JPH05144805A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH05144805A JPH05144805A JP33435791A JP33435791A JPH05144805A JP H05144805 A JPH05144805 A JP H05144805A JP 33435791 A JP33435791 A JP 33435791A JP 33435791 A JP33435791 A JP 33435791A JP H05144805 A JPH05144805 A JP H05144805A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シリコン基板の素子分離の形状を制御するこ
とのできる素子分離方法を得る。 【構成】 シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成
し、窒化膜をパターニングした後に、酸素注入、窒素注
入を行い、ＬＯＣＯＳ酸化し、窒化膜、酸化膜を除去す
る。また、シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成
し、窒化膜をパターニングした後に、エッチングし、酸
素注入、窒素注入を行い、ＬＯＣＯＳ酸化し、窒化膜、
酸化膜を除去する。 【効果】 素子分離の形状を制御でき、分離の深さを深
くするとともに、バーズビークを低減することができ
る。
とのできる素子分離方法を得る。 【構成】 シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成
し、窒化膜をパターニングした後に、酸素注入、窒素注
入を行い、ＬＯＣＯＳ酸化し、窒化膜、酸化膜を除去す
る。また、シリコン基板上に薄い酸化膜、窒化膜を形成
し、窒化膜をパターニングした後に、エッチングし、酸
素注入、窒素注入を行い、ＬＯＣＯＳ酸化し、窒化膜、
酸化膜を除去する。 【効果】 素子分離の形状を制御でき、分離の深さを深
くするとともに、バーズビークを低減することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体装置の製造方法
に関し、特に半導体基板上に素子分離領域を形成する方
法に関するものである。
に関し、特に半導体基板上に素子分離領域を形成する方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】シリコン基板を素子分離するには、ＬＯ
ＣＯＳ分離，トレンチ分離などがある。ここでは、最も
一般的な分離であるＬＯＣＯＳ分離を図を用いて説明す
る。
ＣＯＳ分離，トレンチ分離などがある。ここでは、最も
一般的な分離であるＬＯＣＯＳ分離を図を用いて説明す
る。
【０００３】図６は従来のＬＯＣＯＳ分離を示す工程断
面図である。まず、シリコン基板１に薄い熱酸化膜２と
ＣＶＤ窒化膜３を堆積する。次に、フォトリソグラフィ
ーにより素子の形成される領域（活性領域）にレジスト
パターンを形成する。これをマスクとして、窒化膜３を
エッチングする。レジストを除去した後（図６(a))に、
窒化膜３をマスクとしてＯ2 ／Ｈ2 Ｏ雰囲気で、例えば
１０００℃で酸化する。このとき、窒化膜は耐酸化性が
強いため、活性領域はほとんど酸化されず、非活性領域
（フィールド領域）のみが酸化される（図６(b))。この
工程をＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon) 酸化
と呼び、分離酸化膜をフィールド酸化膜４と呼ぶ。この
後、窒化膜３を除去し、下地の薄い熱酸化膜２をエッチ
ングする。これでＬＯＣＯＳ素子分離が完了する（図６
(c))。
面図である。まず、シリコン基板１に薄い熱酸化膜２と
ＣＶＤ窒化膜３を堆積する。次に、フォトリソグラフィ
ーにより素子の形成される領域（活性領域）にレジスト
パターンを形成する。これをマスクとして、窒化膜３を
エッチングする。レジストを除去した後（図６(a))に、
窒化膜３をマスクとしてＯ2 ／Ｈ2 Ｏ雰囲気で、例えば
１０００℃で酸化する。このとき、窒化膜は耐酸化性が
強いため、活性領域はほとんど酸化されず、非活性領域
（フィールド領域）のみが酸化される（図６(b))。この
工程をＬＯＣＯＳ（Local Oxidation of Silicon) 酸化
と呼び、分離酸化膜をフィールド酸化膜４と呼ぶ。この
後、窒化膜３を除去し、下地の薄い熱酸化膜２をエッチ
ングする。これでＬＯＣＯＳ素子分離が完了する（図６
(c))。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のシリコン基板の
ＬＯＣＯＳ分離は以上のようになされているので、図６
(b) に図示されているように、分離の深さや横方向への
広がりを制御できない。また、活性領域の仕上がり寸法
ｌ＋２ｍは、マスク寸法ｌに比べてバーズビーク分２ｍ
だけ小さくなるといった問題点があった。
ＬＯＣＯＳ分離は以上のようになされているので、図６
(b) に図示されているように、分離の深さや横方向への
広がりを制御できない。また、活性領域の仕上がり寸法
ｌ＋２ｍは、マスク寸法ｌに比べてバーズビーク分２ｍ
だけ小さくなるといった問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、分離酸化膜の形状を素子に適す
る形に製造することができ、バーズビークの低減やシリ
コン基板表面の段差を小さくすることができる素子分離
領域の形成方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、分離酸化膜の形状を素子に適す
る形に製造することができ、バーズビークの低減やシリ
コン基板表面の段差を小さくすることができる素子分離
領域の形成方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る、シリコ
ン基板上に素子分離領域を形成する方法は、シリコン基
板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入
し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
ン基板上に素子分離領域を形成する方法は、シリコン基
板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入
し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
【０００７】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度酸素注入層の両側部にのみ、前記酸素注入工程よりも
高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものであ
る。
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度酸素注入層の両側部にのみ、前記酸素注入工程よりも
高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものであ
る。
【０００８】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度の酸素注入層の両側部の一方のみに、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うも
のである。
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃
度の酸素注入層の両側部の一方のみに、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うも
のである。
【０００９】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の両側面に高濃度
の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の両側面に高濃度
の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
【００１０】またこの発明に係る、シリコン基板上に素
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の片側側面に高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
子分離領域を形成する方法は、シリコン基板の素子分離
領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注
入し、前記エッチングしてできた凹部の片側側面に高濃
度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うものである。
【００１１】
【作用】この発明に係るシリコン基板の素子分離方法に
おいては、シリコン基板の素子分離領域となるべき領域
に高濃度の酸素を注入し、さらに前記酸素注入工程より
も高エネルギーで高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化
を行うするようにしたので、また、シリコン基板の素子
分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記
高濃度酸素注入層の両側部、あるいはその一方にのみ、
前記酸素注入工程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分
離酸化を行うようにしたので、また、シリコン基板の素
子分離領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸
素を注入し、前記エッチングしてできた凹部の両、ある
いは片側側面に高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を
行うようにしたので、分離の形状を制御し、分離の深さ
を深くするとともに、バーズビークを低減することがで
きる。
おいては、シリコン基板の素子分離領域となるべき領域
に高濃度の酸素を注入し、さらに前記酸素注入工程より
も高エネルギーで高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化
を行うするようにしたので、また、シリコン基板の素子
分離領域となるべき領域に高濃度の酸素を注入し、前記
高濃度酸素注入層の両側部、あるいはその一方にのみ、
前記酸素注入工程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分
離酸化を行うようにしたので、また、シリコン基板の素
子分離領域となるべき領域をエッチングし、高濃度の酸
素を注入し、前記エッチングしてできた凹部の両、ある
いは片側側面に高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を
行うようにしたので、分離の形状を制御し、分離の深さ
を深くするとともに、バーズビークを低減することがで
きる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図を用いて説明
する。図１は本発明の第１の実施例による素子分離方法
を示す断面図である。図１(a) において、１はシリコン
基板、２は薄い熱酸化膜、３は窒化膜であり、これらは
従来例と同様に、薄い熱酸化膜２，ＣＶＤ窒化膜３を形
成した後、窒化膜３をリソグラフィーによってパターニ
ングしたものである。図１(b) において、５は高濃度の
酸素イオン注入層、６は高濃度の窒素イオン注入層であ
る。酸素イオンの注入エネルギーは窒素イオンの注入エ
ネルギーよりも小さく、窒素イオンの注入エネルギーに
より、分離酸化膜の深さが決められる。次に、図１(c)
に示すように、素子全面を酸化し、フィールド酸化膜４
を形成する。
する。図１は本発明の第１の実施例による素子分離方法
を示す断面図である。図１(a) において、１はシリコン
基板、２は薄い熱酸化膜、３は窒化膜であり、これらは
従来例と同様に、薄い熱酸化膜２，ＣＶＤ窒化膜３を形
成した後、窒化膜３をリソグラフィーによってパターニ
ングしたものである。図１(b) において、５は高濃度の
酸素イオン注入層、６は高濃度の窒素イオン注入層であ
る。酸素イオンの注入エネルギーは窒素イオンの注入エ
ネルギーよりも小さく、窒素イオンの注入エネルギーに
より、分離酸化膜の深さが決められる。次に、図１(c)
に示すように、素子全面を酸化し、フィールド酸化膜４
を形成する。
【００１３】最後に、図１(d) では、窒化膜３と薄い酸
化膜２を除去し、ＬＯＣＯＳ分離を完了する。
化膜２を除去し、ＬＯＣＯＳ分離を完了する。
【００１４】このように本実施例では、従来のＬＯＣＯ
Ｓ分離工程と異なり、ＬＯＣＯＳ酸化前に非活性領域に
高濃度の酸素の注入と、より高エネルギーで高濃度の窒
素を注入しているために、フィールド分離酸化膜は酸素
イオンの存在によりシリコン基板内での厚みを増すこと
ができ、また窒素イオンの注入エネルギーを制御するこ
とによりフィールド酸化膜のシリコン基板内の厚みを制
御することができる。また、素子分離膜のシリコン基板
内での厚みを増すことにより、シリコン基板表面の段差
を小さくすることができる。
Ｓ分離工程と異なり、ＬＯＣＯＳ酸化前に非活性領域に
高濃度の酸素の注入と、より高エネルギーで高濃度の窒
素を注入しているために、フィールド分離酸化膜は酸素
イオンの存在によりシリコン基板内での厚みを増すこと
ができ、また窒素イオンの注入エネルギーを制御するこ
とによりフィールド酸化膜のシリコン基板内の厚みを制
御することができる。また、素子分離膜のシリコン基板
内での厚みを増すことにより、シリコン基板表面の段差
を小さくすることができる。
【００１５】図２は本発明の第２の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第１の実施例と同様に、窒
化膜パターン３を形成した後、高濃度酸素を注入（図２
(a))する。次に、図２(b) に示すように、レジストパタ
ーン７を形成した後、前記高濃度酸素注入領域１５の片
端部により高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ａを設
ける。そして、レジストパターン７を除去した後、図２
(c) に示すように、再びレジストパターン８を形成し、
高濃度酸素注入領域１５のもう一方の端部に窒素領域１
６ａと同様、高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ｂを
形成する。次に、レジストパターン８を除去した後、Ｌ
ＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜２４を形成する
（図２(d))。最後に、図２(e) に示すように、薄い熱酸
化膜２と窒化膜３を除去し、ＬＯＣＯＳ素子分離法を完
了する。
離を示す断面図である。上記第１の実施例と同様に、窒
化膜パターン３を形成した後、高濃度酸素を注入（図２
(a))する。次に、図２(b) に示すように、レジストパタ
ーン７を形成した後、前記高濃度酸素注入領域１５の片
端部により高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ａを設
ける。そして、レジストパターン７を除去した後、図２
(c) に示すように、再びレジストパターン８を形成し、
高濃度酸素注入領域１５のもう一方の端部に窒素領域１
６ａと同様、高濃度な窒素を注入し、窒素領域１６ｂを
形成する。次に、レジストパターン８を除去した後、Ｌ
ＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜２４を形成する
（図２(d))。最後に、図２(e) に示すように、薄い熱酸
化膜２と窒化膜３を除去し、ＬＯＣＯＳ素子分離法を完
了する。
【００１６】このように本実施例では、非活性領域に高
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の両端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
両端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の両端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
両端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。
【００１７】図３は本発明の第３の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第２の実施例と同様に、ま
ず高濃度酸素注入層２５を形成した後、図３(b) に図示
されているように、高濃度窒素注入層２６を形成する。
その後、ＬＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜３４
を形成する（図３(c))。最後に図３(d)に示したよう
に、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子分離方法
を完了する。
離を示す断面図である。上記第２の実施例と同様に、ま
ず高濃度酸素注入層２５を形成した後、図３(b) に図示
されているように、高濃度窒素注入層２６を形成する。
その後、ＬＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド酸化膜３４
を形成する（図３(c))。最後に図３(d)に示したよう
に、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子分離方法
を完了する。
【００１８】このように本実施例では、非活性領域に高
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の片端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
片端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。
濃度な酸素を注入し、その酸素注入領域の片端部に、よ
り高濃度な窒素領域を設けたので、フィールド酸化膜の
シリコン基板内の厚みを増すことができ、シリコン基板
表面の段差を小さくすることができる上に、非活性領域
片端部の高濃度窒素領域によりバーズビークを抑えるこ
とができ、活性領域の縮小を防ぐことができる。
【００１９】本実施例では、第２の実施例に比べてバー
ズビークを抑える効果は少ないが、製造工程が少なく、
かつ非対称な形状を形成することができる。
ズビークを抑える効果は少ないが、製造工程が少なく、
かつ非対称な形状を形成することができる。
【００２０】図４は本発明の第４の実施例による素子分
離を示す断面図である。前記第１の実施例と同様、シリ
コン基板１上に薄い熱酸化膜２、ＣＶＤ窒化膜３を形成
する。前記窒化膜パターン３を形成した後、シリコン基
板をエッチング９する（図４(b))。次に、高濃度酸素を
注入する（図４(b))。そして、高濃度の窒素１０をエッ
チング領域９の両側に斜めに注入し、高濃度窒素注入領
域３６を形成する（図４(c))。次に、ＬＯＣＯＳ酸化を
行い、フィールド酸化膜４４を形成する（図４(e))。最
後に、図４(f) に示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜
３を除去し、素子分離方法を完了する。
離を示す断面図である。前記第１の実施例と同様、シリ
コン基板１上に薄い熱酸化膜２、ＣＶＤ窒化膜３を形成
する。前記窒化膜パターン３を形成した後、シリコン基
板をエッチング９する（図４(b))。次に、高濃度酸素を
注入する（図４(b))。そして、高濃度の窒素１０をエッ
チング領域９の両側に斜めに注入し、高濃度窒素注入領
域３６を形成する（図４(c))。次に、ＬＯＣＯＳ酸化を
行い、フィールド酸化膜４４を形成する（図４(e))。最
後に、図４(f) に示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜
３を除去し、素子分離方法を完了する。
【００２１】このように本実施例では、非活性領域とな
る領域のシリコン基板をエッチングして、高濃度な酸素
を注入し、エッチング領域９の両側に高濃度な窒素領域
を設けたので、フィールド酸化膜のシリコン基板内の厚
みを増すことができ、シリコン基板表面の段差を小さく
することができる上に、エッチング領域両端部の高濃度
窒素領域によりバーズビークを抑えることができ、活性
領域の縮小を防ぐことができる。
る領域のシリコン基板をエッチングして、高濃度な酸素
を注入し、エッチング領域９の両側に高濃度な窒素領域
を設けたので、フィールド酸化膜のシリコン基板内の厚
みを増すことができ、シリコン基板表面の段差を小さく
することができる上に、エッチング領域両端部の高濃度
窒素領域によりバーズビークを抑えることができ、活性
領域の縮小を防ぐことができる。
【００２２】図５は本発明の第５の実施例による素子分
離を示す断面図である。上記第４の実施例と同様に、シ
リコン基板をエッチングした後（図５(b))、高濃度の窒
素１０をエッチング領域９の片側に斜めに注入し、高濃
度窒素注入領域４６を形成する（図５(d))。
離を示す断面図である。上記第４の実施例と同様に、シ
リコン基板をエッチングした後（図５(b))、高濃度の窒
素１０をエッチング領域９の片側に斜めに注入し、高濃
度窒素注入領域４６を形成する（図５(d))。
【００２３】次に、ＬＯＣＯＳ酸化を行い、フィールド
酸化膜５４を形成する（図５(e))。最後に、図５(f) に
示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子
分離方法を完了する。
酸化膜５４を形成する（図５(e))。最後に、図５(f) に
示すように、薄い熱酸化膜２と窒化膜３を除去し、素子
分離方法を完了する。
【００２４】このように本実施例では、第４の実施例に
比べてバーズビークを抑える効果は少ないが、同様の効
果を奏し、さらに非対称な形状を形成できる。
比べてバーズビークを抑える効果は少ないが、同様の効
果を奏し、さらに非対称な形状を形成できる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、シリ
コン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素
を注入し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギー
で高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにし
たので、素子分離をシリコン基板深くまで行えるととも
にシリコン基板表面の段差を小さくすることができる。
コン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃度の酸素
を注入し、さらに前記酸素注入工程よりも高エネルギー
で高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにし
たので、素子分離をシリコン基板深くまで行えるととも
にシリコン基板表面の段差を小さくすることができる。
【００２６】また、シリコン基板の素子分離領域となる
べき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃度酸素注入
層の両側部、あるいはその一方にのみ、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うよ
うにしたので、素子分離をシリコン基板深くまで行える
とともにシリコン基板表面の段差を小さくすることがで
き、さらにバーズビークを低減することができる。
べき領域に高濃度の酸素を注入し、前記高濃度酸素注入
層の両側部、あるいはその一方にのみ、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うよ
うにしたので、素子分離をシリコン基板深くまで行える
とともにシリコン基板表面の段差を小さくすることがで
き、さらにバーズビークを低減することができる。
【００２７】また、シリコン基板の素子分離領域となる
べき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注入し、前記
エッチングしてできた凹部の両、あるいは片側側面に高
濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにしたの
で、素子分離をシリコン基板深くまで行えるとともにシ
リコン基板表面の段差を小さくすることができ、さらに
バーズビークを低減することができるという効果があ
る。
べき領域をエッチングし、高濃度の酸素を注入し、前記
エッチングしてできた凹部の両、あるいは片側側面に高
濃度の窒素を注入し、素子分離酸化を行うようにしたの
で、素子分離をシリコン基板深くまで行えるとともにシ
リコン基板表面の段差を小さくすることができ、さらに
バーズビークを低減することができるという効果があ
る。
【図１】この発明の第１の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。
素子分離を示す断面図である。
【図２】この発明の第２の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。
素子分離を示す断面図である。
【図３】この発明の第３の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。
素子分離を示す断面図である。
【図４】この発明の第４の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。
素子分離を示す断面図である。
【図５】この発明の第５の実施例によるシリコン基板の
素子分離を示す断面図である。
素子分離を示す断面図である。
【図６】従来のシリコン基板の素子分離を示す断面図で
ある。
ある。
１ シリコン基板 ２ 薄い酸化膜 ３ 窒化膜 ４ 分離酸化膜 ５ 高濃度酸素注入層 ６ 高濃度窒素注入層 ７ パターニングされたレジスト ８ パターニングされたレジスト ９ エッチング領域 １０ 斜め高濃度窒素注入 １４ 分離酸化膜 １５ 高濃度酸素注入層 １６ａ 高濃度窒素注入層 １６ｂ 高濃度窒素注入層 １７ パターニングされたレジスト ２０ 斜め高濃度窒素注入 ２４ 分離酸化膜 ２５ 高濃度酸素注入層 ２６ 高濃度窒素注入層 ３４ 分離酸化膜 ３５ 高濃度酸素注入層 ３６ 高濃度窒素注入層 ４４ 分離酸化膜 ４５ 高濃度酸素注入層 ４６ 高濃度窒素注入層 ５４ 分離酸化膜 ｌ 窒化膜パターンの幅 ｍ バーズビークの伸び
Claims (5)
- 【請求項１】 シリコン基板上に素子分離領域を形成す
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記領域に前記酸素注入工程よりも高エネルギーで高濃
度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 シリコン基板上に素子分離領域を形成す
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記高濃度酸素注入層の両側部にのみ、前記酸素注入工
程よりも高濃度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 シリコン基板上に素子分離領域を形成す
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域に高濃
度の酸素を注入する工程と、 前記高濃度の酸素注入層の両側部の一方のみに、前記酸
素注入工程よりも高濃度の窒素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 シリコン基板上に素子分離領域を形成す
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域をエッ
チングする工程と、 前記領域に高濃度の酸素を注入する工程と、 前記エッチングしてできた凹部の両側面に高濃度の窒素
を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 シリコン基板上に素子分離領域を形成す
る方法において、 前記シリコン基板の素子分離領域となるべき領域をエッ
チングする工程と、 前記領域に高濃度の酸素を注入する工程と、 前記エッチングしてできた凹部の片側側面に高濃度の窒
素を注入する工程と、 前記処理した領域を酸化する工程とを有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33435791A JPH05144805A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33435791A JPH05144805A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144805A true JPH05144805A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=18276472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33435791A Pending JPH05144805A (ja) | 1991-11-22 | 1991-11-22 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144805A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5599731A (en) * | 1994-07-06 | 1997-02-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a field oxide film in a semiconductor device |
| US5712186A (en) * | 1996-06-12 | 1998-01-27 | Micron Technology, Inc. | Method for growing field oxide to minimize birds' beak length |
| US5841171A (en) * | 1996-05-08 | 1998-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | SOI Semiconductor devices |
| US6127242A (en) * | 1994-02-10 | 2000-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method for semiconductor device isolation using oxygen and nitrogen ion implantations to reduce lateral encroachment |
| US7855744B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and a notification operation control method |
-
1991
- 1991-11-22 JP JP33435791A patent/JPH05144805A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127242A (en) * | 1994-02-10 | 2000-10-03 | Micron Technology, Inc. | Method for semiconductor device isolation using oxygen and nitrogen ion implantations to reduce lateral encroachment |
| US5599731A (en) * | 1994-07-06 | 1997-02-04 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method of forming a field oxide film in a semiconductor device |
| US5841171A (en) * | 1996-05-08 | 1998-11-24 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | SOI Semiconductor devices |
| US6096583A (en) * | 1996-05-08 | 2000-08-01 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US5712186A (en) * | 1996-06-12 | 1998-01-27 | Micron Technology, Inc. | Method for growing field oxide to minimize birds' beak length |
| US6333243B1 (en) | 1996-06-12 | 2001-12-25 | Micron Technology, Inc. | Method for growing field oxide to minimize birds' beak length |
| US7855744B2 (en) | 2005-06-24 | 2010-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup apparatus and a notification operation control method |
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