JPH0331020Y2 - - Google Patents
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- JPH0331020Y2 JPH0331020Y2 JP1985090039U JP9003985U JPH0331020Y2 JP H0331020 Y2 JPH0331020 Y2 JP H0331020Y2 JP 1985090039 U JP1985090039 U JP 1985090039U JP 9003985 U JP9003985 U JP 9003985U JP H0331020 Y2 JPH0331020 Y2 JP H0331020Y2
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- terminal
- diode element
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- connecting plate
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/66—Structural association with built-in electrical component
- H01R13/6608—Structural association with built-in electrical component with built-in single component
- H01R13/6641—Structural association with built-in electrical component with built-in single component with diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
考案の目的
〔産業上の利用分野〕
本考案は、耐過電流特性を向上するためのダイ
オード内蔵型コネクタの改良に関する。
オード内蔵型コネクタの改良に関する。
ワイヤハーネスなどの接続に使用するダイオー
ド内蔵型コネクタは第３図のような構成を有す
る。
ド内蔵型コネクタは第３図のような構成を有す
る。
すなわち、Ａは３極コネクタの例で、１〜３の
端子板のうち両端の端子板１，３の基端部にダイ
オード素子４を固着し、連結板５によつて各端子
板を電気的に接続し、この接続部分をケース６に
収納し、ケース内で樹脂により一体にモールドし
た後、連鎖部７を切離し、各端子板を分離させ、
端子板１，３を分岐端子、端子板２を共通端子と
するものである。
端子板のうち両端の端子板１，３の基端部にダイ
オード素子４を固着し、連結板５によつて各端子
板を電気的に接続し、この接続部分をケース６に
収納し、ケース内で樹脂により一体にモールドし
た後、連鎖部７を切離し、各端子板を分離させ、
端子板１，３を分岐端子、端子板２を共通端子と
するものである。
上記コネクタの場合、通電時におけるダイオー
ド素子発熱部からの放熱は主として熱伝導率の大
きい端子板と連結板を通じて行なわれる。しか
し、ダイオード素子と結合された連結板は、板厚
が0.2mm程度と薄く、熱容量が小さい形状である
ため、通電時間に対する温度上昇が大きかつた。
換言すれば、ダイオード素子と端子板、連結板と
の温度差ΔTが小さく、ダイオード素子発熱部か
らの熱放散性が悪い形状であつた。
ド素子発熱部からの放熱は主として熱伝導率の大
きい端子板と連結板を通じて行なわれる。しか
し、ダイオード素子と結合された連結板は、板厚
が0.2mm程度と薄く、熱容量が小さい形状である
ため、通電時間に対する温度上昇が大きかつた。
換言すれば、ダイオード素子と端子板、連結板と
の温度差ΔTが小さく、ダイオード素子発熱部か
らの熱放散性が悪い形状であつた。
一方、ワイヤハーネスにはその回路保護のため
ヒユーズ（通常15A以下）を設け、短絡などで過
電流が流れるとヒユーズが短時間で溶断するよう
になつている。
ヒユーズ（通常15A以下）を設け、短絡などで過
電流が流れるとヒユーズが短時間で溶断するよう
になつている。
ところが、従来のコネクタでは熱放散性が悪い
ために、ヒユーズ溶断に至るまでの短い時間でダ
イオード素子の温度上昇が大きく、その機能が損
なわれる場合が多かつた。
ために、ヒユーズ溶断に至るまでの短い時間でダ
イオード素子の温度上昇が大きく、その機能が損
なわれる場合が多かつた。
本考案の目的は、上記の問題点を解決し、ダイ
オード素子近傍の熱容量と熱放散性を大きくし、
耐過電流特性の優れたダイオード内蔵式コネクタ
を提供するにある。
オード素子近傍の熱容量と熱放散性を大きくし、
耐過電流特性の優れたダイオード内蔵式コネクタ
を提供するにある。
考案の構成
〔問題点を解決するための手段〕
本考案のダイオード内蔵式コネクタは、共通端
子と基端部にダイオード素子を固着した分岐端子
とを並設し、ダイオード素子と共通端子の基端部
を連結板により電気的に接続し、この接続部近傍
を樹脂でモールドしたものにおいて、前記分岐端
子の基端部は折り返し重合して重合板部として形
成するとともに、前記連結板の板厚を1.0mm以上
としたことを特徴とする。
子と基端部にダイオード素子を固着した分岐端子
とを並設し、ダイオード素子と共通端子の基端部
を連結板により電気的に接続し、この接続部近傍
を樹脂でモールドしたものにおいて、前記分岐端
子の基端部は折り返し重合して重合板部として形
成するとともに、前記連結板の板厚を1.0mm以上
としたことを特徴とする。
ダイオード素子を固着する分岐端子の基端部を
重合板部として形成し、さらに連結板の板厚を
1.0mm以上（従来例に比べ５倍以上）としたこと
により、ダイオード素子発熱部近傍の熱容量が増
加し、熱流抵抗が減少するので、熱放散性が向上
し、ダイオード素子発熱部の温度上昇を抑制す
る。その結果、耐過電流特性が大巾に向上する。
重合板部として形成し、さらに連結板の板厚を
1.0mm以上（従来例に比べ５倍以上）としたこと
により、ダイオード素子発熱部近傍の熱容量が増
加し、熱流抵抗が減少するので、熱放散性が向上
し、ダイオード素子発熱部の温度上昇を抑制す
る。その結果、耐過電流特性が大巾に向上する。
第１図において、共通端子２の両側に並設した
分岐端子１′，３′の基端部はその自由縁が下側に
折り返し重合されて重合板部８として形成され、
また、連結板５′はその板厚が1.0mm以上のものを
使用している。その他の構成は、従来と同様であ
り説明を省略する。
分岐端子１′，３′の基端部はその自由縁が下側に
折り返し重合されて重合板部８として形成され、
また、連結板５′はその板厚が1.0mm以上のものを
使用している。その他の構成は、従来と同様であ
り説明を省略する。
第３図に示す従来の連結板５は厚さ0.2mmの黄
銅板を使用しているが、本考案のように分岐端子
１′，３′に重合板部８を形成し、連結板５′を1.0
mm上にすることで同じ材質の黄銅板を使用して所
期の効果を得ることができる。しかし、これらの
材質を熱伝導率の高いCu−Fe−Ｐ系の合金銅を
使用することにより、更に温度抑制効果を高める
ことができる。
銅板を使用しているが、本考案のように分岐端子
１′，３′に重合板部８を形成し、連結板５′を1.0
mm上にすることで同じ材質の黄銅板を使用して所
期の効果を得ることができる。しかし、これらの
材質を熱伝導率の高いCu−Fe−Ｐ系の合金銅を
使用することにより、更に温度抑制効果を高める
ことができる。
なお、分岐端子の極数は必要に応じて増減する
ことができ、重合板部８は三重以上に折り返して
形成してもよい。
ことができ、重合板部８は三重以上に折り返して
形成してもよい。
第２図は、本考案と従来のダイオード内蔵式コ
ネクタの耐過電流特性をヒユーズ（15A）の溶断
特性と対比したものである。
ネクタの耐過電流特性をヒユーズ（15A）の溶断
特性と対比したものである。
端 子；黄銅板
（0.64mmt×2.3mmW×17.0mmL）
端子数；３極、端子間隔 4.0mm
連結板；
（本考案品）黄銅板
（1.0mmt×2.5mmW×9.0mmL）
（従来品） 同上
（0.2mmt×2.5mmW×9.0mmL）
図から明らかなように、本考案品はヒユーズ溶
断によりダイオード素子が破壊されないが、従来
品では溶断以前に破壊する。
断によりダイオード素子が破壊されないが、従来
品では溶断以前に破壊する。
また、連結板の厚さが１mmに達しないもので
は、ヒユーズの溶断特性曲線と同等若しくはその
下側に位置するため、ヒユーズ溶断以前に機能が
損われる。
は、ヒユーズの溶断特性曲線と同等若しくはその
下側に位置するため、ヒユーズ溶断以前に機能が
損われる。
考案の効果
本考案のダイオード内蔵型コネクタは、耐過電
流特性が優れており、ヒユーズ溶断以前にその機
能が損われることがない。
流特性が優れており、ヒユーズ溶断以前にその機
能が損われることがない。
第１図は本考案コネクタの分解斜視図、第２図
は本考案コネクタと従来品の破壊特性曲線を示す
グラフ、第３図は従来例の分解斜視図である。 １，１′，３，３′…分岐端子、２…共通端子、
４…ダイオード素子、５，５′…連結板、６…ケ
ース、８…重合板部。
は本考案コネクタと従来品の破壊特性曲線を示す
グラフ、第３図は従来例の分解斜視図である。 １，１′，３，３′…分岐端子、２…共通端子、
４…ダイオード素子、５，５′…連結板、６…ケ
ース、８…重合板部。
Claims (1)
- 共通端子と基端部にダイオード素子を固着した
分岐端子とを並設し、ダイオード素子と共通端子
の基端部を連結板により電気的に接続し、この接
続部の近傍を樹脂でモールドしたコネクタにおい
て、前記分岐端子の基端部は折り返し重合して重
合板部として形成するとともに、前記連結板の板
厚を1.0mm以上にしたことを特徴とするダイオー
ド内蔵型コネクタ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985090039U JPH0331020Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 | |
| US06/871,919 US4675718A (en) | 1985-06-17 | 1986-06-09 | Diode-containing connector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985090039U JPH0331020Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61206271U JPS61206271U (ja) | 1986-12-26 |
| JPH0331020Y2 true JPH0331020Y2 (ja) | 1991-07-01 |
Family
ID=13987506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985090039U Expired JPH0331020Y2 (ja) | 1985-06-17 | 1985-06-17 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4675718A (ja) |
| JP (1) | JPH0331020Y2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4845545A (en) * | 1987-02-13 | 1989-07-04 | International Rectifier Corporation | Low profile semiconductor package |
| US4772225A (en) * | 1987-11-19 | 1988-09-20 | Amp Inc | Electrical terminal having means for mounting electrical circuit components in series thereon and connector for same |
| JPH0749745Y2 (ja) * | 1988-01-28 | 1995-11-13 | 住友電気工業株式会社 | ダイオード内蔵コネクタ |
| EP0400193B1 (de) * | 1989-06-02 | 1994-02-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Sensoreinrichtung |
| US5103289A (en) * | 1990-02-06 | 1992-04-07 | Square D Company | Dual sip package structures |
| EP0558876A1 (en) * | 1992-03-03 | 1993-09-08 | STMicroelectronics S.r.l. | A semiconductor device package with shaped parts for direct coupling to standard connectors |
| FR2709021B1 (fr) * | 1993-08-09 | 1995-10-27 | Sgs Thomson Microelectronics | Dissipateur thermique pour boîtier plastique. |
| KR200168178Y1 (ko) * | 1999-08-27 | 2000-02-15 | 광전자주식회사 | 파워 패키지 리드 프레임 |
| US8638535B2 (en) * | 2011-01-10 | 2014-01-28 | Hamilton Sundstrand Corporation | Vertical mount transient voltage suppressor array |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089081A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置内蔵コネクタ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3142000A (en) * | 1961-02-15 | 1964-07-21 | Radio Receptor Company Inc | Matrix for holding and making electrical connection with a plurality of electrical units |
| DE1815989A1 (de) * | 1968-12-20 | 1970-07-02 | Semikron Gleichrichterbau | Halbleiter-Anordnung |
| US4450461A (en) * | 1981-07-24 | 1984-05-22 | General Electric Company | Low cost high isolation voltage optocoupler with improved light transmissivity |
| JPS5954250A (ja) * | 1982-09-21 | 1984-03-29 | Internatl Rectifier Corp Japan Ltd | 半導体装置 |
| JPS6071086U (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオ−ド内蔵コネクタ |
| JPS6071085U (ja) * | 1983-10-21 | 1985-05-20 | 住友電気工業株式会社 | ダイオ−ド内蔵コネクタ |
-
1985
- 1985-06-17 JP JP1985090039U patent/JPH0331020Y2/ja not_active Expired
-
1986
- 1986-06-09 US US06/871,919 patent/US4675718A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6089081A (ja) * | 1983-10-20 | 1985-05-18 | 株式会社デンソー | 半導体装置内蔵コネクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61206271U (ja) | 1986-12-26 |
| US4675718A (en) | 1987-06-23 |
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