JPH03288569A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JPH03288569A
JPH03288569A JP8609190A JP8609190A JPH03288569A JP H03288569 A JPH03288569 A JP H03288569A JP 8609190 A JP8609190 A JP 8609190A JP 8609190 A JP8609190 A JP 8609190A JP H03288569 A JPH03288569 A JP H03288569A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow rate
exhaust
mist trap
exhaust flow
flow path
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8609190A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2692042B2 (ja
Inventor
Yukiteru Kuroda
黒田 幸輝
Koichi Tagami
田上 公一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Kyushu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd, Tokyo Electron Kyushu Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP8609190A priority Critical patent/JP2692042B2/ja
Publication of JPH03288569A publication Critical patent/JPH03288569A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2692042B2 publication Critical patent/JP2692042B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、処理装置に関する。
(従来の技術) 例えば、半導体素子製造装置では、そのフォトリソグラ
フィー工程の1つとしてレジスト塗布工程が不可欠であ
る。この塗布装置は、レジスト及びその溶剤からなるレ
ジスト液を半導体ウエノ1上に滴下し、この半導体ウェ
ハを一方向に回転駆動することで、半導体ウェハ上に均
一厚のレジスト膜を形成する、いわゆるスピンコーティ
ング装置と呼ばれているものである。
この際、前記半導体ウェハを包囲するカップ内の雰囲気
ガスを排気すること、及びその排気流量をコントロール
することの重要性か、特開昭57166033、特開昭
58−178522.特開昭60−245225の公報
に開示されている。
すなわち、雰囲気ガスの排気、及びその排気流量のコン
トロールを行わない場合には、レジスト液の塗布むら、
雰囲気ガス中の異物の付着などに起因してレジスト膜が
均一に形成できなくなり、また、その膜厚コントロール
にも支障が生じている。
そこで、カップに排気管を連結し、この排気管を通して
カップ内の雰囲気ガスを排気し、かつ、その配管途中に
設けた流量検出部の出力に基づき、排気流量を制御する
ことが必要である。
(発明が解決しようとする課題) このように、カップ内の雰囲気ガスを排気すること、及
びその排気流量をコントロールすることは、半導体ウェ
ハの処理の歩留まりの向上に大きく関係し、その排気流
量のコントロール精度は流量検出精度に依存することが
判ってきた。
ところで、歩留まり向上策を本発明者らが検討した結果
、排気ガスの特殊性に鑑み検出精度が経時的に低下し、
このため排気流量コントロール精度が極めて低下し、あ
るいは検出不能が生じ、歩留まりが低下することが判明
した。すなわち、この種の排気ガスは気液混合物であり
、この排気ガス中の異物が検出部に付着し、その検出精
度が極めて低下することが明らかになった。
そこで、本発明の目的とするところは、気液混合物の排
気流量を検出する検出部に、異物が付着することを防止
して、精度の高い排気コントロールを実現できる処理装
置を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するため手段) 本発明は、気液混合物を排気し、この排気流路途中に設
けた流量検出部の出力に基づき、排気流量を制御しなが
ら処理する装置において、上記流量検出部の上流側の排
気流路に設けられたミストトラップと、 このミストトラップ、流量検出部間の排気流路に設けら
れ、上記ミストトラップで固化され生じた粉体をトラッ
プするフィルタとを有することを特徴とする。
(作 用) 例えば排気ガスとしての気液混合物中の霧状の溶液(ミ
スト)は、排気流路の上流側に設けられたミストトラッ
プにより捕獲される。しかし、このミストトラップのみ
では、流量検出部での異物の付着を防止できない。ミス
トトラップで捕獲されたミストは経時的に固化され、粉
体となり、排気ガスとともに流量検出部側に排気される
ことになる。そして、このミストトラップより流出した
粉体が流量検出部に付着することにより、排気流量コン
トロールの精度が大幅に低下してしまうことになる。本
発明では、排気ガス流路に設けられるミストトラップ、
流量検出部間の流路途中に、このミストトラップで固化
され生じた粉体をトラップするフィルタを設けることて
、流量検出部への異物の付着を防止し、その流量コント
ロール精度を向上するようにしている。
(実施例) 以下、本発明を半導体ウェハのレジスト塗布装置に適用
した一実施例について、図面を参照して具体的に説明す
る。
第1図において、半導体ウェハ10を載置固定するスピ
ンチャック12が設けられ、このスピンチャック12を
同図の矢印方向に回転駆動可能である。このスピンチャ
ック12に載置される前記半導体ウェハ10のほぼ中心
位置上方にはレジストノズル14が設けられている。こ
のレジストノズル14は、レジスト及びその溶剤からな
るレジスト液を、所定量だけ前記半導体ウェハ1oのほ
ぼ中心位置に滴下可能である。前記半導体ウェハ10及
びスピンチャック12を包囲するようにカップ16か設
けられている。このカップ16は、半導体ウェハ10へ
のレジスト塗布かスピンチャック12を回転して行われ
るため、遠心力によるレジスト液の外部への飛散を防止
するためのものである。このカップ16の底部にはドレ
イン18が接続され、余分なレジスト液の排液か可能で
ある。
さらに、このカップ16の底部には排気管20が接続さ
れ、レジスト塗布時におけるカップ16内の雰囲気ガス
を排気可能である。
次に、排気系について説明する。前記排気管20の上流
側にはミストトラップ22が設けられている。このミス
トトラップ22は、排気流路を蛇行させる複数の仕切壁
22aを有している。この仕切り壁22aに排気ガスが
接触してトラップする構成となっている。このミストト
ラップ22の下流には、バルブ24が設けられ、このバ
ルブ24のオープン、クローズにより、前記排気管20
における排気動作のオン、オフを制御できる。
尚、このバルブ24は、前記排気管間20の任意の位置
に設けることができる。
前記バルブ24の下流側には、上記トラップ22を通過
した異物を捕獲するフィルタを構成する一例である保護
メツシュ26が設けられている。
この保護メツシュ26は、前記ミストトラップ22を通
過した排気ガス中の、所定の大きさ以上の異物をその網
目にてトラップするものである。
このフィルタとしては保護メツシュ26に限らず、多孔
性の材質等粉状体をフィルタする作用を有すれば良い。
この保護メツシュ26の下流側の前記排気管20には、
排気流量を検出するための検出部28と、排気流量を可
変制御する可変ダンパ32とが設けられている。そして
、前記検出部28からの出力を入力し、この検出出力に
基づき前記可変ダンパ32をコントロールするためのマ
スフローコントローラ30が設けられている。本実施例
では、前記検出部28の検出出力に基づき、排気流量を
常時一定にするように可変ダンパ32を駆動制御してい
る。
次に、作用について説明する。
半導体ウェハ10をスピンチャック12に載置固定した
後、レジストノズル14より所定量のレジスト液を滴下
すると共に、前記スピンチャック12を第1図の矢印方
向に一定回転速度にて回転駆動する。この結果、半導体
ウエノ\10のほぼ中心位置に滴下されたレジスト液が
、前記スピンチャック12の回転により半導体ウエノ飄
10上をその周縁方向に向かって拡散し、半導体ウエノ
\10全面に対するレジスト塗布が実施されることにな
る。
このレジスト塗布の際には、半導体ウエノ\10の表面
での塗布むらや、カップ16内に飛散したレジスト粒が
半導体ウニ/1上に付着する照り返し現象などが生じ、
これらはカップ16内部の雰囲気ガスの排気流量の変動
に依存している。本実施例では、排気管20途中の検出
部28ての検出精度を向上させることで、排気流量の変
動を防止し、歩留まりの高いレジスト塗布を行うように
している。
すなわち、排気管20を通って排気される排気ガスは、
まずミストトラップ22内部に導入される。このミスト
トラップ22内部には、排気流量を蛇行するように形成
する複数の仕切壁22aが形成されているので、排気ガ
スがこの仕切壁22aと衝突する際に、霧状の溶液であ
るミストがこの仕切壁22aによって捕獲され、排気ガ
スとしての気液混合物中の溶液を確実にトラップするこ
とが可能となる。
本発明者らの実験によれば、排気管20途中にミストト
ラップ22のみを設けたたけでは、検出部28への異物
の付着を防止できないことが確認できた。即ち、このミ
ストトラップ22に一旦捕獲されたミストは、経時的に
固化して粉体となり、その粉体が仕切壁22aより離れ
て排気ガスと共にミストトラップ22の下流側に流れ込
むことが確認された。そこで、本実施例ではこのミスト
トラップ22と検出部28との間の排気管20途中に、
保護メツシュ26を配設してる。この保護メツシュ26
を設けることにより、前記排気ガス中に当初から存在す
る異物、及び前記ミストトラップ22にて一旦捕獲され
、その後固化して流出する粉体を確実に捕獲することが
できる。従って、この保護メツシュ26の後段に設けら
れている検出部28では、ミスト及び粉体などの異物が
予め除去された排気ガスが通過するので、この検出部2
8への異物の付着を従来よりも大幅に低減することか可
能となる。この結果、検出部28ては常時所定の精度に
て排気流量の検出が可能となり、この情報をマスフロー
コントローラ30に出力し、このマスフローコントロー
ラ30の駆動に基ツキ排気流量を可変制御する可変ダン
パ32を駆動することで、前記カップ16内部での雰囲
気ガスの排気流量の変動を大幅に低減できる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく
、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である
例えばミストトラップ22は、上記実施例の場合仕切壁
22aにより排気流量を蛇行させるよう形成したが、こ
れに限定されるものではない。また、保護メツシュ26
で構成したフィルタとしては、所定粒径以上の大きさの
異物を捕獲できる種々のフィルタ手段を採用できる。ま
た、この配設位置として、前記ミストトラップ22と検
出部28との間の排気管途中20に存在するものであれ
ば良く、例えばミストトラップ22の出口にフィルタを
一体的に取り付けることも可能である。
このように、ミストトラップ22と一体的にフィルタを
取付けることで、そのクリーニングなどのメンテナンス
作業を簡易化することが可能となる。
さらに、本発明は上記実施例のような半導体素子の製造
工程におけるレジスト塗布装置にのみ適用するものに限
らず、少なくとも気液混合物を排気し、その排気流量を
制御しながら処理するであれば、他の処理装置にも同様
に適用できる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば気液混合物の排気
流路の上流側に設けたミストトラップと、その下流側の
流量検出部との間に、ミストトラップで固化され生じた
粉体をトラップするフィルタを設けることて、検出部へ
の異物の付着を従来よりも大幅に低減でき、検出精度を
向上させることで排気流量の変動を防止でき、処理の例
えば歩留まりを大幅に向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明を適用したレジスト塗布装置の概略説
明図である。 10・・・非処理体(半導体ウェハ)、12・・・スピ
ンチャック、 14・・・レジストノズル、 16・・・カップ、20・・・排気管、22・・・ミス
トトラップ、 26・・・フィルタ(保護メツシュ)、28・・・検出
部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)気液混合物を排気し、この排気流路途中に設けた
    流量検出部の出力に基づき、排気流量を制御しながら処
    理する装置において、 上記流量検出部の上流側の排気流路に設けられたミスト
    トラップと、 このミストトラップ、流量検出部間の排気流路に設けら
    れ、上記ミストトラップで固化され生じた粉体をトラッ
    プするフィルタとを有することを特徴とする処理装置。
JP8609190A 1990-03-31 1990-03-31 処理装置 Expired - Fee Related JP2692042B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8609190A JP2692042B2 (ja) 1990-03-31 1990-03-31 処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8609190A JP2692042B2 (ja) 1990-03-31 1990-03-31 処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03288569A true JPH03288569A (ja) 1991-12-18
JP2692042B2 JP2692042B2 (ja) 1997-12-17

Family

ID=13877041

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8609190A Expired - Fee Related JP2692042B2 (ja) 1990-03-31 1990-03-31 処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2692042B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1009281C2 (nl) * 1998-05-29 1999-11-30 Od & Me Bv Inrichting geschikt voor het aanbrengen van een laklaag op een schijfvormige registratiedrager alsmede een dergelijke werkwijze.
KR20030068628A (ko) * 2002-02-15 2003-08-25 주성엔지니어링(주) 반도체 제조용 챔버
JP2011222685A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびこれを備える塗布現像システム
KR20140013971A (ko) * 2012-07-26 2014-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 액처리용 기억 매체

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL1009281C2 (nl) * 1998-05-29 1999-11-30 Od & Me Bv Inrichting geschikt voor het aanbrengen van een laklaag op een schijfvormige registratiedrager alsmede een dergelijke werkwijze.
EP0960657A1 (en) 1998-05-29 1999-12-01 ODME International B.V. A device which is suitable for applying a lacquer film to a disc-shaped registration carrier, as well as a method to be used therewith
KR20030068628A (ko) * 2002-02-15 2003-08-25 주성엔지니어링(주) 반도체 제조용 챔버
JP2011222685A (ja) * 2010-04-08 2011-11-04 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置およびこれを備える塗布現像システム
KR20140013971A (ko) * 2012-07-26 2014-02-05 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법 및 액처리용 기억 매체
JP2014027068A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法並びに液処理用記憶媒体
US9217922B2 (en) 2012-07-26 2015-12-22 Tokyo Electron Limited Liquid processing apparatus, liquid processing method and storage medium for liquid processing

Also Published As

Publication number Publication date
JP2692042B2 (ja) 1997-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3947217B2 (ja) ウエハー上に制御された粒子付着を施すための方法と装置
TW201816840A (zh) 液體處理裝置及液體處理方法
JPH03288569A (ja) 処理装置
JP2003053101A5 (ja)
JP2010239013A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JPH0910544A (ja) 除害装置及び成膜装置及びエッチング装置
JP3611710B2 (ja) 基板処理システム
JP2005327906A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2909306B2 (ja) 回転処理装置
JP3258725B2 (ja) 回転処理装置
JPH0361510B2 (ja)
JPH07308625A (ja) 基板の回転塗布装置
JP3451163B2 (ja) 基板処理装置
JP2909304B2 (ja) 回転処理装置
JP4447673B2 (ja) スピン処理装置
KR20040017162A (ko) 스핀 코터 배기 시스템
JP2629447B2 (ja) 薬液塗布装置
JP2982290B2 (ja) 排気装置
JP2004071964A (ja) 基板処理装置
KR19990032647U (ko) 반도체 웨이퍼용 웨트 스테이션의 자동배기조절장치
JP2953479B2 (ja) レジスト塗布装置および方法
JP3360052B2 (ja) 現像装置
JP2003236445A (ja) レジスト塗布装置
JP3310899B2 (ja) ボール回収装置
JPH0137729Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees