JPH03285068A - スパッタリング装置 - Google Patents

スパッタリング装置

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JPH03285068A
JPH03285068A JP8379590A JP8379590A JPH03285068A JP H03285068 A JPH03285068 A JP H03285068A JP 8379590 A JP8379590 A JP 8379590A JP 8379590 A JP8379590 A JP 8379590A JP H03285068 A JPH03285068 A JP H03285068A
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disk
sputtering
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lid
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 Δ、産業上の利用分野 本発明は、例えば光ディスク等を製造するにあたって、
光デイスク基板へのスパッタリング処理を連続的に行う
スパッタリング装置に関するものである。
B1発明の概要 本発明は、例えば光ディスク等を製造する際に用いられ
るスパッタリング装置において、被スパッタリング処理
部材を保持する保持手段が設けられた複数の閉塞面を有
してなる蓋体を用い、これを回動操作して被スパッタリ
ング処理部材を出し入れする供給口に対対する閉塞面を
順次切り換えることにより、被スパッタリング処理部材
の真空槽内への出し入れを瞬時に行おうとするものであ
る。
C1従来の技術 従来より、音響信号や画像信号等の所定の情報信号が記
録再生できるように構成された光ディスクが提案されて
いる。光ディスクは、例えばポリカーボネートやアクリ
ル等の材料からなりピットやグループ等が形成されたデ
ィスク基板上にアルミニウム等の金属材料が反射膜とし
て被着されることにより構成されている。
ところで、金属材料をディスク基板上に被着させる手法
としては、蒸着法やイオンブレーティング法、あるいは
スパッタリング法等が挙げられる。
蒸着法とイオンブレーティング法は、真空槽中で金属材
料(y発源)を加熱して該金属を蒸発せしめ、金属蒸気
中にディスク基板を配置することにより、該金属材料を
基板上に被着させるものである。これらの手法で光ディ
スクを大量に生産しようとすると、複数枚のディスク基
板を一括して収容できる大きな真空槽を用いて上記金属
材料の一度の蒸発によって複数枚の光ディスクを製造す
る。いわゆるバッチ方式に転らざるを得ない。このため
、装置構成が複雑化し大型になるばかりか、真空槽内の
場所によってはムラが発生する。
これに対してスパッタリング法は、短時間で処理が完了
し連続処理が可能でしかも個々のディスク基板に対して
同一条件で成膜することができるという利点を有してい
る。したがって、この手法を採用すれば、ムラのない均
一な膜とすることができるとともに、大量生産や多品種
生産等にも十分対応できる。
上記スパッタリング処理は、ディスク基板と例えばアル
ミニウム等の金属材料(ターゲット)が収納された真空
槽中に、例えばアルゴン等の放電用ガスを低圧状態に封
入し、当該真空槽中に電界を印加することにより放電用
ガスをイオン化し、イオン化された上記放電用ガスで金
属材料の原子・分子を叩き出すというものである。すな
わち、真空槽中においては、上記放電用ガスがイオン化
されて上記金属材料に衝突し該金属材料が飛散され、こ
の金属材料が上記ディスク基板に被着されて薄膜を形成
する。
このスパッタリング処理を行うスパッタリング装置とし
ては、例えば第12図に示すように、複数枚のディスク
基板を円周方向に配列させた円盤状の搬送テーブルを回
転操作させることにより、これらディスク基板に対して
連続的にスパッタリング処理を行うように構成されたも
のが擢案されている。
このスパッタリング装置は、内部が所定の真空度に保持
されるように構成されるとともに、ディスク基板Daの
出し入れを行うディスク人出口101とスパッタリング
処理を行うスパッタリング処理部102が形成された真
空槽103を有している。上記ディスク人出口101に
は、上記真空槽103内の真空度を保持するための蓋体
104が当該真空槽103に対して接#操作されるよう
に支持されて設けられている。
一方、スパッタリング処理部102は、上記ディスク人
出口101と同様に形成されたディスク処理口105を
有するとともに、このディスク処理口105の上方を覆
うように前記真空槽103に取付けられる円筒状の処理
部106を有してなっている。この処理部106には、
上記ディスク基板Daに対してスパックリングを行う金
属材料(ターゲット)+07が収容されるとともに、ア
ルゴンガス等が低圧状態で封入されている。
そして、上記真空槽103内には、複数枚のディスク基
板Daを順次前記ディスク人出口101よりスパッタリ
ング処理部102に亘り搬送させる円盤状の搬送テーブ
ル10Bが配設されている。
この搬送テーブル108は、真空槽103内に突出して
設けられる回動軸108aに支持され、図示しない駆動
手段により軸回り方向に回動操作されるようになされて
いる。また、この搬送チーフル108には、ディスク基
板Daを載置させるための円形状の位置決め凹部108
bが形成され、該凹部108bにディスク基板DaOセ
ンター孔を固定することで当該ディスク基板Daを位置
決めする受皿109が嵌合R置されている。この受皿+
09は、ディスク基板Daの外形寸法より若干大径の円
盤状として形成され、その略中央部に上記ディスク基板
Daのチャフキング用のセンター孔を挿通させる突起1
09aを突設してなっている、また、上記搬送テーブル
10Bの位置決め凹部108bの略中央部には、上記受
皿109を突き上げるための突き上げ軸110.111
が挿通する挿通孔108cが穿設されている。
上記突き上げ軸110.111は、前記ディスク人出口
101とスパッタリング処理部102にそれぞれ対向す
る真空槽103の底面部に穿設される透口を介して該真
空槽103内に臨まされ、図示しない駆動装置により上
下方向に進退操作されるように構成されている。すなわ
ち、搬送テーブル108により搬送されてきたディスク
基板Daが、それぞれディスク人出口101及びスパッ
タリング処理部102に対向した位置にきたときに、そ
れぞれの突き上げ軸110,111が突出し、前記受皿
109,109をディスク人出口101及びディスク処
理口105の開口周縁部に圧接支持させて真空槽103
と外部(大気)とをシールする。そして、ディスク人出
口101側でディスク基板Daの取り出し及びスパッタ
リング処理部102でスパッタリング処理が終了したと
きに、それぞれの突き上げ軸110.illが真空槽1
03の底部へ没入するようになっている。
このように構成されたスパッタリング装置においては、
前記ディスク人出口lotより供給された複数枚のディ
スク基板Daが搬送テーブル108の回動操作により順
次スパッタリング処理部102に搬送され、ここで連続
的にスパッタリング処理が行われると同時に、ディスク
人出口101ではスパッタリング処理されたディスク基
板Daの取り出しと新たなディスク基板Dbの搬送テー
ブル10Bへの供給が行われる。
D、発明が解決しようとする課題 ところで、スパッタリング処理されたディスク基板Da
の取り出しと新たなディスク基板Dbの搬送テーブル1
0Bへの供給は、蓋体104を真空槽103に対して接
離操作する被スパッタリング処理部材数り出し機構によ
って行われている。
この取り出し機構は、第12図に示すように、両端が垂
下する如く略直角に折り曲げ形成された回転アーム11
2と、この回動アーム112の略中央部を支持し、該回
転アーム112を水平方向に回転させるとともに、該蓋
体104をディスク人出口101に対して上下動させる
回転軸113を有した駆動装置114とからなり、上記
回動アーム112の両端に取付けられた一対の蓋体10
4.104をディスク人出口101に対して接離操作す
るとともに、回転軸113を中心として水平方向に回転
操作するようになっている。
この取り出し機構によるスパッタリング処理されたディ
スク基板Daの取り出しと新たなディスク基板Dbの搬
送テーブル10Bへの供給は、次のようにして行われる
。先ず、ディスク人出口101を閉塞している受皿10
9上に載置されているスパッタリングされたディスク基
板Daを一方の蓋体104に設けられた吸着パッド10
4aにて吸着し、前記回転軸113を上昇させてディス
ク基板り、を真空槽103より取り出す0次いで、前記
回転軸113を軸回り方向に回転させて回転アーム11
2を180度回転させ、他方の蓋体1O4の吸着パッド
104aに吸着されている新たなディスク基板Dbをデ
ィスク人出口101上に位置させる。そして、上記回転
軸113を下降さセで当該ディスク基板Dbを受皿10
9の上に載置する。
とごろが上述の機構では、処理後のディスク基板Daと
処理前のディスク基板Dbの入れ換えを行うのに、回転
アーム112を水平方向に180度回転させる必要があ
るため、この回転操作にかなりの時間を要する。例えば
、この機構でスパッタリング処理後のディスク基板Da
の取り出しから新たなディスク基板Dbの受皿109へ
のセットまでに要する時間は約1.5秒程度である。ま
た、蓋体104を回転させるのには、大きな回転トルク
が必要とされるため、どうしても駆動装Wl14を大き
くせざを得ない、したがって、装置が高価なものとなる
他、設置スペースに問題が生ずる。
そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて従業された
ものであり、被スパッタリング処理部材の真空槽内への
出し入れを瞬時に行うことが可能なスパッタリング装置
を提供することを目的とし、さらには小型で安価なスパ
ッタリング装置を提供することを目的とするものである
E9課題を解決するための手段 上述の目的を達成するために、本発明に係るスパッタリ
ング装置は、被スパッタリング処理部材が出し入れされ
る供給口と前記被スパッタリング処理部材に対してスパ
ッタリングを行うスパッタリング処理部とを有してなる
真空槽と、上記被スパッタリング処理部材を保持する保
持手段が設けられた複数の閉塞面を有し、これら閉塞面
のうちの何れかの面で前記供給口を閉塞する蓋体と、前
記被スパッタリング処理部材を上記供給口と上記スパッ
タリング処理部との間で移送する移送手段とを備えてな
り、上記蓋体は上記供給口に対して上下動自在とされる
とともに、該蓋体の回動操作により上記供給口と対向す
る閉塞面が切り換え自在とされてなることを特徴とする
ものである。
F1作用 本発明のスパッタリング装置において、スパッタリング
が終了すると、スパッタリング処理された被スパッタリ
ング処理部材は、供給口を閉塞する蓋体の閉塞面に設け
られた保持手段によって保持される。一方、前記蓋体の
他の閉塞面(真空槽の外方に露呈している閉塞面)には
、前記被スパッタリング処理部材をスパッタリング処理
している間に新たな被スパッタリング処理部材が供給さ
れ、該閉塞面に設けられた保持手段によって保持される
この状態で上記蓋体を供給口より上昇させるとともに該
蓋体を回動操作して前記閉塞面を反転すると、これまで
真空槽の供給口を閉塞し、該供給口において真空槽の内
部に向かっていた閉塞面が外方に露呈され、該閉塞面に
保持されるスパッタリング処理後の被スパッタリング処
理部材が真空槽から取り出される。そして、上記蓋体を
供給口に下降させると、新たな被スパッタリング処理部
材が保持された閉塞面が前記供給口を閉塞するかたちと
なり、前記新たな被スパッタリング処理部材は真空槽内
へと供給される。
G、実施例 以下、本発明を適用した具体的な実施例について図面を
参照しながら説明する。なお本実施例は、本発明に係る
スパッタリング装置を、ポリカーボネートやアクリルの
如き合成樹脂により形成されたディスク基板にアルミニ
ウムの如き金属材Elからなる薄膜をスパッタリングに
より形成して光ディスクを製造する光デイスク製造装置
に適用した例である。
本実施例の光ディスク製造装胃は、方形状の筒体(図示
は省略する。)内に真空槽と、該真空槽の下に設けられ
る真空ポンプ等を備えてなる排気系とを収容してなって
いる。
上記真空槽lは、第1図及び第2図に示すように、真空
ポンプにより内部が所定の真空度に維持されるように構
成されてなり、その略中央部に該真空ポンプに接続され
るダクトlaを有している。
この真空槽1には、上面部に被スパッタリング処理部材
となるディスク基板が出し入れされるディスク人出口2
と、上記ディスク基板に対してスパッタリング処理を行
うスパッタリング処理部3とが並列配置されている。
−に記ディスク人出口2は、スパッタリング処理後のデ
ィスク基板とスパッタリング処理前のディスク基板を前
記真空槽】内へ出し入れするための供給]]として形成
されるものであり、」1記ディスク基板の形状に対応し
て該ディスク基板の外形寸法よりやや大径の略円形状に
形成されている。このディスク人出口2の1−刃側には
、該ディスク人出口2を開閉自在となす蓋体4が設けら
れている。
」1記蓋体4は、上記ディスク人出口2を閉塞すること
のできる大きさに形成され、その両面に当該ディスク人
出口2を閉塞する閉塞面4a、4bを有している。これ
ら閉塞面4a、4bは、上記ディスク人出口2を閉塞し
得るに足る円形の面であって、当該閉塞面4aあるいは
閉塞面4bの外周縁部がディスク人出口2の開口周縁部
に当接することによって、前記ディスク人出口2を閉塞
する。なお、上記蓋体4の各閉塞面4a、4bの外周縁
寄りには、上記ディスク人出口2の開口周縁部と当接し
て前記真空Nl内の気密状態を保持するための0−リン
グ等の密閉部材5.6が設けられている。
また、上記蓋体4の閉塞面4a、4bの略中央部には、
上記ディスク人出口2内に臨むことのできる大きさの円
形の段差面7,8が形成され、その上にディスク基板を
真空吸着する吸着パッド7a、8a等からなる保持手段
が設けられている。
なお、これら段差面7.8は、前記吸着パッド7a、8
aと後述の受皿18との距離を小さなものとし、この受
皿18上のディスク基板を吸着パッド7a、8aで確実
に真空吸着するために設けられるものである。
このように構成された蓋体4は、モータ等からなる駆動
部9の回転軸10に取付けられ、第2図中矢印Aで示す
方向に表裏反転されるようになっている。すなわち、上
記蓋体4は、当該蓋体4の板厚の略中央部に直径方向に
亘り貫通して設けられる挿通孔(図示は省略する。)に
上記回転軸lOが挿通され、その先端側でボルトにて固
定されることにより、当該回転軸lOと共に回転するよ
うになっている。したがって、上記蓋体4は、上記駆動
部9の操作によりその両面に設けられる各閉塞面4a、
4bが180度毎回転させられて表裏反転する。
また、上記蓋体4は、上記ディスク人出口2に対して上
下動自在となるように支持されている。
すなわち、上記蓋体4は、真空槽lの下部より上方に向
かって突出するエアシリンダ等の駆動部(図示は省略す
る。)の支軸11の先端に上記回転軸10の駆動部9近
傍を覆って取付けられる連結部材12を介して取付けら
れることにより、図中矢印B方向に上下動自在とされて
いる。上記駆動部は、上記真空槽1の:下に設けられる
とともに、その支軸11がディスク人出口2近傍に設け
られる該真空槽1を厚み方向に貫通する貫通孔に臨むよ
うになっている。したがって、装置の小型化が望める。
なお、上記支軸11を挿通させる貫通孔には、当該支軸
11の摺動を容易なものとするため、例えばヘアリング
13等が圧入されている。
上記のように支持された蓋体4は、上記真空槽l側に移
動されて上記ディスク人出口2の開口周縁部を圧接支持
することにより、一方の閉塞面4aで該ディスク人出口
2を閉塞するとともに、吸着パッド7aで受皿18に載
置されているスパッタリング処理後のディスク基板を吸
着する。そして、上記真空槽1より離間されて処理後の
ディスク基板を真空槽l外へ取り出すとともに、該ディ
スク人出口2を開放する。このとき、蓋体4が上昇する
間に当該蓋体4が反転され、他方の閉塞面4b側に吸着
されるスパッタリング処理前のディスク基板がディスク
人出口2に対向して設けられる。
一方、スパッタリング処理部3は、上記ディスク人出口
2と同様に形成されたディスク処理口14と、このディ
スク処理口14の上方側を覆うように上記真空槽lに取
付けられて当該真空槽l内を気密状態に保つ処理部15
を有してなっている。
この処理部15は、上端が閉塞された円筒状として形成
され、内部にはスパッタリング処理に用いられる金属材
料(ターゲット)16とスパッタリング処理に必要なア
ルゴン等の放電用のガスが低圧状態で封入されるととも
に、所定の電界が印加されるようになされている。
上記真空槽1内には、ディスク基板をディスク人出口2
よりスパッタリング処理部3とに亘り移送操作させる移
送手段を構成する回動アーム17が設けられている。ご
の回動アーム17は、ディスク基板を載置する自由端側
の先端部分のみが円盤状とされ、基端側か先細り形状と
されている。
そして、この回動アーム17は、基端部が真空槽1内に
突出して設けられる回動輪18の先端部にボルト止めさ
れ、図示しない駆動装置により第2図中矢印り、及び矢
印り、で示す軸回り方向に回動自在となされている0例
えば、この回動アーム17は、第2図中矢印θで示す9
0°程度の角度で回動操作され、上記ディスク人出口2
の下方の位置と上記スパッタリング処理部3の下方の位
置とに亘り移送操作されるようになっている。なお、上
記回動軸18を真空槽1内に臨ませる該真空槽1の底6
面部に穿設される透口(図示は省略する。)には、当該
真空槽l内の気密状態を維持するための0−リングが設
けられている。
また、上記回動アーム17の自由端側となる先端側の上
面部には、ディスク基板を載置させるための円形状の位
置決め凹部17aが形成されるとともに、該凹部17a
の中央部には後述の突き上げ軸19.20が挿通される
突き上げ軸挿通孔17bが穿設されている。この凹部1
7aには、ディスク基板を載せる受皿18が嵌合して載
置されるようになされている。上記受皿18は、ディス
ク基板の外形寸法よりやや大径の円盤として形成され、
その中央部に上記ディスク基板のチッキング用のセンタ
ー孔を挿通させることで該ディスク基板を位置決めする
突起18aが突設されている。
したがって、上記ディスク基板は、上記受皿18に固定
された状態で上記位置決め凹部17aに嵌合し、上記回
動アーム17に対して位置決めされて載置される。なお
、上記受皿18の周縁部には、該受皿18の周縁部が上
記ディスク人出口2の開口周縁部に下方から圧接支持さ
れたときに前記真空槽1内が気密状態に保たれるように
、0−リング等の密閉部材18bが取付けられている。
上記真空槽Iの底面部には、図示しない制御手段を備え
た駆動装置により、1記ディスク人出口2と上記ディス
ク処理口14とにそれぞれ向かって第1図中矢印Cで示
す方向に上下動自在とされる突き上げ軸19.20が設
けられている。これら突き上げ軸12.13は、上記デ
ィスク人出口2と上記ディスク処理口14にそれぞれ対
向する真空槽lの底面部に穿設される透口(図示は省略
する。)を介して該真空槽l内に臨まされている。
なお、これら透口には、該真空槽l内の気密状態を保持
するための0−リング等の密閉部材(図示は省略する。
)が設けられている。また、これら突き上げ軸19.2
0の先端部分には、前記回動アーム17に穿設された突
き上げ軸挿通孔17bを介して前記受皿18を安定な状
態で押し上げるための円盤状の押上部材19a、20a
が取付けられている。
これら突き上げ軸19.20は、前記回動アーム17の
先端側がそれぞれディスク人出口2とディスク処理口1
4に対向づる位置となされているときに突出操作される
ようになっている。すなわち、ディスク人出口2及びデ
ィスク処理口14では、回動アーム17に設けられた突
き上げ軸挿通孔17bを介して該回動アーム17に載置
されている受皿18が各突き上げ軸19.20によって
持ち上げられ、上記ディスク人出口2及びディスク処理
口14の開口周縁部に圧接支持される。このとき、上記
受皿18の周縁部には0−リング等の密閉部材18bが
設けられているので、当該真空槽1と外部とのシールが
確実なものとされる。
このように構成された光デイスク製造装置においては、
ディスク基板の真空槽1内への出し入れを、該ディスク
基板を保持する吸着パッド7a8aが設けられた蓋体4
と、この蓋体4をディスク人出口2に対して上下動自在
とし且つ該蓋体4の両面に設けられる各閉塞面4a、4
bを表裏反転する機構により行うようにしているので、
スパッタリング処理後のディスク基板とスパッタリング
処理前のディスク基板の入れ換えが瞬時に行える。また
、特に本実施例の装置では、ディスク基板の前記ディス
ク人出口2とスパッタリング処理部3とに亘る移送操作
を1本の回動アーム17によりその振り角を小さなもの
として行うように構成されているため、真空槽1の小型
化が図れるとともに、該真空槽l内の容積を極めて小さ
なものとすることができる。したがって、排気を行う真
空ポンプを小型化することができるとともに、その排気
時間も短縮することができる。
上記光デイスク製造装置により、光ディスクを製造する
には、次のようにして行う。
先ず、第3図に示すように、ディスク人出口2に対応し
て設けられる突き上げ軸2oを、同図中矢印りで示すデ
ィスク人出口2に向かう方向に突出させ、前記回動アー
ム17上にu、置される受皿18を上方に移動させて当
該受皿18の周縁部を上記ディスク人出口2の開口周縁
部に圧接支持させる。
すると、上記ディスク人出口2は、上記受皿18によっ
て閉塞される。またこのとき、上記受皿18の周縁部に
は密閉部材18bが設けられているので、前記真空槽1
内部と外部がシールされ、当該真空槽1内への大気の侵
入が防止される。
そして、上記蓋体4を上下動させる支軸11を同図中矢
印Eで示す方向に突出させて上記蓋体4を真空槽lより
離間させ、前記受皿18の上面を上記ディスク人出口2
を通して上方に臨ませる。
次いで、上記蓋体4の両面に設けられた各吸着パッド?
a、8aにスパッタリング処理前のディスク基板り、、
D、をそれぞれ吸着させる。
そして、前記支軸11を第2図中矢印Fで示す真空槽1
の底部へ没入させて上記蓋体4をディスク人出口2側に
下降させ、当該蓋体4に設けられる一方の閉塞面4aで
ディスク人出口2を閉塞する。
この結果、上記真空槽l内部と外部とがシールされる。
なお、図面上は蓋体4に設けられる密閉部材5のみによ
りシールがされているように誇張して描かれてし−るが
、実際には上記閉塞面4aとディスク人出口2の開口周
縁部とが密着する。
そしてこの状態のときに、上記蓋体4の一方の閉塞面4
a側に吸着されているディスク基板り。
を上記受皿18上に載置させる。
なおこのとき、上記ディスク基板り、は、受皿18の略
中央部に設けられる突起18aにより位置決めされる。
次に、第5図に示すように、上記蓋体4でディスク人出
口2を閉蓋した状態で真空ポンプを作動させ、前記ディ
スク人出口2の開閉操作で損なわれた真空度を回復させ
る。同時に、前記突き上げ軸20を、同図中矢印Gで示
すように、真空ポンプ等が設けられる側に没入させて前
記受皿18を下方に移動せしめ、当該受皿18を上記回
動アーム17の凹部17aに載置させる。
このとき、本例の真空槽1においては、回動アーム17
が1本であることから、排気に際し邪魔になるものがな
く瞬時に所定の真空度とすることができる0例えば、そ
の時間は僅か1秒足らずである。
上記受皿18が上記回動アーム17の先端側に載置され
たならば、回動アーム17を、第2図中矢印し!で示す
スパッタリング処理部3へ回動させ、第6図に示すよう
に、上記受皿18に載置されたディスク基板D1を上記
ディスク処理口14の下方に位置させる。
上記受皿18が位置決めされたならば、第7図に示すよ
うに、この受皿18の下方に設けられる突き上げ軸19
を、同図中矢印Hで示すディスク処理口14側へ突出さ
せ、該受皿18の周縁部を上記ディスク処理口14の開
口周縁部に圧接支持させる。
この結果、上記ディスク処理口14が上記受皿18によ
って閉塞される。そしてこの状態でディスク基板り、に
対するスパッタリング処理を開始する。
スパッタリング処理が終了したならば、第8図に示すよ
うに、上記突き上げ軸19を、同図中矢印1で示すよう
に、真空ポンプ等が設けられる側に没入させ、前記ディ
スク基板D1が載置された受皿18を回動アーム17上
に載置させる。
上記ディスク基板D1が回動アーム17上に載置された
ならば、該回動アーム17を第2図中矢印L1で示すデ
ィスク人出口2方向へ回動させ、第9図に示すように、
アルミニウムよりなる薄膜が形成されたディスク基板り
、−t−載置した受皿18を上記ディスク人出口2の下
方に位置させる。
上記受皿18が所定の位置に位置決めされたならば、第
10図に示すように、上記突き上げ軸20を同図中矢印
jで示すように、ディスク人出口2側に突出させて上記
受皿18を上方に移動せしめ、当該受皿18によって上
記ディスク人出口2を閉塞する。
そして、上記ディスク人出口2を閉塞していた蓋体4に
設けられる吸着パッド7aで上記スパッタリング処理さ
れたディスク基板り、を吸着する。
次いで、上記蓋体4を上下動自在に支持する支軸11を
第11図中矢印にで示すように突出させて該蓋体4を上
記真空槽!より離間させるとともに、この支軸11を上
昇させる間に、上記蓋体4を同図中矢印して示すように
表裏反転し、前記ディスク人出口2に対向する閉塞面4
bを切り換える。すなわち、スパッタリング処理前のデ
ィスク基板り、をディスク人出口2と対向させ、スパッ
タリング処理後のディスク基板D1をこれと反対側に反
転させる。
次に、前述したように前記支軸11を第4図に示すよう
に真空槽l側に没入させ、前記蓋体4にてディスク人出
口2を閉塞する。そして、上記新たなディスク基板D2
に対して前述した工程を順次軽てスパッタリングを行う
このとき、新たなディスク基Fi o tがスパッタリ
ングされている間に、ディスク人出口2と反対側の閉塞
面4aに吸着されているスパッタリング処理後のディス
ク基板D1を取り出すとともに、次なる新たなディスク
基板を上記閉塞面4aに設けられる吸着パッド7aに吸
着させる。この操作は、スパッタリング処理の間に行う
ことができるため、時間的に余裕がある。したがって、
スパッタリング処理を自動化する上で非常に有利である
このように、本実施例の光デイスク製造装置を用いて光
ディスクを製造すれば、スパッタリング処理後のディス
ク基板とスパッタリング処理前のディスク基板の真空槽
1内への出し入れが瞬時に行われ、大幅な生産性の向上
が期待できる。例えば、本装置で光ディスクを製造する
に要する時間は6秒程度であるが、このうちディスク基
板の真空槽l内への出し入れは、わずか0.5秒で完了
する。したがって、大幅な時間の短縮が望めるとととも
に、残りの5.5秒で別の処理を十分余裕を持って行う
ことができる。
以上、本発明を適用した光デイスク製造装置においては
、被スパッタリング処理部材を保持する蓋体4を閉塞面
4a、4bが2つ備わる二面体としているが、例えばこ
れは二面体に限らず、三面体、四面体、五面体あるいは
それ以上の多面体とすることも可能である。
H1発明の効果 以上の説明からも明らかなように、本発明に係るスパッ
タリング装置においては、被スパッタリング処理部材が
出し入れされる供給口を閉蓋する蓋体に当該被スパッタ
リング処理部材を保持する保持手段が設けられた複数の
閉塞面が設けられているので、各閉塞面の保持手段には
被スパッタリング処理部材をそれぞれ保持させることが
できる。
また、本発明に係るスパッタリング装置においては、上
記蓋体が上記供給口に対して上下動自在とされるととも
に、該蓋体の回動操作により上記供給口と対向する閉塞
面が切り換えられるようになされているので、該蓋体の
一方の閉塞面側に設けられる保持手段でスパッタリング
処理後の被スパッタリング処理部材を真空槽より取り出
すと同時に、他方の閉塞面側に保持されるスパッタリン
グ処理前の被スパッタリング処理部材を上記供給口に対
向して設けることができる。
したがって、本発明の装置によれば、スパッタリング処
理後の被スパッタリング処理部材とスパッタリング処理
前の被スパンクリング処理部材の真空槽内への出し入れ
を瞬時にして行うことができ、大幅な生産性の向上が図
れる。
また、上記蓋体を供給口に対して上下動自在とし、且つ
蓋体に設けられる閉塞面を切り換える機構が真空槽の下
方に設けられるので、装置の小型化が図れるとともに、
安価な装置の擢供ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本実施例の光デイスク製造装置の真空槽を示ず
継断面図であり、第2図はその真空槽の横断面図である
。 第3図ないし第11図は本実施例の光デイスク製造装置
によりスパッタリング処理を行う手順を順次示す真空槽
の縦断面図であり、第3図は受皿でディスク人出口を閉
塞した状態を示し、第4図はディスク基板を投入する状
態を示し、第5図はディスク基板の投入の完了状態を示
し、第6図はディスク基板のスパッタリング処理部への
搬送が完了した状態を示し、第7図はディスク基板のス
パッタリング処理中の状態を示し、第8図はスパッタリ
ング処理の完了時の状態を示し、第9図はディスク基板
のディスク人出口への搬送が完了した状態を示し、第1
O図はディスク基板を取出す状態を示し、第11図は蓋
体の閉塞面を切り換える状態を示す。 第12図は従来のスパッタリング装置の一例を示す縦断
面図である。 19゜ 20・・・突き上げ軸

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  被スパッタリング処理部材が出し入れされる供給口と
    前記被スパッタリング処理部材に対してスパッタリング
    を行うスパッタリング処理部とを有してなる真空槽と、
    上記被スパッタリング処理部材を保持する保持手段が設
    けられた複数の閉塞面を有し、これら閉塞面のうちの何
    れかの面で前記供給口を閉塞する蓋体と、前記被スパッ
    タリング処理部材を上記供給口と上記スパッタリング処
    理部との間で移送する移送手段とを備えてなり、上記蓋
    体は上記供給口に対して上下動自在とされるとともに、
    該蓋体の回動操作により上記供給口と対向する閉塞面が
    切り換え自在とされてなるスパッタリング装置。
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