JPH03276786A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2231—Buried stripe structure with inner confining structure only between the active layer and the upper electrode
-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ、特にいわゆるAj!Ga1n
P系可視光半導体レーザに係わる。。
P系可視光半導体レーザに係わる。。
本発明は、半導体レーザに係わり、活性層を挟んでn型
のクラッド層と、p型のクラッド層とが配置されるダブ
ルヘテロ接合型構造を採り、そのp型のクラッド層が、
活性層側に配された(A RX Ga+ −11) I
nP系の第1クラッド層と、これとは反対側に配された
(” y Ga、−Y) As系の第2のクラッド層と
の積層構造を有し、更に上記第1のクラッド層中に(A
j!z Ga+−j As系の劣化防止層が上記第2
のクラッド層より所要の厚さだけ隔てた位置に介在され
、上記第2のクラッド層の一部が除去されて、この除去
部に電流狭搾層が形成されて成るものであり、このよう
な構成とすることによって信頼性の高い半導体レーザを
確実に得ることができるようにする。
のクラッド層と、p型のクラッド層とが配置されるダブ
ルヘテロ接合型構造を採り、そのp型のクラッド層が、
活性層側に配された(A RX Ga+ −11) I
nP系の第1クラッド層と、これとは反対側に配された
(” y Ga、−Y) As系の第2のクラッド層と
の積層構造を有し、更に上記第1のクラッド層中に(A
j!z Ga+−j As系の劣化防止層が上記第2
のクラッド層より所要の厚さだけ隔てた位置に介在され
、上記第2のクラッド層の一部が除去されて、この除去
部に電流狭搾層が形成されて成るものであり、このよう
な構成とすることによって信頼性の高い半導体レーザを
確実に得ることができるようにする。
可視光半導体レーザであるAAGalnP系半導体レー
ザは、光情報処理用光源として近年注目を浴びており、
その実用化に向けて低しきい値化や横モ−ド制御などを
目指した構造が種々提案されている。
ザは、光情報処理用光源として近年注目を浴びており、
その実用化に向けて低しきい値化や横モ−ド制御などを
目指した構造が種々提案されている。
一方、AβGa1nP系半導体レーザにおいて、そのヘ
ッダーないしはヒートシンクに取着される側のp型のク
ラッド層を、A、&GaJnP層と、これに対し熱伝導
度が高LSA fl GaAs層との2層構造(以下[
]SC型構造と略記する)として、放熱効果を高めるよ
うにした半導体レーザが本出願人の出願に係る特開昭6
2−26885号公開公報に開示されている。
ッダーないしはヒートシンクに取着される側のp型のク
ラッド層を、A、&GaJnP層と、これに対し熱伝導
度が高LSA fl GaAs層との2層構造(以下[
]SC型構造と略記する)として、放熱効果を高めるよ
うにした半導体レーザが本出願人の出願に係る特開昭6
2−26885号公開公報に開示されている。
また、半導体レーザにおいて低しきい値化をはかるため
に、活性層上のp型のクラッド層側の半導体層を、その
中央の一部をストライプ状に残して両側をエツチングに
よって除去し、この除去部にn型の電流狭搾層をエピタ
キシャル成長させるリッジ型構造が考えられている。
に、活性層上のp型のクラッド層側の半導体層を、その
中央の一部をストライプ状に残して両側をエツチングに
よって除去し、この除去部にn型の電流狭搾層をエピタ
キシャル成長させるリッジ型構造が考えられている。
この種のリッジ型構成による半導体レーザにおいて上述
したDSC型構造を適用するときは、リッジ型構造部を
作製する上で利点を有する。
したDSC型構造を適用するときは、リッジ型構造部を
作製する上で利点を有する。
すなわち、上述のDSC型構造の半導体レーザは、第4
図にその1例の断面図を示すように、高不純物濃度のn
型の例えばGaAsよりなる(100) 結晶面を主
面とする半導体基体(1)上に、順次例えばn型のGa
Asバッファ層(2)と、n型のAI!、Ga1nP系
クラッド層(3)と、例えばノンドープの活性層(4)
と、p型のクラッド層(5)と、キマップ層(6)とを
有し、更に、そのp型のクラッド層(5)が、活性層(
4)側に配された(AjL Ga+−J rnP系の第
1クラッド層(51)と、これとは反対側に配された(
A 1yGa+−y)As系の第2のクラッド層(52
)との積層構造を有する。
図にその1例の断面図を示すように、高不純物濃度のn
型の例えばGaAsよりなる(100) 結晶面を主
面とする半導体基体(1)上に、順次例えばn型のGa
Asバッファ層(2)と、n型のAI!、Ga1nP系
クラッド層(3)と、例えばノンドープの活性層(4)
と、p型のクラッド層(5)と、キマップ層(6)とを
有し、更に、そのp型のクラッド層(5)が、活性層(
4)側に配された(AjL Ga+−J rnP系の第
1クラッド層(51)と、これとは反対側に配された(
A 1yGa+−y)As系の第2のクラッド層(52
)との積層構造を有する。
このDSC型構造半導体レーザにおいて、リッジ型構成
を採る場合、第5図にその一製造工程の路線的断面図を
示すように、そのキャップ層(6)上の中央部にストラ
イプ状に例えばSINM によるマスク(7)を被着し
、これをエツチングマスクとしてキャップ層(6)側か
ら硫酸系のエツチング液によってエツチングを行なう。
を採る場合、第5図にその一製造工程の路線的断面図を
示すように、そのキャップ層(6)上の中央部にストラ
イプ状に例えばSINM によるマスク(7)を被着し
、これをエツチングマスクとしてキャップ層(6)側か
ら硫酸系のエツチング液によってエツチングを行なう。
このようにすると、この硫酸系エツチング液に対するエ
ツチング速度が格段に低いAfGalnP系の第1のク
ラッド層(51)が外部に露出する位置までエツチング
が進行した時点で見掛は上エツチングが停止するのでこ
の時点でエツチングをやめれば、キャップ層(6)と、
p型のクラッド層(5)の第2のクラッド層(52)の
みが選択的に、マスク(7)によって覆われていないそ
の両側においてエツチングされる。このときそのエツチ
ングは、マスク(7)の両側縁下に入り込んで生じるが
、このときこのエツチングによって生じた側面(8)は
、(111) A結晶面すなわちAsが存在する面と
なる。
ツチング速度が格段に低いAfGalnP系の第1のク
ラッド層(51)が外部に露出する位置までエツチング
が進行した時点で見掛は上エツチングが停止するのでこ
の時点でエツチングをやめれば、キャップ層(6)と、
p型のクラッド層(5)の第2のクラッド層(52)の
みが選択的に、マスク(7)によって覆われていないそ
の両側においてエツチングされる。このときそのエツチ
ングは、マスク(7)の両側縁下に入り込んで生じるが
、このときこのエツチングによって生じた側面(8)は
、(111) A結晶面すなわちAsが存在する面と
なる。
次に第6図にその路線的断面図(同図においては後述す
る電流狭搾層(10)の形成後のマスク(7)を排除し
た後の状態を示す)を示すように、このようにしてエツ
チングによって除去された除去部(9)にマスク(7)
をマスクにして選択的MOCVD (有機金属化学的気
相成長法)によるエピタキシャル成長によってn型のG
aAsの電流狭搾層(10)を形成する。
る電流狭搾層(10)の形成後のマスク(7)を排除し
た後の状態を示す)を示すように、このようにしてエツ
チングによって除去された除去部(9)にマスク(7)
をマスクにして選択的MOCVD (有機金属化学的気
相成長法)によるエピタキシャル成長によってn型のG
aAsの電流狭搾層(10)を形成する。
ところがこのエピタキシャル成長は、側面(8)におい
てはAsが存在し、エツチングによって生じた第1のク
ラッド層(51)の表面は(100)結晶面でりんPが
存在することから両面に関して良好に再現性良く選択的
にエピタキシャル成長を行なうことは困難である。また
、このエピタキシャル成長に当って、例えば720℃程
度の加熱がなされるが、このとき、第1のクラッド層(
51)のりんPが蒸発して活性層(4)に対する屈折率
差による本来の閉じ込め効果が低下し、特性に変動を来
たすとか、活性層(4)との界面に結晶の転位を生じる
など特性劣化を来たすなどの信頼性に課題がある。
てはAsが存在し、エツチングによって生じた第1のク
ラッド層(51)の表面は(100)結晶面でりんPが
存在することから両面に関して良好に再現性良く選択的
にエピタキシャル成長を行なうことは困難である。また
、このエピタキシャル成長に当って、例えば720℃程
度の加熱がなされるが、このとき、第1のクラッド層(
51)のりんPが蒸発して活性層(4)に対する屈折率
差による本来の閉じ込め効果が低下し、特性に変動を来
たすとか、活性層(4)との界面に結晶の転位を生じる
など特性劣化を来たすなどの信頼性に課題がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は、上述したDSC型構造を採り、しかもリッジ
型構成による半導体レーザにおいて、再現性および信頼
性の高い半導体レーザを提供する。
型構成による半導体レーザにおいて、再現性および信頼
性の高い半導体レーザを提供する。
本発明は、第1図にその1例の路線的断面図を示すよう
に、活性層(4)を挟んでn型のクラッド層(3)と、
p型のクラッド層(5)とが配置されるダブルヘテロ接
合型構造を採る。
に、活性層(4)を挟んでn型のクラッド層(3)と、
p型のクラッド層(5)とが配置されるダブルヘテロ接
合型構造を採る。
そして、そのp型のクラッド層(5)が、活性層(4)
側に配された(八L Gap−X)InP系の第1クラ
ッド層(51)と、これとは反対側に配された(A A
’ yGa+−y) As系の第2のクラッド層(52
)との積層構造を有し、更にその第1のクラッド層(5
1)中に(A IlZ Gap−j As系の劣化防止
層(11)が、第2のクラッド層(52)より所要の主
たる厚さtだけ隔てた位置に介在される。すなわち、第
1のクラッド層(51)においては、活性層(4)に接
する主たる第1のクラッド層(51a) と、劣化防
止層(11)と、薄膜層1のクラッド層(51b)
とが積層された構造とする。
側に配された(八L Gap−X)InP系の第1クラ
ッド層(51)と、これとは反対側に配された(A A
’ yGa+−y) As系の第2のクラッド層(52
)との積層構造を有し、更にその第1のクラッド層(5
1)中に(A IlZ Gap−j As系の劣化防止
層(11)が、第2のクラッド層(52)より所要の主
たる厚さtだけ隔てた位置に介在される。すなわち、第
1のクラッド層(51)においては、活性層(4)に接
する主たる第1のクラッド層(51a) と、劣化防
止層(11)と、薄膜層1のクラッド層(51b)
とが積層された構造とする。
そして、第2のクラッド層(52)の一部が除去されて
、この除去部(8)に電流狭搾層(10)が形成される
。
、この除去部(8)に電流狭搾層(10)が形成される
。
尚、上記x、y、zはそれぞれ原子比で、0.5≦X≦
1.0.6≦y≦1.0.6≦2≦1とされる。
1.0.6≦y≦1.0.6≦2≦1とされる。
上述の本発明構成によれば、DSC型構造をとって、p
型のクラッド層(5)に熱伝導度の高いAjl!GaA
s系の第2のクラッド層(52)を設けたことにより、
この半導体レーザをp型のクラッド層側でヘラグーない
しはヒートシンクに取着することによって良好な放熱効
果が得られ、しかも電流狭搾層(10)の形成における
選択的エツチングにおいては、AAGalnP系の第1
のクラッド層(51)が選択的エツチングのストッパー
としての作用を保持できることから所定位置までのエツ
チングの制御を確実に行なうことができる。
型のクラッド層(5)に熱伝導度の高いAjl!GaA
s系の第2のクラッド層(52)を設けたことにより、
この半導体レーザをp型のクラッド層側でヘラグーない
しはヒートシンクに取着することによって良好な放熱効
果が得られ、しかも電流狭搾層(10)の形成における
選択的エツチングにおいては、AAGalnP系の第1
のクラッド層(51)が選択的エツチングのストッパー
としての作用を保持できることから所定位置までのエツ
チングの制御を確実に行なうことができる。
更に、この第1のクラッド層(51)中には、(A I
lg Gap−j As系の劣化防止層(11)を配す
るものであり、この(Az、 Gap−j Asは、り
んPを遮断する効果を有することから、第1のクラッド
層(51)の特に活性層(4)側の主たる第1のクラッ
ド層(51a) からのりんPの蒸発を阻止することが
できるものであり、これによりそのクラッド層としての
特性の低下、結晶性の劣化を回避できる。
lg Gap−j As系の劣化防止層(11)を配す
るものであり、この(Az、 Gap−j Asは、り
んPを遮断する効果を有することから、第1のクラッド
層(51)の特に活性層(4)側の主たる第1のクラッ
ド層(51a) からのりんPの蒸発を阻止することが
できるものであり、これによりそのクラッド層としての
特性の低下、結晶性の劣化を回避できる。
尚、上述の本発明構成によれば、電流狭搾層(10)の
形成のための除去部(9)に、エツチングのストッパー
として作用させたりんPを含む第1のクラッド層(51
)の表面が臨むことになるが、この場合、劣化防止層(
11)の存在によってその厚さが充分薄い薄膜層(51
b) とされていることにより、電流狭搾層(10)
の形成におけるエピタキシャル成長時の加熱温度によっ
てこの薄膜層(51b) のりんPは殆ど蒸発してしま
うことから冒頭に述べたような除去部(9)におけるP
が表面に存在することによる良好なエピタキシャル成長
を阻害する不都合は回避される。
形成のための除去部(9)に、エツチングのストッパー
として作用させたりんPを含む第1のクラッド層(51
)の表面が臨むことになるが、この場合、劣化防止層(
11)の存在によってその厚さが充分薄い薄膜層(51
b) とされていることにより、電流狭搾層(10)
の形成におけるエピタキシャル成長時の加熱温度によっ
てこの薄膜層(51b) のりんPは殆ど蒸発してしま
うことから冒頭に述べたような除去部(9)におけるP
が表面に存在することによる良好なエピタキシャル成長
を阻害する不都合は回避される。
したがって本発明構成によれば、信頼性の高い低しきい
値の半導体レーザを再現性良く得ることができるもので
ある。
値の半導体レーザを再現性良く得ることができるもので
ある。
本発明の1実施例を、第1図を参照して説明するが、そ
の理解を容易にするために、第2図および第3図を参照
してその製造方法の1例とともに説明する。
の理解を容易にするために、第2図および第3図を参照
してその製造方法の1例とともに説明する。
先ず第2図にその路線的断面図を示すように、高不純物
濃度のn型の例えばGaAsよりなる(100)結晶面
を主面とする半導体基体(1)上に、順次例えば厚さ0
.3μmのn型のGaAsバッファ層(2)と、例えば
厚さ1.5μmのn型のAj!Ga1nP系のクラッド
層(3)と、例えば700人のノンドープのGa1nP
系の活性層(4)と、p型のクラッド層(5)と、例え
ば厚さ0.8μmのキャップ層(6)とを順次連続的M
OCVDによってエピタキシャル成長するものであるが
、特にそのp型のクラッド層(5)として、活性層(4
)側に配された(A Ilx Gap−x) InP系
で厚さが例えば0.3μmの第1のクラッド層(51)
と、これとは反対側に配された厚さが例えば0.8μm
の(A AY Gap−y)As系の第2のクラッド層
(52)との積層構造を有し、更にその第1のクラッド
層(51)中に(ACGap−z) As系の劣化防止
層(11)が、第2のクラッド層(52)より所要の小
なる厚さtだけ隔てた位置に介在される。すなわち、第
1のクラッド層(51)においては、活性層(4)に接
する主たる第1クラッド層(51a) と、劣化防止
層(11)と、厚さtの薄膜第1クラッド層(51b)
とが積層された構造とする。
濃度のn型の例えばGaAsよりなる(100)結晶面
を主面とする半導体基体(1)上に、順次例えば厚さ0
.3μmのn型のGaAsバッファ層(2)と、例えば
厚さ1.5μmのn型のAj!Ga1nP系のクラッド
層(3)と、例えば700人のノンドープのGa1nP
系の活性層(4)と、p型のクラッド層(5)と、例え
ば厚さ0.8μmのキャップ層(6)とを順次連続的M
OCVDによってエピタキシャル成長するものであるが
、特にそのp型のクラッド層(5)として、活性層(4
)側に配された(A Ilx Gap−x) InP系
で厚さが例えば0.3μmの第1のクラッド層(51)
と、これとは反対側に配された厚さが例えば0.8μm
の(A AY Gap−y)As系の第2のクラッド層
(52)との積層構造を有し、更にその第1のクラッド
層(51)中に(ACGap−z) As系の劣化防止
層(11)が、第2のクラッド層(52)より所要の小
なる厚さtだけ隔てた位置に介在される。すなわち、第
1のクラッド層(51)においては、活性層(4)に接
する主たる第1クラッド層(51a) と、劣化防止
層(11)と、厚さtの薄膜第1クラッド層(51b)
とが積層された構造とする。
0
ここに、n型のクラッド層(3)は、n型の(八1NG
a+−X) InP (0,5≦X≦1)の例えば(
A j! o、 s Gao、 s) o、 5lno
−sP系よりなり、活性層(4)は、例えばノンドープ
のGao、 51no、 5P よりなり、p型のクラ
ッド層(5)の第1のクラッド層(51)の主たる第1
クラッド層(51a) および薄膜第1クラッド層(
51b) は、それぞれp型の(A j’ X Ga
+−x) InP(0,5<x<1)の例えば(A j
2 o、s Gao、 s) o−5lno、 sP系
よりなり、劣化防止層(11)および第2のクラッド層
(52)は、p型の(A jiz Ga+−2)AS系
及び(八 j!y Ga+−y)AS 系 (0,6
≦ 2 ≦ 1.0.6 ≦ y ≦ 1)の例えば
(A i O−6Gaa−4>ASよりなる。
a+−X) InP (0,5≦X≦1)の例えば(
A j! o、 s Gao、 s) o、 5lno
−sP系よりなり、活性層(4)は、例えばノンドープ
のGao、 51no、 5P よりなり、p型のクラ
ッド層(5)の第1のクラッド層(51)の主たる第1
クラッド層(51a) および薄膜第1クラッド層(
51b) は、それぞれp型の(A j’ X Ga
+−x) InP(0,5<x<1)の例えば(A j
2 o、s Gao、 s) o−5lno、 sP系
よりなり、劣化防止層(11)および第2のクラッド層
(52)は、p型の(A jiz Ga+−2)AS系
及び(八 j!y Ga+−y)AS 系 (0,6
≦ 2 ≦ 1.0.6 ≦ y ≦ 1)の例えば
(A i O−6Gaa−4>ASよりなる。
尚各層のMOCVD においてn型の不純物源としてH
2Sを、p型の不純物源としてジメチルZnを用い得る
。
2Sを、p型の不純物源としてジメチルZnを用い得る
。
そして、劣化防止層(11)は、その厚さを400人〜
1000人に選定する。これは、400人未満では主た
る第1のクラッド層(51a) よりのりんPの蒸発
を阻止する効果が充分に生じにく(なり、1000 A
を越えると活性層(4)に対する本来の閉じ込め機能を
阻害してくることによる。
1000人に選定する。これは、400人未満では主た
る第1のクラッド層(51a) よりのりんPの蒸発
を阻止する効果が充分に生じにく(なり、1000 A
を越えると活性層(4)に対する本来の閉じ込め機能を
阻害してくることによる。
また、第1のクラッド層(51)の、薄膜第1クラッド
層(51b) の厚さtは、50八〜100八に選定
する。これは、50人未満ではエツチングのストッパー
としての機能が不充分となり、100人を越えると電流
狭搾層(10)のエピタキシャル成長時にその表面にり
んPが残って電流狭搾層(10)の良好なエピタキシャ
ル成長を阻害することによる。
層(51b) の厚さtは、50八〜100八に選定
する。これは、50人未満ではエツチングのストッパー
としての機能が不充分となり、100人を越えると電流
狭搾層(10)のエピタキシャル成長時にその表面にり
んPが残って電流狭搾層(10)の良好なエピタキシャ
ル成長を阻害することによる。
次に、第3図にその路線的断面図を示すように、そのキ
ャップ層(6)上の中央部にストライプ状に例えば5I
NX によるマスク(7)を被着し、これをエツチング
マスクとしてキャップ層(6〕側から例えば硫酸系のエ
ツチング液によってエツチングを行なう。
ャップ層(6)上の中央部にストライプ状に例えば5I
NX によるマスク(7)を被着し、これをエツチング
マスクとしてキャップ層(6〕側から例えば硫酸系のエ
ツチング液によってエツチングを行なう。
このようにすると、この硫酸系エツチング液に対するエ
ツチング速度が格段に低いAlGaAs系系の第1のク
ラッド層(51)が外部に露出する位置までエツチング
が進行した時点で見掛は上エツチングが停止するのでこ
の時点でエツチングをやめれば、キャップ層(6)と、
p型のクラッド層(5)の第2のクラッド層(52)の
みが選択的に、マスク(7)によって覆われていないそ
の両側においてエツチングされる。このときそのエツチ
ングは、マスク(7)の両側縁下に入り込んで生じ、こ
のエツチングによって生じた側面(8)は、(111)
A結晶面すなわちAsが存在する面となる。
ツチング速度が格段に低いAlGaAs系系の第1のク
ラッド層(51)が外部に露出する位置までエツチング
が進行した時点で見掛は上エツチングが停止するのでこ
の時点でエツチングをやめれば、キャップ層(6)と、
p型のクラッド層(5)の第2のクラッド層(52)の
みが選択的に、マスク(7)によって覆われていないそ
の両側においてエツチングされる。このときそのエツチ
ングは、マスク(7)の両側縁下に入り込んで生じ、こ
のエツチングによって生じた側面(8)は、(111)
A結晶面すなわちAsが存在する面となる。
次に第1図にその路線的断面図を示すように、このよう
にしてエツチングによって除去された除去部(9)にマ
スク(7)をマスクにして選択的MOCVD によるエ
ピタキシャル成長によってn型のGaAsの電流狭搾層
(10)を形成する。尚、第1図においてはマスク(7
)を排除した後の状態を示す。
にしてエツチングによって除去された除去部(9)にマ
スク(7)をマスクにして選択的MOCVD によるエ
ピタキシャル成長によってn型のGaAsの電流狭搾層
(10)を形成する。尚、第1図においてはマスク(7
)を排除した後の状態を示す。
尚、上述した例では、n型不純物がSe、 p型不純
物がZnとしたものであるが、Si、 Mg等によるこ
ともできるなど上述の例に限らず種々の変更をなし得る
。
物がZnとしたものであるが、Si、 Mg等によるこ
ともできるなど上述の例に限らず種々の変更をなし得る
。
上述の本発明構成によれば、DSC型構造をとって、p
型のクラッド層(5)に熱伝導度の高いAlGaAs系
の第2のクラッド層(52)を設けたことにより、この
半導体レーザをp型のクラッド層側でヘッダーないしは
ヒートシンクに取着することによって良好な放熱効果が
得られ、しかも電流狭搾層(10)の形成における選択
的エツチングにおいては、(A j! XGa+−X)
InP系(0,5≦X≦1)の第1のクラッド層(5
1)が選択的エツチングのストッパーとしての作用を保
持できることから所定位置までのエツチングの制御を確
実に行なうことができる。
型のクラッド層(5)に熱伝導度の高いAlGaAs系
の第2のクラッド層(52)を設けたことにより、この
半導体レーザをp型のクラッド層側でヘッダーないしは
ヒートシンクに取着することによって良好な放熱効果が
得られ、しかも電流狭搾層(10)の形成における選択
的エツチングにおいては、(A j! XGa+−X)
InP系(0,5≦X≦1)の第1のクラッド層(5
1)が選択的エツチングのストッパーとしての作用を保
持できることから所定位置までのエツチングの制御を確
実に行なうことができる。
更に、この第1のクラッド層(51)中には、(A I
lw Ga+−2) AS系の劣化防止層(11)を配
するものであり、この(^βz Ga、−2) Asは
、りんPを遮断する効果を有することから、第1のクラ
ッド層(51)の特に活性層(4)側の主たる第1のク
ラッド層(51)からのりんPの蒸発を阻止することが
できるものであり、これによりそのクラッド層としての
特性すなわち閉じ込め効果の低下、結晶性の劣化を回避
できる。
lw Ga+−2) AS系の劣化防止層(11)を配
するものであり、この(^βz Ga、−2) Asは
、りんPを遮断する効果を有することから、第1のクラ
ッド層(51)の特に活性層(4)側の主たる第1のク
ラッド層(51)からのりんPの蒸発を阻止することが
できるものであり、これによりそのクラッド層としての
特性すなわち閉じ込め効果の低下、結晶性の劣化を回避
できる。
そして、本発明構成によれば、電流狭搾層(10)の形
成のための除去部(9)に、エツチングストッパ4 −として作用させたりんPを含む第1のクラッド層(5
1)の表面が臨むことになるが、この層は、そよってこ
の薄膜層中のりんPは殆ど蒸発してしまうことから冒頭
に述べたような除去部(9)におけるPが表面に存在す
ることによる良好なエピタキシャル成長を阻害する不都
合は回避される。
成のための除去部(9)に、エツチングストッパ4 −として作用させたりんPを含む第1のクラッド層(5
1)の表面が臨むことになるが、この層は、そよってこ
の薄膜層中のりんPは殆ど蒸発してしまうことから冒頭
に述べたような除去部(9)におけるPが表面に存在す
ることによる良好なエピタキシャル成長を阻害する不都
合は回避される。
したがって、本発明構成によれば、信頼性の高い半導体
レーザを再現性良く得ることができるものである。
レーザを再現性良く得ることができるものである。
第1図は本発明による半導体レーザの1例の路線的断面
図、第2図および第3図はそれぞれその製造工程図、第
4図〜第6図は従来の半導体レーザの製造工程図である
。 (1)は半導体基体、(3)はn型のクラッド層、(4
)は活性層、(5)はp型のクラッド層、(51)は第
1のクラッド層、(51a) はその主たる第1クラ
ッド層、(51b) は薄膜第1クラッド層、(52
)は第2のクラ5 ド層、 (10)は電流狭搾層、 (11)は劣化防止層で ある。 代 理 人 松 隈 秀 盛 ■ 特開平 3 276786 (6) 手続補正書 1.事件の表示 平成 2年 特 許 願 第 77976号2、発明の
名称 半導体レーザ 3、補正をする者 事件との関係
図、第2図および第3図はそれぞれその製造工程図、第
4図〜第6図は従来の半導体レーザの製造工程図である
。 (1)は半導体基体、(3)はn型のクラッド層、(4
)は活性層、(5)はp型のクラッド層、(51)は第
1のクラッド層、(51a) はその主たる第1クラ
ッド層、(51b) は薄膜第1クラッド層、(52
)は第2のクラ5 ド層、 (10)は電流狭搾層、 (11)は劣化防止層で ある。 代 理 人 松 隈 秀 盛 ■ 特開平 3 276786 (6) 手続補正書 1.事件の表示 平成 2年 特 許 願 第 77976号2、発明の
名称 半導体レーザ 3、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 活性層を挟んでn型のクラッド層と、p型のクラッド層
とが配置されるダブルヘテロ接合型構造を採り、 上記p型のクラッド層が、上記活性層側に配された(A
l_xGa_1_−_x)InP系の第1クラッド層と
、これとは反対側に配された(Al_yGa_1_−_
y)As系の第2のクラッド層との積層構造を有し、 上記第1のクラッド層中に(Al_zGa_1_−_z
)As系の劣化防止層が上記第2のクラッド層より所要
の厚さだけ隔てた位置に介在され、 上記第2のクラッド層の一部が除去されて、該除去部に
電流狭搾層が形成されて成ることを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2077976A JP2893827B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体レーザ |
EP91302580A EP0449553B1 (en) | 1990-03-27 | 1991-03-25 | Semiconductor lasers |
DE69102092T DE69102092T2 (de) | 1990-03-27 | 1991-03-25 | Halbleiterlaser. |
US07/675,272 US5095488A (en) | 1990-03-27 | 1991-03-26 | Semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2077976A JP2893827B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体レーザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03276786A true JPH03276786A (ja) | 1991-12-06 |
JP2893827B2 JP2893827B2 (ja) | 1999-05-24 |
Family
ID=13648927
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2077976A Expired - Fee Related JP2893827B2 (ja) | 1990-03-27 | 1990-03-27 | 半導体レーザ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5095488A (ja) |
EP (1) | EP0449553B1 (ja) |
JP (1) | JP2893827B2 (ja) |
DE (1) | DE69102092T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0533197A3 (en) * | 1991-09-20 | 1993-11-03 | Fujitsu Ltd | Stripe laser diode having an improved efficiency for current confinement |
US5386429A (en) * | 1992-03-31 | 1995-01-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Low operating current and low noise semiconductor laser device for optical disk memories |
JPH0653602A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ素子 |
DE69308977T2 (de) * | 1992-09-25 | 1997-10-09 | Furukawa Electric Co Ltd | Halbleiterlaservorrichtung |
JPH07162089A (ja) * | 1993-12-13 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 可視光レーザダイオード及びその製造方法 |
JPH09116222A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法,及び半導体レーザ |
JP2003142492A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | 3−5族化合物半導体および半導体装置 |
JP2007049088A (ja) * | 2005-08-12 | 2007-02-22 | Rohm Co Ltd | 高出力赤色半導体レーザ |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61285783A (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
US4792958A (en) * | 1986-02-28 | 1988-12-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser with mesa stripe waveguide structure |
JPS6390186A (ja) * | 1986-10-02 | 1988-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光装置 |
JP2564813B2 (ja) * | 1987-01-21 | 1996-12-18 | 日本電気株式会社 | A▲l▼GaInP半導体発光素子 |
JP2685209B2 (ja) * | 1988-03-25 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
JPH01251684A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Toshiba Corp | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1990
- 1990-03-27 JP JP2077976A patent/JP2893827B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-03-25 EP EP91302580A patent/EP0449553B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-25 DE DE69102092T patent/DE69102092T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-03-26 US US07/675,272 patent/US5095488A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6518082B1 (en) | 1998-09-17 | 2003-02-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating nitride semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2893827B2 (ja) | 1999-05-24 |
DE69102092D1 (de) | 1994-06-30 |
DE69102092T2 (de) | 1994-09-01 |
US5095488A (en) | 1992-03-10 |
EP0449553A2 (en) | 1991-10-02 |
EP0449553A3 (en) | 1992-01-22 |
EP0449553B1 (en) | 1994-05-25 |
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