JPH03280455A - 半導体装置のアウタリード整形装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、半導体装置のアウタリードの整形装置に関す
るものである。

〔従来の技術］ 半導体装置は、一般にリードフレームの中心部に半導体
素子を配置し、その電極とリードフレームのインナリー
ドとをそれぞれワイヤで接続したのち、半導体素子、ワ
イヤ及びインナリードをエポキシ樹脂等により封止して
パッケージし、ついでアウタリードを所望の長さに切断
したのち、整形装置により所定の形状に整形し、あるい
は整形装置により所定の形状に整形したのち、アウタリ
ードを所望の長さに切断する。

第６図は上記のようなアウタリードの整形装置の一例を
示す模式図である。図において、（１）は半導体装置、
（２）は半導体素子、ワイヤ及びインナリードを樹脂等
で封止したパッケージ、（３）はパッケージ（２）の側
壁から四方（又は対向する三方）に突出したアウタリー
ドである。（ｌＯ）はアウタリード（３）を整形するダ
イで、型面（１１）は整形するアウタリード（３）の形
状に形成されている。

（１２）は同じくパンチで、下部の型面（１３）はダイ
（１０）の型面（１１）と整合する形状に形成されてい
る。

上記のようなダイ（ｌＯ）とパンチ（１１）を有する整
形装置により半導体装置（１）のアウタリード（３）を
整形するには、半導体装置（１）のアウタリード（３）
をダイ（ｌＯ）上に載せ、パンチ（１２）を下降させて
アウタリード（３）を挾み、ノ４ンｆ；　（１２）を加
圧してアウタリード（３）をダイ（１０）とパンチ（１
１）の型面（１１）、（１１）に沿って折曲げる。これ
により、半導体装置（１）のアウタリード（３）は、例
えば第７図に示すような形成に整形される。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のような装置によってアウタリードを整形すると、
例えば第８図に（３ａ）で示すように一部のアウタリー
ドが平面からみて左右方向に曲って整形されることがあ
り、このためアウタリード（３）の先端部下面が同一平
面上に揃わず、いわゆる足浮き現象が発生し、修正に多
くの時間を要する。

また左右方向の曲りが著しい場合は、隣接するアウタリ
ードと接触し、短絡をおこすこともある。

本発明は、上記の課題を解決すべくなされたもので、左
右方向への曲りを生ずることのないアウタリードの整形
装置を得ることを目的としたものである。

［課題を解決するための手段］ 本発明に係る半導体装置のアウタリード整形装置は、ア
ウタリードを整形するダイとパンチの両者又は何れか一
方に各アウタリードをガイドする溝を設けたものである
。

Ｃ作用］ ダイの上にアウタリードを載せてパンチを下降させ加圧
すると、アウタリードは溝にガイドされて整形され、横
方向に曲ることはない。

［実施例］ 本発明の発明者は、前述の課題を解決すべく種々検討し
た。周知のように、半導体装置のアウタリードは、樹脂
等で封止するまでの間合アウタリードの強度を保持する
ため、第４図（ａ）に示すように各リード（３）間を、
一般にタイバー（４）と呼ばれるアウタリード（３）と
同一材料からなる部材で連結されており、封止が終ると
第４図（ｂ）に示すように各アウタリード（３）の間（
５）においてタイバー（４）をタイバーカッタあるいは
パンチとダイで切除している。例えば厚さｔが０．１５
■璽でアウタリード（３）のピッチ（Ｐ）が０．３　ｙ
ｌ■のリードフレームの場合、アウタリード（３）の幅
（Ｗ）は０．１ｍｍ、アウタリード（３）の間隔（ｇ）
は０．２ｍｍ。

タイバー（４）の切除部（５）の幅（ｃ）は０．１３龍
程度である。

ところが、タイバーカッタあるいはパンチとダイのずれ
やエツチング不良等によるリードフレーム（３）のピッ
チ（Ｐ）の不揃等に起因して、第５図（ａ）に示すよう
に、タイバー（４）の切除部（５）が必ずしもアウタリ
ードの中間部になるとは限らず、一方の側に偏移するこ
とかある。その結果、個々のアウタリード（３）につい
てみると、タイバー（４）の残部（４ａ）が、一方の側
は大きく、他の側は小さく　（あるいは全く無くなる）
残ることがある。

このような状態で整形装置によってアウタリードを整形
すると、アウタリード（３）は幅方向においてタイバー
（４）の残部（４ａ）の大きい側と小さい側とでは曲げ
応力が異なるため、第５図（ｂ）に示すように曲げ応力
の大きい側、したがってタイバー（４）の残部（４ａ）
の大きい側に曲ることがわかった。

このような問題を解決するためには、タイバー（４）の
切除部（５）が常にアウタリード（３）の中間位置にあ
り、アウタリード（３）の幅方向の両側に残るタイバー
（４）の残部（４ａ）の大きさが等しくなるようにすれ
ばよい、しかしながら、前述のようにアウタリード（３
）の間隔（ｇ）はきわめて狭く、またタイバーカッタあ
るいはパンチ、ダイのずれやアウタリード（３）の不揃
等、多くの要因があり、その上多量生産の要請にも応え
なければならないので、タイバー（４）の、残部（４ａ
）をアウタリード（３）の両側にすべて等しい大きさで
残置させることは困難である。

そこで、本発明は、前述のような各種の要因により、タ
イバー（４）の残部（４ａ）に不揃が発生することを是
認した上で、アウタリード（３）に曲りが発生しない整
形装置を実現したものである。

第１図は本発明実施例の要部を斜視的に示した模式図、
第２図はその型面の正面図で、（ｌＯ）はダイ、（１１
）はその型面、（１２）はパンチ、（１３）はその型面
である。（１４）はダイ（１０）及びパンチ（１２）の
型面（１１）、（１３）に、リードフレームの各アウタ
リード（３）に対応して７形成した溝、（１５）は？＊
　（１４）と直交して設けたタイバー（４）の残部（４
ａ）の逃し溝である。

上記のように構成したダイ（ｌＯ）及びパンチ（１２）
を有する整形装置においては、ダイ（ｌＯ）の型面（１
１）上に半導体装置（１）のアウタリード（３）を載置
してパンチ（１２）を下降させると、第３図に示すよう
に、アウタリード（３）はダイ（ｌＯ）とパンチ（１２
）の溝（１４）、（１４）にガイドされて整形される。

このためタイバー（４）の残部（４ａ）に不揃いがあっ
ても、アウタリード（３）は曲ることなく整形され、足
浮きが発生することもない。

実施例では、厚さ（１）が０．１５龍、幅（ｗ）が０．
１龍、ピッチ（Ｐ）が０．３ｍｍのアウタリードの場合
、溝の深さを０．０３１〜０．０８ｍｍ、　したがって
、リードフレームの厚さｔのほぼ２０〜４０％として種
々試験を行なったところ、好結果が得られた。この場合
、溝（１４）の深さがリードフレームの厚さｔの２０％
以下だとアウタリード（３）が溝（１４）から外れ易く
、また、リードフレームの厚さｔの４０％を超えるとｔ
ｊ　（１４）　、　（１４）の間でアウタリード（３）
が遊んでしまうことがあり、確実な整形を行なえなくな
る。なお、溝（１４）の幅はアウタリード（３）の幅（
Ｗ）と同じでもよいが、この幅（Ｗ）にこの幅（ｗ）の
３ａ％程度を加えた値とすることが望ましい。

上記の説明では、整形装置のダイ（ｌＯ）とパンチ（１
２）の両者の型面（１１）、（１３）に＃　（１４）を
設けた場合を示したが、何れか一方のみ設けてもよい。

［発明の効果］ 以上の説明から明らかなように、本発明は、アウタリー
ドを整形するダイとパンチの両者又は何れか一方のアウ
タリードと対応する位置に、アウタリードをガイドする
溝を設けたので、アウタリードは溝にガイドされて整形
され、横方向に曲がることはない。このため、いわゆる
足浮きを生じたり、隣接するアウタリードと短絡するこ
ともないので、従来多くの時間を要していた修正の手間
が省け、コストの低減をはかれる等、実施による効果顕
著である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例の要部を斜視的に示した模式図、
第２図はその型面の正面図、第３図は本発明の作用説明
図、第４図（ａ）　、　（ｂ）は半導体装置のアウタリ
ードに設けたタイバーの説明図、第５図（ａ）　、　（
ｂ）は従来のアウタリードとタイバーの関係を示す説明
図、第６図は従来のアウタリード整形装置を説明するた
めの分解斜視図、第７図はアウタリードの整形後の半導
体装置の斜視図、第８図はその平面図である。 （１）二半導体装置、（２）：パッケージ、（８）：ア
ウタリード、（４）：タイバー　（４ａ）　：タイバー
の残部、（１０）　：ダイ、（１２）　：パンチ、ｍ）
、（１３）　　：型面、（１４）　：溝。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）リードフレームのインナリードと半導体素子の電
   極とをそれぞれワイヤで接続し、これらを樹脂等で封止
   してなる半導体装置のアウタリードを、ダイとパンチに
   より整形する装置において、前記ダイとパンチ又は何れ
   か一方に前記アウタリードをガイドする溝を設けたこと
   を特徴とする半導体装置のアウタリード整形装置。
2. （２）前記溝の深さをリードフレームの厚さの２０〜４
   ０％としたことを特徴とする請求項（１）記載の半導体
   装置のアウタリード整形装置。