JPH0343985A - 薄型高温ヒータおよびその製造方法 - Google Patents
薄型高温ヒータおよびその製造方法Info
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- JPH0343985A JPH0343985A JP1181016A JP18101689A JPH0343985A JP H0343985 A JPH0343985 A JP H0343985A JP 1181016 A JP1181016 A JP 1181016A JP 18101689 A JP18101689 A JP 18101689A JP H0343985 A JPH0343985 A JP H0343985A
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Landscapes
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- Surface Heating Bodies (AREA)
- Solid Thermionic Cathode (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、高温加熱用小型ヒータあるいは電子銃用ヒ
ータのように使用温度が1000’C程度の薄型高温用
ヒータの構造および製造方法に関する。
ータのように使用温度が1000’C程度の薄型高温用
ヒータの構造および製造方法に関する。
[従来の技術]
従来、平板型ヒータは例えば、特公昭55−24646
号公報に記載されているように、スクリーン印刷等のい
わゆる厚膜回路形成技術を用いて製造されていた。第3
図はこのようにして製造された従来のヒータを利用した
電子管カソード装置を示す断面構成図である。図におい
て、〈10)は七うミンクス基板、(11)は発熱体層
、(12〉は絶縁層、<13)はカソード利層、(14
)はカソードリード層、〈15)はベースメタル層であ
る。
号公報に記載されているように、スクリーン印刷等のい
わゆる厚膜回路形成技術を用いて製造されていた。第3
図はこのようにして製造された従来のヒータを利用した
電子管カソード装置を示す断面構成図である。図におい
て、〈10)は七うミンクス基板、(11)は発熱体層
、(12〉は絶縁層、<13)はカソード利層、(14
)はカソードリード層、〈15)はベースメタル層であ
る。
次に製造方法について説明する。まず、七うミンクス基
板<10>を構成する原材料を用意し、ロール間を通す
押し出し法、あるいはキャスティング法の印刷技術によ
ってシート上に所望のパターン形状の発熱体層(11)
を形成する。この発熱体層(11)はヒータ剤に焼成助
剤を添加したペーストを基板(10)上にスクリーン印
刷して形成される。スクリーン印刷後、高温(1000
〜2000’C)で焼成処理され、平板型ヒータが形成
される。
板<10>を構成する原材料を用意し、ロール間を通す
押し出し法、あるいはキャスティング法の印刷技術によ
ってシート上に所望のパターン形状の発熱体層(11)
を形成する。この発熱体層(11)はヒータ剤に焼成助
剤を添加したペーストを基板(10)上にスクリーン印
刷して形成される。スクリーン印刷後、高温(1000
〜2000’C)で焼成処理され、平板型ヒータが形成
される。
この方法では、製造時に高温処理過程か入るのでヒータ
をこの処理温度以下で使用する場合、抵抗の経時変化が
小さい等のヒータとしての高温長期安定性が期待されて
いた。しかし、スクリーン印刷によって得られるパター
ン精度は低く、しかも発熱体(11)の厚さ制御(薄型
化)が困難にため、消費電力が大きく、しかも複数のヒ
ータ間では抵抗のばらつきが大きかった。そのため、精
度良くパターンの形成ができる手法としてPVDやCV
Dによる成膜法の開発が進められていた。
をこの処理温度以下で使用する場合、抵抗の経時変化が
小さい等のヒータとしての高温長期安定性が期待されて
いた。しかし、スクリーン印刷によって得られるパター
ン精度は低く、しかも発熱体(11)の厚さ制御(薄型
化)が困難にため、消費電力が大きく、しかも複数のヒ
ータ間では抵抗のばらつきが大きかった。そのため、精
度良くパターンの形成ができる手法としてPVDやCV
Dによる成膜法の開発が進められていた。
第4図に薄膜形成法による従来の平板薄型ヒータの製造
方法を示す。平滑たセラミックス基板(絶縁部材)〈l
)上にヒータ用の抵抗体膜(3)(通常はWのような金
属が用いられる)を−様に形成し、次にエツチングによ
り所望のヒータパターンを形成しこれにリード線(図示
せず)を接合するという手法で平板薄型ヒータを実現し
ていた。
方法を示す。平滑たセラミックス基板(絶縁部材)〈l
)上にヒータ用の抵抗体膜(3)(通常はWのような金
属が用いられる)を−様に形成し、次にエツチングによ
り所望のヒータパターンを形成しこれにリード線(図示
せず)を接合するという手法で平板薄型ヒータを実現し
ていた。
[発明が解決しようとする課題]
以上のような成膜法を用いて平板薄型ヒータを製造する
場合、ヒータ用の抵抗体膜り3)と絶縁部材(1)との
密着力が小さいことが非常に問題となっていた。そのた
め、ヒータ用の抵抗体膜り3)と絶縁部材(1)との密
着力を高めるために密着層を挿入する手法が取られてい
た。通常この密着層として数10〜数1100nのTi
膜を設け、そのうえに抵抗体膜を形成することによ()
薄型高温ヒータを実現していた。しかし、 リード線に
電圧を印加しヒータとして使用している間に、即ち10
00°Cという高温負荷の間にTiが高温劣化を起こし
てしてしまいヒータが断線してしまう等の問題か生して
いた。参考図面に断線状態のSEM写真を示す。 〈な
お、写真中、20.0KVは走査電子顕微鏡の加速電圧
、×350は倍$350倍、100μmはその直上の線
の長さが100μmに相当することを表す。)この原因
はTiには882°Cにα−βの変態点く以下変態点と
略す)があり、ヒータを使用することによりこの変態点
を繰り返し通過するためと考えられる。また、通常、薄
膜抵抗体は使用中に抵抗の変化が生じる。第5図に抵抗
値の経時変化を示す。初期に抵抗が低下するのは、薄膜
の再結晶化が進み、膜中の結晶粒が粗大化するためであ
る。例えば抵抗体く発熱体)を密着層を持たないW(タ
ングステン)で形成シ、これを1ooo’cで使用した
場合、1000°CはWの再結晶温度に相当するため、
再結晶化は進む。次に時間経過に従って抵抗が増加する
のは使用中の雰囲気により膜中に不純物が混入する、あ
るいは酸化することに起因する。そのため、従来の薄膜
法による薄型高温ヒータはヒータとしては不安定で、し
かも長期信頼性に欠けるものであった。
場合、ヒータ用の抵抗体膜り3)と絶縁部材(1)との
密着力が小さいことが非常に問題となっていた。そのた
め、ヒータ用の抵抗体膜り3)と絶縁部材(1)との密
着力を高めるために密着層を挿入する手法が取られてい
た。通常この密着層として数10〜数1100nのTi
膜を設け、そのうえに抵抗体膜を形成することによ()
薄型高温ヒータを実現していた。しかし、 リード線に
電圧を印加しヒータとして使用している間に、即ち10
00°Cという高温負荷の間にTiが高温劣化を起こし
てしてしまいヒータが断線してしまう等の問題か生して
いた。参考図面に断線状態のSEM写真を示す。 〈な
お、写真中、20.0KVは走査電子顕微鏡の加速電圧
、×350は倍$350倍、100μmはその直上の線
の長さが100μmに相当することを表す。)この原因
はTiには882°Cにα−βの変態点く以下変態点と
略す)があり、ヒータを使用することによりこの変態点
を繰り返し通過するためと考えられる。また、通常、薄
膜抵抗体は使用中に抵抗の変化が生じる。第5図に抵抗
値の経時変化を示す。初期に抵抗が低下するのは、薄膜
の再結晶化が進み、膜中の結晶粒が粗大化するためであ
る。例えば抵抗体く発熱体)を密着層を持たないW(タ
ングステン)で形成シ、これを1ooo’cで使用した
場合、1000°CはWの再結晶温度に相当するため、
再結晶化は進む。次に時間経過に従って抵抗が増加する
のは使用中の雰囲気により膜中に不純物が混入する、あ
るいは酸化することに起因する。そのため、従来の薄膜
法による薄型高温ヒータはヒータとしては不安定で、し
かも長期信頼性に欠けるものであった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、ヒータ用抵抗体膜と絶縁部材との密着力の
高い、使用時の抵抗変化の少ない、信頼性の高い薄型高
温ヒータを提供することを目的としている。
れたもので、ヒータ用抵抗体膜と絶縁部材との密着力の
高い、使用時の抵抗変化の少ない、信頼性の高い薄型高
温ヒータを提供することを目的としている。
[課題を解決するための手段]
この発明に係る薄型高温ヒータは、絶縁部材上に形成さ
れたTiよりなる密着層、およびこの密着層を介して上
記絶縁部材上に形成されたTi化合物よ+、)なる抵抗
体層を備えたものである。
れたTiよりなる密着層、およびこの密着層を介して上
記絶縁部材上に形成されたTi化合物よ+、)なる抵抗
体層を備えたものである。
また、本発明の別の発明に係る薄型高温ヒータの製造方
法は、絶縁基板上にTiよりなる密着層およびTi化合
物よりなる抵抗体層を形成するのに、上記密着層および
抵抗体層共に上記Tiのα−βの変態点未満の温度で形
成するか、または上記密着層および抵抗体層共に上記変
態点以上の温度で形成するものである。
法は、絶縁基板上にTiよりなる密着層およびTi化合
物よりなる抵抗体層を形成するのに、上記密着層および
抵抗体層共に上記Tiのα−βの変態点未満の温度で形
成するか、または上記密着層および抵抗体層共に上記変
態点以上の温度で形成するものである。
[作用]
この発明においては、Ti膜は絶縁部材とヒータ用抵抗
体層の密着力の向上に作用し、抵抗体層であるTiC,
TiN、T1CNの単体もしくはその混合物等のTi化
合物はセラミックスであるため金属材によるヒータと比
べて高温安定性は優れている上に、ヒータ使用中に密着
層として余分なTi成分が抵抗体層へ拡散しても、抵抗
体層もTi成分を盆んでいるので悪影響を及ぼさず、密
着層は安定化される。
体層の密着力の向上に作用し、抵抗体層であるTiC,
TiN、T1CNの単体もしくはその混合物等のTi化
合物はセラミックスであるため金属材によるヒータと比
べて高温安定性は優れている上に、ヒータ使用中に密着
層として余分なTi成分が抵抗体層へ拡散しても、抵抗
体層もTi成分を盆んでいるので悪影響を及ぼさず、密
着層は安定化される。
また、本発明の別の発明においては、密着層および抵抗
体層の形成温度は共にTiの変態点より低いかまたは共
に高いため、ヒータを製造している間に、Tiの高温劣
化を起こす事もない。すなわち、共に変態点より低い場
合にはヒータ製造中にTiのα−β変態が起こらムいた
め、体積変化による劣化が発生しにくく、また、共に変
態点より高い場合には、密着層としては余分なTi成分
を製造中に拡散させてしまうので、その後、変態点以上
の温度で使用してもTiのα−β変態に伴う高温劣化を
生じることはない。
体層の形成温度は共にTiの変態点より低いかまたは共
に高いため、ヒータを製造している間に、Tiの高温劣
化を起こす事もない。すなわち、共に変態点より低い場
合にはヒータ製造中にTiのα−β変態が起こらムいた
め、体積変化による劣化が発生しにくく、また、共に変
態点より高い場合には、密着層としては余分なTi成分
を製造中に拡散させてしまうので、その後、変態点以上
の温度で使用してもTiのα−β変態に伴う高温劣化を
生じることはない。
[実施例]
以下にこの発明の一実施例について図に基づいて説明す
る。第1図はこの発明の一実施例による薄型高温ヒータ
を示す断面構成図である。図において、<1)は絶縁部
材、<2〉は絶縁部材<1)との密着層であるTi、(
3)は密着層(2〉を介して絶縁部材(1)の上に設け
られ例えばTiC,TiN。
る。第1図はこの発明の一実施例による薄型高温ヒータ
を示す断面構成図である。図において、<1)は絶縁部
材、<2〉は絶縁部材<1)との密着層であるTi、(
3)は密着層(2〉を介して絶縁部材(1)の上に設け
られ例えばTiC,TiN。
T1CNの単体もしくはその混合物等のTi化合物より
なる抵抗体層である。絶縁部材り1)に対しては、例え
ば、次のような要求を満たすことが望ましい。熱伝導性
が良く、熱膨張率が抵抗体層(3)のそれに近いこと、
長線縁体であること、高温で絶縁破壊しないこと、平滑
なこと。そのため、入手性から考えてAIN、Al2O
3等が考えられる。
なる抵抗体層である。絶縁部材り1)に対しては、例え
ば、次のような要求を満たすことが望ましい。熱伝導性
が良く、熱膨張率が抵抗体層(3)のそれに近いこと、
長線縁体であること、高温で絶縁破壊しないこと、平滑
なこと。そのため、入手性から考えてAIN、Al2O
3等が考えられる。
ここで、抵抗体層(3)をTiC,TiN、T1CNの
単体もしくはその混合物等のTi化合物で形成する理由
は、再結晶温度が高く、高温での電気的安定性が高いか
らである。例えばW、Mo等の一般的なヒータ材で形成
することも考えられる。
単体もしくはその混合物等のTi化合物で形成する理由
は、再結晶温度が高く、高温での電気的安定性が高いか
らである。例えばW、Mo等の一般的なヒータ材で形成
することも考えられる。
しかし、こういった材料系は例えば絶縁部材(1)とし
てAl2O3基板を用いて形成し、1000″C程度の
高温で使用している際に基板(1)中の酸素を奪って(
還元して)蒸気圧の高い酸化物を形成して飛散していく
。即ち抵抗体層がエツチングされ、形状が変化してしま
う。そのため、ヒータとして安定に使用できる環境、例
えば基板〈1)材、雰囲気、温度が限定されてしまう。
てAl2O3基板を用いて形成し、1000″C程度の
高温で使用している際に基板(1)中の酸素を奪って(
還元して)蒸気圧の高い酸化物を形成して飛散していく
。即ち抵抗体層がエツチングされ、形状が変化してしま
う。そのため、ヒータとして安定に使用できる環境、例
えば基板〈1)材、雰囲気、温度が限定されてしまう。
以上の理由からである。
ここでは絶縁部材<1)として単結晶サファイヤ基板(
A1203 )を選び、薄型高温ヒータを製造する例に
ついて2手法述べる。
A1203 )を選び、薄型高温ヒータを製造する例に
ついて2手法述べる。
まず第1の手法について例をあげて説明する。
Al2O3基板上にスパッタ法により所望の厚さく数μ
m〜10/l□)のTi膜を一様に形成する。この時の
T1膜形成温度は例えば200〜300°Cである。そ
の後、所望のパターン形状に湿式あるいは乾式法でエツ
チングする。例えば湿式法であれば第2図に示すごく一
般的な工程でエツチングを行う。次に、パターンの形成
されたサンフルをイオン窒化用の真空炉内に設置し、T
iの変態点以下の温度、列えば400〜500 ’C;
でイオン窒化を施し、Ti表面からNを拡散させ、Ti
Nとする。窒化の深さは数71 m〜10ノzm程度に
達し、基板との界面でTiとAl2O3の密着に寄与す
る層まで(10nm以下)、あるいはこの層を含むまで
窒化される。イオン窒化をり、C電源を用いて行えば絶
縁部材であるAl2O3には損傷を与えることなく、電
気的に導通のあるTiにのみ窒化される。
m〜10/l□)のTi膜を一様に形成する。この時の
T1膜形成温度は例えば200〜300°Cである。そ
の後、所望のパターン形状に湿式あるいは乾式法でエツ
チングする。例えば湿式法であれば第2図に示すごく一
般的な工程でエツチングを行う。次に、パターンの形成
されたサンフルをイオン窒化用の真空炉内に設置し、T
iの変態点以下の温度、列えば400〜500 ’C;
でイオン窒化を施し、Ti表面からNを拡散させ、Ti
Nとする。窒化の深さは数71 m〜10ノzm程度に
達し、基板との界面でTiとAl2O3の密着に寄与す
る層まで(10nm以下)、あるいはこの層を含むまで
窒化される。イオン窒化をり、C電源を用いて行えば絶
縁部材であるAl2O3には損傷を与えることなく、電
気的に導通のあるTiにのみ窒化される。
また、上記実施例ではTi膜をスパッタ法により形成す
る方法について説明したが、電子ビーム蒸着、レーザP
VD法、イオンブレーティング等のいわゆるPVD法や
TiCl4ガス等を用いたプラズマCVD法等の方法で
形成することができることは言うまでもない。 また
、上記実施例ではTiのパターンを形成した後、イオン
窒化を施す例を示したが、Tiの底膜1&イオン窒化を
施し、その後熱硝酸等でパターンエツチングしても良い
。
る方法について説明したが、電子ビーム蒸着、レーザP
VD法、イオンブレーティング等のいわゆるPVD法や
TiCl4ガス等を用いたプラズマCVD法等の方法で
形成することができることは言うまでもない。 また
、上記実施例ではTiのパターンを形成した後、イオン
窒化を施す例を示したが、Tiの底膜1&イオン窒化を
施し、その後熱硝酸等でパターンエツチングしても良い
。
また、N2ガスを用いたイオン窒化の例について示した
か、例えば、CH4やN2ガスとの混合ガスを用いた炭
化等によil T i C,T i N、 T i
CNの単体もしくはその混合物を形成しても良い。
か、例えば、CH4やN2ガスとの混合ガスを用いた炭
化等によil T i C,T i N、 T i
CNの単体もしくはその混合物を形成しても良い。
以上のように第1の手法というのはパターン形成の前段
はあるが、−旦Ti膜を形成した後1表面から窒化や炭
化により改質する手法である。
はあるが、−旦Ti膜を形成した後1表面から窒化や炭
化により改質する手法である。
次に第2の手法について例をあげて説明する。
Tiの変態点以下の所望の温度、例えば200〜300
’Cに加熱されたAl2O3基板上にパターンマスク
を置き、最初は通常のArスパッタ法によりTi膜を形
成する。Ti膜の厚さが10nmに達する前の極薄膜が
形成されると、スパッタ雰囲気中にN2ガスを導入し、
反応性スパンタ広によりTN膜を所望の厚さく数μnt
”−10p m )まで形成する。 後から、導入
するガスを炭素を含んだガス例えばCH4単体やこれと
N2との混合ガス等に変えることによりTiC,TiN
、T1CNの単体もしくはその混合物を形成することが
できることはいうまでもない。
’Cに加熱されたAl2O3基板上にパターンマスク
を置き、最初は通常のArスパッタ法によりTi膜を形
成する。Ti膜の厚さが10nmに達する前の極薄膜が
形成されると、スパッタ雰囲気中にN2ガスを導入し、
反応性スパンタ広によりTN膜を所望の厚さく数μnt
”−10p m )まで形成する。 後から、導入
するガスを炭素を含んだガス例えばCH4単体やこれと
N2との混合ガス等に変えることによりTiC,TiN
、T1CNの単体もしくはその混合物を形成することが
できることはいうまでもない。
以上のように第2の手法というのは膜を形成するインプ
ロセス中で′、Ti−+TiNのように連続的に異々る
膜を形成する方法である。
ロセス中で′、Ti−+TiNのように連続的に異々る
膜を形成する方法である。
このようにして製造された薄型高温ヒータは、密着層お
よび抵抗体層の形成温度が共にTiの変態点よ(]低い
ため、ヒータ製造中にTiのα→β変態が起こらないた
め体積変化による劣化が発生しにくく、また、ヒータ使
用中に密着層として余分なTi成分が抵抗体層に拡散し
ても、抵抗体層もTi成分を含んでいるので悪影響を及
ぼさず、密着層は安定化される。
よび抵抗体層の形成温度が共にTiの変態点よ(]低い
ため、ヒータ製造中にTiのα→β変態が起こらないた
め体積変化による劣化が発生しにくく、また、ヒータ使
用中に密着層として余分なTi成分が抵抗体層に拡散し
ても、抵抗体層もTi成分を含んでいるので悪影響を及
ぼさず、密着層は安定化される。
なお、以上のような2手法で形成した薄型高温ヒータを
基板上に複数並べて形成することにより大面積化や大量
生産に適していることは言うまでもない。
基板上に複数並べて形成することにより大面積化や大量
生産に適していることは言うまでもない。
さらに、上記実施例では密着層および抵抗体層を共にT
iの変態点未満の温度で形成した場合に1 ついて説明したが、密着層および抵抗体層を共にTiの
変態点以上の温度で形成してもよく、この場合は、密着
層としては余分なTi成分な製造中に拡散させてしまう
ので、その後変態点以上の例えば1000°C程度で使
用しても上記T1のα→β変態に伴う高温劣化を生じる
ことはない。
iの変態点未満の温度で形成した場合に1 ついて説明したが、密着層および抵抗体層を共にTiの
変態点以上の温度で形成してもよく、この場合は、密着
層としては余分なTi成分な製造中に拡散させてしまう
ので、その後変態点以上の例えば1000°C程度で使
用しても上記T1のα→β変態に伴う高温劣化を生じる
ことはない。
[発明の効果]
以上のように、この発明によれば、絶縁部材上に形成さ
れたTiよりなる密着層、およびこの密着層を介して上
記絶縁部材上に形成されたTi化合物よiJなる抵抗体
層を備えたので、抵抗体層と絶縁部材との密着性が高く
、しかも使用時の抵抗変化の少々い、長期信頼性の高い
薄型高温ヒータが得られる効果がある。
れたTiよりなる密着層、およびこの密着層を介して上
記絶縁部材上に形成されたTi化合物よiJなる抵抗体
層を備えたので、抵抗体層と絶縁部材との密着性が高く
、しかも使用時の抵抗変化の少々い、長期信頼性の高い
薄型高温ヒータが得られる効果がある。
また、本発明の別の発明によれば、絶縁基板上にTiよ
りなる密着層およびTi化合物よりなる抵抗体層を形成
するのに、上記密着層および抵抗体層共に上記Tiのα
→βの変態点未満の温度で形成するか、または上記密着
層および抵抗体層共に上記変態点以上の温度で形成する
ので、ヒータ2 製造中にTiが高温劣化するのを防止できる。
りなる密着層およびTi化合物よりなる抵抗体層を形成
するのに、上記密着層および抵抗体層共に上記Tiのα
→βの変態点未満の温度で形成するか、または上記密着
層および抵抗体層共に上記変態点以上の温度で形成する
ので、ヒータ2 製造中にTiが高温劣化するのを防止できる。
第1図はこの発明の一実施例による薄型高温ヒータを示
す断面構成図、第2図は第1図の薄型高温ヒータの製造
工程一部である一般的な工・ンチング工程を示す工程図
、第3図は従来の薄型高温ヒータを利用した電子管カソ
ード装置を示す断面構成図、第3図は従来の薄膜形成法
による薄型高温ヒータの製造方法を示す工程図、第4図
は従来のヒータの抵抗値の経時変化を示す特性図である
。 図において、〈1)は絶縁部組、〈2)は密着層、〈3
〉は抵抗体層である。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。
す断面構成図、第2図は第1図の薄型高温ヒータの製造
工程一部である一般的な工・ンチング工程を示す工程図
、第3図は従来の薄型高温ヒータを利用した電子管カソ
ード装置を示す断面構成図、第3図は従来の薄膜形成法
による薄型高温ヒータの製造方法を示す工程図、第4図
は従来のヒータの抵抗値の経時変化を示す特性図である
。 図において、〈1)は絶縁部組、〈2)は密着層、〈3
〉は抵抗体層である。 なお、図中同一符号は同一部分または相当部分を示す。
Claims (2)
- (1)絶縁部材上に形成されたTiよりなる密着層、お
よびこの密着層を介して上記絶縁部材上に形成されたT
i化合物よりなる抵抗体層を備えた薄型高温ヒータ。 - (2)絶縁基板上にTiよりなる密着層およびTi化合
物よりなる抵抗体層を形成するのに、上記密着層および
抵抗体層共に上記Tiのα→βの変態点未満の温度で形
成するか、または上記密着層および抵抗体層共に上記変
態点以上の温度で形成する薄型高温ヒータの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181016A JPH0343985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄型高温ヒータおよびその製造方法 |
DE69022651T DE69022651D1 (de) | 1989-07-12 | 1990-07-11 | Dünnes Hochtemperaturheizelement und Verfahren zu dessen Herstellung. |
EP90307591A EP0408342B1 (en) | 1989-07-12 | 1990-07-11 | Thin high temperature heater and method for manufacturing the same |
US07/550,976 US5155340A (en) | 1989-07-12 | 1990-07-11 | Thin high temperature heater |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1181016A JPH0343985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄型高温ヒータおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0343985A true JPH0343985A (ja) | 1991-02-25 |
Family
ID=16093280
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1181016A Pending JPH0343985A (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 薄型高温ヒータおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0343985A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012926A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1181016A patent/JPH0343985A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020012926A1 (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
JP2020010004A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | Koa株式会社 | 抵抗器及び回路基板 |
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