JPS6390186A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPS6390186A JPS6390186A JP23642186A JP23642186A JPS6390186A JP S6390186 A JPS6390186 A JP S6390186A JP 23642186 A JP23642186 A JP 23642186A JP 23642186 A JP23642186 A JP 23642186A JP S6390186 A JPS6390186 A JP S6390186A
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- Japan
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- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
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- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
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- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ダブルヘテロ構造の半導体発光装置である
半導体レーザ装置もしくは発光ダイオード装置に関する
ものである。
半導体レーザ装置もしくは発光ダイオード装置に関する
ものである。
第3図は従来のSBAレーザの構造を示す断面図であり
、この図において、1はp型GaAs基板(以下単に基
板という、その他の符号も同様に略称する)、2はp型
ARo、 4SG aQ、 s%Asバッファ層、3は
n型GaAsブoツク層、4はp型A l 6.4SG
aQ、BqAs下クラツクラッド層ノンドープAI。
、この図において、1はp型GaAs基板(以下単に基
板という、その他の符号も同様に略称する)、2はp型
ARo、 4SG aQ、 s%Asバッファ層、3は
n型GaAsブoツク層、4はp型A l 6.4SG
aQ、BqAs下クラツクラッド層ノンドープAI。
、1゜G ao、 @@A s活性層、7はn型A ’
l o、 、、G ao、、、A s下クラッド層、8
はn型GaAsコンタクト層、9はストライブ部である
。
l o、 、、G ao、、、A s下クラッド層、8
はn型GaAsコンタクト層、9はストライブ部である
。
次に、作用について説明する。
基板1よりバッファ居2を通ってきた電流は、ブロック
層3で狭窄され、ストライブ部9の部分のみから下クラ
ッド層4中に流れ出す。電流はp−n接合である活性層
6において光に変換され、レーザ発振が生じる。
層3で狭窄され、ストライブ部9の部分のみから下クラ
ッド層4中に流れ出す。電流はp−n接合である活性層
6において光に変換され、レーザ発振が生じる。
従来のSBAレーザは以上のように構成されており、ま
た、p型のドーパントによる結晶中を移動し易いZnを
用いているため、その製造プロセスにおいて、第3図の
ようにp型の基板1を用いた場合には下クラッド層4の
Znが拡散し、p−n接合の位置が本来設計されている
活性層6内ではなく、上クラタド層7内に移動してしま
い、その結果、動作電圧が高くなるなどの問題点があっ
た。
た、p型のドーパントによる結晶中を移動し易いZnを
用いているため、その製造プロセスにおいて、第3図の
ようにp型の基板1を用いた場合には下クラッド層4の
Znが拡散し、p−n接合の位置が本来設計されている
活性層6内ではなく、上クラタド層7内に移動してしま
い、その結果、動作電圧が高くなるなどの問題点があっ
た。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、製造中に活性層におけるV−n接合の位置
が移動することを防止した半導体発光装置を得ることを
目的とする。
れたもので、製造中に活性層におけるV−n接合の位置
が移動することを防止した半導体発光装置を得ることを
目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕 ゛この発明に係る
半導体発光装置は、ドーピングされた下クラッド層と活
性層との間または上クラッド層と活性層との間にノンド
ープ層を介在させたものである。
半導体発光装置は、ドーピングされた下クラッド層と活
性層との間または上クラッド層と活性層との間にノンド
ープ層を介在させたものである。
この発明においては、下クラッド層と活性層との間また
ば上クラッド層と活性層との間にノンドープ層を介在さ
せたことから、ノンドープ層は、下クラッド層または上
クラッド層より拡散してきたZnが活性層もしくは上ク
ラッド層に達するのを防ぎ、p−n接合位置を常に活性
層にあるようにする。
ば上クラッド層と活性層との間にノンドープ層を介在さ
せたことから、ノンドープ層は、下クラッド層または上
クラッド層より拡散してきたZnが活性層もしくは上ク
ラッド層に達するのを防ぎ、p−n接合位置を常に活性
層にあるようにする。
この発明の一実施例を第1図について説明する。
この図において、第3図と同じ符号は同じものを示し、
5は前記下クラッド層4と活性層6との間に介在せしめ
たノンドープ層で、Aj’6.45G&。、S!Aj1
層である。
5は前記下クラッド層4と活性層6との間に介在せしめ
たノンドープ層で、Aj’6.45G&。、S!Aj1
層である。
MOCVD法やその他の気相エピタキシャル成長法もし
くはM B E 71においては、■族元素と■族元素
の流量比、あるいはフラックス強度比を適当に選ぶこと
により、ノンドープ結晶の伝導型をp型にもn型にもす
ることができる。
くはM B E 71においては、■族元素と■族元素
の流量比、あるいはフラックス強度比を適当に選ぶこと
により、ノンドープ結晶の伝導型をp型にもn型にもす
ることができる。
第2図はその様子をGaAsのMOCVD法による成長
の場合について示したものである。この発明に係るノン
ドープ層5であるAIo、 4SG aO,5iAs層
もV−11比の小さい領域でエピタキシャル成長すると
、p型の伝導型を示すようにすることができる。このよ
うにして成長されたノンドープ層5は電気的・光学的に
は第3図における下クラッド層4と同等の働きをする。
の場合について示したものである。この発明に係るノン
ドープ層5であるAIo、 4SG aO,5iAs層
もV−11比の小さい領域でエピタキシャル成長すると
、p型の伝導型を示すようにすることができる。このよ
うにして成長されたノンドープ層5は電気的・光学的に
は第3図における下クラッド層4と同等の働きをする。
しかし、ノンドープ層5はその名の通り何もドープされ
ていないため、エピタキシャル成長中に下クラッド層4
から拡散してくるZnを活性層6もしくは上クラッド層
7まで到達することを防止してNP ”接合位置を活
性層6に常にあるようにする働きをする。
ていないため、エピタキシャル成長中に下クラッド層4
から拡散してくるZnを活性層6もしくは上クラッド層
7まで到達することを防止してNP ”接合位置を活
性層6に常にあるようにする働きをする。
なお、上記実施例では、p型基板を用いた下クラッド層
4と活性層6との間にノンドープ層5を設けたものを示
したが、n型基板を用いる際には、上クラッド層7と活
性層6との間にノンドープ層5を設けてもよいことはい
うまでもない。
4と活性層6との間にノンドープ層5を設けたものを示
したが、n型基板を用いる際には、上クラッド層7と活
性層6との間にノンドープ層5を設けてもよいことはい
うまでもない。
この発明は以上説明したとおし、ドーピングされた下ク
ラッド層と活性層との同または上クラッド層と活性層と
の間にノンドープ層を介在させたので、常にp −n接
合位置を活性層内に保つことができる効果がある。
ラッド層と活性層との同または上クラッド層と活性層と
の間にノンドープ層を介在させたので、常にp −n接
合位置を活性層内に保つことができる効果がある。
第1図は乙の発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図、第2図はMOCVD法における■/■比と伝導型
との関係を示す図、第3図は従来の半導体発光装置を示
す断面図である。 図において、1は基板、4は下クラッド層、5はノンド
ープ層、6は活性層、7は上クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 V/m比 第3図
面図、第2図はMOCVD法における■/■比と伝導型
との関係を示す図、第3図は従来の半導体発光装置を示
す断面図である。 図において、1は基板、4は下クラッド層、5はノンド
ープ層、6は活性層、7は上クラッド層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 (外2名)第1図 第2図 V/m比 第3図
Claims (1)
- ダブルヘテロ構造の半導体発光装置において、ドーピン
グされた下クラッド層と活性層との間または上クラッド
層と活性層との間にノンドープ層を介在させたことを特
徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23642186A JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23642186A JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6390186A true JPS6390186A (ja) | 1988-04-21 |
Family
ID=17000505
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23642186A Pending JPS6390186A (ja) | 1986-10-02 | 1986-10-02 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6390186A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
-
1986
- 1986-10-02 JP JP23642186A patent/JPS6390186A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0449553A2 (en) * | 1990-03-27 | 1991-10-02 | Sony Corporation | Semiconductor lasers |
US6798808B1 (en) | 1999-01-29 | 2004-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
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