JP2685209B2 - 半導体装置及び半導体発光装置 - Google Patents
半導体装置及び半導体発光装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、半導体装置にかかわり、特に同一の導電形
を有するGaAs半導体層とInGaAlP半導体層との間に電流
を流す機能を有する半導体装置に関する。
を有するGaAs半導体層とInGaAlP半導体層との間に電流
を流す機能を有する半導体装置に関する。
(従来の技術) InGaAlP系材料は窒化物を除くIII−V族化合物半導体
混晶中で最大のエネルギーギャップを有し、短波長の発
光素子材料として注目されている。特にGaAsに格子整合
する組成は、有機金属を用いた化学気相成長法(以下MO
CVD法と略記する)などにより結晶欠陥の少ない、良好
なエピタキシャル成長が可能である。
混晶中で最大のエネルギーギャップを有し、短波長の発
光素子材料として注目されている。特にGaAsに格子整合
する組成は、有機金属を用いた化学気相成長法(以下MO
CVD法と略記する)などにより結晶欠陥の少ない、良好
なエピタキシャル成長が可能である。
InGaAlP系材料を能動部とする発光素子、電子素子を
作成する場合、良好なオーミック接触を得るため、これ
と格子整合するGaAsを介して金属との接触を行うこと
が、しばしば行われてきた(例えば、Applied Physics
Letter,48(1986)pp207.)。しかしながら、GaAsとInG
aAlP系材料とのエネルギーギャップの差が非常に大きい
ため、これらの界面にはバンドの不連続による大きなノ
ッチやスパイクが現れ、オーミックな電流注入に支障を
きたす。特に移動度の小さいホールがキャリアになるp
形のヘテロ接合に、大きな影響が現れやすい。
作成する場合、良好なオーミック接触を得るため、これ
と格子整合するGaAsを介して金属との接触を行うこと
が、しばしば行われてきた(例えば、Applied Physics
Letter,48(1986)pp207.)。しかしながら、GaAsとInG
aAlP系材料とのエネルギーギャップの差が非常に大きい
ため、これらの界面にはバンドの不連続による大きなノ
ッチやスパイクが現れ、オーミックな電流注入に支障を
きたす。特に移動度の小さいホールがキャリアになるp
形のヘテロ接合に、大きな影響が現れやすい。
これを回避する方法として二つの層の中間のエネルギ
ーギャップを持つ低Al組成のInGaAlPをGaAs層とInGaAlP
層の間に設けることでオーミックな電流注入が行なえる
ことがある(例えば、特開昭62−200784)。しかし、In
GaAlP中間エネルギーギャップ層を介しても、必ずしも
オーミックな特性になるとは限らず、そこでの電圧降下
がデバイスの動作電圧を高くするという問題をきたし、
半導体レーザなどへの応用上、過剰な発熱により高温で
の発振特性に支障をきたす。
ーギャップを持つ低Al組成のInGaAlPをGaAs層とInGaAlP
層の間に設けることでオーミックな電流注入が行なえる
ことがある(例えば、特開昭62−200784)。しかし、In
GaAlP中間エネルギーギャップ層を介しても、必ずしも
オーミックな特性になるとは限らず、そこでの電圧降下
がデバイスの動作電圧を高くするという問題をきたし、
半導体レーザなどへの応用上、過剰な発熱により高温で
の発振特性に支障をきたす。
(発明が解決しようとする課題) このように、InGaAlPからなる能動部をもつ半導体装
置に対し、GaAsを介してオーミック接触を得ようとする
場合、InGaAlPとGaAsとの良好なオーミック接触が得ら
れず、しいては素子の動作電圧の上昇、熱特性の悪化を
きたす。
置に対し、GaAsを介してオーミック接触を得ようとする
場合、InGaAlPとGaAsとの良好なオーミック接触が得ら
れず、しいては素子の動作電圧の上昇、熱特性の悪化を
きたす。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目
的とするところは、良好なオーミック接触を得るために
半導体層に課せられる条件を提供することにある。
的とするところは、良好なオーミック接触を得るために
半導体層に課せられる条件を提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、同一導電形を有するInGaAlP層とGaA
s層との間に電流を流す半導体装置において、前記GaAs
層と接するInGaAlP層の少なくとも一部に、キャリア濃
度が5×1017cm−3以上で厚さが400Å乃至800Åの高キ
ャリア濃度領域を設けることにより、良好なオーミック
接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱特性の良い
半導体素子を提供することにある。
s層との間に電流を流す半導体装置において、前記GaAs
層と接するInGaAlP層の少なくとも一部に、キャリア濃
度が5×1017cm−3以上で厚さが400Å乃至800Åの高キ
ャリア濃度領域を設けることにより、良好なオーミック
接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱特性の良い
半導体素子を提供することにある。
(作用) 本発明によれば同一導電形を有するInGaAlP層とGaAs
層との間に電流を流す半導体装置において、良好なオー
ミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱特性
の良い半導体素子を提供することが可能となる。
層との間に電流を流す半導体装置において、良好なオー
ミック接触を実現し、しいては動作電圧の低い、熱特性
の良い半導体素子を提供することが可能となる。
(実施例) 以下本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す概念図である。
図中101はIn1−x−yGayAlxP(0≦x,y≦1)層、102は
In1−x−yGayAlxP層101中の高キャリア濃度領域、103
はGaAs層である。いずれの層も同一の導電形を有してお
り、ここではp形について示してある。In1−x−yGayA
lxP層101はGaAsに格子整合していることが、エピタキシ
ャル成長層として、結晶性を損なわずに済むため、特に
発光素子などでは重要である。これらの条件を満たす組
成u,vの一例は、 u+v=0.5 である。
図中101はIn1−x−yGayAlxP(0≦x,y≦1)層、102は
In1−x−yGayAlxP層101中の高キャリア濃度領域、103
はGaAs層である。いずれの層も同一の導電形を有してお
り、ここではp形について示してある。In1−x−yGayA
lxP層101はGaAsに格子整合していることが、エピタキシ
ャル成長層として、結晶性を損なわずに済むため、特に
発光素子などでは重要である。これらの条件を満たす組
成u,vの一例は、 u+v=0.5 である。
さて、GaAs層103とInGaAlP層101の間が良好な電流−
電圧特性になるには、高キャリア濃度領域102のキャリ
ア濃度pおよび厚さdに大きく依存することが実験的に
得られた。第2図は高キャリア濃度領域102のキャリア
濃度pに対するGaAs層103と高キャリア濃度領域102の界
面での、注入電流密度1kA/cm−2時の電圧降下の大きさ
を示したものである。p≧5×1017cm−3のとき電圧降
下の影響は全くなく動作電圧の増加、発熱の増加は問題
とならない。ただし、p>3×1019cm−3の高キャリア
濃度とすると高キャリア濃度層中に形成される欠陥が急
激に増え、50℃、3mWでの連続動作試験で、100時間程度
で劣化し、p≦3×1019cm−3のときに得られる1000時
間以上という値に対し、信頼性の面で大きく劣った。p
<5×1017cm−3のとき電圧降下の影響は大きく、過剰
な動作電圧の上昇、発熱を引起こした。
電圧特性になるには、高キャリア濃度領域102のキャリ
ア濃度pおよび厚さdに大きく依存することが実験的に
得られた。第2図は高キャリア濃度領域102のキャリア
濃度pに対するGaAs層103と高キャリア濃度領域102の界
面での、注入電流密度1kA/cm−2時の電圧降下の大きさ
を示したものである。p≧5×1017cm−3のとき電圧降
下の影響は全くなく動作電圧の増加、発熱の増加は問題
とならない。ただし、p>3×1019cm−3の高キャリア
濃度とすると高キャリア濃度層中に形成される欠陥が急
激に増え、50℃、3mWでの連続動作試験で、100時間程度
で劣化し、p≦3×1019cm−3のときに得られる1000時
間以上という値に対し、信頼性の面で大きく劣った。p
<5×1017cm−3のとき電圧降下の影響は大きく、過剰
な動作電圧の上昇、発熱を引起こした。
また、さらにこのような電圧降下は、高キャリア濃度
領域102の厚さdが非常に薄い場合にも起こることが判
った。第3図は高キャリア濃度領域102のキャリア濃度
を1×1018cm−3とした場合の高キャリア濃度領域102
の厚さdに対するGaAs層103とInGaAlP層101の間での、
注入電流密度1kA/cm-2時の電圧降下の大きさを示したも
のである。d<400Åの時、急激に電圧降下が大きくな
る。またd≧400Åでも、層厚の増加による直列抵抗の
増加により電圧降下は漸増する。
領域102の厚さdが非常に薄い場合にも起こることが判
った。第3図は高キャリア濃度領域102のキャリア濃度
を1×1018cm−3とした場合の高キャリア濃度領域102
の厚さdに対するGaAs層103とInGaAlP層101の間での、
注入電流密度1kA/cm-2時の電圧降下の大きさを示したも
のである。d<400Åの時、急激に電圧降下が大きくな
る。またd≧400Åでも、層厚の増加による直列抵抗の
増加により電圧降下は漸増する。
以上のようにGaAs層103とInGaAlP層101との間での電
流−電圧特性は、InGaAlP層101中でGaAs層103との界面
近傍に形成された高キャリア濃度領域102のキャリア濃
度p及びその領域の厚さdに大きく影響され、キャリア
濃度pがp≧5×1017cm−3で厚さdがd≧400Åであ
ることが必要である。またキャリア濃度pに関しては、
p>3×1019cm−3では上記の問題が生じるので、pは
5×1017cm−3≦p≦3×1019cm−3であることが望ま
しい。
流−電圧特性は、InGaAlP層101中でGaAs層103との界面
近傍に形成された高キャリア濃度領域102のキャリア濃
度p及びその領域の厚さdに大きく影響され、キャリア
濃度pがp≧5×1017cm−3で厚さdがd≧400Åであ
ることが必要である。またキャリア濃度pに関しては、
p>3×1019cm−3では上記の問題が生じるので、pは
5×1017cm−3≦p≦3×1019cm−3であることが望ま
しい。
第4図は本発明の第2の実施例に関わる半導体発光装
置であり、GaAs層をオーミックコンタクト層、InGaAlP
層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造を示す断
面図である。図中401はn−GaAs基板であり、基板401上
にはn−InGaAlPクラッド層402、InGaAlP活性層403、p
−InGaAlPクラッド層404からなり発光能動部となるダブ
ルヘテロ接合部が形成されている。p−InGaAlPクラッ
ド層404上には、p−InGaPキャップ層405、n−GaAs電
流狭窄層406が形成されている。n−GaAs電流狭窄層406
はストライプ状に選択除去されており、n−GaAs電流狭
窄層406が除去された部分のp−InGaPキャップ層405お
よびn−GaAs電流狭窄層406上にはp−GaAsオーミック
コンタクト層407が形成されている。ダブルヘテロ接合
部の各層およびp−InGaPキャップ層405の格子定数は基
板とほぼ等しくかつクラッド層402、404のバンドギャッ
プエネルギーは活性層403のそれより大きくなるようにI
n,Ga,Alの組成が設定されている。
置であり、GaAs層をオーミックコンタクト層、InGaAlP
層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造を示す断
面図である。図中401はn−GaAs基板であり、基板401上
にはn−InGaAlPクラッド層402、InGaAlP活性層403、p
−InGaAlPクラッド層404からなり発光能動部となるダブ
ルヘテロ接合部が形成されている。p−InGaAlPクラッ
ド層404上には、p−InGaPキャップ層405、n−GaAs電
流狭窄層406が形成されている。n−GaAs電流狭窄層406
はストライプ状に選択除去されており、n−GaAs電流狭
窄層406が除去された部分のp−InGaPキャップ層405お
よびn−GaAs電流狭窄層406上にはp−GaAsオーミック
コンタクト層407が形成されている。ダブルヘテロ接合
部の各層およびp−InGaPキャップ層405の格子定数は基
板とほぼ等しくかつクラッド層402、404のバンドギャッ
プエネルギーは活性層403のそれより大きくなるようにI
n,Ga,Alの組成が設定されている。
ストライプ状に選択除去されたn−GaAs電流狭窄層40
6の幅は7μm、共振器長は300μmである。ここで、p
−InGaPキャップ層405のキャリア濃度を1×1018cm−3,
厚さを500Åに設定した場合、この半導体レーザのパル
ス動作での発振しきい値電流は70mAであり、さらに素子
の連続動作での発振しきい値電流は72mAと、発熱による
パルス動作に対するしきい値電流の変化は非常に小さか
った。また最高連続発振温度も90℃が得られた。これは
p−GaAs/p−InGaP/p−InGaAlPヘテロ界面での過剰な電
圧降下がなく、しきい値での動作電圧が2.3ボルトと低
く抑えられたことによる。
6の幅は7μm、共振器長は300μmである。ここで、p
−InGaPキャップ層405のキャリア濃度を1×1018cm−3,
厚さを500Åに設定した場合、この半導体レーザのパル
ス動作での発振しきい値電流は70mAであり、さらに素子
の連続動作での発振しきい値電流は72mAと、発熱による
パルス動作に対するしきい値電流の変化は非常に小さか
った。また最高連続発振温度も90℃が得られた。これは
p−GaAs/p−InGaP/p−InGaAlPヘテロ界面での過剰な電
圧降下がなく、しきい値での動作電圧が2.3ボルトと低
く抑えられたことによる。
これに対し、p−InGaPキャップ層405のキャリア濃度
を4×1017cm−3としたものでは、動作電圧は非常に大
きくなり、3.0ボルトであり、それに伴い連続動作での
発熱も大きく、しきい値電流は77mAと大きな値となっ
た。また最高連続発振温度も60℃と低かった。これはp
−GaAs/p−InGaP/p−InGaAlPヘテロ界面での過剰な電圧
降下によると考えられる。
を4×1017cm−3としたものでは、動作電圧は非常に大
きくなり、3.0ボルトであり、それに伴い連続動作での
発熱も大きく、しきい値電流は77mAと大きな値となっ
た。また最高連続発振温度も60℃と低かった。これはp
−GaAs/p−InGaP/p−InGaAlPヘテロ界面での過剰な電圧
降下によると考えられる。
また、p−InGaPキャップ層405のキャリア濃度を1×
1018cm−3とした場合でも、キャップ層405の厚さを250
Åとしたものでは動作電圧は非常に大きくなり、3.0ボ
ルトであり、それに伴い、連続動作での発熱も大きく、
しきい値電流は77mAと大きな値となった。また最高連続
発振温度も60℃と低かった。逆に、p−InGaPキャップ
層405の厚さが1000Å程度と厚い場合、直列抵抗の増加
による発熱の増加のほか、電流の広がりによるしきい値
電流の増加や、熱抵抗の増加により、最高連続発振温度
は30℃と低かった。
1018cm−3とした場合でも、キャップ層405の厚さを250
Åとしたものでは動作電圧は非常に大きくなり、3.0ボ
ルトであり、それに伴い、連続動作での発熱も大きく、
しきい値電流は77mAと大きな値となった。また最高連続
発振温度も60℃と低かった。逆に、p−InGaPキャップ
層405の厚さが1000Å程度と厚い場合、直列抵抗の増加
による発熱の増加のほか、電流の広がりによるしきい値
電流の増加や、熱抵抗の増加により、最高連続発振温度
は30℃と低かった。
第5図にp−InGaPキャップ層405の厚さdに対する最
高連続発振温度の依存性を示す。400Å≦d≦800Åのと
き、最高連続発振温度は80℃以上と高い値が得られ、そ
の範囲外では最高連続発振温度は急激に低下した。ま
た、特に400Å≦d≦600Åでは、最高連続発振温度は85
℃以上となり、非常に良好な熱特性を示した。
高連続発振温度の依存性を示す。400Å≦d≦800Åのと
き、最高連続発振温度は80℃以上と高い値が得られ、そ
の範囲外では最高連続発振温度は急激に低下した。ま
た、特に400Å≦d≦600Åでは、最高連続発振温度は85
℃以上となり、非常に良好な熱特性を示した。
第6図は本発明の第3の実施例に関わる半導体発光装
置であり、GaAs層をオーミックコンタクト層、InGaAlP
層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造を示す断
面図である。図中601はn−GaAs基板であり、基板601上
にはn−InGaAlPクラッド層602、InGaAlP活性層603、p
−InGaAlP第1クラッド層604、p−InGaAlPエッチング
停止層605、ストライプ状で凸形状をしたp−InGaAlP第
2クラッド層606からなり発光能動部となるダブルヘテ
ロ接合部が形成されている。p−InGaAlP第2クラッド
層606の凸部上にはp−InGaPキャップ層607が形成され
ている。p−InGaAlPクラッド層606の凸部以外の部分で
はn−GaAs電流狭窄層608が形成されている。p−InGaP
キャップ層607およびn−GaAs電流狭窄層608上にはp−
GaAsオーミックコンタクト層609が形成されている。ダ
ブルヘテロ接合部の各層およびp−InGaPキャップ層607
の格子定数は基板とほぼ等しくかつクラッド層602、60
4、606のバンドギャップエネルギーは活性層603のそれ
より大きくなるようにIn,Ga,Alの組成が設定されてい
る。
置であり、GaAs層をオーミックコンタクト層、InGaAlP
層をクラッド層とする半導体レーザの概略構造を示す断
面図である。図中601はn−GaAs基板であり、基板601上
にはn−InGaAlPクラッド層602、InGaAlP活性層603、p
−InGaAlP第1クラッド層604、p−InGaAlPエッチング
停止層605、ストライプ状で凸形状をしたp−InGaAlP第
2クラッド層606からなり発光能動部となるダブルヘテ
ロ接合部が形成されている。p−InGaAlP第2クラッド
層606の凸部上にはp−InGaPキャップ層607が形成され
ている。p−InGaAlPクラッド層606の凸部以外の部分で
はn−GaAs電流狭窄層608が形成されている。p−InGaP
キャップ層607およびn−GaAs電流狭窄層608上にはp−
GaAsオーミックコンタクト層609が形成されている。ダ
ブルヘテロ接合部の各層およびp−InGaPキャップ層607
の格子定数は基板とほぼ等しくかつクラッド層602、60
4、606のバンドギャップエネルギーは活性層603のそれ
より大きくなるようにIn,Ga,Alの組成が設定されてい
る。
ストライプ幅は5μm、共振器長は300μmとした。
この半導体レーザの最高連続発振温度はp−InGaPキャ
ップ層607のキャリア濃度および厚さに依存し、それ
は、第4図に示した第2の実施例の構造の素子とほぼ同
等であった。また、本構造の素子では、ストライプ状で
凸形状をしたp−InGaAlPクラッド層606を形成する際、
p−InGaPキャップ層607を凸部以外で選択的に除去する
ことが必要である。このときp−InGaPキャップ層607を
エッチングする方法として、Br2とHBrとH2Oの混合液な
どを用いる場合、ストライプ近傍でp−InGaPキャップ
層607とp−InGaAlPクラッド層606のエッチングレート
が部分的に大きくなりやすい。そのため平坦で、良好な
エッチングをするには、p−InGaPキャップ層607の厚さ
を薄くし、p−InGaPキャップ層607を除去するためのエ
ッチング時間を極力短くすることが望ましい。このと
き、平坦で、良好なエッチングが可能なp−InGaPキャ
ップ層607の厚さは600Å以下であった。
この半導体レーザの最高連続発振温度はp−InGaPキャ
ップ層607のキャリア濃度および厚さに依存し、それ
は、第4図に示した第2の実施例の構造の素子とほぼ同
等であった。また、本構造の素子では、ストライプ状で
凸形状をしたp−InGaAlPクラッド層606を形成する際、
p−InGaPキャップ層607を凸部以外で選択的に除去する
ことが必要である。このときp−InGaPキャップ層607を
エッチングする方法として、Br2とHBrとH2Oの混合液な
どを用いる場合、ストライプ近傍でp−InGaPキャップ
層607とp−InGaAlPクラッド層606のエッチングレート
が部分的に大きくなりやすい。そのため平坦で、良好な
エッチングをするには、p−InGaPキャップ層607の厚さ
を薄くし、p−InGaPキャップ層607を除去するためのエ
ッチング時間を極力短くすることが望ましい。このと
き、平坦で、良好なエッチングが可能なp−InGaPキャ
ップ層607の厚さは600Å以下であった。
上記実施例では、キャップ層としてp−InGaPを用い
た場合の半導体レーザについて述べたが、キャップ層は
一般にInGaAlPでも構わない。このときキャップ層のエ
ネルギーギャップがクラッド層に比べて小さいと、GaAs
層とのエネルギーギャップ差が小さくなり、オーミック
な特性が得られやすい。また本発明は発光ダイオードや
その他の電子素子になど、同一導電形を有するInGaAlP
層とGaAs層の接触界面を有し、この界面を通して電流を
流す機能を有する半導体装置に適用することができるの
はいうまでもない。その他本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。
た場合の半導体レーザについて述べたが、キャップ層は
一般にInGaAlPでも構わない。このときキャップ層のエ
ネルギーギャップがクラッド層に比べて小さいと、GaAs
層とのエネルギーギャップ差が小さくなり、オーミック
な特性が得られやすい。また本発明は発光ダイオードや
その他の電子素子になど、同一導電形を有するInGaAlP
層とGaAs層の接触界面を有し、この界面を通して電流を
流す機能を有する半導体装置に適用することができるの
はいうまでもない。その他本発明の要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、同一導電形を有
するInGaAlP層とGaAs層の間に電流を流す半導体装置に
おいて、良好なオーミック接触を実現し、ひいては動作
電圧の低い、熱特性の良い半導体素子が得られる。
するInGaAlP層とGaAs層の間に電流を流す半導体装置に
おいて、良好なオーミック接触を実現し、ひいては動作
電圧の低い、熱特性の良い半導体素子が得られる。
【図面の簡単な説明】 第1図乃至第3図は本発明の第1の実施例を示す図、第
4図、第5図は第2の実施例を示す図、第6図は第3の
実施例を示す図である。 101……In1−x−yGayAlxP層 102……高キャリア濃度領域 103……GaAs層 401……n−GaAs基板 402……n−InGaAlPクラッド層 403……InGaAlP活性層 404……p−InGaAlPクラッド層 405……p−InGaPキャップ層 406……n−GaAs電流狭窄層 407……p−GaAsオーミックコンタクト層
4図、第5図は第2の実施例を示す図、第6図は第3の
実施例を示す図である。 101……In1−x−yGayAlxP層 102……高キャリア濃度領域 103……GaAs層 401……n−GaAs基板 402……n−InGaAlPクラッド層 403……InGaAlP活性層 404……p−InGaAlPクラッド層 405……p−InGaPキャップ層 406……n−GaAs電流狭窄層 407……p−GaAsオーミックコンタクト層
Claims (5)
- 【請求項1】GaAs半導体層と、このGaAs半導体層と同一
の導電形を有するIn1−x−yGayAlxP(0≦x,y≦1)半
導体層とからなり、前記GaAs半導体層とIn1−x−yGayA
lxP(0≦x,y≦1)半導体層との間に電流を流す半導体
装置において、前記GaAs半導体層と接する前記In1−x
−yGayAlxP(0≦x,y≦1)半導体層の一少なくとも一
部に、キャリア濃度が5×1017cm−3以上で厚さが400
Å乃至800Åの高キャリア濃度領域が設けられているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】前記GaAs半導体層と前記In1−x−yGayAlx
P半導体層は、導電形がp形であることを特徴とする請
求項1記載の半導体装置。 - 【請求項3】前記高キャリア濃度領域のキャリア濃度は
5×1017cm−3乃至3×1019cm−3であることを特徴と
する請求項1記載の半導体装置。 - 【請求項4】n形In1−u−vGavAluPクラッド層、In1−
s−tGatAlsP活性層、p形In1−u−vGavAluPクラッド
層からなるダブルヘテロ構造を有し、前記p形In1−u
−vGavAluPクラッド層上にp形GaAsオーミックコンタク
ト層を有する半導体発光装置において、前記p形In1−
u−vGavAluPクラッド層と前記p形GaAsオーミックコン
タクト層との間に、p形In1−x−yGayAlxP(0≦x,y≦
1)からなり、キャリア濃度が5×1017cm−3以上で厚
さが400Å乃至800Åの高キャリア濃度領域が設けられて
いることを特徴とする半導体発光装置。 - 【請求項5】n形In1−u−vGavAluPクラッド層、In1−
s−tGatAlsP活性層、第1のp形In1−u−vGavAluPク
ラッド層、p形In1−p−qGaqAlpP(0≦p<u)層、
ストライプ状の第2のp形In1−u−vGavAluPクラッド
層からなるダブルヘテロ構造を有し、この第2のp形In
1−u−vGavAluPクラッド層上にp形GaAsオーミックコ
ンタクト層を有する半導体発光装置において、前記第2
のp形In1−u−vGavAluPクラッド層と前記p形GaAsオ
ーミックコンタクト層との間に、p形In1−x−yGayAlx
P(0≦x,y≦1)からなり、キャリア濃度が5×1017cm
−3以上で厚さが400Å乃至800Åの高キャリア濃度領域
が設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63069640A JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
EP19890302854 EP0334637A3 (en) | 1988-03-25 | 1989-03-22 | A semiconductor device |
US07/708,806 US5138404A (en) | 1988-03-25 | 1991-05-31 | Semiconductor device for passing current between a GaAs layer and an InGaAlP layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63069640A JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01243597A JPH01243597A (ja) | 1989-09-28 |
JP2685209B2 true JP2685209B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=13408662
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63069640A Expired - Lifetime JP2685209B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 半導体装置及び半導体発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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EP (1) | EP0334637A3 (ja) |
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US5278857A (en) * | 1989-10-16 | 1994-01-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Indium gallium aluminum phosphide silicon doped to prevent zinc disordering |
US5008718A (en) * | 1989-12-18 | 1991-04-16 | Fletcher Robert M | Light-emitting diode with an electrically conductive window |
JP2893827B2 (ja) * | 1990-03-27 | 1999-05-24 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ |
US5202895A (en) * | 1990-05-07 | 1993-04-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having an active layer made of ingaalp material |
US5161167A (en) * | 1990-06-21 | 1992-11-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser producing visible light |
JP2656397B2 (ja) * | 1991-04-09 | 1997-09-24 | 三菱電機株式会社 | 可視光レーザダイオードの製造方法 |
KR100292308B1 (ko) * | 1992-06-19 | 2001-09-17 | 이데이 노부유끼 | 반도체장치 |
JP3217490B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2001-10-09 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置 |
JP3095545B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2000-10-03 | 株式会社東芝 | 面発光型半導体発光装置およびその製造方法 |
JP3198016B2 (ja) * | 1994-08-25 | 2001-08-13 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
US6996150B1 (en) | 1994-09-14 | 2006-02-07 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
JP3233569B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2001-11-26 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
GB2312783B (en) * | 1996-05-01 | 2000-12-13 | Epitaxial Products Internat Lt | Opto-electronic device with transparent high lateral conductivity current spreading layer |
JP3807638B2 (ja) * | 1997-01-29 | 2006-08-09 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3332785B2 (ja) * | 1997-02-28 | 2002-10-07 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP3797748B2 (ja) | 1997-05-30 | 2006-07-19 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードアレイ |
US6577658B1 (en) | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
US20040227141A1 (en) * | 2003-01-30 | 2004-11-18 | Epistar Corporation | Light emitting device having a high resistivity cushion layer |
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---|---|---|---|---|
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US4617724A (en) * | 1983-06-30 | 1986-10-21 | Fujitsu Limited | Process for fabricating heterojunction bipolar transistor with low base resistance |
JPS6055678A (ja) * | 1983-09-06 | 1985-03-30 | Nec Corp | 発光ダイオ−ド |
JPH0647420B2 (ja) * | 1985-07-15 | 1994-06-22 | 松下電器産業株式会社 | 給紙カセツト |
US4837775A (en) * | 1985-10-21 | 1989-06-06 | General Electric Company | Electro-optic device having a laterally varying region |
JPH0671006B2 (ja) * | 1985-12-16 | 1994-09-07 | 日本電気株式会社 | バイポ−ラトランジスタ |
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JPH0732285B2 (ja) * | 1986-02-28 | 1995-04-10 | 株式会社東芝 | 半導体レ−ザ装置 |
EP0259026B1 (en) * | 1986-08-08 | 1994-04-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Double-heterostructure semiconductor laser with mesa stripe waveguide |
JP2564813B2 (ja) * | 1987-01-21 | 1996-12-18 | 日本電気株式会社 | A▲l▼GaInP半導体発光素子 |
US5034957A (en) * | 1988-02-10 | 1991-07-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63069640A patent/JP2685209B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-03-22 EP EP19890302854 patent/EP0334637A3/en not_active Withdrawn
-
1991
- 1991-05-31 US US07/708,806 patent/US5138404A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0334637A3 (en) | 1991-09-25 |
JPH01243597A (ja) | 1989-09-28 |
US5138404A (en) | 1992-08-11 |
EP0334637A2 (en) | 1989-09-27 |
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