JPH03274027A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH03274027A JPH03274027A JP2074134A JP7413490A JPH03274027A JP H03274027 A JPH03274027 A JP H03274027A JP 2074134 A JP2074134 A JP 2074134A JP 7413490 A JP7413490 A JP 7413490A JP H03274027 A JPH03274027 A JP H03274027A
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- JP
- Japan
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- film
- glass substrate
- insulating film
- liquid crystal
- crystal display
- Prior art date
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- Pending
Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアクティブ・マトリックス液晶表示装置の薄膜
トランジスタ部の構造に関する。
トランジスタ部の構造に関する。
［従来の技術］
アクティブ・マトリックス液晶表示装置は、通常ガラス
基板上に直接か又は絶縁膜を介して薄膜トランジスタを
形成するのが通例であった。
基板上に直接か又は絶縁膜を介して薄膜トランジスタを
形成するのが通例であった。
〔発明が解決しようとする課題１
しかし、上記従来技術によると、ガラス基板中の主とし
て正イオンが薄膜トランジスタに正電界を付与し、薄膜
トランジスタの電気的特性、（しきい値電圧、増巾率、
リーク電流値等）を大きく変動させたり、バラツキを生
じさせたりすると言う課題があった。
て正イオンが薄膜トランジスタに正電界を付与し、薄膜
トランジスタの電気的特性、（しきい値電圧、増巾率、
リーク電流値等）を大きく変動させたり、バラツキを生
じさせたりすると言う課題があった。
本発明はかかる従来技術の課題を解決し、特性が安定で
バラツキの無いアクティブ・マトリックス液晶表示装置
の薄膜トランジスタ部の新しい構造を提供する事を目的
とする。
バラツキの無いアクティブ・マトリックス液晶表示装置
の薄膜トランジスタ部の新しい構造を提供する事を目的
とする。
〔課題を解決するための手段１
上記課題を解決する為に、本発明は、液晶表示装置に関
し、 （１）ガラス基板上にＩＴＯＩ膜等の透明電極膜を形成
し、該透明電極膜上にＳ ｉ Ｏ２膜等の絶縁膜を形成
し、該絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成する手段を取
る事、及び、 （２）ガラス基板上に直接又は５ｉＯ−膜等の絶縁膜を
介して薄膜トランジスタを形成すると共に、前記ガラス
基板裏面にＩＴＯ膜等の透明電極膜を形成する手段を取
る事、 等である。
し、 （１）ガラス基板上にＩＴＯＩ膜等の透明電極膜を形成
し、該透明電極膜上にＳ ｉ Ｏ２膜等の絶縁膜を形成
し、該絶縁膜上に薄膜トランジスタを形成する手段を取
る事、及び、 （２）ガラス基板上に直接又は５ｉＯ−膜等の絶縁膜を
介して薄膜トランジスタを形成すると共に、前記ガラス
基板裏面にＩＴＯ膜等の透明電極膜を形成する手段を取
る事、 等である。
〔実 施 例］
以下、実施例により本発明を詳述する。
第１図及び第２図は、本発明の実施例を示す。
アクティブ・マトリックス液晶表示装置のトランジスタ
部の断面図である。
部の断面図である。
第１図では、ガラス基板Ｉの表面にＩＴＯＲｆ！２が形
成され、該ＩＴＯ膜２上２上２上縁膜形成され、該絶縁
１ｉ３上に、シリコン膜４、ゲート絶縁膜５およびゲー
ト電極６とから成るＭＩＳ型電界効果トランジスタが形
成されて成る。尚、ＩＴＯ膜２には通常、接地電位が付
与されてガラス基板１中のイオンによる電界を遮へいし
て用いられる。
成され、該ＩＴＯ膜２上２上２上縁膜形成され、該絶縁
１ｉ３上に、シリコン膜４、ゲート絶縁膜５およびゲー
ト電極６とから成るＭＩＳ型電界効果トランジスタが形
成されて成る。尚、ＩＴＯ膜２には通常、接地電位が付
与されてガラス基板１中のイオンによる電界を遮へいし
て用いられる。
第２図ではガラス基板１１の裏面にはＩＴＯＩＩ１１２
が形成され、前記ガラス基板１１の表面には絶縁膜１３
を介してシリコン膜１４、ゲート絶縁膜１５及びゲート
電極１６からなるＭＩＳ型電界効果トランジスタが形成
されて成る。尚ＩＴＯ膜１２には直流電圧が調整されて
付与される事となる。
が形成され、前記ガラス基板１１の表面には絶縁膜１３
を介してシリコン膜１４、ゲート絶縁膜１５及びゲート
電極１６からなるＭＩＳ型電界効果トランジスタが形成
されて成る。尚ＩＴＯ膜１２には直流電圧が調整されて
付与される事となる。
〔発明の効果１
本発明の如く、ガラス基板中のイオンから来る電界を透
明電極で遮へいするか、制御する事により、アクティブ
・マトリックス液晶表示装置のトランジスタの電気的特
性を安定させる事が出来る効果があると共に、液晶表示
装置の表示特性の劣化もなく、バラツキを無くする事が
できる効果らある。
明電極で遮へいするか、制御する事により、アクティブ
・マトリックス液晶表示装置のトランジスタの電気的特
性を安定させる事が出来る効果があると共に、液晶表示
装置の表示特性の劣化もなく、バラツキを無くする事が
できる効果らある。
第１図及び第２図は本発明の実施例を示すアクティブ・
マトリックス液晶表示装置のトランジスタ部の断面図で
ある。 １ ２ ３ ４ ５ ６ ・ガラス基板 ・ＩＴＯＩ！ ・絶縁膜 ・シリコン膜 ・ゲート絶縁膜 ・ゲート電極 ６ケ゛−ト電イみ 以上
マトリックス液晶表示装置のトランジスタ部の断面図で
ある。 １ ２ ３ ４ ５ ６ ・ガラス基板 ・ＩＴＯＩ！ ・絶縁膜 ・シリコン膜 ・ゲート絶縁膜 ・ゲート電極 ６ケ゛−ト電イみ 以上
Claims (2)
- （１）ガラス基板上にはＩＴＯ膜等の透明電極膜が形成
され、該透明電極膜上にはＳｉＯ＿２膜等の絶縁膜が形
成され、該絶縁膜上には薄膜トランジスタが形成されて
成る事を特徴とする液晶表示装置。 - （２）ガラス基板上には直接又は、ＳｉＯ＿２等の絶縁
膜を介して薄膜トランジスタが形成されて成ると共に、
前記ガラス基板裏面にはＩＴＯ膜等の透明電極膜が形成
されて成る事を特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074134A JPH03274027A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2074134A JPH03274027A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03274027A true JPH03274027A (ja) | 1991-12-05 |
Family
ID=13538417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2074134A Pending JPH03274027A (ja) | 1990-03-24 | 1990-03-24 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03274027A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04273166A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
| US9623360B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-04-18 | Corning Incorporated | Porous ceramic article and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-03-24 JP JP2074134A patent/JPH03274027A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04273166A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-29 | Nec Corp | 薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法 |
| US9623360B2 (en) | 2013-05-20 | 2017-04-18 | Corning Incorporated | Porous ceramic article and method of manufacturing the same |
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