JPS6336890A - 高純度水の製造装置 - Google Patents

高純度水の製造装置

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JPS6336890A
JPS6336890A JP61176975A JP17697586A JPS6336890A JP S6336890 A JPS6336890 A JP S6336890A JP 61176975 A JP61176975 A JP 61176975A JP 17697586 A JP17697586 A JP 17697586A JP S6336890 A JPS6336890 A JP S6336890A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、半導体製造工場や原子力発電所等で広く使用
されている純水やいわゆる超純水を連続的に製造する高
純度水の製造装置に関する。
[従来の技術] LSIや超LSIの製造においては、多ユの純水や超純
水が用いられている。超純水は理論純水(H2Oのみか
らなる水)の比抵抗18.24MΩ・cmに極めて近く
、17〜18MΩ・cmの比抵抗を有する純水である。
従来の超純水製造装置は第2図に示す如く、前処理シス
テムA、1次純水システムB及びサブシステムCから構
成されている。しかして、第2図の装置において、市・
水、工業用水又は井水等の原水は、前処理システムAに
おいて、活性炭、砂、その他の濾材等で濾過処理され、
または凝集沈殿/A埋され、あるいはこれらのIA埋を
組合せた処理等を施され、1次純水システムBに送給さ
れる。
1次純水システムBは逆浸透(RO)装置21、カチオ
ン交換塔及びアニオン交換塔(両交換塔の間にアニオン
交換樹脂の負担を軽減するための脱炭酸塔(図示せず)
を備える)からなるイオン交換装置22、並びに、処理
水の純度を更に高めるためのカチオン交換樹脂とアニオ
ン交換樹脂との混合イオン交換処理装置である混床塔2
3からなる。この混床塔23の処理水は、紫外線酸化処
理装置及び非再生型イオン交換器又は限外濾過器等から
なるサブシステムCにおいて、最終的に処理され、超純
水が得られる。製造された超純水は、ウェハー洗浄工程
等のユースポイントへ送られる。
第2図の従来装置において、1次純水システムBの構成
の詳細は第3図に示す通りである。第3図の如く、前処
理された原水は、HOCu及び酸を添加した後、逆浸透
装置21で膜分列処理される。この透過水は、含有する
残留塩素を還元作用により除去するためにNaHSO3
が添加された後、イオン交換装置22に送られる。この
イオン交換装置22は、2床3塔式のうちイオン交換塔
を2系列設置してあり、カチオン交換塔(H塔)31a
及び31b、脱ガス塔32、アニオン交換塔(OH塔)
33a及び33bよりなる。カチオン塔31a、b及び
アニオン塔33a、bは、各々、並列に2基ずつ設けら
れているが、これは、一方が再生時のときでも他方で処
理することにより、運転を停止せず、純水採水を継続し
てできるようにするためである。なお、34はカチオン
塔再生装置、35はアニオン塔再生装置である。イオン
交換装置22の処理水は、前述の如く、混床塔23で処
理された後、サブシステムに送られる。なお、この混床
塔23のイオン交換樹脂も再生する必要があるが、再生
の頌度は前段のイオン交換装W22のアニオン塔やカチ
オン塔に比べて低く、ユースポイントの休止時等に再生
することができることから、特に並列して設ける必要は
ない。
[発明が解決しようとする問題点] このような従来の純水製造装置は、1次純水システムに
イオン交換装置を備えているところから、次の問題があ
った。
■ イオン交換装置は、平均して、1〜5日に1回の割
合でイオン交換樹脂の再生操作が必要でり、再生のため
の設備や再生剤、更には再生廃液の処理設備が不可欠で
ある。また、1系列のみで構成した単一装置による連続
運転は不可能であり、単一装置の場合には運転を休止し
て再生を行わねばならない。
■ 第2図に示すようにイオン交換装置を2系列とすれ
ば、連続運転が可能であるが、この場合においても、再
生装置、再生廃液処理装置等を省くことはできず、再生
剤の消費も伴う。
■ 前段のイオン交換装置のイオン交換樹脂からの溶出
物が、後段のイオン交換樹脂へ悪影響、例えば再生後の
立上りの悪化、BTCの減少等を及ぼす恐れがあり、同
時にTOC成分の増加をもたらす。
■ イオン交換装置の給水(逆浸透装置透過水)中の残
留塩素を還元作用により消去する目的でNaH3O3が
使用されているが、このNaH3O3は後段のイオン交
換樹脂を劣化させることがある。
■ 一般に、2つの脱気装置を脱炭酸及び脱酸素等の目
的で必要とし、設備構成が大型化する。
[問題点を解決するための手段] 本発明の高純度水の製造装置は、活性炭等により前/A
埋した原水を逆浸透膜lA埋する第1の逆浸透膜分離器
と、該第1の逆浸透膜分離器の透過水を脱ガスする脱ガ
ス塔と、該脱ガス塔の処理水を逆浸透膜処理する第2の
逆浸透膜分離器と、第2の逆浸透膜分離器の透過水を取
り出す系及び第2の逆浸透膜分離器の濃縮水を前記第1
の逆浸透膜分離器の原水供給系に返送するための系とを
備えたものである。
[作用] 本発明の高純爪木製造装置は、市水、工業用水、井水等
を前処理した原水を、2段に設けた逆浸透膜分離器から
なる主要システムで処理するものであり、各系の作用は
下記の通りである。
■ 必要に応じて、原水に殺菌剤を添加することにより
、第1の逆浸透膜分離器の逆浸透膜や脱ガス塔内が殺菌
さね、微生物による劣化やスライム発生による回収率の
低下等が防止され、これらの装置の性能維持に有効であ
る。
■ 必要に応じて、原水にpH調整剤を添加することに
より、第1の逆浸透膜分離器の逆浸透膜の加水分解が最
小限におさえられ、CaCO3等の膜面への析出が防止
され、膜性能が高く維持される。また、脱ガス塔におけ
る脱ガス性能、特に溶存CO2の脱ガス性能が向上され
る。
■ 第1の逆浸透膜分離器により十分に脱塩され、被処
理水中の電解質の大部分、例えば95%程度が分離され
る。同時にTOC成分も除去される。
■ 脱ガス塔により、被処理水中の溶存ガス、特にCo
2.02が除去される。
■ 必要に応じて第1の逆浸透膜分離器の透過水に還元
剤を添加することにより、透過水中の残留塩素が還元除
去され、また菌の増殖が抑制され、第2の逆浸透膜面へ
の菌付看が防止される。
■ 第2の逆浸透膜分離器により更に脱塩が行われ、原
水中に含まれていた電解質の殆ど全て、例えば98%程
度が分離される。同時にTOC成分も除去される。また
濃縮液を第1の逆浸透膜分離器t器の原水供給系に戻す
ことにより、濃縮液の有効利用が図れる。
■ 第2の逆浸′J!i膜分離器の透過水を更に混床式
イオン交換装置で処理した場合には、処理水の水質はよ
り高められ、その比抵抗値が理論純水に極めて近いもの
となる。
[実施例] 以下に本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
第1図は本発明の高純度水の製造装置の一実施例を示す
系統図である。
図示の実施例に係る装置は、第1の逆浸透膜分離器1、
脱ガス塔2、第2の逆浸透膜分離器3及び混床塔4から
主として構成されており、活性炭等により前IA埋した
原水を第1の逆浸透膜分離器1に送給する配管11、原
水に殺菌剤を添加する配管12、原水にpH調整剤を添
加する配管13、第1の逆浸透膜分離器1の透過水を脱
ガス塔2に送給する配管14、脱ガス塔2の処理水を第
2の逆浸透膜分離器3に送給する配管I5、第2の逆浸
透膜分離器2の透過水に還元剤を添加する配管16、第
2の逆浸透膜分離器の透過水を混床塔4に送給する配管
17、第2の逆浸透膜分離器の濃縮水を第1の逆浸透膜
分離器1の上流側に戻す配管18、混床塔4の処理水を
サブシステム等に送給する配管19を備えている。
このような本発明の装置による原水の処理手順について
、以下に説明する。
第1図に示す如く、原水である市水、工業用水、井水等
に活性炭吸着等の通常の前処理を施した@処理水は、配
管11により第1の逆浸透膜分離器1に供給されるが、
その過程で、必要に応じて、配管12及び配管13より
殺菌剤及びpH調整剤が添加される。
配管12により添加される殺菌剤としては、CIL2、
HOCJZやNaCl1O等塩素系のものや硫酸銅が好
適に用いられ、その殺菌作用が奏される程度、即ち、原
水中の残留塩素として0.2〜1.0ppm程度、ある
いは硫酸銅として0. 1〜0.5ppm程度検出され
るように調整・添加される。
この殺菌剤の注入により、第1の逆浸透膜分離器1の逆
浸透膜が微生物により劣化して、溶解成分の除去性能が
低下したり、スライムの発生・付着による汚染で透過率
が低下したりするのが防止される。また、後段の脱ガス
塔2において、微生物イ9染による脱ガス性能の低下が
防止される。
なお、小型装置においては、殺菌剤としてNaCll0
を用いるのが好適である。殺菌剤は、処理する原水中に
、前記殺菌成分がその殺菌作用を奏する程度に含有され
ている場合には、これを特に添加する必要はない。
配管13より添加されるpH調整剤としては、H2SO
4、HCJ2等の酸が用いられ、原水のpHが5.5以
下、好ましくは4〜5.5となるように調整される。こ
のように、原水のpHを調整することにより、第1の逆
浸透膜分離器1において、逆浸透膜として酢酸セルロー
ス系のものを使用した場合、その加水分解による劣化が
最小限におさえられ、また、CaCO3等の膜面への析
出付着も防止される。しかも、被処理水中の炭酸成分の
90%以上がCO2となり、後段の脱ガス塔2での脱ガ
ス性能の向上、特に溶存CO2の除去に有効である。
第1の逆浸透膜分離器1においては、被処理水の有効利
用の面から回収率を比較的高く、例えば75%以上、特
に75〜90%程度で運転するのが好ましい。また逆浸
透膜としては、殺菌剤の塩素、硫酸銅等に対して耐久性
を有し、長期運転における安定性に優れる酢酸セルロー
ス膜を用いるのが好ましい。
第1の逆浸透膜分離器1により、被処理水中の電解質、
TOC成分が除去される。なお、第1の逆浸透膜分離器
1においては、後段の第2の逆浸透膜分離器3における
負荷を低減し、高純度の処理水を得るために、被処理水
中の電解質の大部分、例えば、N a CIt 200
0 m g / Itの供給水に対しては、95%以上
、好ましくは98%以上の塩除去率となるように運転す
るのが好ましい。
第1の逆浸透膜分離器2の透過水(以下、「第1の透過
水」ということがある。)は、次いで配管14により脱
ガス塔2に送給される。
脱ガス塔2としては、原水を真空中に置くことにより、
溶存ガスを除去する方式の真空式脱ガス塔を用いるのが
最適であるが、気曝により溶存ガスを除去する脱炭酸塔
等を用いることもできる。
脱ガス塔2により第1の透過水を処理することにより、
後段の第2の逆浸透膜分離器3にて除去困難で、しかも
混床塔4における負荷となる溶存CO2や溶存02、そ
の他の溶存ガスが最大限に除去され、処理水の純度が高
められると共に、後段の第2の逆浸透膜分離器3の膜負
荷や混床塔4の負荷が低減される。
脱ガス塔2は、CO2成分の効率的除去のためには、p
H5,5以下、特に4〜5.5程度で運転するのが好ま
しい。また、脱ガス塔2として、真空式脱ガス塔を用い
る場合には、真空度20mmHg程度で運転するのが好
適である。脱ガス塔2として、脱炭酸塔を用いる場合に
は、1塔以上の直列で使用し、N2による曝気を行なう
のが好適である。
脱ガス塔2の処理水は、次いで配管15により第2の逆
浸透膜分離器3に送給されるが、その際に必要に応じて
配管16より、還元剤が添加される。この還元剤として
は、ヒドラジンを用いるのが好ましい。
還元剤としてヒドラジンを用いる場合、その添加二は脱
ガス塔2の処理水中のヒドラジン濃度が5ppm程度、
あるいはそれ以上検出されるような愈とするのが好まし
い。ヒドラジン等の還元剤添加により、脱ガス塔2の処
理水中の酸素や残留塩素等の酸化剤成分が、下記式に従
って還元されて速やかに除去される。
N2 H4+02 ”N2 +2H2OH2H4+2C
J!2→N 2 + 4 HCn後述の如く、第2の逆
浸透膜分離器3においては、逆浸透膜としてポリアミド
膜等の高分子膜を用いるのが好ましいが、一般に、高分
子膜は耐酸化剤性が殆どない。このため、還元剤の添加
により、酸化剤を還元除去しておくことにより、膜劣化
を防止することができる。特に、残留塩素は、逆浸透膜
を通過して後段の混床塔4のイオン交換樹脂に悪影晋を
及ぼす恐れがあることから、還元剤により還元除去する
のが望ましい。
なお、還元剤としてはNaH3O3等の他の還元剤も知
られているが、NaH3O3等の如く、還元反応により
電解質分の増加がおきるものは好ましくなく、前記式に
示す如く、還元により不活性なN2ガスを生起するのみ
のヒドラジンを用いるのが、脱ガス塔の処理水の純度を
低下させることがないことから最も好ましい。
また、5ppm程度のヒドラジンは菌の増殖抑制効果を
有するため、後段の第2の逆浸透膜分離器の逆浸透膜に
菌が付着して劣化するのを防止することができる。
なお、本発明において、残留塩素の除去のために、還元
剤添加のかわりに、あるいは還元剤添加と併用して、活
性炭塔を脱ガス塔2と第2の逆浸透膜分離器3との間に
設け、脱ガス塔2の処理水を活性炭処理するようにして
も良い。この場合、活性炭は有機成分除去の作用も有し
、処理効果の向上に有効である。
還元剤添加及び/又は活性炭処理は、第2の逆浸透膜分
離器3の逆浸透膜として、残留塩素等に対して耐久性の
ある材質のものを用いる場合には、第2の逆浸透膜分離
器3と混床塔4との間で行なうような装置構成としても
良い。
還元剤を添加した脱ガス塔2の処理水は、次いで第2の
逆浸透膜分離器3に送給される。第2の逆浸透膜分離器
3においては、処理水の有効利用の面から、回収率は9
0%程度とし、またンn縮水は配管18により第1の逆
浸透膜分離器1の原水供給系に戻す。
第2の逆浸透膜分離器3により、被処理水中の電解質、
TOC成分が除去される。なお、第2の逆浸透膜分離器
3においては、後段の混床塔4における負荷を低減し、
高純度の処理水を得るために、被処理水中の電解質の殆
ど、例えばNaCf12000 m g / 1の供給
水に対しては、95%以上、好ましくは98%以上の塩
除去率となるように運転するのが好ましい。
このような第2の逆浸透膜分離器3により、被処理水中
の電解質の殆ど、例えば98%程度が脱塩される。
第2の逆浸透膜分離器3の透過水(以下、「第2の透過
水」ということがある。)は、十分に高純度であるが、
更に配管17により混床塔4に送給して処理することに
より、より一層高純度な純水を得ることが可能となる。
この場合、第2の透過水は、既に大部分の電解質が除去
されており、比抵抗値は例えばIMΩ・cm程度となっ
ている。このため、イオン交換装置に対する負荷が小さ
く、再生操作、再生装置、廃液処理設備が不必要である
ことから、混床塔4としては、高度にコンディショニン
グされたアニオン、カチオン交換樹脂を混合したもので
、一般にカートリッジボリッシャーと呼ばれる、非再生
型混床塔を用いるのが好ましい。この場合には、第1図
の如く、交換用混床塔4′を並列に設け、バルブ切換え
のみで新品と交換するようにするのが有利である。
混床塔4により、更に第2の透過水中の電解質の90%
以上が除去され、その比抵抗値が高められる。
混床塔4の処理水は配管20によりサブシステム等に送
給され、更に処理された後、ユースポイントに供給され
る。
なお、上記した混床塔4は省略して第2の透過水を直接
サブシステムに供給しても良い。この場合、サブシステ
ムの非再生型イオン交換器の容量を十分なものとする必
要がある。
本発明の高純度水の製造装置によれば、例えば、比抵抗
〉10MΩ・cm、溶存酸素<50PPb、シリカ<5
ppb%TOC<20ppb(as  c)  (原水
に対するTOC除去率98%以上)のような極めて高純
度の処理水を、単一装置にて長期間、例えば3〜12ケ
月間、連続的に生産することが可能である。
このような本発明装置は、超純水製造装置の一次純水系
として、あるいは、各種用途の純水又はボイラ給水等の
製造等、幅広い分野に極めて有効である。
以下、実験例について説明する。
実験例1 第1図に示す本発明の高純爪木製造装置を用い、神奈川
県厚木市の市水を活性炭吸着法により前処理して得られ
た、第1表に示す水質の原水の処理を行った。
なお、第1の逆浸透膜分離器1の逆浸透膜としては、酢
酸セルロース膜を用い、第2の逆浸透膜分離器3の逆浸
透膜としてはポリアミド膜を用いた。
原水はNaCn0により残留塩素が1 m g / I
tとなるようにし、またHCjZによりpH5に調整し
て、第1の逆浸透膜分離器1に送給した。第1の逆浸透
膜分離器の透過水は、脱ガス塔2を経て、N2 H4を
注入して常時N2H4が5mg/l検出されるように調
整し、第2の逆浸透膜分離器3に送給した。
各々の逆浸透膜分離器の回収率は、第1の逆浸透膜分離
器1で80%、第2の逆浸透膜分離器3で90%とし、
第2の逆浸透膜分離器3の4縮水は、全量第1の逆浸透
膜分離器1に戻し、ブローは行わずに運転し、第2の逆
浸透膜分離器3の透過水は混床塔4に通過させた。
このようにして運転を1ケ月間継続したときの、混床塔
4より得られる処理水(2m’/hr)の水質は第1表
に示す通りであった。
第1表 また、比較のため、第3図に示す従来装置により同様に
処理して得られた処理水の水質を第1表  (に併記す
る。
この第1表から、本発明の高純度水の製造装置  (に
よれば、極めて高純度の純水が得られ、しかも長期間に
わたって装置の連続運転が可能であるこ  (とが明ら
かである。
[効果コ 以上詳述した通り、本発明の高純度水の製造装  (置
は、 ■ 従来装置のイオン交換装置の如く、同一機能を有す
る装Mを並列させることなく、単一系列  ′のみで、
3〜12ケ月以上という長期間にわ  またって連続運
転が可能である。          j■ イオン交
換装置を用いていないため、イオン交換樹脂の再生、イ
オン交換樹脂溶出物による影習等の問題が低減される。
■ 混床塔を用いる場合においても、再生操作を  ;
不要とし得るため、再生装置、再生剤、人件  1費、
廃液処理等が不要となり、省スペース、省力化に有効で
コストの低減が図れる。
■ 炭酸成分やTOC成分の高度除去が可能である。
■ 第2の逆浸透膜分離器の除去性能が向上される。
■ 第2の逆浸透膜分離器の処理水中の5i02は、2
床3塔式の後にイオン交換塔を接続したイオン交換樹脂
方式と同等まで処理できる。
〕 更に還元剤としてN2H4を使用した場合、N2 
H4は樹脂に対して悪影習がないため、装置劣化が防止
される。
亭の様々な効果を有する。本発明装置によれば、列えば
電導度1〜5MΩ・am程度の極めて高純度の超純水を
効率的に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の高純度水の製造装置を示す系読図、第
2図は従来の純水製造装置を示す系統刀、第3図は第2
図に示す装置の1次純水システムの詳細を示す系統図で
ある。 1・・・第1の逆浸透膜分離器、 2・・・脱ガス塔、 3・・・第2の逆浸透膜分離器、 4・・・混床塔。 代  理  人   弁理士   重  野  剛ヤト
、へに1トくトヤ 誕〈(L−4片饋憬〈)

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)活性炭等により前処理した原水を逆浸透膜処理す
    る第1の逆浸透膜分離器と、該第1の逆浸透膜分離器の
    透過水を脱ガスする脱ガス塔と、該脱ガス塔の処理水を
    逆浸透膜処理する第2の逆浸透膜分離器と、第2の逆浸
    透膜分離器の透過水を取り出す系及び第2の逆浸透膜分
    離器の濃縮水を前記第1の逆浸透膜分離器の原水供給系
    に返送するための系とを備えてなることを特徴とする高
    純度水の製造装置。
  2. (2)脱ガス塔は真空式脱ガス塔であることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項に記載の装置。
  3. (3)第2の逆浸透膜分離器の透過水を取り出す系に、
    混床式イオン交換装置が接続されていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項又は第2項に記載の装置。
  4. (4)原水は殺菌剤及び/又はpH調整剤が添加されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3
    項のいずれか1項に記載の装置。
  5. (5)脱ガス塔の処理水には還元剤が添加されているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のい
    ずれか1項に記載の装置。
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