JPH0346358A - 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0346358A JPH0346358A JP1182142A JP18214289A JPH0346358A JP H0346358 A JPH0346358 A JP H0346358A JP 1182142 A JP1182142 A JP 1182142A JP 18214289 A JP18214289 A JP 18214289A JP H0346358 A JPH0346358 A JP H0346358A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16245—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体素子搭載用のアイランドを有しないア
イランドレスリードフレームを用いた樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関するものである。
イランドレスリードフレームを用いた樹脂封止型半導体
装置及びその製造方法に関するものである。
(従来の技術)
従来、このような分野の技術としては、特開昭61−2
58458号公報に記載されるものがあった。以下、そ
の構成を図を用いて説明する。
58458号公報に記載されるものがあった。以下、そ
の構成を図を用いて説明する。
第2図は前記文献に記載された樹脂封止型半導体装置の
一構成例を示す一部破断斜視図である。
一構成例を示す一部破断斜視図である。
図において、複数のリードlはそれぞれインナ−リード
1aとアウターリード1bとによって構成されている。
1aとアウターリード1bとによって構成されている。
アウターリード1bは外部接続端子の役割をなすもので
、パッケージ2の外部に導出されている。パッケージ2
内には複数のインナーリード1aが所定形状に配置され
、パッケージ2の中央部におけるインナーリード1a上
には、素子搭載部3が設定されている。
、パッケージ2の外部に導出されている。パッケージ2
内には複数のインナーリード1aが所定形状に配置され
、パッケージ2の中央部におけるインナーリード1a上
には、素子搭載部3が設定されている。
素子搭載部3上には、電気的絶縁物を介して半導体素子
4が固定されている。電気的絶縁物は絶縁板5とその両
面に塗布された接着用樹脂によって構成されている。絶
縁板5は接着用樹脂によって素子搭載部3に固定され、
その絶縁板5上には接着用樹脂によって半導体素子4が
固定されている。ここに、絶縁板5はセラミックスやプ
ラスチック等から成り、半導体素子4とほぼ同じ面積を
有している。
4が固定されている。電気的絶縁物は絶縁板5とその両
面に塗布された接着用樹脂によって構成されている。絶
縁板5は接着用樹脂によって素子搭載部3に固定され、
その絶縁板5上には接着用樹脂によって半導体素子4が
固定されている。ここに、絶縁板5はセラミックスやプ
ラスチック等から成り、半導体素子4とほぼ同じ面積を
有している。
半導体素子4の両端部付近には複数の電極部6が形成さ
れ、これらの電極部6はそれぞれ金属細線7を介して対
応するインナーリード1aの端部に接続されている。こ
のように電気的に接続された半導体素子4とインナーリ
ード1aは、モールド樹脂から成るパッケージ2によっ
て樹脂封止されている。
れ、これらの電極部6はそれぞれ金属細線7を介して対
応するインナーリード1aの端部に接続されている。こ
のように電気的に接続された半導体素子4とインナーリ
ード1aは、モールド樹脂から成るパッケージ2によっ
て樹脂封止されている。
以上のように構成された樹脂封止型半導体装置において
は、半導体素子4を搭載するためのアイランドをリード
フレームに設けず、半導体素子4をインナーリードla
上に固定している。こうすることにより、アイランド設
置に伴うスペース上の無駄が省かれ、パッケージ2の外
形寸法を変えずに半導体素子4の大型化を図れるという
利点が得られる。
は、半導体素子4を搭載するためのアイランドをリード
フレームに設けず、半導体素子4をインナーリードla
上に固定している。こうすることにより、アイランド設
置に伴うスペース上の無駄が省かれ、パッケージ2の外
形寸法を変えずに半導体素子4の大型化を図れるという
利点が得られる。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上記構成の樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法においては、単独に製作される絶縁板5を部
品として用いるため、工程が複雑になると共に、多量に
使用する接着用樹脂に起因する信頼性上の問題があり、
その解決が困難であった。
の製造方法においては、単独に製作される絶縁板5を部
品として用いるため、工程が複雑になると共に、多量に
使用する接着用樹脂に起因する信頼性上の問題があり、
その解決が困難であった。
即ち、リードフレームとは別に予め絶縁板5を製作して
おき、これをインナーリードla上に接着した後、さら
にこの絶縁板5ヒに半導体素子4を接着しなければなら
ず、工程が複雑になる。
おき、これをインナーリードla上に接着した後、さら
にこの絶縁板5ヒに半導体素子4を接着しなければなら
ず、工程が複雑になる。
また、前記接着に多量の接着用樹脂が使用されるが、接
着用樹脂には腐食性の不純物等が含まれている。そのた
め、半導体素子4の電極部6やAl配線等に腐食を生じ
るおそれが多分にあり、信頼性上十分に満足できるもの
ではなかった。
着用樹脂には腐食性の不純物等が含まれている。そのた
め、半導体素子4の電極部6やAl配線等に腐食を生じ
るおそれが多分にあり、信頼性上十分に満足できるもの
ではなかった。
本発明は、°前記従来技術がもっていた課題として、製
造工程が複雑である点、及び腐食による信頼性上の問題
がある点について解決した樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法を提供するものである。
造工程が複雑である点、及び腐食による信頼性上の問題
がある点について解決した樹脂封止型半導体装置及びそ
の製造方法を提供するものである。
(課題を解決するための手段)
前記課題を解決するために、第1の発明では、素子搭載
部を有するインナーリード及び外部接続用のアウターリ
ードから成る複数のリードと、前記素子搭載部上に電気
的絶縁物を介して固定され、電極部が前記インナーリー
ドに接続された半導体素子と、前記インナーリード及び
半導体素子を樹脂封止するパッケージとを備えた樹脂封
止型半導体装置において、前記電気的絶縁物は、第Iの
絶縁性樹脂から成り前記素子搭載部上に部分的に形成さ
れた突起部と、第2の絶縁性樹脂から成り前記突起部上
に前記半導体素子を固定せしめる接着部とで構成したも
のである。
部を有するインナーリード及び外部接続用のアウターリ
ードから成る複数のリードと、前記素子搭載部上に電気
的絶縁物を介して固定され、電極部が前記インナーリー
ドに接続された半導体素子と、前記インナーリード及び
半導体素子を樹脂封止するパッケージとを備えた樹脂封
止型半導体装置において、前記電気的絶縁物は、第Iの
絶縁性樹脂から成り前記素子搭載部上に部分的に形成さ
れた突起部と、第2の絶縁性樹脂から成り前記突起部上
に前記半導体素子を固定せしめる接着部とで構成したも
のである。
また、第2の発明では、前記樹脂封止型半導体装置の製
造方法を、前記素子搭載部上に前記第1の絶縁性樹脂を
用いて前記突起部を形成する工程と、前記突起部が固化
した後にその突起部上に前記第2の絶縁性樹脂を塗布し
て前記接着部を形成する工程と、前記接着部上に前記半
導体素子を載置してその半導体素子を前記突起部上に固
定する工程とを、順次施す製造方法としたものである。
造方法を、前記素子搭載部上に前記第1の絶縁性樹脂を
用いて前記突起部を形成する工程と、前記突起部が固化
した後にその突起部上に前記第2の絶縁性樹脂を塗布し
て前記接着部を形成する工程と、前記接着部上に前記半
導体素子を載置してその半導体素子を前記突起部上に固
定する工程とを、順次施す製造方法としたものである。
(作用〉
第1の発明によれば、以上のように樹脂封止型半導体装
置を構成したので、インナーリードの素子搭載部上に部
分的に形成された突起部は、その上に固定される半導体
素子の裏面に部分的に接して半導体素子を支持すると共
に、インナーリードと半導体素子との間に間隙部を形成
させて双方を電気的に絶縁させるように働く。また、接
着部は突起部上において半導体素子を接着することによ
り、極めて小さな接着面積で半導体素子を固定するよう
に働く。これらの働きにより、従来のような絶縁板を設
けることが不要となり、しがも半導体素子に対する接着
用樹脂の付着量を極力削減することができる。
置を構成したので、インナーリードの素子搭載部上に部
分的に形成された突起部は、その上に固定される半導体
素子の裏面に部分的に接して半導体素子を支持すると共
に、インナーリードと半導体素子との間に間隙部を形成
させて双方を電気的に絶縁させるように働く。また、接
着部は突起部上において半導体素子を接着することによ
り、極めて小さな接着面積で半導体素子を固定するよう
に働く。これらの働きにより、従来のような絶縁板を設
けることが不要となり、しがも半導体素子に対する接着
用樹脂の付着量を極力削減することができる。
第2の発明において、素子搭載部上に第1の樹脂により
突起部を形成しておき、その突起部上に接着用の第2の
樹脂を塗布することによって半導体素子を固定する工程
は、特別の部材を用意することなく、樹脂のみによる接
着・固定作業を容易に可能ならしめるように働く。
突起部を形成しておき、その突起部上に接着用の第2の
樹脂を塗布することによって半導体素子を固定する工程
は、特別の部材を用意することなく、樹脂のみによる接
着・固定作業を容易に可能ならしめるように働く。
従って、前記課題を解決することができる。
(実施例)
第1図(a)、(b)は第1の発明の実施例における樹
脂封止型半導体装置を示すものであり、同図(a)はそ
の断面図及び同図(b)は同図(a)の部分拡大図であ
る。
脂封止型半導体装置を示すものであり、同図(a)はそ
の断面図及び同図(b)は同図(a)の部分拡大図であ
る。
図において、はぼL字形状に曲げられた複数のリード1
1のインナーリードllaは樹脂パッケージ12に封止
され、アウターリードllbは外部に導出されて外部接
続用端子を威している。
1のインナーリードllaは樹脂パッケージ12に封止
され、アウターリードllbは外部に導出されて外部接
続用端子を威している。
複数のインナーリードllaは同一平面上に配置され、
パッケージ12のほぼ中央部におけるインナーリード1
1a上には素子搭載部13が設定されている。その素子
搭載部13上には、バンプ又は固止状等の形状を有する
複数の突起部14が形成されている。突起部14は電気
的絶縁性を有する樹脂、例えばポリイミド、エポキシ等
の熱硬化性樹脂、或は耐熱エンジニアリングプラスチッ
ク等の熱可塑性樹脂によって形成されている。
パッケージ12のほぼ中央部におけるインナーリード1
1a上には素子搭載部13が設定されている。その素子
搭載部13上には、バンプ又は固止状等の形状を有する
複数の突起部14が形成されている。突起部14は電気
的絶縁性を有する樹脂、例えばポリイミド、エポキシ等
の熱硬化性樹脂、或は耐熱エンジニアリングプラスチッ
ク等の熱可塑性樹脂によって形成されている。
突起部14上には、接着部15を介して半導体素子16
が固定されている。接着部15は電気的絶縁性を有する
接着用の樹脂、例えばエポキシ樹脂等から成り、接着剤
としての役割をなすものである。接着部15は突起部1
4上、もしくは突起部14を含むその周囲に形成される
ものであり、その面積は極めて小さい。
が固定されている。接着部15は電気的絶縁性を有する
接着用の樹脂、例えばエポキシ樹脂等から成り、接着剤
としての役割をなすものである。接着部15は突起部1
4上、もしくは突起部14を含むその周囲に形成される
ものであり、その面積は極めて小さい。
半導体素子16は突起部14上に固定されているため、
インナーリードllaの素子搭載部13と半導体素子1
6の間には間隙部17が形成されている。この間隙部1
7の存在により、半導体素子工6とインナーリードll
aとの電気的絶縁が確実に保たれている。
インナーリードllaの素子搭載部13と半導体素子1
6の間には間隙部17が形成されている。この間隙部1
7の存在により、半導体素子工6とインナーリードll
aとの電気的絶縁が確実に保たれている。
ここに、前記突起部■4の形成箇所及び個数は、半導体
素子16の実装固定が確実になされるように設ければよ
く、例えば各インナーリード11a上に設けてもよいし
、半導体素子16の各コーナ一部等に相当する特定箇所
のインナーリード11a上に設けてもよい。
素子16の実装固定が確実になされるように設ければよ
く、例えば各インナーリード11a上に設けてもよいし
、半導体素子16の各コーナ一部等に相当する特定箇所
のインナーリード11a上に設けてもよい。
このようにして突起部14上に固定された半導体素子1
6は、図示しない電属部が金属細線等を介して各インナ
ーリードllaに接続されている。
6は、図示しない電属部が金属細線等を介して各インナ
ーリードllaに接続されている。
電気的に接続された半導体素子16とインナーリードl
laは、モールド樹脂から戒るパッケージ17によって
樹脂封止されている。この樹脂封止に際し、モールド樹
脂は前記間隙部17内にも流れ込み、半導体素子16と
インナーリード11a上の絶縁性を高めると共に、半導
体素子16の破損を防ぐ役割をなしている。
laは、モールド樹脂から戒るパッケージ17によって
樹脂封止されている。この樹脂封止に際し、モールド樹
脂は前記間隙部17内にも流れ込み、半導体素子16と
インナーリード11a上の絶縁性を高めると共に、半導
体素子16の破損を防ぐ役割をなしている。
以上のように構成された樹脂封止型半導体装置において
は、素子搭載部13上に部分的に形成された突起部14
上に、接着部15を介して半導体素子16を固定するよ
うにしたので、接着部15を形成する接着用樹脂の量を
極めて少なくすることができる。即ち、半導体素子↑6
及びインナーリードlla等に対する接着用樹脂の付着
面積を極めて狭い範囲に限定することができる。従って
、接着用樹脂に起因する電極部や配線部のA、Il腐食
等が防止され、半導体装置の信頼性が高められるという
利点がある。また、従来のよ・うな絶縁板を設ける必要
がなくなるので、部品数の削減を図り、半導体装置の製
造を容易にすることも可能となる。
は、素子搭載部13上に部分的に形成された突起部14
上に、接着部15を介して半導体素子16を固定するよ
うにしたので、接着部15を形成する接着用樹脂の量を
極めて少なくすることができる。即ち、半導体素子↑6
及びインナーリードlla等に対する接着用樹脂の付着
面積を極めて狭い範囲に限定することができる。従って
、接着用樹脂に起因する電極部や配線部のA、Il腐食
等が防止され、半導体装置の信頼性が高められるという
利点がある。また、従来のよ・うな絶縁板を設ける必要
がなくなるので、部品数の削減を図り、半導体装置の製
造を容易にすることも可能となる。
第3図(a)〜(d)は第2の発明の実施例を示す樹脂
封止型半導体装置の製造工程図である。
封止型半導体装置の製造工程図である。
以下、図の順番に従いその製造方法を説明する。
(1〉 第3図(a)の工程
例えばポツティング等の方法により、インナーリードl
laの素子搭載部13上の所定位置に、絶縁性樹脂から
戒る複数の突起部14を形成する。
laの素子搭載部13上の所定位置に、絶縁性樹脂から
戒る複数の突起部14を形成する。
この場合、例えばエポキシ等の熱硬化性樹脂を用い、突
起部14の高さを20〜30μm程度とし、硬化時間は
約150℃で1時間程度に設定すれば、作業時間的にも
好適である。その際、個々の突起部14の高さに多少の
ばらつきを生じてもかまわない。
起部14の高さを20〜30μm程度とし、硬化時間は
約150℃で1時間程度に設定すれば、作業時間的にも
好適である。その際、個々の突起部14の高さに多少の
ばらつきを生じてもかまわない。
(2〉 第3図(b)の工程
突起部■4が固化した後、ポツティング等により突起部
14上もしくは突起部14上を含む周囲にエポキシ等の
接着用絶縁性樹脂を塗布し、接着部15を形成する。
14上もしくは突起部14上を含む周囲にエポキシ等の
接着用絶縁性樹脂を塗布し、接着部15を形成する。
(3) 第3図(C)の工程
突起部14上に接着部15を介して半導体素子16を載
置する。ここに、半導体素子16は接着部15に当接し
、接着部15の固化により突起部14への固定がなされ
る。半導体素子■6とインナーリードllaとの間には
間隙部17が形成され、双方の電気的絶縁が保たれてい
る。
置する。ここに、半導体素子16は接着部15に当接し
、接着部15の固化により突起部14への固定がなされ
る。半導体素子■6とインナーリードllaとの間には
間隙部17が形成され、双方の電気的絶縁が保たれてい
る。
半導体素子16を突起部14上に載置するに際し、突起
部14の高さに多少のばらつきを生じていても、固化す
る前の接着部■5の粘性によって高さの補正がなされる
。即ち、高さの高い突起部14においては、半導体素子
16によって接着部15が加圧され、その厚さが薄くな
る。一方、高さの低い突起部工4では、接着部15に対
する加圧が弱いので、その厚さはある程度維持される。
部14の高さに多少のばらつきを生じていても、固化す
る前の接着部■5の粘性によって高さの補正がなされる
。即ち、高さの高い突起部14においては、半導体素子
16によって接着部15が加圧され、その厚さが薄くな
る。一方、高さの低い突起部工4では、接着部15に対
する加圧が弱いので、その厚さはある程度維持される。
従って、半導体素子16はすべての接着部15に当接し
て確実に固定され、しかも間隙部17はほぼ均等の厚さ
に形成される。
て確実に固定され、しかも間隙部17はほぼ均等の厚さ
に形成される。
(4) 第3図(d)の工程
半導体素子16の図示しない電極部と各インナーリード
llaとを金属細線等によって接続した後、半導体素子
16及びインナーリードllaをモールド樹脂から成る
パッケージ17で樹脂封止する。その際、モールド樹脂
は間隙部17内にも流入し、半導体素子16とインナー
リードlla間の絶縁性を高め、かつこれらを保護する
働きをする。これらの工程を経て、図示のような所望の
樹脂封止型半導体装置が得られる。
llaとを金属細線等によって接続した後、半導体素子
16及びインナーリードllaをモールド樹脂から成る
パッケージ17で樹脂封止する。その際、モールド樹脂
は間隙部17内にも流入し、半導体素子16とインナー
リードlla間の絶縁性を高め、かつこれらを保護する
働きをする。これらの工程を経て、図示のような所望の
樹脂封止型半導体装置が得られる。
以上のような製造方法によれば、従来に比して簡略化さ
れた工程により所望の半導体装置を得ることができる。
れた工程により所望の半導体装置を得ることができる。
即ち、従来のような絶縁板の製造及びその接着作業が不
要となり、製造工数や部材費等の削減を図ることができ
る。また、突起部14に対する半導体素子16の固定は
極めて容易な手段で可能であり、しかもその接着面積を
極力減らせるので、半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
要となり、製造工数や部材費等の削減を図ることができ
る。また、突起部14に対する半導体素子16の固定は
極めて容易な手段で可能であり、しかもその接着面積を
極力減らせるので、半導体装置の信頼性を高めることが
できる。
なお、第1及び第2の発明の樹脂封止型半導体装置及び
その製造方法は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる
。
その製造方法は、図示の実施例に限定されず、種々の変
形が可能であり、例えば次のような変形例が挙げられる
。
(j) 第1図(a>、(b)及び第3図(a)〜(
d)の突起部14は、半導体素子16の外周部に対応さ
せて一定長さに形成し、これらを複数個並べることによ
り棒状に形戒してもよい。
d)の突起部14は、半導体素子16の外周部に対応さ
せて一定長さに形成し、これらを複数個並べることによ
り棒状に形戒してもよい。
(ii) 突起部14を形成する絶縁性樹脂は、単一
組成に限定されず、複数の樹脂成分で形成してもよい。
組成に限定されず、複数の樹脂成分で形成してもよい。
また、樹脂中に無機質フィラーや金属酸化物等を混入さ
せてもよく、こうすることにより安定した高さを有し、
かつ強度の増大した突起部14が得られる。
せてもよく、こうすることにより安定した高さを有し、
かつ強度の増大した突起部14が得られる。
(iii ) 第3図(b)では、突起部14上に絶
縁性樹脂を塗布して接着部15を形戒するものとしたが
、半導体素子16真面の突起部14対応箇所に樹脂を塗
布してもよい。
縁性樹脂を塗布して接着部15を形戒するものとしたが
、半導体素子16真面の突起部14対応箇所に樹脂を塗
布してもよい。
(発明の効果〉
以上詳細に説明したように、第1の発明の樹脂封止型半
導体装置によれば、電気的絶縁物を第1の絶縁性樹脂か
ら成る突起部と第2の絶縁性樹脂から成る接着部とで構
成したので、従来のような絶縁板を別途用意する必要が
なくなると共に、接着箇所も減るので半導体装置の製造
が容易になる。
導体装置によれば、電気的絶縁物を第1の絶縁性樹脂か
ら成る突起部と第2の絶縁性樹脂から成る接着部とで構
成したので、従来のような絶縁板を別途用意する必要が
なくなると共に、接着箇所も減るので半導体装置の製造
が容易になる。
また、接着用樹脂の付着面積を極めて小さくすることが
できるので、接着用樹脂に起因するアルミ腐食等が防止
され、半導体装置の信頼性が高められる。
できるので、接着用樹脂に起因するアルミ腐食等が防止
され、半導体装置の信頼性が高められる。
また、第2の発明の製造方法によれば、インナ−リード
の素子搭載部上に樹脂により突起部を形成し、その突起
部に接着部を介して半導体素子を固定するようにしたの
で、従来に比し部品及び接着面積の減少を図れると共に
、半導体素子の接着固定作業を容易かつ短時間で行なえ
るようになる。
の素子搭載部上に樹脂により突起部を形成し、その突起
部に接着部を介して半導体素子を固定するようにしたの
で、従来に比し部品及び接着面積の減少を図れると共に
、半導体素子の接着固定作業を容易かつ短時間で行なえ
るようになる。
従って、製造工数や部材費等の削減を図りつつ、信頼性
の高い半導体装置の製造が可能となる。4゜
の高い半導体装置の製造が可能となる。4゜
第工図(a)、(b)は第1の発明の実施例を示す樹脂
封止型半導体装置であり、同図(a)はその断面図及び
同図(b)は同図(a)の部分拡大図、第2図は従来の
樹脂封止型半導体装置の一部破断斜視図、第3図(a)
〜(d)は第2の発明の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の製造工程図である。 11・・・・・・リード、lla・・・・・・インナー
リード、12・・・・・・パッケージ、■3・・・・・
・素子搭載部、14・・・・・・突起部、15・・・・
・・接着部、16・・・・・・半導体素子。 第2図
封止型半導体装置であり、同図(a)はその断面図及び
同図(b)は同図(a)の部分拡大図、第2図は従来の
樹脂封止型半導体装置の一部破断斜視図、第3図(a)
〜(d)は第2の発明の実施例を示す樹脂封止型半導体
装置の製造工程図である。 11・・・・・・リード、lla・・・・・・インナー
リード、12・・・・・・パッケージ、■3・・・・・
・素子搭載部、14・・・・・・突起部、15・・・・
・・接着部、16・・・・・・半導体素子。 第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、素子搭載部を有するインナーリード及び外部接続用
のアウターリードから成る複数のリードと、前記素子搭
載部上に電気的絶縁物を介して固定され、電極部が前記
インナーリードに接続された半導体素子と、前記インナ
ーリード及び半導体素子を樹脂封止するパッケージとを
備えた樹脂封止型半導体装置において、 前記電気的絶縁物は、第1の絶縁性樹脂から成り前記素
子搭載部上に部分的に形成された突起部と、第2の絶縁
性樹脂から成り前記突起部上に前記半導体素子を固定せ
しめる接着部とで、構成したことを特徴とする樹脂封止
型半導体装置。 2、請求項1記載の樹脂封止型半導体装置において、 前記素子搭載部上に前記第1の絶縁性樹脂を用いて前記
突起部を形成する工程と、 前記突起部が固化した後にその突起部上に前記第2の絶
縁性樹脂を塗布して前記接着部を形成する工程と、 前記接着部上に前記半導体素子を載置してその半導体素
子を前記突起部上に固定する工程とを、順に施すことを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1182142A JP2795687B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1182142A JP2795687B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0346358A true JPH0346358A (ja) | 1991-02-27 |
JP2795687B2 JP2795687B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=16113087
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1182142A Expired - Lifetime JP2795687B2 (ja) | 1989-07-14 | 1989-07-14 | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2795687B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213840A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
KR100614058B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2006-08-22 | 하츠다 가쿠산기 가부시키가이샤 | 관리 작업차 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
JPS63299131A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Fujitsu Ltd | ハイブリッドicの製造方法 |
-
1989
- 1989-07-14 JP JP1182142A patent/JP2795687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53105970A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Hitachi Ltd | Assembling method for semiconductor device |
JPS63299131A (ja) * | 1987-05-28 | 1988-12-06 | Fujitsu Ltd | ハイブリッドicの製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09213840A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
KR100614058B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2006-08-22 | 하츠다 가쿠산기 가부시키가이샤 | 관리 작업차 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2795687B2 (ja) | 1998-09-10 |
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