−メト
キシヘキサメチレンジアミン　へキサメチレンジアミン
、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、
ノナメチレンジアミン、デカノナレンジアミンなどの脂
肪族ジアミン。ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フエニレ
ンンアミン　４．４−ジアミノジフェニルプロパン、４
．４’−ジアミノジフエニルメタン、ベンンジン、３．
３−）メチルベン２ジン、３，３−ンメトキシベ／ジジ
ン　４゜４′−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４
−ジアミノンフェニルスルホン、３，３−ジアミノジフ
ェニル、３．３’−ンアミノジフェニルスルホン。

４．４−ジアミノジフェニルケトン、　　４．　４’−
ジアミノンフェニルエーテル、ｌ、４−ジアミノナフタ
レン　ｌ、５−ジアミノナフタレン、２，４−ビス（β
−アミノ−ｔｅｒｔ−ブチル）トルエン。

ビス（ｐ−β−アミノ−ｔｅｒｔ−７”テルフェニル）
エーテル　ビス（ｐ−β−メチル−△−アミノーフェニ
ル）ベンゼン　ビス（ｐ−１，１−ジメチルｔｅｒｔ　
　７ｉノペンチル）ベンゼン、１−インプロビル−２，
４−ｍ−フェニレンジアミン、ｍ−キシレンジアミン　
ビス（４−アミノフェニル）ｄ、ｄ−ｐ−キシレンジア
ミンなどが挙げらｎ。

本発明ではこれらのジアミノをジインシアネートに変性
し友ものを用いてもよい。

また、含フッ素ジアミン吠分としては、上記ジアミン成
分のうち、アルキレン基を有するジアミンのアルイレン
鎖中の水素原子を全てフッ素原子に置換せしめたものが
用いられる。例えば、ｌ。

３−ビス（アニリノ〕ヘキサフルオロプロノくン。

１．４−ビス（アニリノ）オクタフルオロブタン。

１．５−ビス（アニリノ）デカフルオロペンタン。

１．７−ビス（アニリノ）テトラデカフルオロへブタン
　２，２−ビス（４−７ミノフエニル）へキサフルオロ
プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）へキサ
フルオロプロノくン、ｌ　２，２−ビス（３−アミノ−
４−メチルフェニル）へキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−アミノ−３−メチルフェニル）へキサフル
オロプロノくンなどの２核体の含フッ素芳香族ジアミン
ヤ、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキン）フェ
ニル〕へキサフルオロプロパン、２．２−ビス〔４−（
３−アミノフェノキシ）フェニル〕へキサフルオログロ
バン、２，２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）フ
ェニル〕へキサフルオロプロノ（ン。

２．２−ビス（４−（２−アミノフェノキシ）−３，５
−ジメチルフェニル〕へキサフルオロプロパン、２，２
−ビス（４−（４−アミノ−２−トリフルオロメチルフ
ェノキシ）フェニル〕ヘキｔフルオロプロパン、２，２
−ビス（３−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕へキ
サフルオロプロパン、ｌ、３−ビス（４−（４−アミノ
フェノキン）フェニル〕へキサフルオロプロＡ７．ｌ、
３−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル〕へ
キサフルオロプロパン、１．４−ビス〔４−（４−アミ
ノフェノキ７）フェニル〕オクタフルオロブタン、ｌ、
５−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕テ
カフルオロベンタン　１゜５−ビス（４−（４−アミノ
−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕ヘキ
サフルオロペンタンなどの４核体の含フツ素芳香族ジア
ミンが挙げられる。これらの言フッ素芳香族ジアミンの
うち、低誘電率化の点から、２，２−ビス（４−アミ／
−２−アルキルフェニル）へギブフルオロプロパン。２
．２−ビス（４−アミノ−２−クロロフェニル）へキサ
フルオロプロパン　２．　２−ビス（４−（４−アミノ
−２−フルキル−フェノキシつフェニル〕へキサフルオ
ロプロノ（ン、２゜２−ビス（４−（４−アミノ−２−
クロロフェノキ７）フェニル〕へキサフルオロプロパン
、２゜２−ビス（３−（４−アミノ−２−アルキルフェ
ノキシ）フェニル〕へキサフルオロブロノ（ン　２゜２
−ビス（３−（４−アミノ−２−クロロフェノキシ）フ
ェニル〕へキサフルオロプロパンヲ用いることが好まし
い。上記ジアミン成分にジイソシアネートｒこ置き換え
て用いてもよく、また二種以上を併用してもよい。

本発明において用いる含フツ素ポリイミドは。

上記酸成分およびジアミン成分のうち、少なくとも一方
に含フツ素成分を有するものを用い、Ｎ。

Ｎ−ジメチルアセトアミド−？Ｎ−メチルー２−ピロリ
ドンの如き有機極性浴媒中で０通常０〜９０℃にて１〜
２４時間反応させて、ポリアミド酸とする。

本発明ではこの状態でキャスティングしたのち。

加熱してイミド化してシート化したり、又、ポリアミド
酸溶液をさらに高温加熱したり、イミド化剤添加によっ
てイミド化を行なって得られるボリイミド浴液をキャス
ティング、乾燥してシート化することができる。いずれ
の場合も、ボリアばド酸状態での固有粘度（Ｎ−メチル
−２−ピロリドン中０．５，９／ｄ７Ｉ濃度、３０℃）
を０．２〜７．０．好ましくは０，５〜４．０の範囲に
調整することが、塗布作業性ｆ得られるポリイミドの機
械的強闇の点で望ましい。

上記のようにして得られる含フツ素ポリイミドは誘電率
が３以下と低く、絶縁性や機械的強度に′＆！、ｔＬる
ものであるが、重合時の酸成分およびジアミン成分の選
択によっては耐浴剤性に劣る場合がある。このような場
合は１重合性不飽和炭素結合？有するアミンデジアミン
　ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸、
マレイン酸、ナジック酸、３−エテルフタル酸、これら
の無水物。

エチニルアニリン、シアノアニリンなどを添加して重合
成分を変性、架橋したり、フェノール注水酸基ｆカルボ
ン酸をＭする芳香族ジアミン、例えｄジアミンフェノー
ル　３，３−ジヒドロキシベンンジン、２，２−ビス（
３−アミノ−４−ヒドロキシフェニル〕へキサフルオロ
プロパン、シアはノ安息香酸、カルボキシベンンジンな
どで含フツ素ポリイミドを変性、架橋して、耐溶剤性を
向上させることができる。

次に１図面を用いて本発明の第１の態様の実例を説明す
る。第１図において、１４含フツ素ポリイミドから成る
厚さが通常約１０〜２００μ喝の低誘電率シートであり
、その片面上には厚さが通常約１〜５０μ鴫の金属層２
（銅箔等力為ら成る）が積層されている。

第１図に示すＦＰＣ基板においては、低誘電率シートと
金属層が直接積層されているが、接着剤を介して積層す
ることもできる。

１次、低Ｒ１１１率シートの両面に金属層を積層せしめ
ることができ、更に、第２図に示す如く、金属層２がパ
ターン状であってもよい。

本発明の第２の態様に係るＦＰＣ基板に、フッ素樹脂多
孔質シートと金属層が上記一般式（１）で表わされる繰
り返し単位を有する含フツ素ポリイミド層を介して積層
されて成るものである。

フッ素樹脂多孔質ンートハ、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフル
オロプレピレン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−テトラ
フルオロエチレン共重合体（ＪｊＴＦｆｆ）　。

テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニル
エーテル共重合体（、ＰＦＡ）、ポリクロロトリフルオ
ロエチレン（ＰＣＴＦＥ）等から収り１通常。

厚さが約ｌＯ〜２００μ鴫、気孔率約４０〜８５％、微
孔の平均孔径約０．１〜５μ鶴のものを用い得る。

かようなフッ素樹脂多孔質シートは１例えば特公昭５８
−２５３３２号公報、特公昭５１−１８９９１号公報、
特公昭４２−１３５６０号公報等に記載された方法によ
って得ることができ、ｔｅ、市販品を入手して使用する
こともできる。

この本発明の第２態様に用いる含７ツ累ポリイミドおよ
び金属層は、ｉ１］記ｇｉの態様に用いるものと閤じて
あってよい。

第３図に本発明の第２態様の実例を示し、フッ素樹脂多
孔質シート３０両面に接着剤としての含フツ素ポリイミ
ド層４，５（この厚さは通常、各々約ユ〜５０μｍ）を
介して金！１４層２，６が積層されている。なお１図示
を省略しているが、含フツ素ポリイミドはフッ素樹脂多
孔質シートの微孔中にも含浸せしめられている。

第４図は絶縁層を厚手とした実例を示し、複斂枚（図示
でｒ１２枚〕のフッ素樹脂多孔質シー）　：３，７を用
い、これら７−トが含フツ素ポリイミド層８を介して接
合されると共に、この接合体の両面上に含フツ素ポリイ
ミド層４．５を介して金ＭＭ１２゜６が積層されている
。

この第２態様においても、前記第１１！！様と同様に、
金属層がパターン状であってもよく、ま之金属層を多孔
質シートの片面のみに積層してもよい。

（実施例） 以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。

実施例１ フラスコ内に２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキ
シ）フェニル〕へキサフルオロプロパン４４、Ｏｉ　Ｏ
，０８５モル）と、Ｎ−メチル−２−ビロリトン３２７
ｇを入れて撹拌し、ジアミン成分を俗解した。

次いで、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル
）へキサフルオロプロパン二ｍ　水ｍ　３７．８ｇ（ｏ
、ｏｓｓモル）を徐々に加え、その後、３０℃以下の温
度にて３時間撹拌を行ない、固形分濃度２０６０重責％
のポリアミド酸溶液を得た。なお、固有粘度（Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン中、０．５９／ｄＪ！１度、：３０
℃）は０．９４であり之。

このポリアミド酸溶液２０４ｇを１６０℃に加熱しなが
ら２４時間撹拌し、脱水閉環、イミド化を行ない、含フ
ツ素ポリイミド溶液を得次。

次に、厚さ１８μ購の銅箔の片面上に含フツ素ポリイミ
ド層ｒｖ！、をキャスティング法にて塗布し、温度１５
０℃で６０分間加熱し次後、更に温度２１０℃で６０分
Ｚｈｎ熱してＮ−メチル−２−ピロリドンを乾燥除去し
、厚さ１２μ嘱の低誘電率シートを形成することＶＣよ
り、第１図に示すのと同構造のＦＰＣ基板を得几。

なお、上記低誘電率シートの１ＭＨｚ　Ｋおける誘［率
および誘電正接は２．７および０．００２であった。

実施例２ 実施例１で得られた含フツ素ポリイミド溶液を水中に注
ぎ、ポリイミドを析出せしめ、メタノールにて洗浄後、
１２０℃で２４時間減圧乾燥し、粉末状の含フツ素ポリ
イミドを得る。

次に、この粉末をメチルエチルケトンにｍ解しくポリイ
ミド濃度１０重量％）、このｍ液中に厚さ１００μ鴨、
気孔率８０％、微孔の平均孔径３μ鴨のＰＴＦＥ多孔質
シートｆｃ１９！潰して引き上げ、１００℃で１０分間
乾燥する。

この浸漬、乾燥を更に２回繰り返し、含フツ素ポリイミ
ドをＰＴＦＥ多孔質シートの微孔中に含浸せしめると共
に該シートの両面辷に薄層形成する（薄層の厚さに各々
２μｍ）。

浸漬、乾燥後におけるＰ　Ｔ　Ｆ　Ｅ多孔質シートの誘
電率および誘電正接に−ＩＭＨｚにおい−Ｃ２，４およ
び０．００１であり之。

ま友、含フツ素ポリイミドの浸漬、含浸にょるＰＴＦＥ
多孔質シートの重愈増加率は５０％であった。この弘貨
増力目率は、浸漬、乾燥前のＰＴＦｇ多孔質７−トのｉ
Ｉｆ　ｔ、ｔ　（ＡＩと、浸漬、乾燥後のＰＴＦ’Ｅ多
孔質ンートの重量（Ｂ）を各々測定し、下記（１１）式
にて算出した値である。

次に、ＰＴＦＥ多孔質シートの両面りに厚さ１８μ鵡の
＠箔を各々配置し、温度３２０℃、圧力５０　ｋｇ／−
の条件で２０分間加熱加圧し、含フツ素ポリイミド層を
接着剤と１−で多孔質シートと銅箔を積層せしめ、第：
３図と同構造のＦＰＣ基板を得た。

実施例３ ２．２−ビス（４−（４−ナミノフェノギシ）フェニル
〕へキサフルオロプロパンに代え、４゜４−ジアミノジ
フェニルエーテルを用いた以外ハ。

実施例１と同様にして含フッ素ボリイばド酊液を侍た。

この含フツ素ポリイミド浴液から実施例２と同様にして
含７ツ素ポリイミド粉末を得、更にこの粉末を濃度が１
０＠量％になるようにメチルエチルクトンｖｃＭ解する
。

このｍｅ、中に厚さ１００μ鴨、気孔率８０％、微孔の
平均孔径３μ鶴のＰＴＦＥ多孔質７−トを浸ｆｉ７Ｉｔ
。

て引き上げ、１００℃で１０分間乾燥する。浸漬、乾燥
を更に２回繰り返し、含フツ素ポリイミドをＰＴＦｆＥ
多孔質シートの微孔中に含浸せしめると共に該シートの
南向上に薄層形成する。

浸漬、乾燥後におけるＰＴＦｇ多孔質シートの誘１［４
および誘電正接は、ｌ■ｈにおいて２．７および０．０
０３であった。

次に、ＰＴＦＥシートの片面上に片面上に厚さ１８μ飢
の鋼箔を配置し、温度３２０℃、圧力５０に９／ｃ４の
条件で２０分間加熱加圧し、含フツ素ポリイミド層を接
着剤として片面鋼張のＦＰＣ基板を得念。

（発明の効果） 本発明は上記のように構成されており、第１の態様ＶＣ
おいては金属層と含フツ素ポリイミドシートを積層した
ので、ＦＰＣ基板の低誘電率化ができる。

ま之、第２の態様においてはフッ素樹脂多孔質シートと
金属層を含フツ素ポリイミドＮを介して積層し之ので、
ＦＰＣ基板の低誘を本化および耐熱性の同上が達成でき
る。

【図面の簡単な説明】

ｇｔ〜４図はいずＡ４本発明に係るＦＰＣ基板の実例を
示し、第１．　３および４図は正面図、第２図は平面図
である。 ｌ・・・低鰐電率シート　　２，６・・・金属層３．７
・・・フッ素樹脂多孔質シート

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式（１） ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔但し、Ａｒ＿１は四価の脂肪族基または芳香族基。 Ａｒ＿２は二価の芳香族基を示し、Ａｒ＿１およびＡｒ
   ＿２の少なくとも一方の基にパーフルオロアルキレン基
   を含む〕 で表わされる繰り返し単位を有する含フツ素ポリイミド
   から成る低誘電率シートと金属層が積層されて成る可撓
   性プリント回路基板。
2. （２）フツ素樹脂多孔質シートと金属層が、一般式▲数
   式、化学式、表等があります▼ 〔但し、Ａｒ＿１は四価の脂肪族基または芳香族基。 Ａｒ＿２は二価の芳香族基を示し、Ａｒ＿１およびＡｒ
   ＿２の少なくとも一方の基にパーフルオロアルキレン基
   を含む〕 で表わされる繰り返し単位を有する含フツ素ポリイミド
   層を介して積層されて成る可撓性プリント回路基板。