JPH03292729A - スパッタリングターゲットおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲットおよび半導体装置の製造方法Info
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- JPH03292729A JPH03292729A JP9573290A JP9573290A JPH03292729A JP H03292729 A JPH03292729 A JP H03292729A JP 9573290 A JP9573290 A JP 9573290A JP 9573290 A JP9573290 A JP 9573290A JP H03292729 A JPH03292729 A JP H03292729A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の製造に際し 特にシリサイド化接
合、シリサイド層を有した電極 配線部に用いる金属硅
化物を形成する為のスパッタリングターゲット、及びそ
の半導体製造プロセスへの適用に関するものであム 従来の技術 半導体集積回路の高密度化にともなって構成要素である
ＭＯＳ）ランジスタも縮小化される力（かかる装置にお
いては深さ方向の縮小化も実施しなくては正常なトラン
ジスタ動作を維持することはできなｌ、％ また 横
方向の縮小化にともない平坦化を容易にする為に配線の
厚さも薄くする必要がある。以上の問題を解決するム
最近注目されているのがシリコン基板、多結晶シリコン
層における高濃度不純物拡散層より低抵抗な高融点金属
シリサイド層を用いて接合、電極を形成する方法である
。例えＥＭＯＳトランジスタのソー人ドレイン領域に自
己整合的にシリサイド化接合層を形成する従来の技術（
シリサイド化接合法）としては アイ、イー、イー、−
イー、 トランザクションオブエレクトロンデバイスイ
ズＥＤ−３１（１９８４年）１３２９頁から１３３４頁
（ＩＥ’ 、 Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ（Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ、 ＥＤ−３１（１９８４）ｐｐ１３２９〜
１３３４）に示されていも第４図に従来のシリサイド化
接合部の構造の概略を説明すも 第４図に示すようにシ
リコン基板５１に自己整合的に形成されたチタンシリサ
イド層５２力交 絶対Ｍ５３の選択的開口部３４を介し
て、導体配線５５と高濃度不純物拡散層（ｎ”又はｐ゛
層）５６との間に位置したシリサイド化接合構造となっ
ていも 以上の従来のシリサイド化接合構造においては
チタンシリサイド層５２の存在により、高濃度不純物拡
散層５６の面抵抗の低抵抗化が実現されている。
合、シリサイド層を有した電極 配線部に用いる金属硅
化物を形成する為のスパッタリングターゲット、及びそ
の半導体製造プロセスへの適用に関するものであム 従来の技術 半導体集積回路の高密度化にともなって構成要素である
ＭＯＳ）ランジスタも縮小化される力（かかる装置にお
いては深さ方向の縮小化も実施しなくては正常なトラン
ジスタ動作を維持することはできなｌ、％ また 横
方向の縮小化にともない平坦化を容易にする為に配線の
厚さも薄くする必要がある。以上の問題を解決するム
最近注目されているのがシリコン基板、多結晶シリコン
層における高濃度不純物拡散層より低抵抗な高融点金属
シリサイド層を用いて接合、電極を形成する方法である
。例えＥＭＯＳトランジスタのソー人ドレイン領域に自
己整合的にシリサイド化接合層を形成する従来の技術（
シリサイド化接合法）としては アイ、イー、イー、−
イー、 トランザクションオブエレクトロンデバイスイ
ズＥＤ−３１（１９８４年）１３２９頁から１３３４頁
（ＩＥ’ 、 Ｔｒａｎｓ、 Ｅｌｅｃｔｒｏｎ（Ｄｅ
ｖｉｃｅｓ、 ＥＤ−３１（１９８４）ｐｐ１３２９〜
１３３４）に示されていも第４図に従来のシリサイド化
接合部の構造の概略を説明すも 第４図に示すようにシ
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イド層５２力交 絶対Ｍ５３の選択的開口部３４を介し
て、導体配線５５と高濃度不純物拡散層（ｎ”又はｐ゛
層）５６との間に位置したシリサイド化接合構造となっ
ていも 以上の従来のシリサイド化接合構造においては
チタンシリサイド層５２の存在により、高濃度不純物拡
散層５６の面抵抗の低抵抗化が実現されている。
発明が解決しようとする課題
しかしなが収 現在のところ自己整合的チタンシリサイ
ド膜形成特番へ イオン注入による界面ミキシングを
行うことにより膜厚の均一な良好な膜質から得られてＬ
後の比較的高温・長時間の熱処理（９００℃以１ ３
０分間以上）の際にチタンシリサイドが凝集することに
よって表面荒れや亀裂力（生ム シリサイドの亀裂部で
はシリコン基板が露出するという問題があった この様
子を第５図を用いて説明すも 第５図（ａ）に示すよう
にシリコン基板６１上に形成されたチタンシリサイド層
は９０〇−３０分間の熱処理を施されることにより凝集
し 第５図（ｂ）に示すように島状シリサイド層６３に
変形し島状シリサイド層６３の間に高抵抗層のシリコン
基板６１が露出した状態となム この高温熱処理は集積
回路プロセスではチタンシリサイド膜形成後へ例えば注
入不純物の活性化や層間絶縁膜の平坦化リフローの為の
熱処理で必要であも このような問題点については実験
結果としてジャーナルオブアプライドフィジクス（１９
８６年）２４３頁から２４５頁（ＪＡＰ（１９８６）ｐ
ｐ２４３〜２４５）にも示されていも この問題点は形
状の劣化のみならず、電気的にはシート抵抗の増大 接
合リークの増大を引き起こし シリサイド化接合の有効
性を失うこととなａ 本発明はかかる点に鑑ヘ シリサ
イド接合形成後の熱処理によってＬ シリサイド層の表
面荒れ 亀裂が生じず、電気特性の劣化のない高耐熱性
シリサイド層を形成することができるスパッタリングタ
ーゲットおよび半導体装置の製造方法を提供することを
目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明は金属元素との化合物の融点力（当該金属元素の
硅化物の融点よりも高い元素を不純物として含有せしめ
た当該金属のスパッタリングターゲットであム また本
発明は上記スパッタリングターゲットを用いて金属膜を
形成する半導体装置の製造方法であム 作用 本発明は熱処理により本スパッタリングターゲットを用
いて形成したシリサイド膜が多結晶膜として成長する際
に 膜中に含有した不純物 例えば炭素や窒素力丈 例
えば金属炭化物や金属窒化物となって膜内の結晶粒界に
析出し これら析出物がシリサイド膜の二次成長（結晶
粒の合体化）を抑制することにより、シリサイド膜の表
面荒れや亀裂を防止することができも 実施例 第１図は本発明の一実施例におけるチタン膜の形成方法
を示す概略図を示す。シリコン基板１１上にスパッタ法
により、窒素を含んだチタンスパッタリングターゲット
１２（第１図（ａ））を用いて窒素を不純物として含ん
だチタン薄膜１３を形成する（第１図（ｂ））。なお窒
素を含んだチタンスパッタリングターゲット１２は例え
ば現在 市場に出ているチタンナイトライドターゲット
の製造工程において窒素の含有量を少なくするだけで、
現有のスパッタリングターゲット形成方法で容易に製造
でき４ 次に このスパッタリングターゲットを用いて
形成したチタン薄膜を用いた半導体装置におけるチタン
シリサイド層の形成方法を第２図を用いて説明すも こ
こでは−例としてシリサイド化反応法による形成方法に
ついて説明する。第２図（ａ）に示すようにシリコン基
板２１上に炭煮 あるいは窒素を含んだスパッタリング
ターゲットを用いて炭素あるいは窒素を含んだチタン薄
膜２２を形成する。例えば０．１％の窒素を含んだスパ
ッタリングターゲットを用（＼ アルゴンガスを用いて
スパッタリング蒸着した場合 ０．１％の窒素を含んだ
チタン薄膜を形成できる。又 同様に・１％の窒素を含
んだチタンターゲットを用いた場合１％の窒素を含んだ
チタン薄膜を形成できも 以上の手法で微量の炭素ある
いは窒素を含んだチタン薄膜２２を形成した也 シリサ
イド化温度以五 すなわち６００℃以上で例えば窒素ガ
ス中で熱処理を１分間〜６０分間行うと第２図（ｂ）に
示すようにシリコン基板２１上に微量の炭素あるいは窒
素力交 結晶粒界２３に炭素あるいは炭化チタンあるい
は窒化チタンが析出したチタンシリサイド層２４が形成
できる。本方法により形成されたチタンシリサイド膜を
不活性ガス中で９００ｔ、 ６０分間熱処理を行って
も第２図（ｃ）に示すようにチタンシリサイド層２４の
２次成長（結晶粒２４ａの合体）は結晶粒界２３に析出
した炭素、窒化チタン、炭化チタンなどの析出層（第１
図（ｂ）参照）によって抑制され シリサイド層２４の
変形は起こらず表面もフオロジーも平滑であつ九 この
２次成長の抑制は粒界２３に析出した層の融点が高い為
（窒化チタン２９３０℃、炭化チタン３１４０℃、炭素
３５１０℃）チタンシリサイド層２４の２次成長が起こ
る９００℃程度の熱処理において耘 前記各層は２次成
長を起こさず安定であることによム 一般に２次成長が
起こる温度は融点の〜０．６倍であると言われていも
次に実際のデータに関して、本発明の詳細な説明すも
実用的な半導体プロセスに用いる熱処理温度よりも高温
である１１００℃までの温度で、窒素を含まないチタン
と窒素を０．０５％含んだチタンをシリコン基板上に厚
さ３５ｒ＋ｍ形成した試料をアルゴンガス雰囲気中で熱
処理し シート抵抗を測定した結果を表１に示す。
ド膜形成特番へ イオン注入による界面ミキシングを
行うことにより膜厚の均一な良好な膜質から得られてＬ
後の比較的高温・長時間の熱処理（９００℃以１ ３
０分間以上）の際にチタンシリサイドが凝集することに
よって表面荒れや亀裂力（生ム シリサイドの亀裂部で
はシリコン基板が露出するという問題があった この様
子を第５図を用いて説明すも 第５図（ａ）に示すよう
にシリコン基板６１上に形成されたチタンシリサイド層
は９０〇−３０分間の熱処理を施されることにより凝集
し 第５図（ｂ）に示すように島状シリサイド層６３に
変形し島状シリサイド層６３の間に高抵抗層のシリコン
基板６１が露出した状態となム この高温熱処理は集積
回路プロセスではチタンシリサイド膜形成後へ例えば注
入不純物の活性化や層間絶縁膜の平坦化リフローの為の
熱処理で必要であも このような問題点については実験
結果としてジャーナルオブアプライドフィジクス（１９
８６年）２４３頁から２４５頁（ＪＡＰ（１９８６）ｐ
ｐ２４３〜２４５）にも示されていも この問題点は形
状の劣化のみならず、電気的にはシート抵抗の増大 接
合リークの増大を引き起こし シリサイド化接合の有効
性を失うこととなａ 本発明はかかる点に鑑ヘ シリサ
イド接合形成後の熱処理によってＬ シリサイド層の表
面荒れ 亀裂が生じず、電気特性の劣化のない高耐熱性
シリサイド層を形成することができるスパッタリングタ
ーゲットおよび半導体装置の製造方法を提供することを
目的とすａ 課題を解決するための手段 本発明は金属元素との化合物の融点力（当該金属元素の
硅化物の融点よりも高い元素を不純物として含有せしめ
た当該金属のスパッタリングターゲットであム また本
発明は上記スパッタリングターゲットを用いて金属膜を
形成する半導体装置の製造方法であム 作用 本発明は熱処理により本スパッタリングターゲットを用
いて形成したシリサイド膜が多結晶膜として成長する際
に 膜中に含有した不純物 例えば炭素や窒素力丈 例
えば金属炭化物や金属窒化物となって膜内の結晶粒界に
析出し これら析出物がシリサイド膜の二次成長（結晶
粒の合体化）を抑制することにより、シリサイド膜の表
面荒れや亀裂を防止することができも 実施例 第１図は本発明の一実施例におけるチタン膜の形成方法
を示す概略図を示す。シリコン基板１１上にスパッタ法
により、窒素を含んだチタンスパッタリングターゲット
１２（第１図（ａ））を用いて窒素を不純物として含ん
だチタン薄膜１３を形成する（第１図（ｂ））。なお窒
素を含んだチタンスパッタリングターゲット１２は例え
ば現在 市場に出ているチタンナイトライドターゲット
の製造工程において窒素の含有量を少なくするだけで、
現有のスパッタリングターゲット形成方法で容易に製造
でき４ 次に このスパッタリングターゲットを用いて
形成したチタン薄膜を用いた半導体装置におけるチタン
シリサイド層の形成方法を第２図を用いて説明すも こ
こでは−例としてシリサイド化反応法による形成方法に
ついて説明する。第２図（ａ）に示すようにシリコン基
板２１上に炭煮 あるいは窒素を含んだスパッタリング
ターゲットを用いて炭素あるいは窒素を含んだチタン薄
膜２２を形成する。例えば０．１％の窒素を含んだスパ
ッタリングターゲットを用（＼ アルゴンガスを用いて
スパッタリング蒸着した場合 ０．１％の窒素を含んだ
チタン薄膜を形成できる。又 同様に・１％の窒素を含
んだチタンターゲットを用いた場合１％の窒素を含んだ
チタン薄膜を形成できも 以上の手法で微量の炭素ある
いは窒素を含んだチタン薄膜２２を形成した也 シリサ
イド化温度以五 すなわち６００℃以上で例えば窒素ガ
ス中で熱処理を１分間〜６０分間行うと第２図（ｂ）に
示すようにシリコン基板２１上に微量の炭素あるいは窒
素力交 結晶粒界２３に炭素あるいは炭化チタンあるい
は窒化チタンが析出したチタンシリサイド層２４が形成
できる。本方法により形成されたチタンシリサイド膜を
不活性ガス中で９００ｔ、 ６０分間熱処理を行って
も第２図（ｃ）に示すようにチタンシリサイド層２４の
２次成長（結晶粒２４ａの合体）は結晶粒界２３に析出
した炭素、窒化チタン、炭化チタンなどの析出層（第１
図（ｂ）参照）によって抑制され シリサイド層２４の
変形は起こらず表面もフオロジーも平滑であつ九 この
２次成長の抑制は粒界２３に析出した層の融点が高い為
（窒化チタン２９３０℃、炭化チタン３１４０℃、炭素
３５１０℃）チタンシリサイド層２４の２次成長が起こ
る９００℃程度の熱処理において耘 前記各層は２次成
長を起こさず安定であることによム 一般に２次成長が
起こる温度は融点の〜０．６倍であると言われていも
次に実際のデータに関して、本発明の詳細な説明すも
実用的な半導体プロセスに用いる熱処理温度よりも高温
である１１００℃までの温度で、窒素を含まないチタン
と窒素を０．０５％含んだチタンをシリコン基板上に厚
さ３５ｒ＋ｍ形成した試料をアルゴンガス雰囲気中で熱
処理し シート抵抗を測定した結果を表１に示す。
（以下余白）
表１
（シン、千４けジ
この結果か収５３０℃から６８０℃での熱処理の間にチ
タンはシリコン基板と固相反応しチタンシリサイドとな
り抵抗値が低くなっていも ま？、：、 １１００℃
２秒熱処理までは両者にシート抵抗値の差は見られない
力ｔ １１００℃２０秒熱処理後で（よ 窒素を含有
した試料ではシート抵抗は２．５Ω／口と１１００℃２
秒までの熱処理後と大差は見られない力丈 窒素を含有
しない試料では１１００℃２０秒熱処理後６２Ω／口と
なり３０倍以上の高シート抵抗となっ通 このシート抵
抗の相違はチタンシリサイド膜の表面モフオロジーの相
違に起因している。１１００℃２０秒熱処理後の両試料
の平面ＴＥＭ特性図を第３図に示す。
タンはシリコン基板と固相反応しチタンシリサイドとな
り抵抗値が低くなっていも ま？、：、 １１００℃
２秒熱処理までは両者にシート抵抗値の差は見られない
力ｔ １１００℃２０秒熱処理後で（よ 窒素を含有
した試料ではシート抵抗は２．５Ω／口と１１００℃２
秒までの熱処理後と大差は見られない力丈 窒素を含有
しない試料では１１００℃２０秒熱処理後６２Ω／口と
なり３０倍以上の高シート抵抗となっ通 このシート抵
抗の相違はチタンシリサイド膜の表面モフオロジーの相
違に起因している。１１００℃２０秒熱処理後の両試料
の平面ＴＥＭ特性図を第３図に示す。
第３図（ａ）は窒素を含有しない試銖 第３図（ｂ）は
窒素を含有した試料に対応しており、第３図（ａ）では
チタンシリサイド（ＴｉＳＩ２）が凝集し島状シリサイ
ド層（図中、黒い部分）となりシリコン基板（図中、白
い部分）が露出してい４ −Ｘ 第３図（ｂ）では同
図（ａ）のような凝集及びシリコン基板の露出は見られ
ず全面がチタンシリサイド（ＴｉＳｂ ）でおおわれ
表面モフォロジーも平滑であるという結果を得ていム
な耘 本構造の実施例では金属の硅化物をチタンシリサ
イドとした力丈 他の材粧例えばタングステンシリサイ
ド、コノくルトシリサイド、ニッケルシリサイドなどの
場合でも全く同様であム また 不純物の含有量として
は形成されたシリサイド膜の抵抗値を低く、安定化させ
る為に過度の含有は不適であり、１０−２％から１０−
１％までは適切な量であつ九 シリサイド膜の下地基板
はシリコン材料を用いて説明した力丈 シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜など他の材料でも良しも更に この高
耐熱性シリサイド膜をＭＯＳ）ランジスタにおけるゲー
ト電機 シリサイド化接合層の構成要素として用いたと
こへ９００℃３０分間の熱処理後も良好な電気特恒 例
えば前者ではゲート酸化膜耐圧９ ＭＶ／ｃｍ以上 後
者では接合リーク電流０、５ｎＡ／ｃｍ２以下の値を得
た また シリサイド膜の形成方法として前記実施例に
おいては金属とシリコンとのシリサイド化反応を利用し
た力丈 堆積時に直籠 不純物を含有せしめたシリサイ
ドターゲットを用いてシリサイド膜を形成しても同様な
結果が得られることは言うまでもなＩＩ〜発明の詳細 な説明したよう艮 本発明によれば 粒界に高融点の析
出層を形成することにより、シリサイド層の高温熱処理
中の結晶粒の２次成長を抑制することが可能であり、し
たがってシリサイド層形成後の高温熱処理に伴うシリサ
イド層の形状の劣化を防ぎ、電気特性の優れた電極形成
が可能であり、その実用的効果は太き（〜
窒素を含有した試料に対応しており、第３図（ａ）では
チタンシリサイド（ＴｉＳＩ２）が凝集し島状シリサイ
ド層（図中、黒い部分）となりシリコン基板（図中、白
い部分）が露出してい４ −Ｘ 第３図（ｂ）では同
図（ａ）のような凝集及びシリコン基板の露出は見られ
ず全面がチタンシリサイド（ＴｉＳｂ ）でおおわれ
表面モフォロジーも平滑であるという結果を得ていム
な耘 本構造の実施例では金属の硅化物をチタンシリサ
イドとした力丈 他の材粧例えばタングステンシリサイ
ド、コノくルトシリサイド、ニッケルシリサイドなどの
場合でも全く同様であム また 不純物の含有量として
は形成されたシリサイド膜の抵抗値を低く、安定化させ
る為に過度の含有は不適であり、１０−２％から１０−
１％までは適切な量であつ九 シリサイド膜の下地基板
はシリコン材料を用いて説明した力丈 シリコン酸化膜
やシリコン窒化膜など他の材料でも良しも更に この高
耐熱性シリサイド膜をＭＯＳ）ランジスタにおけるゲー
ト電機 シリサイド化接合層の構成要素として用いたと
こへ９００℃３０分間の熱処理後も良好な電気特恒 例
えば前者ではゲート酸化膜耐圧９ ＭＶ／ｃｍ以上 後
者では接合リーク電流０、５ｎＡ／ｃｍ２以下の値を得
た また シリサイド膜の形成方法として前記実施例に
おいては金属とシリコンとのシリサイド化反応を利用し
た力丈 堆積時に直籠 不純物を含有せしめたシリサイ
ドターゲットを用いてシリサイド膜を形成しても同様な
結果が得られることは言うまでもなＩＩ〜発明の詳細 な説明したよう艮 本発明によれば 粒界に高融点の析
出層を形成することにより、シリサイド層の高温熱処理
中の結晶粒の２次成長を抑制することが可能であり、し
たがってシリサイド層形成後の高温熱処理に伴うシリサ
イド層の形状の劣化を防ぎ、電気特性の優れた電極形成
が可能であり、その実用的効果は太き（〜
第１図（ａ）、 （ｂ）は本発明の一実施例におけるチ
タン薄膜の形成概略医 第２図（ａ）〜（ｃ）は本シリ
サイド膜の製造方法の一実施例の断面構造図 第３図（
ａ）、 （ｂ）は１１００℃、２０秒熱処理後のチタン
シリサイド膜の平面ＴＥＭ特性医 第４図はシリサイド
化接合の概略医 第５図（ａ）、 （ｂ）は従来のシリ
サイド膜の熱処理による劣化の様子を示した概念構造図
であム １１・・・・シリコン基数１２・・・・窒素を含んだチ
タンスパッタリングターゲット、１３・・・・窒素を含
んだチタン薄ＷＬ２３・・・・粒界 ２４・・・・チタ
ンシリサイド層。
タン薄膜の形成概略医 第２図（ａ）〜（ｃ）は本シリ
サイド膜の製造方法の一実施例の断面構造図 第３図（
ａ）、 （ｂ）は１１００℃、２０秒熱処理後のチタン
シリサイド膜の平面ＴＥＭ特性医 第４図はシリサイド
化接合の概略医 第５図（ａ）、 （ｂ）は従来のシリ
サイド膜の熱処理による劣化の様子を示した概念構造図
であム １１・・・・シリコン基数１２・・・・窒素を含んだチ
タンスパッタリングターゲット、１３・・・・窒素を含
んだチタン薄ＷＬ２３・・・・粒界 ２４・・・・チタ
ンシリサイド層。
Claims (2)
- （１）金属元素との化合物の融点を前記金属元素の硅化
物の融点より高くする元素０．０１％から１％含有する
ことを特徴とするスパッタリングターゲット。 - （２）金属膜を形成するにあたり、前記金属元素との化
合物の融点を前記金属元素の硅化物の融点よりも高くす
る元素を含有した金属スパッタリングターゲットを用い
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9573290A JPH03292729A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | スパッタリングターゲットおよび半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9573290A JPH03292729A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | スパッタリングターゲットおよび半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03292729A true JPH03292729A (ja) | 1991-12-24 |
Family
ID=14145649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9573290A Pending JPH03292729A (ja) | 1990-04-10 | 1990-04-10 | スパッタリングターゲットおよび半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03292729A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449631A (en) * | 1994-07-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor salicide process |
| US5518958A (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor polycide process |
| WO1997012391A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Intel Corporation | Improved interface between titanium and aluminum-alloy in metal stack for integrated circuit |
| JP2005340855A (ja) * | 2005-07-22 | 2005-12-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-04-10 JP JP9573290A patent/JPH03292729A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5449631A (en) * | 1994-07-29 | 1995-09-12 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor salicide process |
| US5518958A (en) * | 1994-07-29 | 1996-05-21 | International Business Machines Corporation | Prevention of agglomeration and inversion in a semiconductor polycide process |
| WO1997012391A1 (en) * | 1995-09-29 | 1997-04-03 | Intel Corporation | Improved interface between titanium and aluminum-alloy in metal stack for integrated circuit |
| US5747879A (en) * | 1995-09-29 | 1998-05-05 | Intel Corporation | Interface between titanium and aluminum-alloy in metal stack for integrated circuit |
| JP2005340855A (ja) * | 2005-07-22 | 2005-12-08 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP4711766B2 (ja) * | 2005-07-22 | 2011-06-29 | シャープ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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