JPH0326390A - 純水製造装置 - Google Patents

純水製造装置

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JPH0326390A
JPH0326390A JP1163112A JP16311289A JPH0326390A JP H0326390 A JPH0326390 A JP H0326390A JP 1163112 A JP1163112 A JP 1163112A JP 16311289 A JP16311289 A JP 16311289A JP H0326390 A JPH0326390 A JP H0326390A
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JP
Japan
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water
cdi
exchange resin
anion
exchange membrane
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JP1163112A
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English (en)
Inventor
Yoshihiro Eto
良弘 恵藤
Tomoaki Deguchi
出口 智章
Shinichi Omura
愼一 大村
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Kurita Water Industries Ltd
Original Assignee
Kurita Water Industries Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体製造工場や原子力発電所等で広く使用
されている純水やいわゆる超純水を連続的に製造する純
水製造装置に関する。
[従来の技術] LSIや超LSIの製造においては、多量の純水や超純
水が用いられている。
従来、純水の製造装置として、イオン交換膜及びイオン
交換樹脂を装填した電気透析器(以下rCDIJと略称
することがある。)が知られている(特開昭61−10
7906号)。CDIは塩の大量除去から逆浸透による
製造水の純化に至るまでの幅広い原水の効果的な脱イオ
ンが可能である。
CDIによる水の脱イオン作用について、第3図を参照
して説明する。
第3図では、印加直流電位は(+)と(=)で表わされ
ている。本例においては、アニオン交換膜31とカヂオ
ン交換膜32との間で濃縮室35aが、カチオン交換膜
32とアニオン交換膜33との間で希釈室36が、アニ
オン交換膜33とカチオン交換膜34との間で濃縮室3
5bか形成されている。そして、希釈室36内には、カ
チオン交換樹脂37とアニオン交換樹脂38とのぞ昆床
樹脂が充填されている。原水中のイオンはNa+及びC
j2−により代表して示す。希釈室36に入ったイオン
は親和力、濃度及び移動度に基いてイオン交換樹脂37
、38と反応する。イオンは電位の傾きの方向に樹脂中
を移動し、更に膜32又は33を横切って移動し、すべ
ての室において電荷の中和が保たれる。そして、膜の半
浸透特性のため、並びに電位の傾きの方向性のために、
溶液中のイオンは希釈室36では減少し、隣りの濃縮室
35a,35bでは濃縮されることになる。このため、
希釈室36から脱イオン水が回収される。
CDIはイオン交換樹脂のように再生を必要とせず、完
全な連続採水か可能で、極めて高純度の水が得られると
いう優れた効果を奏する。
[発明が解決しようとする課題コ しかしながら、CDIによる純水製造においては、原水
中のSiO2の除去が十分になされないという欠点があ
った。即ち、CDIでのSi02除去率は通水初期にお
いては比較的高いが、通水を141!続してイオン交換
樹脂が飽和すると低くなり、例えば、電圧100V、電
流0.2Aでは通水10〜30日後においてSto2の
除去率は30%以下となる。
本発明は上記従来の問題点を解決し、CDIにおけるS
iO2除去率を向上させることにより極めて高純度の処
理水を安定に得ることができる純水製造装置を提供する
ことを目的とする。
[課題を解決するための手段] 本発明の純水製造装置は、複数のア二オン交換膜及びカ
チオン交換膜を交互に配列して濃縮室と希釈室とを交互
に形成してなり、前記希釈室にはアニオン交換樹脂とカ
チオン交換樹脂とが混合されて充填されている電気透析
器(CDI)を備える純水製造装置に関し、このCDI
に供給される原水を弱酸性化する手段を備えている。
[作用コ 前述の如く、従来のCDIによる純水の製造においては
、十分に高いSiO2除去率を安定に得ることができな
いが、これは、Si02が解離していないために電気に
よる移動速度が遅いためである。
本発明者らは、CDIによるSi02除去率を向上させ
る方法について種々検討を重ねた結果、CDIに弱酸性
化した原水を供給してCDIのイオン交換樹脂中のSi
02を溶離させることにより、SiO2除去率が大幅に
向上し、しかもこのようなSi02の溶離によれば、S
i02のみが除去されて、他の水質に悪影響を及ぼすこ
とはないことを見出した。本発明はこのような知見をも
とに完威されたものである。
[実施例] 以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する
第1図は本発明の純水製造装置の一実施例を示す系統図
、第2図はCDIの一実施例を示す系統図である。
第1図に示す純水製造装置は、逆浸透膜分離器(RO)
1及び電気透析器(Cl:l)2から主として構成され
ており、RO処理水を弱酸性化するために、これに酸を
供給するための配管10がRotから排出される水をC
DI2に送給するための配管12(なお、この配管12
は、後述するCDIの濃縮室への給水配管12a及び希
釈室への給水配管12bに分岐している。)に接続され
ている。配管13、14はそれぞれCDI2の処理水を
取り出すための配管、CDI2の濃縮水な取り出すため
の配管であり、配管15はR O fl4縮水を取り出
すための配管である。
本発明において、弱酸性化手段としては、第1図に示す
如く、CDIの原水(CDIの流入水)に酸、例えば硫
酸、塩酸等を添加する手段の他、原水の一部又は全部を
H形強酸性カチオン交換樹脂と接触させる手段等を採用
するこどもできる。
本発明においては、このような弱酸性化手段により弱酸
性化させた原水をCDIに供給してCDIのイオン交換
樹脂中に飽和吸着したSiO2を溶離させることにより
、CDIのイオン交換樹脂のSiO2吸着能を回復させ
る。
本発明において、CDIのイオン交換樹脂中のSiO2
を溶離させるためにCDIに流入させる弱酸性化処理水
のpHは高過ぎると本発明による効果が十分に得られな
いが、過度に低過ぎると、CDIのイオン交換樹脂中の
他のイオンも脱離して処理水質が悪化する。従って、C
DIに流入させる弱酸性化処理水のpHは4〜6.5、
特に5〜6とするのが好適である。また、このような弱
酸性化処理水のCDIへの通水時間は、10〜30日に
1回とし、1回の通水時間は0.5〜3日程度とするの
が好ましい。なお、酸添加手段のような弱酸性化手段は
、第1図に示す如く、CDIの直前に設けるのか好まし
いが、特にこれに限定されるものではない。
第1図に示す構成の純水製造装置において、工業用水、
市水、井水などの原水は、ROIにて処理され、更に配
管10より所定の周期で所定期間適当量の酸が添加され
て弱酸性化された後、CDI2に供給される。
次にCDI2におCプる処理について、第2図を参照し
て説明する。図示の如く、CDI2は、容器20内に複
数のアニオン交換111Aとカチオン交換膜Cとが交互
に並列に配置されており、それぞれ濃縮室21と希釈室
22とが交互に隔成されている。そして、希釈室22に
は、アニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂との混合物2
3が充填されている。24は一極、25は十極である。
前処理された原水は、配管12から、CDI2の濃縮室
21への給水配管12a及び希釈室22への給水配管1
2bに分岐され、それぞれ濃縮室21及び希釈室22に
供給される。
CDI2に供給された水は、前述の第3図にて説明した
原理により、Na十等のカチ才ンはカチ才ン交換膜Cを
透過して、し1等のアニオンはアニオン交換膜Aを透過
して、それぞれ濃縮室21内に濃縮される。C02が転
化して生成したH C O 3一等も、アニオン交換膜
Aを透過して濃縮室21内に濃縮される。このようにし
てアニオン、カチオンが除去された処理水は、希釈室2
2より配管13を経て排出され必要に応じて後処理され
た後、ユースポイントへ送給される。濃縮室21内の濃
縮水は配管14より排出される。
第1図に示す実施例においては、逆浸透膜分離器(RO
)1を設けてある。このROは必須ではなく、なくても
良いが、ROを配設することにより、原水中の電解貿、
TOC威分を効率的に除去することができ、CDIにお
ける負荷を低減し、高純度の処理水を得ることができる
。このようにROを設けた場合には、CDIの濃縮水を
ROの上流側に循環しても良い。この場合には、廃水量
の低減及び原水量の節水を図ることが可能とされる。
なお、ROに装着する逆浸透膜としては、ボリアミド膜
、酢酸セルロース膜、アラくド系膜等の通常の市販膜を
用いることができる。
ところで,CDIによる純水の製造にあたり、原水中に
溶存するCO2はCDIにおける処理に悪影響を及ぼす
即ち、CDIでの電気再生において、吸着される全カチ
オン、全アニオンのバランスは1:1が好ましい。この
比率が大幅にはずれる場合、多い方のイオンは再生され
ずに残留することになり、処理水にリークするものと推
定される。工業用水等を原水として利用する場合、含有
されるカチオンとアニオンとのバランスを考えると、C
02の存在が大きく影響している。従って、原水中に含
有されるCO2をできるだけ少なくすることが、CDI
における安定処理に必要とされる。
このようなことから、本発明においては、CDIに供給
される原水を脱炭酸処理することにより、溶存するCO
2を除去するのが好ましい。
或いは、CDIに供給される原水にアルカリを添加して
溶存するCO2をHCO3−に転化することにより、溶
存CO2量を低減するのが好ましい。この場合、原水に
アルカリを添加して約pH7以上とすることにより、溶
存するCO2(H2 COs )がHCO3−に転化さ
れ、HCO2−はCDIによる処理により容易に除去可
能である。
本発明においては、特に、原水を脱炭酸処理することに
より溶存するCO2を除去するのが好ましい。
上記の脱炭酸手段としては、例えば次の■〜■のような
手段が挙げられる。
■ 真空脱気塔。
■ 脱炭酸塔。即ち、N2ガスにより曝気する。この場
合、酸を添加し、p’Hな低く(pH:5.0〜5 5
程度)して曝気するのが有利である。
■ 膜脱気塔。
以下、実験例について説明する。
実験例1 (本発明例) 第1図に示す本発明の純水製造装置を用い、神奈川県厚
木市水を処理した。RO1としては、架橋アラミド系複
合膜を有するスパイラル型8インチモジュールを内蔵し
た逆浸透分離器を配列した。配管10からは、酸として
、硫酸をRO処理水に間欠注入し、所定のpHに弱酸性
化した。
また、CDI2としては、ポリプロピレン系樹脂のアニ
オン交換膜及ひカチオン交換膜(1枚当り約0.5mF
)を各30枚、第2図に示すように交互に配列し(第2
図に示す図では、希釈室は3室しか形成されていないが
、本実施例においては、各々30枚のアニオン交換膜及
びカチオン交換膜を用いて、希釈室を30室形威した)
、H形強酸性アニオン交換樹脂とOH形強塩基性アニオ
ン交換樹脂を容積比40 : 60で混合したもの約3
0℃を各希釈室に充填したものを用いた。
CDIの通水条件は下記の通りとした。
給  水  量:1.2rn’/hr 処理水流量・1.Orn’/hr 濃縮水流量:0.2m’/hr 電  圧  :100V 水  温  : 1 3〜1 5℃ このような装置により、25日間通水を行なった後(即
ち、配管10からの酸の注入を行なわずに通水を行なっ
た後)(通水工程工)、3日間配管10からの酸注入を
行なってSi02の溶離を行ない(S i 02溶離工
程)、その後、酸注入を停止して5日間通水を行なっk
(通水工程II )。
通水工程工、SiO2溶離工程及び通水工程IIの各最
終日の処理水質、St○2除去率等を第1表に示す。
11 12 第  1  表 第1表より明らかなように、通水工程Iの25日目CD
’I処理水はSto2濃度が高く、SiO2除去率が低
いが、通水工程IIのCDI処理水のSto2濃度は低
く、Si02が高度に除去されている。即ち、弱酸性化
した原水をCDIに供給してCDIのイオン交換樹脂中
に吸着しているSi02を溶離させるSiO2溶離工程
を設けることにより、CDIのSt○2除去率が回復し
、CDI処理水の水質が大幅に向上することが明らかで
ある。
なお、SiO2溶離工程のlA理水はアニオン交換樹脂
塔に通水してSiO2を除去することもできる。
[発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の純水製造装置によれば、C
DIを利用した処理において、Si02の除去率を高め
、比抵抗が高く極めて高純度の純水を安定かつ効率的に
製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の純水製造装置の一実旅例を示す系統図
、第2図はCDIの一実施例を示す系統図、第3図はC
DIの原理を説明する構成図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数のアニオン交換膜及びカチオン交換膜を交互
    に配列して濃縮室と希釈室とを交互に形成してなり、前
    記希釈室にはアニオン交換樹脂とカチオン交換樹脂とが
    混合されて充填されている電気透析器を備える純水製造
    装置であって、該電気透析器に供給される原水を弱酸性
    化する手段を備えることを特徴とする純水製造装置。
JP1163112A 1989-06-26 1989-06-26 純水製造装置 Pending JPH0326390A (ja)

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