JPH0336730A - 選択酸化の方法およびれれに用いるレチクル - Google Patents
選択酸化の方法およびれれに用いるレチクルInfo
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- JPH0336730A JPH0336730A JP17229489A JP17229489A JPH0336730A JP H0336730 A JPH0336730 A JP H0336730A JP 17229489 A JP17229489 A JP 17229489A JP 17229489 A JP17229489 A JP 17229489A JP H0336730 A JPH0336730 A JP H0336730A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
この発明は、例えば半導体基板上において、素子分離領
域を形成する際の選択酸化の方法およびそれに用いるレ
チクルに関する。
域を形成する際の選択酸化の方法およびそれに用いるレ
チクルに関する。
(従来の技術)
従来、半導体基板表面への素子分離領域(以下フィール
ド領域と称す)形成の際、素子分離幅(以下フィールド
幅と称す)の設計値と、仕上り値とは、主にバーズビー
クによって、コンマ数μm程度のズレを生じている。
ド領域と称す)形成の際、素子分離幅(以下フィールド
幅と称す)の設計値と、仕上り値とは、主にバーズビー
クによって、コンマ数μm程度のズレを生じている。
そこで現在、上記の°ズレを考慮に入れ、レチクルに描
かれるフィールド領域パターンには、バーズビークの伸
びを予想した変換差が盛り込まれている。このように変
換差を盛り込むことによって、上記フィールド幅の仕上
り値が、設計値に近い値で形成できる。例えばポジ型の
ホトレジストを用いてフィールド領域を形成する場合に
は、第7図に示すように、ホトレジスト(図示せず)に
対してフィールド領域を投影するために、レチクル10
1に描かれている光透過部102の幅を、フィールド幅
の設計値103より、変換差T3の分だけ狭くなるよう
にしている。
かれるフィールド領域パターンには、バーズビークの伸
びを予想した変換差が盛り込まれている。このように変
換差を盛り込むことによって、上記フィールド幅の仕上
り値が、設計値に近い値で形成できる。例えばポジ型の
ホトレジストを用いてフィールド領域を形成する場合に
は、第7図に示すように、ホトレジスト(図示せず)に
対してフィールド領域を投影するために、レチクル10
1に描かれている光透過部102の幅を、フィールド幅
の設計値103より、変換差T3の分だけ狭くなるよう
にしている。
第7図に示すレチクルを用いて、フィールド領域形成の
一工程である、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用い
た写真蝕刻を行なうと、第8図(a)に示すような、開
孔部104を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜105のパ
ターンが得られる。
一工程である、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用い
た写真蝕刻を行なうと、第8図(a)に示すような、開
孔部104を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜105のパ
ターンが得られる。
次に、上記窒化膜105のパターンをマスクとして、選
択酸化を行なうと、第8図(b)に示すような、フィー
ルド酸化膜106のパターンが形成される。ところがこ
のとき、図中の円107内に示す領域では、設計値10
3を大きく逸脱したフィールド酸化膜106が形成され
てしまう。
択酸化を行なうと、第8図(b)に示すような、フィー
ルド酸化膜106のパターンが形成される。ところがこ
のとき、図中の円107内に示す領域では、設計値10
3を大きく逸脱したフィールド酸化膜106が形成され
てしまう。
この原因としては、第1に、第8図(a)の円109内
に示す開孔部104同士の交差部分では、開孔部104
が四方向に開いているために酸化剤が入りやすい。この
ため、他の部分より、酸化が進みやすくなる。
に示す開孔部104同士の交差部分では、開孔部104
が四方向に開いているために酸化剤が入りやすい。この
ため、他の部分より、酸化が進みやすくなる。
第2に、同図(a)中に示す円110内に示す窒化膜1
05の角部では、窒化膜105の剛性が低く、他の部分
より、窒化膜105がめくれやすい。このため、バーズ
ビークが伸びやすくなる。
05の角部では、窒化膜105の剛性が低く、他の部分
より、窒化膜105がめくれやすい。このため、バーズ
ビークが伸びやすくなる。
これらの2点が相乗効果となって、第8図(b)中の円
107内に示す領域には、設計値103を大きく逸脱し
たフィールド酸化膜106が形成されるのである。設計
値103を大きく逸脱したフィールド酸化膜106が形
成されると、素子領域108の面積が減ってしまう。素
子領域108の面積が減少すると、ここに形成される能
動素子の特性に影響を及ぼす。例えば素子領域108に
入りこんでいるフィールド酸化膜106のために、必要
な電流が充分に得られなくなる、あるいは電源マージン
(V cclin )等の悪化が起こる。このような、
素子特性の悪化は、特に現在、進行中である素子の微細
化に伴い、素子領域108自体が微細になってきた際、
より顕著なものとなる。例えば素子領域108内に入り
込むバーズビークの伸びの量は、素子領域108の減少
に対して、必ずしも比例縮小するとは限らない。このた
め、素子領域108自体が小さくなると、上記素子領域
108内に入り込むバーズビークによる面積減少率が高
くなる。
107内に示す領域には、設計値103を大きく逸脱し
たフィールド酸化膜106が形成されるのである。設計
値103を大きく逸脱したフィールド酸化膜106が形
成されると、素子領域108の面積が減ってしまう。素
子領域108の面積が減少すると、ここに形成される能
動素子の特性に影響を及ぼす。例えば素子領域108に
入りこんでいるフィールド酸化膜106のために、必要
な電流が充分に得られなくなる、あるいは電源マージン
(V cclin )等の悪化が起こる。このような、
素子特性の悪化は、特に現在、進行中である素子の微細
化に伴い、素子領域108自体が微細になってきた際、
より顕著なものとなる。例えば素子領域108内に入り
込むバーズビークの伸びの量は、素子領域108の減少
に対して、必ずしも比例縮小するとは限らない。このた
め、素子領域108自体が小さくなると、上記素子領域
108内に入り込むバーズビークによる面積減少率が高
くなる。
(発明が解決しようとする課題)
この発明は上記のような点に鑑み為されたちので、バー
ズビークの伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこ
れに設けられている開孔部の形状によって変わる点を改
善し、フィールド領域の仕上り値を、より設計値に近く
でき、素子領域の面積減少を抑制できる選択酸化の方法
およびそれに用いるレチクルを提供することを目的とす
る。
ズビークの伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこ
れに設けられている開孔部の形状によって変わる点を改
善し、フィールド領域の仕上り値を、より設計値に近く
でき、素子領域の面積減少を抑制できる選択酸化の方法
およびそれに用いるレチクルを提供することを目的とす
る。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明による選択酸化の方法によれば、耐酸化性膜パ
ターンを用いて酸化膜パターンを選択的に形成する方法
において、上記耐酸化性膜パターンが角部を持つ場合、
この角部にあらかじめ肉付は部を設けて酸化を行なうこ
とを特徴とする。
ターンを用いて酸化膜パターンを選択的に形成する方法
において、上記耐酸化性膜パターンが角部を持つ場合、
この角部にあらかじめ肉付は部を設けて酸化を行なうこ
とを特徴とする。
また、それに用いるレチクルによれば、レチクルに描か
れている耐酸化性膜パターンを投影する部分に角部が存
在する場合、この角部に肉付は部が設けられていること
を特徴とする。
れている耐酸化性膜パターンを投影する部分に角部が存
在する場合、この角部に肉付は部が設けられていること
を特徴とする。
(作用)
上記のような選択酸化の方法によれば、耐酸化性膜パタ
ーンの角部に肉付は部を設けることによって、この耐酸
化性膜パターンの角部の剛性が高まり、耐酸化性膜がめ
くれにくくなる。さらに、この角部に隣接して開孔部の
交差部分が存在した場合には、上記肉付は部によって、
開孔部の幅を狭めることができ、酸化剤が入りにくくな
る。これらのことから、従来、バーズビークが伸びやす
かった部分において、バーズビークの伸びが抑制される
。
ーンの角部に肉付は部を設けることによって、この耐酸
化性膜パターンの角部の剛性が高まり、耐酸化性膜がめ
くれにくくなる。さらに、この角部に隣接して開孔部の
交差部分が存在した場合には、上記肉付は部によって、
開孔部の幅を狭めることができ、酸化剤が入りにくくな
る。これらのことから、従来、バーズビークが伸びやす
かった部分において、バーズビークの伸びが抑制される
。
また、上記選択酸化に用いるレチクルによれば、レチク
ルに描かれているパターンの角部に肉付は部が設けられ
ており、このようなレチクルを用いて写真蝕刻を行なえ
ば、酸化膜パターンの角部を設計値に近く形成できる。
ルに描かれているパターンの角部に肉付は部が設けられ
ており、このようなレチクルを用いて写真蝕刻を行なえ
ば、酸化膜パターンの角部を設計値に近く形成できる。
(実施例)
以下、図面を参照してこの発明の実施例に係わる選択酸
化の方法およびそれに用いるレチクルについて説明する
。
化の方法およびそれに用いるレチクルについて説明する
。
第1図(a)は、本発明の第1の実施例に係わるレチク
ルの一部を示す平面図、第1図(b)は、第1図(a)
中に示す円5内の拡大図、第2図(a)および第2図(
b)は、第1の実施例に係わる選択酸化の方法を工程順
に示した平面図である。
ルの一部を示す平面図、第1図(b)は、第1図(a)
中に示す円5内の拡大図、第2図(a)および第2図(
b)は、第1の実施例に係わる選択酸化の方法を工程順
に示した平面図である。
まず、第1図q(a)に示すように、レチクル1には、
例えばポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を
投影する光透過部2が描かれている。この光透過部2は
、フィールド幅の設計値3より、変換差T1の分だけ狭
く描かれている。−方、光遮断部4は、耐酸化性膜のパ
ターンを、上記ホトレジストに対して投影する。このと
き、図中の円5内に示す上記光遮断部4の角部には、肉
付は部が設けられた形状となっている。この肉付は部を
第1図(b)の拡大図を参照して説明する。
例えばポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を
投影する光透過部2が描かれている。この光透過部2は
、フィールド幅の設計値3より、変換差T1の分だけ狭
く描かれている。−方、光遮断部4は、耐酸化性膜のパ
ターンを、上記ホトレジストに対して投影する。このと
き、図中の円5内に示す上記光遮断部4の角部には、肉
付は部が設けられた形状となっている。この肉付は部を
第1図(b)の拡大図を参照して説明する。
第1図(b)に示すように、光遮断部4は、フィールド
幅の設計値3より、変換差T1の分だけ広く描かれてい
る。また、このフィールド幅の設計値3は、角部におい
て設計値3の延長線3″より、幅部1″だけ、さらに広
くなっている。設計値3をCADに入力する際、この幅
Tl−を盛り込んで入力することによって、変換差を単
純−律に盛り込む、既存のCADシステムでも、上記光
遮断部4の面積を大きく描くことが可能となる。
幅の設計値3より、変換差T1の分だけ広く描かれてい
る。また、このフィールド幅の設計値3は、角部におい
て設計値3の延長線3″より、幅部1″だけ、さらに広
くなっている。設計値3をCADに入力する際、この幅
Tl−を盛り込んで入力することによって、変換差を単
純−律に盛り込む、既存のCADシステムでも、上記光
遮断部4の面積を大きく描くことが可能となる。
この幅Tl’によって、レチクル1の耐酸化性膜を投影
する光遮断部4に肉付は部5′を設けることが可能とな
る。
する光遮断部4に肉付は部5′を設けることが可能とな
る。
このようなレチクル1を用いて、フィールド領域形成の
一工程であ゛る、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用
いた写真蝕刻を行なうと、第2図(a)に示すような、
開孔部6を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜7のパターン
が得られる。このとき、〆 図中の円8内に示すように、上記窒化膜7のパターンの
角部には、肉付は部7′が形成されている。
一工程であ゛る、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用
いた写真蝕刻を行なうと、第2図(a)に示すような、
開孔部6を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜7のパターン
が得られる。このとき、〆 図中の円8内に示すように、上記窒化膜7のパターンの
角部には、肉付は部7′が形成されている。
次に、上記窒化膜7をマスクとして、選択酸化を行なう
と、第2図(b)に示すような、フィールド酸化膜9パ
ターンが形成される。このとき、図中の円10内に示す
領域において、フィールド幅の設計値3を大きく逸脱す
るフィールド酸化膜9は形成されにくくなっている。こ
の理由は、第2図(Jl)中、の円8内に示す窒化膜7
の角部に、肉付は部を設けて、選択酸化を行なった点に
ある。
と、第2図(b)に示すような、フィールド酸化膜9パ
ターンが形成される。このとき、図中の円10内に示す
領域において、フィールド幅の設計値3を大きく逸脱す
るフィールド酸化膜9は形成されにくくなっている。こ
の理由は、第2図(Jl)中、の円8内に示す窒化膜7
の角部に、肉付は部を設けて、選択酸化を行なった点に
ある。
つまり、従来、剛性が低かった窒化膜7の角部に肉付は
部7′を設けることにより、上記窒化膜7の角部の剛性
を高めることができ、この結果、窒化膜7はめくれにく
くなって、バーズビークは伸びにくくなる。
部7′を設けることにより、上記窒化膜7の角部の剛性
を高めることができ、この結果、窒化膜7はめくれにく
くなって、バーズビークは伸びにくくなる。
さらに、上記窒化膜7の角部には、第2図(a)中の円
11内に示す開孔部6同士の交差部分が近接して存在し
ている。この交差部分は、開孔部が四方向に開いている
ために、従来から酸化剤が入りやすい領域であった。と
ころが、上記肉付は部7″を設けることによって、四方
向に開いている開孔部の幅が、個々に狭められている。
11内に示す開孔部6同士の交差部分が近接して存在し
ている。この交差部分は、開孔部が四方向に開いている
ために、従来から酸化剤が入りやすい領域であった。と
ころが、上記肉付は部7″を設けることによって、四方
向に開いている開孔部の幅が、個々に狭められている。
開孔部の幅が狭まれば、酸化剤が入る量は減少し、この
結果、酸化は進みにくくなる。
結果、酸化は進みにくくなる。
これらのことから、従来、設計値を大きく逸脱したフィ
ールド酸化膜が形成されていた第2図(b)中の円10
内に示す領域において、設計値3を大きく逸脱するフィ
ールド酸化膜8は形成されにくくなり、より設計値3に
近い値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜9が形
成されるようになる。
ールド酸化膜が形成されていた第2図(b)中の円10
内に示す領域において、設計値3を大きく逸脱するフィ
ールド酸化膜8は形成されにくくなり、より設計値3に
近い値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜9が形
成されるようになる。
したがって、第2図(b)に示す素子領域12の面積は
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。
また、この効果は、素子の微細化が進行し、上記素子領
域12の面積自体が縮小された時に、特に有・効となっ
てくる。例えば、従来、上記バーズビークによる素子領
域12の面積減少率は、素子領域12自体が小さくなる
につれて高くなっていた。ところが本発明によれば、バ
ーズビークの伸び自体も小さくなることによって、面積
減少率の増大が抑制されるためである。
域12の面積自体が縮小された時に、特に有・効となっ
てくる。例えば、従来、上記バーズビークによる素子領
域12の面積減少率は、素子領域12自体が小さくなる
につれて高くなっていた。ところが本発明によれば、バ
ーズビークの伸び自体も小さくなることによって、面積
減少率の増大が抑制されるためである。
また、上記肉付は部7′の形状としては、主に、選択酸
化時の条件、フィールド酸化膜9の幅と、素子領域12
の面積とによって若干左右されるが、フィールド酸化膜
9の幅を、1〜1.5μmとした場合、例えば開孔部6
に沿う長さは、開孔部6の幅と同程度、開孔部6に入り
込む長さは、開孔部6の幅の1割〜2割程度の矩形が適
当である。
化時の条件、フィールド酸化膜9の幅と、素子領域12
の面積とによって若干左右されるが、フィールド酸化膜
9の幅を、1〜1.5μmとした場合、例えば開孔部6
に沿う長さは、開孔部6の幅と同程度、開孔部6に入り
込む長さは、開孔部6の幅の1割〜2割程度の矩形が適
当である。
尚、ネガ型ホトレジストを用いて写真蝕刻を行なう場合
には、上記レチクル1において、光透過部2と、光遮断
部4とを逆にすれば良い。
には、上記レチクル1において、光透過部2と、光遮断
部4とを逆にすれば良い。
次に、第3図、第4図(a)、および第4図(b)を参
照して、この発明の第2の実施例に係わる選択酸化の方
法およびそれに用いるレチクルについて説明する。
照して、この発明の第2の実施例に係わる選択酸化の方
法およびそれに用いるレチクルについて説明する。
第3図は、この発明の第2の実施例に係わるレチクルの
一部を示す平面図、第4図(a)および第4図(b)は
、第2の実施例に係わる選択酸化の方法について工程順
に示した平面図である。
一部を示す平面図、第4図(a)および第4図(b)は
、第2の実施例に係わる選択酸化の方法について工程順
に示した平面図である。
まず、第3図に示すように、レチクル21には、例えば
ポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を投影す
るT型の光透過部22が描かれている。この光透過部2
2は、フィールド幅の設計値23より、変換差T2の分
だけ狭く描かれている。
ポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を投影す
るT型の光透過部22が描かれている。この光透過部2
2は、フィールド幅の設計値23より、変換差T2の分
だけ狭く描かれている。
一方、光遮断部24は、耐酸化性膜のパターンを、上記
ホトレジストに対して投影する。このとき、図中の円2
5内に示す上記光遮断部24の角部には、第1の実施例
同様、肉付は部24′が設けられた形状となっている。
ホトレジストに対して投影する。このとき、図中の円2
5内に示す上記光遮断部24の角部には、第1の実施例
同様、肉付は部24′が設けられた形状となっている。
このようなレチクル21を用いて、フィールド領域形成
の一工程である、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用
いた写真蝕刻を行なうと、第4図(a)に示すような、
開孔部26を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜27のパタ
ーンが得られる。
の一工程である、ポジ型ホトレジスト(図示せず)を用
いた写真蝕刻を行なうと、第4図(a)に示すような、
開孔部26を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜27のパタ
ーンが得られる。
図中の円28内に示すように、上記窒化膜27のパター
ンの角部には、第1の実施例同様、肉付は部27′が形
成されている。
ンの角部には、第1の実施例同様、肉付は部27′が形
成されている。
次に、上記窒化膜27をマスクとして、選択酸化を行な
うと、第4図(b)に示すような、フィールド酸化膜2
9パターンが形成される。このとき、図中の円30内に
示す領域において、フィールド幅の設計値23を大きく
逸脱するフィールド酸化膜2つは形成されにくくなって
いる。この理由は、第1の実施例同様、第4図(a)中
の円28内に示す窒化膜27の角部に、肉付は部27″
を設けて、選択酸化を行なった点にある。
うと、第4図(b)に示すような、フィールド酸化膜2
9パターンが形成される。このとき、図中の円30内に
示す領域において、フィールド幅の設計値23を大きく
逸脱するフィールド酸化膜2つは形成されにくくなって
いる。この理由は、第1の実施例同様、第4図(a)中
の円28内に示す窒化膜27の角部に、肉付は部27″
を設けて、選択酸化を行なった点にある。
よって、窒化膜27の角部の剛性が高まることから、窒
化膜27がめくれにくくなり、バーズビークは伸びにく
くなる。
化膜27がめくれにくくなり、バーズビークは伸びにく
くなる。
さらに、上記窒化膜27の角部には、開孔部26同士の
交差部分が近接して存在している。この交差部分は、開
孔部が三方向に開いているために酸化剤が入りやすい。
交差部分が近接して存在している。この交差部分は、開
孔部が三方向に開いているために酸化剤が入りやすい。
ところが、上記肉付は部27′を設けることによって、
三方向に開いている開孔部の幅を狭めることができる。
三方向に開いている開孔部の幅を狭めることができる。
よって、第1の実施例同様、酸化剤の入る量が減り、酸
化が進みにくくなる。
化が進みにくくなる。
このように、開孔部が複数の方向に対して開き、これら
が互いに交差している領域を持つ耐酸化性膜が存在すれ
ば、この発明は適用できる。
が互いに交差している領域を持つ耐酸化性膜が存在すれ
ば、この発明は適用できる。
これらのことから、第4図(b)中の円30内に示す領
域において、設計値23を大きく逸脱するフィールド酸
化膜29は形成されにくくなり、より設計値23に近い
値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜29が形成
されるようになる。
域において、設計値23を大きく逸脱するフィールド酸
化膜29は形成されにくくなり、より設計値23に近い
値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜29が形成
されるようになる。
したがって、第4図(b)に示す素子領域31の面積は
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。
また、この効果は、第1の実施例同様、素子の微細化が
進行し、上記素子領域12の面積自体が縮小されるにつ
れ、有効となることは勿論である。
進行し、上記素子領域12の面積自体が縮小されるにつ
れ、有効となることは勿論である。
また、上記肉付は部の形状は、選択酸化時の条件によっ
て若干左右されるが、例えば長さは、開孔部26の幅と
同程度、開孔部26に入り込む長さは、開孔部26の幅
の1割〜2割程度の矩形が適当である。
て若干左右されるが、例えば長さは、開孔部26の幅と
同程度、開孔部26に入り込む長さは、開孔部26の幅
の1割〜2割程度の矩形が適当である。
尚、ネガ型ホトレジストを用いて写真蝕刻を行なう場合
には、上記レチクル21において、光透過部22と、光
遮断部24とを逆にすれば良い。
には、上記レチクル21において、光透過部22と、光
遮断部24とを逆にすれば良い。
次に、上記レチクル21の改良タイプを、第5図の平面
図に示す。
図に示す。
さらに、この第2の実施例に係わるレチクル21に、第
5図に示す円32内に示す、新たな肉付は部32′を設
けても良い。このような肉付は部32″を新たに設けれ
ば、図示しないが開孔部同士の交差部分において、これ
らの開孔部の幅をさらに狭めることができ、酸1化剤が
一段と入りにくくなる。よって、バーズビークの伸びを
いっそう抑制できるようになる。
5図に示す円32内に示す、新たな肉付は部32′を設
けても良い。このような肉付は部32″を新たに設けれ
ば、図示しないが開孔部同士の交差部分において、これ
らの開孔部の幅をさらに狭めることができ、酸1化剤が
一段と入りにくくなる。よって、バーズビークの伸びを
いっそう抑制できるようになる。
次に、この発明の変形例について、第6図を参照して説
明する。
明する。
第6図は、この発明の変形例に係わる選択酸化の一工程
中の平面図である。
中の平面図である。
従来の問題として、耐酸化性膜の角部では剛性が低くバ
ーズビークが伸びやすい。さらに、このような角部は、
往々にして耐酸化性膜の開孔部が互いに交差している領
域に近接しており、この領域は酸化剤が入りやすいこと
から、酸化が進みやすい。
ーズビークが伸びやすい。さらに、このような角部は、
往々にして耐酸化性膜の開孔部が互いに交差している領
域に近接しており、この領域は酸化剤が入りやすいこと
から、酸化が進みやすい。
以上の2点が相乗効果となって、バーズビークが伸びや
すいことを既に述べた。
すいことを既に述べた。
この点を踏まえると、第6図に示すように、開孔部41
を持つ耐酸化性膜42のパターンがあった場合に、上記
耐酸化性膜42の角部に、さらに、第2の耐酸化性膜4
3を形成して、上記角部の剛性の増強を図り、さらに、
上記開孔部41の交差領域において、互いの開孔部41
の幅を狭めても良い。
を持つ耐酸化性膜42のパターンがあった場合に、上記
耐酸化性膜42の角部に、さらに、第2の耐酸化性膜4
3を形成して、上記角部の剛性の増強を図り、さらに、
上記開孔部41の交差領域において、互いの開孔部41
の幅を狭めても良い。
このように、耐酸化性膜42の角部に、新たに第2の耐
酸化性膜43を形成して選択酸化を行なっても、従来、
バーズビークが伸びやすかった部分において、バーズビ
ークの伸びを抑制でき、素子領域の面積減少を防止する
ことができる。
酸化性膜43を形成して選択酸化を行なっても、従来、
バーズビークが伸びやすかった部分において、バーズビ
ークの伸びを抑制でき、素子領域の面積減少を防止する
ことができる。
[発明の効果]
以上説明したようにこの発明によれば、バーズビークの
伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこれに設けら
れている開孔部の形状によって変わる点が改善され、フ
ィールド領域の仕上り値を、より設計値に近くでき、素
子領域の面積減少が抑制できる選択酸化の方法およびそ
れに用いるレチクルが提供される。
伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこれに設けら
れている開孔部の形状によって変わる点が改善され、フ
ィールド領域の仕上り値を、より設計値に近くでき、素
子領域の面積減少が抑制できる選択酸化の方法およびそ
れに用いるレチクルが提供される。
第1図(a)はこの発明の第1の実施例に係わるレチク
ルの平面図、第1図(b)は第1図(a)に示す円a内
の拡大図、第2図(a)および第2図(b)は第1の実
施例に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、
第3図はこの発明の第2の実施例に係わるレチクルの平
面図、第4図(a)および第4図(b)は第2の実施例
に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、第5
図は第2の実施例に係わるレチクルの改良タイプの平面
図、第6図はこの発明の変形例に係わる選択酸化の方法
の一工程中の平面図、第7図は従来のレチクルの平面図
、第8図(a)および第8図(b)は従来の選択酸化の
方法を工程順に示した平面図である。 1・・・・・・レチクル、2・・・・・・光透過部、3
・・・・・・設計値、4・・・・・・光遮断部、6・・
・・・・開孔部、7・・・・・・窒化膜、9・・・・・
・フィールド酸化膜、12・・・・・・素子領域、21
・・・・・・レチクル、22・・・・・・光透過部、2
3・・・・・・設計値、24・・・・・・光遮断部、2
6・・・・・・開孔部、27・・・・・・窒化膜、29
・・・・・・フィールド酸化膜、31・・・・・・素子
領域、41・・・・・・開孔部、42・・・・・・耐酸
化性膜、43・・・・・・第2の耐酸化性膜。
ルの平面図、第1図(b)は第1図(a)に示す円a内
の拡大図、第2図(a)および第2図(b)は第1の実
施例に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、
第3図はこの発明の第2の実施例に係わるレチクルの平
面図、第4図(a)および第4図(b)は第2の実施例
に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、第5
図は第2の実施例に係わるレチクルの改良タイプの平面
図、第6図はこの発明の変形例に係わる選択酸化の方法
の一工程中の平面図、第7図は従来のレチクルの平面図
、第8図(a)および第8図(b)は従来の選択酸化の
方法を工程順に示した平面図である。 1・・・・・・レチクル、2・・・・・・光透過部、3
・・・・・・設計値、4・・・・・・光遮断部、6・・
・・・・開孔部、7・・・・・・窒化膜、9・・・・・
・フィールド酸化膜、12・・・・・・素子領域、21
・・・・・・レチクル、22・・・・・・光透過部、2
3・・・・・・設計値、24・・・・・・光遮断部、2
6・・・・・・開孔部、27・・・・・・窒化膜、29
・・・・・・フィールド酸化膜、31・・・・・・素子
領域、41・・・・・・開孔部、42・・・・・・耐酸
化性膜、43・・・・・・第2の耐酸化性膜。
Claims (2)
- (1)耐酸化性膜パターンを用いて酸化膜パターンを選
択的に形成する方法において、上記耐酸化性膜パターン
が角部を持つ場合、この角部にあらかじめ肉付け部を設
けて酸化を行なうことを特徴とする選択酸化の方法。 - (2)写真蝕刻工程で用いるレチクルにおいて、このレ
チクルに描かれている耐酸化性膜パターンを投影する部
分に角部が存在する場合、この角部に肉付け部が設けら
れていることを特徴とするレチクル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17229489A JPH0336730A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 選択酸化の方法およびれれに用いるレチクル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17229489A JPH0336730A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 選択酸化の方法およびれれに用いるレチクル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0336730A true JPH0336730A (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15939262
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17229489A Pending JPH0336730A (ja) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | 選択酸化の方法およびれれに用いるレチクル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0336730A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006218591A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | インデックス装置、クランプ機構および工作機械 |
US7793567B2 (en) | 2003-10-17 | 2010-09-14 | Sankyo Seisakusho Co. | Clamping device and rotary table apparatus |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17229489A patent/JPH0336730A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7793567B2 (en) | 2003-10-17 | 2010-09-14 | Sankyo Seisakusho Co. | Clamping device and rotary table apparatus |
JP2006218591A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | インデックス装置、クランプ機構および工作機械 |
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