JPH0341755A - 半導体装置の製造方法およびリードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造方法、特にトランスファモ
ールドによるレジンパンケージ型半導体装置の製造方法
およびリードフレームに関する。

〔従来の技術〕

半導体装置のパッケージ形態の一つとして、トランスフ
ァモールドによってモールドを行ない、半導体素子（チ
ップ）やリードの内端等をパッケージで封止したレジン
パッケージが知られている。

トランスファモールド方式にあっては、トランスファモ
ールドプレスが用いられている。この装置は、チップ搭
載、ワイヤ張りが終了したリードフレームをモールド型
（金型）の上型と下型との間に挟んだ（型締め）後、上
型中央のポット内に投入されかつ下型中央のカル上に戟
るレジンタブレットを、プランジャで加圧加熱して溶融
させ、溶けたレジンを上・下型によって形成されたレジ
ン流路（メインランナー、サブランナー、ゲート）を通
してキャビティ内に送り込み、キャビティ内に位置する
リードフレーム部分をレジンで被うようになっている。

また、キャビティおよびレジン流路内のレジンはキュア
処理されて硬化するので、硬化した成形品は上型と下型
とが引き離された（型開き）後取り出される。なお、ト
ランスファモールド（トランスファ成形）については、
工業調査会発行「電子材料Ｊ　１９Ｂ７年８月号、昭和
６２年８月１日発行、Ｐ７３〜Ｐ７９に記載されている
。

一方、リードフレームにおいては、一般に、防錆および
実装時のソルダビリティ向上の目的で、前記パフケージ
で被われるインナーリードの途中からアウターリードに
亘って半田メンキが施される。従来、この半田メッキは
モールド後に行なわれているが、最近ではモールド前、
すなわちチップ搭載等組立前のリードフレームの状態で
行なわれ始めている。たとえば、技研情報センター「最
先端表面実装形ＬＳＩパッケージの開発動向と実装技術
：特別シンポジウムＪ　１９Ｂ８年１２月１３日発行、
テキストＰ５Ｂには、インナーリードの途中からアウタ
ーリードに亘ってはんだめっきが施された二色めっきリ
ードフレームが開示されている。この文献の記載内容を
転記するとつぎのとおりである。

「半導体のアウターリードには、現在レジンモールドし
た完成品に電解法または溶融法でめっきを行っている。

しかしめっき液、フラックスなど有害物が樹脂とリード
間に侵入したり、溶融めっき時の熱衝撃によるレジンク
ラッタなどの問題があり、耐湿性の低下が態念されてい
た。

−吉事導体の製造法も従来の３００°Ｃを越える熱工程
から１８０’Ｃ以下の低温化プロセスが可能になってき
た。このため予めアウターリード部にはんだめっきした
図３０のような二色めっきリードフレームの開発が急務
となっている。Ｊ。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記のように、防錆、ソルダビリティ向上を目的として
、アウターリードからインナーリードに亘る部分に半田
メッキ膜が被着されたリードフレームが開発されている
。

しかし、このようなリードフレームの場合、モールド時
の型締め時、型締めの圧力によってモールド型の上型と
下型でクランプされる領域の前記半田メッキ膜が押し潰
されて、リード縁やリード間を接続するダム縁から張り
出し、ショートの原因となることが本発明者によってあ
きらかにされた。

すなわち、第１８図は従来のこの種リードフレーム１を
用いてトランスファモールドして得られた成形品を示す
平面図である。同図に示されるように、レジンからなる
パンケージ２から平行に複数のり一ド３が突出している
。また、このリード３を連結するダム４が前記パッケー
ジ２の縁に沿うように延在している。また、前記リード
３の外端、すなわち右端は枠５に連結されている。この
リードフレームｌにあっては、領域Ａで示される番よう
に、前記ダム４の外側のアウターリード６から前記ダム
４の内側のインナーリード７の前記パッケージ２の内側
に至る部分は、半田メッキ膜８（一部が点々で示される
領域）が設けられている。

トランスファモールドに際しては、前記リードフレーム
ｌは、モールド型の下型と上型とによって型締めされて
挟持される。前記パンケージ２が形成される領域は、上
・下型にあっては窪み（キャビティ）となる。したがっ
て、前記キャビティの周囲のリードフレーム１の表裏面
部分は、上・下型のパーティング面に密着する状態とな
り、前記ダム４の部分は上・下型のパーティング面で挟
持される。また、モールド型は前記キャビティに注入さ
れるレジンを溶融するために、たとえば２００°Ｃ前後
に加熱されている。この結果、前記ダム４およびインナ
ーリード７に亘る部分の半田メッキ膜８は、加熱加圧に
よって押し潰され、その多くは同図のクロスハツチング
部分で示されるように、リード縁およびダム縁から食み
出して食み出し半田塊９となる。この半田の食み出し現
象を防ぐために、型締めのクランプ圧力を限界まで下げ
たが、この現象は解決できなかった。

一方、半導体装置はより一層小型化の傾向にあり、リー
ドピッチも１．２７ｍｍ（５０ミル）から０．８ｍｍさ
らには０．５ｍｍと進む現状では、リード間隔も０．５
ｍｍ程度あるいはそれ以下となり、極めて狭くなってき
ている。この結果、前記食み出し半田塊９は隣接するり
一ド３を部分的にあるいは全体的に連結してしまう。

モールド後は、第１８図における一点＄１１％で示すよ
うに、ダム切断が行なわれ、ダム４は切断除去される。

しかし、前記のように、食み出し半田塊９が存在すると
、前記ダム４が切断除去されても、パッケージ２に沿っ
て残留する食み出し半田塊９が隣接するリード３を接続
させたり、あるいは隣接するり一ド３相互から延在する
食み出し半田塊９が相互に近接した状態となり、ショー
ト不良の原因となる。また、上・下型のパーティング面
間では、前記リード３が存在しない領域はそのまま隙間
となることから、キャビティから外れかつ一対のり一ド
３とその間に延在するダム４とによって形成される領域
、すなわち前記食み出し半田塊９が存在する領域にはレ
ジンが流れ込み、レジンキュア後はレジンバリとして存
在することになる。このレジンバリは、−ｇには前記ダ
ム４の切断時にダム４とともに脱落するが、前記のよう
に食み出し半田塊９が存在すると、この食み出し半田塊
９と前記レジンバリとが密着していることもあって、レ
ジンバリがパッケージ２から分断されなくなったり、あ
るいはレジンバリ自体の分断は成されても、前記食み出
し半田塊９の介在によってパッケージ２に付着し続ける
等の現象が生じることも判明した。

前記レジンバリの残留付着は外観上好ましくないばかり
でなく、残留すればショート不良の原因となり、脱落す
る場所によっては単に周囲を汚すだけでなく、装置類の
故障の原因ともなる。また、前記パッケージ２の表裏面
に付着した状態で加圧加工が行なわれた場合には、前記
レジンバリはパッケージ表面での圧痕の原因ともなる。

本発明の目的は、半導体装置製造におけるモールドにお
いて、リード表面に設けられたメッキ膜の潰れ食み出し
に起因する隣接リード間のショート不良の発生を防止す
ることにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。

（課題を解決するための手段〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、本発明にあっては、半導体装置の製造におい
て、インナーリードの途中からアウターリードに亘って
半田メッキ膜が被着されたリードフレームが使用される
が、このリードフレームは、モールド型の下型と上型の
パーティング面に密着しかつクランプされるダムに沿う
領域には、前記下型と上型によって押し潰されて食み出
る半田が流入できる空間が設けられている。この空間は
ダムの内縁に切り込みを設けたり、あるいはダムおよび
リードの一部を部分的に窪ませることによって形成され
ている。

また、他の実施例は、ソルダビリティの良好な半田メッ
キ膜をリードフレームのインナーリードの途中からダム
を含みかつアウターリードに亘る領域に設けた後、後工
程で行なうトランスファモールドプレスによるモールド
における型締めと同一の加熱加圧条件で前記リードフレ
ームを予備型締めし、その後予備型締めによって潰され
て食み出た半田メッキ部分を除去し、ついでチンプポン
ディング、ワイヤボンディングを行ないかつモールド、
さらにはリード切断・成形を行なって所望の半導体装置
を製造する。

〔作用］ 上記した手段によれば、本発明にあっては、半田メッキ
がモールド型でクランプされる領域に設けられたリード
フレームであっても、このリードフレームにはクランプ
によって潰されて食み出ようとする半田をリードやダム
の縁から外に溢れ出る前に流入できる空間があらかじめ
設けられているため、潰れて流れ出した半田は前記空間
部分に収容され、リード間には食み出なくなる。この結
果、ダム切断において、リード間のレジンバリは従来の
ように流出した半田で支持されるようなこともなくなる
ため除去され易くなる。また、前記半田の食み出しもな
いことから、隣接するリード間ショートも防止できる。

予備型締めする他の実施例の場合は、半田メッキがモー
ルド型でクランプされる領域に設けられたリードフレー
ムであっても、予備型締めを行なって半田を強制的に食
み出させ、その後この半田の食み出し部分を除去した後
、従来と同様にチンプボンディング、ワイヤポンディン
グ、モールド。

リード切断・成形を行なって半導体装置を製造するため
、前記チンプボンディング、ワイヤボンディング後のモ
ールド時には型締めによって半田の食み出し現象は起き
なくなり、リード間ショート。

レジンバリの除去不良が発生しなくなる。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の実施例について説明する。

（第１実施例） 第１図乃至第７図は本発明の第１実施例による図であっ
て、第１図はモールド型締め状態を示す断面図、第２図
はリードフレームの模式的平面図、第３図はチップ搭載
およびワイヤ接続が終了したリードフレームの模式的平
面図、第４図はモールド型に挟持されたリードフレーム
を示す断面図、第５図はモールド型で半田メッキが潰さ
れた状態を示す断面図、第６図は半田メッキの潰れ状態
を示す模式的平面図、第７図は製造された半導体装置の
断面図である。

この実施例においては、第２図に示されるようなリード
フレームが用いられ、第３図のようなチップボンディン
グ、ワイヤボンディングが行われた後、第１図および第
４図ならびに第５図に示されるような状態でモールドさ
れ、かつ切断、成形によって第７図に示されるような半
導体装置が製造される。

この実施例のリードフレーム１は、厚さ０．　１５〜０
．２５ｍｍの鉄−ニッケル系合金または銅系合金等から
なる金属板を清書プレスにより、またはエツチングによ
ってパターニングして形成する。また、パターニングさ
れたリードフレームｌは、精密プレスあるいはエンチン
グによって、ダムに沿う表裏細部分が１５〜３０μｍ程
度窪ませられる。その後、リードの内端にはワイヤポン
ディングのための金や銀からなる厚さ数μｍのメッキ膜
が形成されるとともに、ダムのやや内側となるインナー
リード部分からアウターリード部分に亘ってソルダビリ
ティの良好なメンキ膜、たとえば鉛−錫からなる半田メ
ッキ膜が５〜ｌＯμｍの厚さに形成される。

以下、具体例について説明する。

リードフレーム１は第２図に示されるように、一対の平
行に延在する枠５と、これら枠５を所定間隔で連結する
細いタイバー１０と、対面する一対のタイバー１０の内
縁から前記枠５に対して平行に延在する片持梁構造の複
数のり一部３と、前記タイバー１０に平行に延在し、前
記リード３問およびリード３と枠５をそれぞれ連結する
細いダム４とからなっている。また、枠５とタイバーｌ
Ｏとで形成される単位リードパターンの中心部分には、
矩形のタブ１１が配設されている。このタブ１１は、前
記枠５に一端が連結された２本の細いタブ吊りリード１
２で支持されている。

一方、前記ダム４から外側のリード３部分、すなわち、
アウターリード６は等間隔に配設されるとともに、いず
れも平行となっているが、ダム４よりも内側のリード３
部分、すなわち、インナーリード７は途中迄は相互に平
行となっているが、その先端は前記タブ１１に向かって
屈曲して延在している。さらに、前記枠５には、リード
フレーム１の搬送や位置決め等に使用されるガイド孔１
３が設けられている。

前記リード３のピッチは、たとえば０．８ｍｍとなると
ともに、リード３の幅は０．３５ｍｍ程度となっている
。したがって、隣接するリードの間隔は０．４５ｍｍと
なる。また、前記タブ１１の幅は０．３５ｍｍ程度とな
っている。

前記リードフレーム１は、第２図に示されるようにイン
ナーリードマの途中、すなわち前記ダム４に近いインナ
ーリード７部分からダム４を含みかつアウターリード６
に亘る領域にソルダビリティの良好な半田メッキ１ｌＵ
８が設けられている。この半田メッキ膜８は厚さが５〜
１０μｍ程度となっている。なお、半田メッキＭ８が設
けられた領域は、図では点々が施されて示されている。

また、前記リード３の内端、すなわちインナーリード７
の内端には、クロスハツチングで示されるように、金あ
るいは銀からなる厚さ数μｍのメッキ膜１５が設けられ
ている。

他方、これが本発明の特徴の一つであるが、このリード
フレーム１にあっては、前記ダム４の略中央部分からイ
ンナーリード７の途中に至る領域のダム４およびリード
３の表裏面は一段窪んだ窪み２０が設けられ、空間２１
が形成され、ている。

この窪み２０は、第２図、第３図および第６図において
右上がりの線によるハツチングが施された領域に設けら
れ、リードフレームｌをプレスでコイニングあるいは表
面をエツチングすることによって形成される。これらコ
イニングまたはエツチングは、前記半田メッキ膜８が設
けられる前に行なわれる。前記富み２０はその深さが約
１０ｐｍ〜１５μｍ程度となっている。また、この窪み
２０は前記ダム４に沿って延在し、その両端は前記枠５
に至る寸前に位置している。そして、この窪み２０は、
第１図および第４図〜第６図に示されるように、モール
ド型２５に型締めされた際、モールド型２５の下型２Ｇ
と上型２７のキャビティ２８の周囲の下型パーティング
面２９および上型パーティング面３０に一部が対面密着
するような位置に設けられている。この下型パーティン
グ面２９、上型パーティング面３０の前記キャビティ２
８側から外れる縁は、前記タブ１１の窪み２０上に位置
している。この結果、モールド時、潰されて流出する半
田は前記窪み２０内に流れ込み、リード３やダム４の縁
から殆んど張り出さなくなる。

つぎに、半導体装置の製造方法について説明する。半導
体装置の製造にあっては、前記リードフレーム１が用意
された後、チップポンディングが行われ、第３図に示さ
れるように、前記タブ１１上に半導体素子（チップ）３
５がボンディングされる。

つぎに、ワイヤボンディングが行われ、前記デツプ３５
の電極と、これら電極に対応するリード３の内端とがワ
イヤ３６で接続される。

つぎに、チンプボンデイング、ワイヤボンディングが終
了したリードフレーム１は、第１図および第４図に示さ
れるように、トランスファモールドプレスのモールド型
２５の下型２６上に載置される。その後、リードフレー
ム１は第５図に示されるように型締めされる。モールド
型２５は、型締めによって、一部は図示しないが、レジ
ンが流れるランナー、ゲートキャビティ２８およびエア
ーベント等を形成するようになっている。そこで、前記
ランナーからゲートを通してキャビティ２８内にレジン
を圧入させ、かつレジンのキエアによってレジンを硬化
させる。

つぎに、モールドが施されたリードフレーム１は、前記
モールド型２５から取り出され、切断成形機によって不
要なリードフレーム部分が除去され、かつ底形されるこ
とによって、第７図に示されるような半導体装置３７が
製造される。

ところで、前記モールド時、第４図に示されるように、
下型２６と上型２７の下型パーティング面２９と上型パ
ーティング面３０との間に半田メッキ１９Ｂが設けられ
たリードフレーム１部分、すなわち第６図に示されるよ
うに、リード３およびダム４の一部分がクランプ（挟持
）される。この際、リードフレーム１の表面の半田メッ
キ膜８は熱と圧力とによって軟化するため、第５図に示
されるように、半田メッキＷｊ４８は一部が押し潰され
て流出するようになる。この実施例では、前述のように
窪み２０（空間２１）が設けられていることから、押し
潰された半田３８は、第５図および第６図に示されるよ
うに前記窪み２０（空間２１）内に毛細管理現象もあっ
て流れ込む。したがって、前記押し潰された半田３８は
リード３やダム４の縁から殆んど流出しなくなり、また
は第６図に示されるように、わずかしか流出しなくなっ
て、従来のような一対のり一部３およびこの間に延在す
るダム４およびパッケージ２によって取り囲まれる領域
に多量に流れ込まなくなる。なお、第６図において右上
がりの線によるハツチング領域が窪み２０（空間２１）
の形成・された領域であり、右下がりの線によるハツチ
ング領域が押し潰された半田３８の拡がった領域である
。また、点々で示される領域が半田メッキ膜８が設けら
れた領域である。

このような実施例によれば、つぎのような効果が得られ
る。

（１）本発明によれば、モールド時モールド型によって
押し潰された半田は、窪み〈空間）内に入り込み、リー
ド間に流れ出るようなことは殆どなくなるという効果が
得られる。

（２）上記（１）により、本発明によれば、モールド時
リード間に押し潰された半田がリード間に流出し難くな
ることから、隣接リード間のショート不良が発生し難く
なるという効果が得られる。

（３）上記（１）により、本発明によれば、モールド時
押し潰された半田が隣接するリードを連結するようなこ
ともなくなることから、各リードを連結するダムを切断
した際、ダムおよびレジンバリは流出する半田によって
支持されることもなく、ダムおよびレジンバリは容易か
つ確実に除去されるという効果が得られる。

（４）上記（３）により、本発明によれば、ダム切断時
レジンバリは容易にパッケージから脱落するため、レジ
ンバリがリード間に残留するようなレジンバリ付着不良
が発生し難くなるという効果が得られる。

（５）上記（３）により、本発明によれば、ダムおよび
レジンバリの除去作業の作業性が向上するという効果が
得られる。

（６）前記レジンバリの残留付着は外観上好ましくない
ばかりでなく、残留すればショート不良の原因となり、
脱落する場所によっては単に周囲を汚すだけでなく、装
置類の故障の原因ともなる。

また、前記パッケージの表裏面に付着した状態で加圧加
工が行なわれた場合には、前記レジンバリはパッケージ
表面での圧痕の原因ともなる。しかし、本発明によれば
、このようなトラブルはダム切断時にレジンバリが確実
に除去されることから解消できる。

（第２実施例） 第８図は本発明の第２実施例によるリードフレームの要
部を示す模式的平面図、第９図は同しく第８図のＩＸ−
ＩＸ線に沿う断面図である。

この実施例は、前記第１実施例において、窪み２０が設
けられる部分のり−ド３の機械的強度を向上させた例で
ある。すなわち、前記窪み２０は隣接するリード３にお
いて、その両端縁に窪み２０を設けないことによって、
各リード３の中央に沿ってリブ４０を設けてなるもので
ある。このリブ４０によって、ダム４が切断除去された
後も、各リード３の機械的強度は維持できるようになる
。

（第３実施例） 第１Ｏ図は本発明の第３実施例によるリードフレームの
要部を示す断面図である。

この実施例は、前記半田メッキ膜８を形成するに際して
、皿回の半田メッキ処理で窪み２０を形成する例である
。すなわち、前記インナーリード７側では一回のメッキ
処理を行ない、アウターリード６側では皿回のメッキ処
理を行なって前記窪み２０すなわち空間２１を形成する
。皿回の半田メッキ処理は、所望のマスクが用いられそ
れぞれメッキ処理を行なわれ、たとえばその上に前記窪
み２０が形成される薄膜メンキ部４１の厚さは防錆効果
を維持できる１μｍの厚さとし、ソルダビリティを保証
するための厚膜メッキ部４２の厚さは５〜１０μｍの厚
さがＸｔ尺される。

この実施例では、前記下型２６と上型２７に強くクラン
プされても、薄膜メッキ部４１は半田メッキ膜の厚さが
１μｍと薄いことから流出する絶体量が少なく、隣接リ
ード間ショートが防止できるとともに、ダム切断時にレ
ジンバリも確実に除去できることになる。

また、この実施例では、リー１３の厚さが部分的に薄く
なることもないことから、リードのＩａ城的強度低下は
生しない。

（第４実施例） 第１１図は本発明の第４実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図である。

この実施例では、前記ダム表面に全くあるいは部分的に
半田メンキ膜８を設けないことによって、窪み２０（空
間２１）を設けた例である。同図には、前記ダム４のイ
ンナーリード７側に半田メッキ膜８を設けないで窪み２
０を形成した例が示されている。このリードフレーム１
では、モールド時、押し潰された半田３８は前記窪み２
０内に流れ込み、ダム４のインナーリード７側およびイ
ンナーリード７の縁から外側には流出しない、この際、
前記ダム４のアウターリード６側の縁に沿って半田メン
キ膜８が設けられているとともに、この半田メンキＦ！
８部分が溶けて窪み２０に流れ込んだ半田のアウターリ
ード６側への流出を抑止する働きをする。また、前記窪
み２０に流れ込んだ半田は下型パーティング面２９およ
び上型パーティング面３０間に溜まり、空間２１を埋め
尽くすようになり、レジンもこの半田によってその流出
を阻止されることになる。なお、押し潰された半田３８
が前記空間２１を埋め尽くすことから、前記ダム４の表
面に半田メンキ膜８を設けなくてもレジン流出効果、す
なわち、ダム効果は失われない。

（第５実施例） 第１２図は本発明の第５実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図である。

この実施例は、前記ダム４のキャビティ２８側（インナ
ーリード７側）の縁に切り込みを設け、この切込部４３
で前記空間２１を形成した構造である。モールド時、押
し潰された半田３８はこの切込部４３である空間２１内
に流れ込み、ダム４やリード３の縁から半田が流出する
ような現象が防止できる。なお、この構造によれば、前
記空間２１内に溶けたレジンが流入した場合、このレジ
ン部分は切込部４３の長い内縁に接触することから、レ
ジンとダム４との接着力も大きくなり、前記ダム４を切
断除去した際、切断除去されたダム４に引きずられてレ
ジン、すなわら、レジンバリも除去されるという効果が
得られる。

（第６実施例） 第１３図は本発明の第６実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図である。

この実施例は、前記第５実施例をさらに発展させた例で
あり、前記切込部４３はその入口部分を狭くし奥の幅を
広くした構造となっている。この結果、前記切込部４３
内に侵入したレジンバリは、前記切込部４３の入口側の
突部４４に引っ掛かって抜けなくなり、確実にレジンバ
リの除去を前記ダム４の切断除去によって行えるように
なる。

また、前記切込部４３の形状としては、他の形状であっ
てよいことは勿論である。

（第７実施例） 第１４図〜第１７図は本発明の第７実施例を示す図であ
って、第１４図は半導体装置の製造手順を示すフローチ
ャート、第１５図はリードフレームの一部を示す断面図
、第１６図はリード表面の半田メッキの潰れ状態を示す
断面図、第１７図はリードの断面図である。

この実施例では、第１４図に示されるように、リードパ
ターン形成、メッキ処理、プレス加工。

潰れ食み出し部除去１組立、モールド、切断・底形なる
各工程を経て半導体装置が製造される。

この実施例では、最初に第１５図に一部が示されるよう
に、平坦なリードフレーム１の表面に半田メッキ膜８が
設しナられる。この半田メンキ）漠８は前記インナーリ
ード７の途中からダム４を含みかつアウターリード６に
至る領域に設けられている。

つぎに、このリードフレーム１は、第１６図に示される
ように、トランスファモールドプレスによって予備型締
めされる。この予備型締めは後工程によるモールドにお
ける型締めと同一の加熱力Ｕ圧条件で行わ帆る。この結
果、モールド型２５の型締めによって、下型２６の下型
パーティング面２９および上型２７の上型パーティング
面３０によってクランプされたリードフレーム１部分、
すなわち、リード３およびダム４部分にあっては、表面
の半田メッキ膜８は、第１６図および第１７図に示され
るように、押し潰されて食み出る。そこで、この食み出
し半田４５を、図示しないマスキングを施した後、ショ
ツトブラスト等によって除去する。

つぎに、このリードフレーム１を用いて、通常の工程に
よって半導体装置を製造する。すなわち、図示はしない
が、前記リードフレームｌのタブ１１上にチップ３５を
搭載した後、このチップ３５の電極とリード３の内端を
ワイヤ３６で接続し、その後モールドを行い、前記チッ
プ３５．リード３の内端部等をパッケージ２で封止する
。このモールド時、前記リードフレーム１はモールド型
２５の下型２６と上型２７とによって型締めされるが、
前記予備型締めによってリードフレーム１の半田メッキ
膜８は一度挟持されていることから、このモールド時に
は、前記下型２６の下型パーティング面２９と上型２７
の上型パーティング面３０によってクランプされても、
クランプされた部分の半田メッキ膜８は既に変質しかつ
押し固められていることから、従来のように半田流出現
象は発生しなくなる。したがって、流出する半田による
隣接リード間のショート不良やレジンバリ除去不良の発
生を抑止することができ、歩留りおよび生産性の向上が
達成できる。

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置の製造技
術に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではない。

本発明は少なくともレジンモールド技術には適用できる
。

〔発明の効果〕

本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。

本発明によれば、半田メッキ膜を表面に設けたリードフ
レームを用いて半導体装置を製造する場合、前記リード
フレームのダムおよびダムに交差するリード部分には、
窪みや切込部からなる空間が設けられていることから、
モールド時前記半田メッキ膜が潰されて流出しても、こ
の押し潰された半田は前記空間内に流れ込み、ダムやリ
ードの縁から大幅に食み出ずようなこともなくなるため
、隣接リードのショート不良やレジンバリ除去不良が発
生し難くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例によるモールド型締め状態
を示す断面図、 第２図は本発明によるリードフレームを示す模式的平面
図、 第３図は同しくチップ搭載およびワイヤ接続が終了した
リードフレームの模式的平面図、第４図は同じくモール
ド型に挟持されたリードフレームを示す断面図、 第５図は同じくモールド型で半田メッキが潰された状態
を示す断面図、 第６図は同じく半田メッキの潰れ状態を示す模式的平面
図、 第７図は本発明によって製造された半導体装置の断面図
、 第８図は本発明の第２実施例によるリードフレームの要
部を示す模式的平面図、 第９図は同しく第８図のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図、第
１０図は本発明の第３実施例によるリードフレームの要
部を示す断面図、 第１１図は本発明の第４実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図、 第１２図は本発明の第５実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図、 第１３図は本発明の第６実施例によるリードフレームの
要部を示す模式的平面図、 第１４図は本発明の第７実施例における半導体装置の製
造手順を示すフローチャート、第１５図は同しくリード
フレームの一部を示す断面図、 第１６図は同しくリード表面の半田メッキの潰れ状態を
示す断面図、 第１７図は同しくリードの断面図、 第１８図は従来のリードフレームを用いた場合における
モールド時の半田潰れによる半田張り出し状態を示す一
部の模式的平面図である。 １・・・リードフレーム、２・・・パッケージ、３・・
・リード、４・・・ダム、５・・・枠、６・・・アウタ
ーリード、７・・・インナーリード、８・・・半田メッ
キ膜、９・・・食み出し半田塊、１０・・・タイバ、１
１・・・タブ、１２・・・タブ吊りリード、１３・・・
ガイド孔、１５・・・半田メッキ膜、２０・・・窪み、
２１・・・空間、２５・・・モールド型、２６・・・下
型、２７・・・上型、２８・・・キャビティ、２９・・
・下型パーティング面、３０・・・上型パーティング面
、３１・・・メッキ膜、３５・・・チップ、３６・・・
ワイヤ、３７・・・半導体装置、３８・・・押し潰され
た半田、４０・・・リブ、４１・・・薄膜メッキ部、４
２・・・厚膜メッキ部、４３・・・切込部、４４・・・
突部、４５・・・食み出し半田。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体素子が固定されるタブと、このタブの周辺に
   内端を臨ませる複数のリードと、前記各リードを連結す
   るとともにレジンモールド時レジンの流出を阻止するよ
   うに配設されたダムと、を有し、かつ少なくとも前記ダ
   ムの内側領域から外側領域のリード表面にソルダビリテ
   イの良好なメッキ膜が設けられてなるリードフレームで
   あって、モールド型の下型と上型のパーティング面に密
   着する前記ダムまたは／およびダム間のリード部分には
   、前記下型と上型で型締めされた際前記メッキ膜の潰れ
   部分が流れ込むことができるような空間が設けられてい
   ることを特徴とするリードフレーム。 ２、前記空間はリードおよびダムを部分的に窪ませた窪
   みによって形成されていることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載のリードフレーム。 ３、前記窪みはリードからダムを経て隣接するリードに
   亘って設けられているとともに、前記リードの中央部分
   はリードの長手方向に沿って窪みとならないリブが形成
   されていることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
   のリードフレーム。 ４、前記空間は前記メッキ膜の膜厚が部分的に薄くまた
   は部分的に設けられないことによって形成されているこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレ
   ーム。 ５、前記空間は前記ダムのキャビティ側に位置する内縁
   に設けられた切込部によって形成されていることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載のリードフレーム。 ６、前記切込部はその入口が奥の部分に比較して狭くな
   っていることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の
   リードフレーム。 ７、ソルダビリテイの良好なメッキ膜をリードフレーム
   の一部に設ける工程と、前記リードフレームにチップを
   取り付けるとともにワイヤの接続を行なう工程と、前記
   リードフレームをトランスファモールドプレスのモール
   ド型に型締めしかつ前記モールド型によって形成された
   キャビティ内にレジンを加圧注入してリードフレームの
   所定部分をパッケージで被う工程と、を有する半導体装
   置の製造方法であって、前記リードフレームの所望表面
   に前記メッキ膜を設けた後、前記リードフレームをトラ
   ンスファモールドプレスのプレス条件と同一の状態で予
   備型締めし、その後予備型締めによって潰されて食み出
   た前記メッキ部分を除去することを特徴とする半導体装
   置の製造方法。 ８、前記メッキ膜はパッケージ形成領域の周りのリード
   フレーム面に設けられることを特徴とする特許請求の範
   囲第７項記載の半導体装置の製造方法。