JPH0336730A - Selective oxidation and reticle therefor - Google Patents
Selective oxidation and reticle thereforInfo
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Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、例えば半導体基板上において、素子分離領
域を形成する際の選択酸化の方法およびそれに用いるレ
チクルに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a selective oxidation method for forming element isolation regions on, for example, a semiconductor substrate, and a reticle used therein.
（従来の技術）
従来、半導体基板表面への素子分離領域（以下フィール
ド領域と称す）形成の際、素子分離幅（以下フィールド
幅と称す）の設計値と、仕上り値とは、主にバーズビー
クによって、コンマ数μｍ程度のズレを生じている。(Prior art) Conventionally, when forming an element isolation region (hereinafter referred to as field area) on the surface of a semiconductor substrate, the design value and finished value of the element isolation width (hereinafter referred to as field width) are mainly determined by bird's beak. , a deviation of about a few tenths of a micrometer occurs.
そこで現在、上記の°ズレを考慮に入れ、レチクルに描
かれるフィールド領域パターンには、バーズビークの伸
びを予想した変換差が盛り込まれている。このように変
換差を盛り込むことによって、上記フィールド幅の仕上
り値が、設計値に近い値で形成できる。例えばポジ型の
ホトレジストを用いてフィールド領域を形成する場合に
は、第７図に示すように、ホトレジスト（図示せず）に
対してフィールド領域を投影するために、レチクル１０
１に描かれている光透過部１０２の幅を、フィールド幅
の設計値１０３より、変換差Ｔ３の分だけ狭くなるよう
にしている。Therefore, currently, the field area pattern drawn on the reticle includes a conversion difference that anticipates the extension of the bird's beak, taking the above-mentioned degree deviation into consideration. By incorporating the conversion difference in this way, the finished value of the field width can be formed to a value close to the design value. For example, when forming a field region using a positive type photoresist, a reticle 10 is used to project the field region onto the photoresist (not shown), as shown in FIG.
The width of the light transmitting portion 102 shown in 1 is made narrower than the field width design value 103 by the conversion difference T3.
第７図に示すレチクルを用いて、フィールド領域形成の
一工程である、ポジ型ホトレジスト（図示せず）を用い
た写真蝕刻を行なうと、第８図（ａ）に示すような、開
孔部１０４を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜１０５のパ
ターンが得られる。When the reticle shown in FIG. 7 is used to perform photolithography using a positive photoresist (not shown), which is one step of forming a field region, an opening as shown in FIG. 8(a) is formed. A pattern of an oxidation-resistant film, such as a nitride film 105, having 104 is obtained.
次に、上記窒化膜１０５のパターンをマスクとして、選
択酸化を行なうと、第８図（ｂ）に示すような、フィー
ルド酸化膜１０６のパターンが形成される。ところがこ
のとき、図中の円１０７内に示す領域では、設計値１０
３を大きく逸脱したフィールド酸化膜１０６が形成され
てしまう。Next, selective oxidation is performed using the pattern of the nitride film 105 as a mask, thereby forming a pattern of the field oxide film 106 as shown in FIG. 8(b). However, at this time, in the area shown in circle 107 in the figure, the design value is 10.
A field oxide film 106 that greatly deviates from the value of 3 is formed.
この原因としては、第１に、第８図（ａ）の円１０９内
に示す開孔部１０４同士の交差部分では、開孔部１０４
が四方向に開いているために酸化剤が入りやすい。この
ため、他の部分より、酸化が進みやすくなる。The reason for this is that firstly, at the intersection of the apertures 104 shown in the circle 109 in FIG. 8(a), the apertures 104
are open on all sides, allowing the oxidizing agent to easily enter. Therefore, oxidation progresses more easily than other parts.
第２に、同図（ａ）中に示す円１１０内に示す窒化膜１
０５の角部では、窒化膜１０５の剛性が低く、他の部分
より、窒化膜１０５がめくれやすい。このため、バーズ
ビークが伸びやすくなる。Second, the nitride film 1 shown in the circle 110 shown in FIG.
The rigidity of the nitride film 105 is low at the corners of 05, and the nitride film 105 is more likely to peel off than other parts. For this reason, the bird's beak becomes easier to grow.
これらの２点が相乗効果となって、第８図（ｂ）中の円
１０７内に示す領域には、設計値１０３を大きく逸脱し
たフィールド酸化膜１０６が形成されるのである。設計
値１０３を大きく逸脱したフィールド酸化膜１０６が形
成されると、素子領域１０８の面積が減ってしまう。素
子領域１０８の面積が減少すると、ここに形成される能
動素子の特性に影響を及ぼす。例えば素子領域１０８に
入りこんでいるフィールド酸化膜１０６のために、必要
な電流が充分に得られなくなる、あるいは電源マージン
（Ｖ ｃｃｌｉｎ ）等の悪化が起こる。このような、
素子特性の悪化は、特に現在、進行中である素子の微細
化に伴い、素子領域１０８自体が微細になってきた際、
より顕著なものとなる。例えば素子領域１０８内に入り
込むバーズビークの伸びの量は、素子領域１０８の減少
に対して、必ずしも比例縮小するとは限らない。このた
め、素子領域１０８自体が小さくなると、上記素子領域
１０８内に入り込むバーズビークによる面積減少率が高
くなる。Due to the synergistic effect of these two points, a field oxide film 106 that greatly deviates from the design value 103 is formed in the area shown in the circle 107 in FIG. 8(b). If a field oxide film 106 that greatly deviates from the design value 103 is formed, the area of the element region 108 will be reduced. When the area of the device region 108 is reduced, the characteristics of active devices formed therein are affected. For example, due to the field oxide film 106 penetrating into the element region 108, a sufficient current cannot be obtained or the power supply margin (Vcclin) is deteriorated. like this,
The deterioration of device characteristics is particularly caused when the device region 108 itself becomes finer due to the ongoing miniaturization of devices.
becomes more prominent. For example, the amount of extension of the bird's beak penetrating into the element region 108 does not necessarily decrease in proportion to the decrease in the element region 108. Therefore, as the element region 108 itself becomes smaller, the area reduction rate due to the bird's beak entering the element region 108 increases.
（発明が解決しようとする課題）
この発明は上記のような点に鑑み為されたちので、バー
ズビークの伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこ
れに設けられている開孔部の形状によって変わる点を改
善し、フィールド領域の仕上り値を、より設計値に近く
でき、素子領域の面積減少を抑制できる選択酸化の方法
およびそれに用いるレチクルを提供することを目的とす
る。(Problems to be Solved by the Invention) This invention has been made in view of the above points, so that the elongation of the bird's beak changes depending on the shape of the oxidation-resistant film pattern and the shape of the opening provided therein. It is an object of the present invention to provide a selective oxidation method and a reticle used therein, which can improve the above points, bring the finished value of the field region closer to the design value, and suppress the reduction in area of the element region.
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明による選択酸化の方法によれば、耐酸化性膜パ
ターンを用いて酸化膜パターンを選択的に形成する方法
において、上記耐酸化性膜パターンが角部を持つ場合、
この角部にあらかじめ肉付は部を設けて酸化を行なうこ
とを特徴とする。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) According to the method of selective oxidation according to the present invention, in the method of selectively forming an oxide film pattern using an oxidation-resistant film pattern, the oxidation-resistant film If the pattern has corners,
It is characterized in that a fleshed portion is provided in advance at this corner portion and oxidation is performed.
また、それに用いるレチクルによれば、レチクルに描か
れている耐酸化性膜パターンを投影する部分に角部が存
在する場合、この角部に肉付は部が設けられていること
を特徴とする。Furthermore, according to the reticle used for this purpose, if a corner exists in the portion on which the oxidation-resistant film pattern drawn on the reticle is projected, the corner is provided with a fleshed portion. .
（作用）
上記のような選択酸化の方法によれば、耐酸化性膜パタ
ーンの角部に肉付は部を設けることによって、この耐酸
化性膜パターンの角部の剛性が高まり、耐酸化性膜がめ
くれにくくなる。さらに、この角部に隣接して開孔部の
交差部分が存在した場合には、上記肉付は部によって、
開孔部の幅を狭めることができ、酸化剤が入りにくくな
る。これらのことから、従来、バーズビークが伸びやす
かった部分において、バーズビークの伸びが抑制される
。(Function) According to the method of selective oxidation as described above, by providing a thickened portion at the corner of the oxidation-resistant film pattern, the rigidity of the corner of the oxidation-resistant film pattern is increased, and the oxidation-resistant film pattern is improved. The membrane becomes difficult to peel off. Furthermore, if there is an intersection of openings adjacent to this corner, the above-mentioned thickness will vary depending on the part.
The width of the opening can be narrowed, making it difficult for oxidizing agents to enter. For these reasons, the elongation of the bird's beak is suppressed in areas where the bird's beak has conventionally been easy to elongate.
また、上記選択酸化に用いるレチクルによれば、レチク
ルに描かれているパターンの角部に肉付は部が設けられ
ており、このようなレチクルを用いて写真蝕刻を行なえ
ば、酸化膜パターンの角部を設計値に近く形成できる。Furthermore, according to the reticle used for the selective oxidation, the corners of the pattern drawn on the reticle are provided with a fleshed part, and if photolithography is performed using such a reticle, the oxide film pattern will be Corners can be formed close to design values.
（実施例）
以下、図面を参照してこの発明の実施例に係わる選択酸
化の方法およびそれに用いるレチクルについて説明する
。(Example) Hereinafter, a method of selective oxidation and a reticle used therein according to an example of the present invention will be described with reference to the drawings.
第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例に係わるレチク
ルの一部を示す平面図、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）
中に示す円５内の拡大図、第２図（ａ）および第２図（
ｂ）は、第１の実施例に係わる選択酸化の方法を工程順
に示した平面図である。FIG. 1(a) is a plan view showing a part of the reticle according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 1(b) is a plan view showing a part of the reticle according to the first embodiment of the present invention.
Enlarged view of circle 5 shown inside, Figure 2(a) and Figure 2(
b) is a plan view showing the selective oxidation method according to the first embodiment in the order of steps;
まず、第１図ｑ（ａ）に示すように、レチクル１には、
例えばポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を
投影する光透過部２が描かれている。この光透過部２は
、フィールド幅の設計値３より、変換差Ｔ１の分だけ狭
く描かれている。−方、光遮断部４は、耐酸化性膜のパ
ターンを、上記ホトレジストに対して投影する。このと
き、図中の円５内に示す上記光遮断部４の角部には、肉
付は部が設けられた形状となっている。この肉付は部を
第１図（ｂ）の拡大図を参照して説明する。First, as shown in FIG. 1q(a), the reticle 1 has the following:
For example, a light transmission part 2 is drawn onto a positive photoresist, which projects a field area. The light transmitting portion 2 is drawn narrower than the design value 3 of the field width by the conversion difference T1. - On the other hand, the light blocking section 4 projects the pattern of the oxidation-resistant film onto the photoresist. At this time, the corner portion of the light shielding portion 4 shown in the circle 5 in the figure has a shape in which a fleshed portion is provided. This thickening will be explained with reference to the enlarged view of FIG. 1(b).
第１図（ｂ）に示すように、光遮断部４は、フィールド
幅の設計値３より、変換差Ｔ１の分だけ広く描かれてい
る。また、このフィールド幅の設計値３は、角部におい
て設計値３の延長線３″より、幅部１″だけ、さらに広
くなっている。設計値３をＣＡＤに入力する際、この幅
Ｔｌ−を盛り込んで入力することによって、変換差を単
純−律に盛り込む、既存のＣＡＤシステムでも、上記光
遮断部４の面積を大きく描くことが可能となる。As shown in FIG. 1(b), the light blocking portion 4 is drawn wider than the design value 3 of the field width by the conversion difference T1. Further, the field width design value 3 is wider at the corner portion by a width portion 1″ than the extension line 3″ of the design value 3. When inputting the design value 3 into CAD, by incorporating this width Tl- into the input, it is possible to draw a large area of the light blocking portion 4 even with an existing CAD system that simply incorporates the conversion difference. becomes.
この幅Ｔｌ’によって、レチクル１の耐酸化性膜を投影
する光遮断部４に肉付は部５′を設けることが可能とな
る。This width Tl' makes it possible to provide a thickened part 5' in the light blocking part 4 on which the oxidation-resistant film of the reticle 1 is projected.
このようなレチクル１を用いて、フィールド領域形成の
一工程であ゛る、ポジ型ホトレジスト（図示せず）を用
いた写真蝕刻を行なうと、第２図（ａ）に示すような、
開孔部６を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜７のパターン
が得られる。このとき、〆
図中の円８内に示すように、上記窒化膜７のパターンの
角部には、肉付は部７′が形成されている。When such a reticle 1 is used to perform photolithography using a positive type photoresist (not shown), which is one step of forming a field region, the result is as shown in FIG. 2(a).
A pattern of an oxidation-resistant film, for example a nitride film 7, having openings 6 is obtained. At this time, as shown in the circle 8 in the final figure, a thickened portion 7' is formed at the corner of the pattern of the nitride film 7.
次に、上記窒化膜７をマスクとして、選択酸化を行なう
と、第２図（ｂ）に示すような、フィールド酸化膜９パ
ターンが形成される。このとき、図中の円１０内に示す
領域において、フィールド幅の設計値３を大きく逸脱す
るフィールド酸化膜９は形成されにくくなっている。こ
の理由は、第２図（Ｊｌ）中、の円８内に示す窒化膜７
の角部に、肉付は部を設けて、選択酸化を行なった点に
ある。Next, using the nitride film 7 as a mask, selective oxidation is performed to form a field oxide film 9 pattern as shown in FIG. 2(b). At this time, in the region shown in the circle 10 in the figure, the field oxide film 9 whose field width largely deviates from the design value 3 is difficult to be formed. The reason for this is that the nitride film 7 shown in circle 8 in FIG.
The reason for this is that selective oxidation was performed by providing flesh on the corners.
つまり、従来、剛性が低かった窒化膜７の角部に肉付は
部７′を設けることにより、上記窒化膜７の角部の剛性
を高めることができ、この結果、窒化膜７はめくれにく
くなって、バーズビークは伸びにくくなる。In other words, by providing the thickened portions 7' at the corners of the nitride film 7, which conventionally had low rigidity, the rigidity of the corners of the nitride film 7 can be increased, and as a result, the nitride film 7 is difficult to turn over. As a result, the bird's beak becomes difficult to grow.
さらに、上記窒化膜７の角部には、第２図（ａ）中の円
１１内に示す開孔部６同士の交差部分が近接して存在し
ている。この交差部分は、開孔部が四方向に開いている
ために、従来から酸化剤が入りやすい領域であった。と
ころが、上記肉付は部７″を設けることによって、四方
向に開いている開孔部の幅が、個々に狭められている。Further, at the corners of the nitride film 7, intersections between the apertures 6 shown in circles 11 in FIG. 2(a) are present close to each other. This intersection has conventionally been a region where oxidizing agents easily enter since the openings are open in four directions. However, by providing the above-mentioned thickened portions 7'', the widths of the openings that are open in four directions are individually narrowed.
開孔部の幅が狭まれば、酸化剤が入る量は減少し、この
結果、酸化は進みにくくなる。If the width of the opening is narrowed, the amount of oxidizing agent that enters will be reduced, and as a result, oxidation will be less likely to proceed.
これらのことから、従来、設計値を大きく逸脱したフィ
ールド酸化膜が形成されていた第２図（ｂ）中の円１０
内に示す領域において、設計値３を大きく逸脱するフィ
ールド酸化膜８は形成されにくくなり、より設計値３に
近い値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜９が形
成されるようになる。For these reasons, the circle 10 in FIG.
In the region shown inside, a field oxide film 8 which greatly deviates from the design value 3 is difficult to be formed, and a field oxide film 9 having a field width closer to the design value 3 is formed.
したがって、第２図（ｂ）に示す素子領域１２の面積は
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。Therefore, the area of the element region 12 shown in FIG. 2(b) does not decrease significantly, and the characteristics of the active elements formed there do not deteriorate.
また、この効果は、素子の微細化が進行し、上記素子領
域１２の面積自体が縮小された時に、特に有・効となっ
てくる。例えば、従来、上記バーズビークによる素子領
域１２の面積減少率は、素子領域１２自体が小さくなる
につれて高くなっていた。ところが本発明によれば、バ
ーズビークの伸び自体も小さくなることによって、面積
減少率の増大が抑制されるためである。Further, this effect becomes particularly effective when the miniaturization of elements progresses and the area of the element region 12 itself is reduced. For example, conventionally, the area reduction rate of the element region 12 due to the bird's beak has increased as the element region 12 itself becomes smaller. However, according to the present invention, the elongation of the bird's beak itself is also reduced, thereby suppressing the increase in area reduction rate.
また、上記肉付は部７′の形状としては、主に、選択酸
化時の条件、フィールド酸化膜９の幅と、素子領域１２
の面積とによって若干左右されるが、フィールド酸化膜
９の幅を、１〜１．５μｍとした場合、例えば開孔部６
に沿う長さは、開孔部６の幅と同程度、開孔部６に入り
込む長さは、開孔部６の幅の１割〜２割程度の矩形が適
当である。The shape of the portion 7' is determined mainly by the selective oxidation conditions, the width of the field oxide film 9, and the element region 12.
For example, when the width of the field oxide film 9 is set to 1 to 1.5 μm, although it depends somewhat on the area of the opening 6
The length along the opening 6 is approximately the same as the width of the opening 6, and the length extending into the opening 6 is approximately 10% to 20% of the width of the opening 6.
尚、ネガ型ホトレジストを用いて写真蝕刻を行なう場合
には、上記レチクル１において、光透過部２と、光遮断
部４とを逆にすれば良い。Incidentally, when performing photolithography using a negative type photoresist, the light transmitting section 2 and the light blocking section 4 in the reticle 1 may be reversed.
次に、第３図、第４図（ａ）、および第４図（ｂ）を参
照して、この発明の第２の実施例に係わる選択酸化の方
法およびそれに用いるレチクルについて説明する。Next, a selective oxidation method and a reticle used therein according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 4(a), and 4(b).
第３図は、この発明の第２の実施例に係わるレチクルの
一部を示す平面図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は
、第２の実施例に係わる選択酸化の方法について工程順
に示した平面図である。FIG. 3 is a plan view showing a part of a reticle according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 4(a) and 4(b) are a selective oxidation method according to the second embodiment. FIG.
まず、第３図に示すように、レチクル２１には、例えば
ポジ型ホトレジストに対して、フィールド領域を投影す
るＴ型の光透過部２２が描かれている。この光透過部２
２は、フィールド幅の設計値２３より、変換差Ｔ２の分
だけ狭く描かれている。First, as shown in FIG. 3, a T-shaped light transmitting section 22 is drawn on the reticle 21, for example, onto a positive photoresist, for projecting a field area. This light transmitting part 2
2 is drawn narrower than the designed field width value 23 by the conversion difference T2.
一方、光遮断部２４は、耐酸化性膜のパターンを、上記
ホトレジストに対して投影する。このとき、図中の円２
５内に示す上記光遮断部２４の角部には、第１の実施例
同様、肉付は部２４′が設けられた形状となっている。On the other hand, the light blocking section 24 projects the pattern of the oxidation-resistant film onto the photoresist. At this time, circle 2 in the diagram
As in the first embodiment, the corner portion of the light shielding portion 24 shown in 5 is provided with a fleshed portion 24'.
このようなレチクル２１を用いて、フィールド領域形成
の一工程である、ポジ型ホトレジスト（図示せず）を用
いた写真蝕刻を行なうと、第４図（ａ）に示すような、
開孔部２６を持つ耐酸化性膜、例えば窒化膜２７のパタ
ーンが得られる。When such a reticle 21 is used to perform photolithography using a positive type photoresist (not shown), which is one step of forming a field region, the result is as shown in FIG. 4(a).
A pattern of an oxidation-resistant film, for example a nitride film 27, having openings 26 is obtained.
図中の円２８内に示すように、上記窒化膜２７のパター
ンの角部には、第１の実施例同様、肉付は部２７′が形
成されている。As shown in the circle 28 in the figure, a thickened portion 27' is formed at the corner of the pattern of the nitride film 27, as in the first embodiment.
次に、上記窒化膜２７をマスクとして、選択酸化を行な
うと、第４図（ｂ）に示すような、フィールド酸化膜２
９パターンが形成される。このとき、図中の円３０内に
示す領域において、フィールド幅の設計値２３を大きく
逸脱するフィールド酸化膜２つは形成されにくくなって
いる。この理由は、第１の実施例同様、第４図（ａ）中
の円２８内に示す窒化膜２７の角部に、肉付は部２７″
を設けて、選択酸化を行なった点にある。Next, selective oxidation is performed using the nitride film 27 as a mask, resulting in a field oxide film 2 as shown in FIG. 4(b).
Nine patterns are formed. At this time, two field oxide films whose field width greatly deviates from the design value 23 are difficult to be formed in the region shown in the circle 30 in the figure. The reason for this is that, as in the first embodiment, the corner portion of the nitride film 27 shown in the circle 28 in FIG.
The point is that selective oxidation was performed by providing a
よって、窒化膜２７の角部の剛性が高まることから、窒
化膜２７がめくれにくくなり、バーズビークは伸びにく
くなる。Therefore, the rigidity of the corners of the nitride film 27 is increased, making it difficult for the nitride film 27 to turn over and for the bird's beak to stretch.
さらに、上記窒化膜２７の角部には、開孔部２６同士の
交差部分が近接して存在している。この交差部分は、開
孔部が三方向に開いているために酸化剤が入りやすい。Further, at the corners of the nitride film 27, intersections between the openings 26 are located close to each other. The oxidizing agent easily enters this intersection because the openings are open in three directions.
ところが、上記肉付は部２７′を設けることによって、
三方向に開いている開孔部の幅を狭めることができる。However, by providing the portion 27', the above-mentioned thickening is achieved.
The width of the opening that opens in three directions can be narrowed.
よって、第１の実施例同様、酸化剤の入る量が減り、酸
化が進みにくくなる。Therefore, as in the first embodiment, the amount of oxidizing agent introduced is reduced, making it difficult for oxidation to proceed.
このように、開孔部が複数の方向に対して開き、これら
が互いに交差している領域を持つ耐酸化性膜が存在すれ
ば、この発明は適用できる。As described above, the present invention can be applied as long as there is an oxidation-resistant film having regions in which the pores are open in a plurality of directions and these pores intersect with each other.
これらのことから、第４図（ｂ）中の円３０内に示す領
域において、設計値２３を大きく逸脱するフィールド酸
化膜２９は形成されにくくなり、より設計値２３に近い
値のフィールド幅を持つ、フィールド酸化膜２９が形成
されるようになる。For these reasons, in the area shown in the circle 30 in FIG. 4(b), a field oxide film 29 that greatly deviates from the design value 23 is difficult to be formed, and has a field width closer to the design value 23. , a field oxide film 29 is formed.
したがって、第４図（ｂ）に示す素子領域３１の面積は
、大きく減少することはなく、ここに形成される能動素
子の特性が悪化することもなくなる。Therefore, the area of the element region 31 shown in FIG. 4(b) does not decrease significantly, and the characteristics of the active element formed there do not deteriorate.
また、この効果は、第１の実施例同様、素子の微細化が
進行し、上記素子領域１２の面積自体が縮小されるにつ
れ、有効となることは勿論である。Further, as in the first embodiment, this effect will of course become more effective as the miniaturization of elements progresses and the area of the element region 12 itself is reduced.
また、上記肉付は部の形状は、選択酸化時の条件によっ
て若干左右されるが、例えば長さは、開孔部２６の幅と
同程度、開孔部２６に入り込む長さは、開孔部２６の幅
の１割〜２割程度の矩形が適当である。Further, the shape of the above-mentioned thickened portion is slightly influenced by the conditions during selective oxidation, but for example, the length is about the same as the width of the opening 26, and the length that goes into the opening 26 is about the same as the width of the opening 26. A rectangular shape approximately 10% to 20% of the width of the portion 26 is appropriate.
尚、ネガ型ホトレジストを用いて写真蝕刻を行なう場合
には、上記レチクル２１において、光透過部２２と、光
遮断部２４とを逆にすれば良い。Incidentally, when photolithography is performed using a negative photoresist, the light transmitting section 22 and the light blocking section 24 of the reticle 21 may be reversed.
次に、上記レチクル２１の改良タイプを、第５図の平面
図に示す。Next, an improved type of reticle 21 is shown in the plan view of FIG.
さらに、この第２の実施例に係わるレチクル２１に、第
５図に示す円３２内に示す、新たな肉付は部３２′を設
けても良い。このような肉付は部３２″を新たに設けれ
ば、図示しないが開孔部同士の交差部分において、これ
らの開孔部の幅をさらに狭めることができ、酸１化剤が
一段と入りにくくなる。よって、バーズビークの伸びを
いっそう抑制できるようになる。Furthermore, the reticle 21 according to the second embodiment may be provided with a new thickened portion 32', which is shown within a circle 32 shown in FIG. If such a thickening section 32'' is newly provided, the width of the openings can be further narrowed at the intersection of the openings (not shown), making it even more difficult for the acid monifying agent to enter. Therefore, the growth of bird's beak can be further suppressed.
次に、この発明の変形例について、第６図を参照して説
明する。Next, a modification of this invention will be explained with reference to FIG. 6.
第６図は、この発明の変形例に係わる選択酸化の一工程
中の平面図である。FIG. 6 is a plan view during one step of selective oxidation according to a modification of the present invention.
従来の問題として、耐酸化性膜の角部では剛性が低くバ
ーズビークが伸びやすい。さらに、このような角部は、
往々にして耐酸化性膜の開孔部が互いに交差している領
域に近接しており、この領域は酸化剤が入りやすいこと
から、酸化が進みやすい。A conventional problem is that the corners of the oxidation-resistant film have low rigidity and the bird's beak tends to stretch. Furthermore, such corners are
Often, the openings of the oxidation-resistant film are close to regions where they intersect with each other, and oxidizing agents easily enter these regions, so oxidation tends to proceed.
以上の２点が相乗効果となって、バーズビークが伸びや
すいことを既に述べた。I have already mentioned that the synergistic effect of the above two points makes it easier for Bird's Beak to grow.
この点を踏まえると、第６図に示すように、開孔部４１
を持つ耐酸化性膜４２のパターンがあった場合に、上記
耐酸化性膜４２の角部に、さらに、第２の耐酸化性膜４
３を形成して、上記角部の剛性の増強を図り、さらに、
上記開孔部４１の交差領域において、互いの開孔部４１
の幅を狭めても良い。Considering this point, as shown in FIG.
If there is a pattern of the oxidation-resistant film 42 with
3 to increase the rigidity of the corner, and further,
In the intersection area of the apertures 41, the apertures 41 of each other
You may narrow the width.
このように、耐酸化性膜４２の角部に、新たに第２の耐
酸化性膜４３を形成して選択酸化を行なっても、従来、
バーズビークが伸びやすかった部分において、バーズビ
ークの伸びを抑制でき、素子領域の面積減少を防止する
ことができる。In this way, even if the second oxidation-resistant film 43 is newly formed at the corner of the oxidation-resistant film 42 and selective oxidation is performed, conventionally,
In the portion where the bird's beak tends to expand, the bird's beak can be restrained from expanding, and a decrease in the area of the element region can be prevented.
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、バーズビークの
伸びが耐酸化性膜パターンの形状、およびこれに設けら
れている開孔部の形状によって変わる点が改善され、フ
ィールド領域の仕上り値を、より設計値に近くでき、素
子領域の面積減少が抑制できる選択酸化の方法およびそ
れに用いるレチクルが提供される。[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, the problem that the extension of the bird's beak changes depending on the shape of the oxidation-resistant film pattern and the shape of the opening provided therein is improved, and the field area is improved. Provided is a selective oxidation method that allows the finished value to be closer to the design value and suppresses a reduction in the area of the element region, and a reticle used therefor.
第１図（ａ）はこの発明の第１の実施例に係わるレチク
ルの平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）に示す円ａ内
の拡大図、第２図（ａ）および第２図（ｂ）は第１の実
施例に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、
第３図はこの発明の第２の実施例に係わるレチクルの平
面図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は第２の実施例
に係わる選択酸化の方法を工程順に示した平面図、第５
図は第２の実施例に係わるレチクルの改良タイプの平面
図、第６図はこの発明の変形例に係わる選択酸化の方法
の一工程中の平面図、第７図は従来のレチクルの平面図
、第８図（ａ）および第８図（ｂ）は従来の選択酸化の
方法を工程順に示した平面図である。
１・・・・・・レチクル、２・・・・・・光透過部、３
・・・・・・設計値、４・・・・・・光遮断部、６・・
・・・・開孔部、７・・・・・・窒化膜、９・・・・・
・フィールド酸化膜、１２・・・・・・素子領域、２１
・・・・・・レチクル、２２・・・・・・光透過部、２
３・・・・・・設計値、２４・・・・・・光遮断部、２
６・・・・・・開孔部、２７・・・・・・窒化膜、２９
・・・・・・フィールド酸化膜、３１・・・・・・素子
領域、４１・・・・・・開孔部、４２・・・・・・耐酸
化性膜、４３・・・・・・第２の耐酸化性膜。FIG. 1(a) is a plan view of a reticle according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1(b) is an enlarged view of circle a shown in FIG. 1(a), and FIG. 2(a) and FIG. 2(b) is a plan view showing the selective oxidation method according to the first embodiment in the order of steps;
FIG. 3 is a plan view of a reticle according to a second embodiment of the present invention, and FIGS. 4(a) and 4(b) are plan views showing the selective oxidation method according to the second embodiment in order of steps. Figure, 5th
FIG. 6 is a plan view of an improved type of reticle according to the second embodiment, FIG. 6 is a plan view of one step in a selective oxidation method according to a modification of the present invention, and FIG. 7 is a plan view of a conventional reticle. , FIG. 8(a) and FIG. 8(b) are plan views showing the conventional selective oxidation method in the order of steps. 1... Reticle, 2... Light transmitting part, 3
...Design value, 4...Light blocking section, 6...
...Opening part, 7...Nitride film, 9...
・Field oxide film, 12...Element region, 21
...Reticle, 22... Light transmission part, 2
3...Design value, 24...Light blocking part, 2
6...Opening portion, 27...Nitride film, 29
...Field oxide film, 31...Element region, 41...Opening portion, 42...Oxidation-resistant film, 43... Second oxidation resistant film.
Claims (2)
択的に形成する方法において、上記耐酸化性膜パターン
が角部を持つ場合、この角部にあらかじめ肉付け部を設
けて酸化を行なうことを特徴とする選択酸化の方法。(1) In the method of selectively forming an oxide film pattern using an oxidation-resistant film pattern, if the oxidation-resistant film pattern has a corner, a fleshed part is provided in advance at the corner and oxidation is performed. A selective oxidation method characterized by:
チクルに描かれている耐酸化性膜パターンを投影する部
分に角部が存在する場合、この角部に肉付け部が設けら
れていることを特徴とするレチクル。(2) If a reticle used in the photo-etching process has a corner in the area on which the oxidation-resistant film pattern drawn on the reticle is projected, the corner is provided with a fleshed part. reticle.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17229489A JPH0336730A (en) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Selective oxidation and reticle therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17229489A JPH0336730A (en) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Selective oxidation and reticle therefor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336730A true JPH0336730A (en) | 1991-02-18 |
Family
ID=15939262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17229489A Pending JPH0336730A (en) | 1989-07-04 | 1989-07-04 | Selective oxidation and reticle therefor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0336730A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006218591A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | Index device, clamping mechanism and machine tool |
| US7793567B2 (en) | 2003-10-17 | 2010-09-14 | Sankyo Seisakusho Co. | Clamping device and rotary table apparatus |
-
1989
- 1989-07-04 JP JP17229489A patent/JPH0336730A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7793567B2 (en) | 2003-10-17 | 2010-09-14 | Sankyo Seisakusho Co. | Clamping device and rotary table apparatus |
| JP2006218591A (en) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Seiko Instruments Inc | Index device, clamping mechanism and machine tool |
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