JPH03243768A - 薄膜の形成方法 - Google Patents
薄膜の形成方法Info
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- JPH03243768A JPH03243768A JP4015490A JP4015490A JPH03243768A JP H03243768 A JPH03243768 A JP H03243768A JP 4015490 A JP4015490 A JP 4015490A JP 4015490 A JP4015490 A JP 4015490A JP H03243768 A JPH03243768 A JP H03243768A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、集積回路装置、デイスプレィ等を構成する薄
膜の形成方法に関する。
膜の形成方法に関する。
従来の薄膜の形成方法としては、レーザー光を基板に照
射し、基板を加熱して反応を起こし薄膜を形成する方法
（ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス 誌 ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、２３巻、７号、４
７３頁、１９８４） 、基板を炉で加熱する方法などが
ある。
射し、基板を加熱して反応を起こし薄膜を形成する方法
（ジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィ
ジックス 誌 ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ、２３巻、７号、４
７３頁、１９８４） 、基板を炉で加熱する方法などが
ある。
上述した従来のレーザー光で基板を加熱する方法は、レ
ーザー光が照射された領域全てで反応が起こるので、薄
膜を特定の領域に堆積させるためには予めパターニング
されたフォトマスクを使うか、レーザー光をレンズで絞
り光源側あるいは基板側を走査する必要がある。フォト
マスクを使う方法は薄膜の製造工程が複雑になり費用が
かかる、走査を行なう方法はスループットが小さいとい
う欠点がある。
ーザー光が照射された領域全てで反応が起こるので、薄
膜を特定の領域に堆積させるためには予めパターニング
されたフォトマスクを使うか、レーザー光をレンズで絞
り光源側あるいは基板側を走査する必要がある。フォト
マスクを使う方法は薄膜の製造工程が複雑になり費用が
かかる、走査を行なう方法はスループットが小さいとい
う欠点がある。
また、炉で基板を加熱する方法は基板全体を加熱するの
で選択的に所望の領域に薄膜を形成できないため、薄膜
を形成した後、フォトリソグラフィーの工程が必要とな
り製造工程が複雑になる欠点がある。
で選択的に所望の領域に薄膜を形成できないため、薄膜
を形成した後、フォトリソグラフィーの工程が必要とな
り製造工程が複雑になる欠点がある。
本発明の薄膜の製造方法は、薄膜を形成しようとする領
域に、基板内の他の領域に存在しないような化学結合を
形成し、次いで、その化学結合のみをあるエネルギー準
位に励起できる波長の光を基板に照射すると共に、光照
射領域に原料ガスを導入して薄膜を形成しようとする領
域でのみ反応を起こし薄膜を形成させることを特徴とす
るものである。
域に、基板内の他の領域に存在しないような化学結合を
形成し、次いで、その化学結合のみをあるエネルギー準
位に励起できる波長の光を基板に照射すると共に、光照
射領域に原料ガスを導入して薄膜を形成しようとする領
域でのみ反応を起こし薄膜を形成させることを特徴とす
るものである。
本発明の薄膜の形成方法では、ある化学結合がとりうる
エネルギー準位が、その化学結合によって決まっている
ので、薄膜を形成しようとする領域に存在する化学結合
のみが占められるエネルギー準位にその化学結合を励起
できるような波長の光を、基板全体に照射することで、
その化学結合のみを励起して反応を起こすことができる
。したがって、光源や基板を走査することなく所望の領
域のみに薄膜を形成することができる。
エネルギー準位が、その化学結合によって決まっている
ので、薄膜を形成しようとする領域に存在する化学結合
のみが占められるエネルギー準位にその化学結合を励起
できるような波長の光を、基板全体に照射することで、
その化学結合のみを励起して反応を起こすことができる
。したがって、光源や基板を走査することなく所望の領
域のみに薄膜を形成することができる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例における主要
工程を示す図である０本実施例はシリコン集積回路にお
ける配線形成用のアルミ薄膜の形成に適用した場合を例
示する。
工程を示す図である０本実施例はシリコン集積回路にお
ける配線形成用のアルミ薄膜の形成に適用した場合を例
示する。
標準的なＭＯ３型集積回路作製方法を用いて第１図（ａ
）に示したアルミ薄膜形成前の構造を形成する０図にお
いて、１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３は水
素原子層、４は単色光（波長５μｍ）である、５はシリ
コン基板と逆導電型の不純物イオン注入層で、ソース及
びドレイン領域、６はゲート電極である。
）に示したアルミ薄膜形成前の構造を形成する０図にお
いて、１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３は水
素原子層、４は単色光（波長５μｍ）である、５はシリ
コン基板と逆導電型の不純物イオン注入層で、ソース及
びドレイン領域、６はゲート電極である。
通常のＭＯ３製造技術により、シリコン基板１にシリコ
ン酸化膜２、ゲート電極６、イオン注入層５を形成後、
水素プラ大マを照射してシリコン基板１が露出している
イオン注入層の表面に自己整合で水素原子層３を形成す
る。シリコン基板１と水素原子層３の界面には５ｉ−Ｈ
結合が存在する。この化学結合は波長５μｍの赤外線で
励起され、シリコン酸化膜２及びシリコン基板１内の化
学結合はこの光で励起されない０次に、水素原子層が形
成された試料に光４を照射して５ｉ−Ｈ結合を励起する
と共に、試料上にジメチルアルミハイドライドを流す、
ジメチルアルミハイドライドは励起した５ｉ−Ｈ結合と
反応し、第１図（ｂ）に示すように水素原子層３のある
領域のみに、ジメチルアルミハイドライドの分解反応で
アルミニウム薄膜７が堆積する。この反応では初めに形
成された水素原子層は気体として放出され、基板上に水
素原子層は残らない。
ン酸化膜２、ゲート電極６、イオン注入層５を形成後、
水素プラ大マを照射してシリコン基板１が露出している
イオン注入層の表面に自己整合で水素原子層３を形成す
る。シリコン基板１と水素原子層３の界面には５ｉ−Ｈ
結合が存在する。この化学結合は波長５μｍの赤外線で
励起され、シリコン酸化膜２及びシリコン基板１内の化
学結合はこの光で励起されない０次に、水素原子層が形
成された試料に光４を照射して５ｉ−Ｈ結合を励起する
と共に、試料上にジメチルアルミハイドライドを流す、
ジメチルアルミハイドライドは励起した５ｉ−Ｈ結合と
反応し、第１図（ｂ）に示すように水素原子層３のある
領域のみに、ジメチルアルミハイドライドの分解反応で
アルミニウム薄膜７が堆積する。この反応では初めに形
成された水素原子層は気体として放出され、基板上に水
素原子層は残らない。
なお本実施例では薄膜を形成しようとする領域に存在し
、基板内のそれ以外の領域に存在しない化学結合として
５ｔ−Ｈ結合を、その５ｉ−Ｈ結合が励起され基板内の
それ以外の領域にある化学結合が励起されない波長の光
として５μｍの光を用いたが、薄膜を形成しようとする
領域に存在し、基板内のそれ以外の領域に存在しない化
学結合と、その化学結合が励起され基板内の薄膜を形成
しようとする領域以外に存在する化学結合が励起されな
い波長の光との組合せの中から選べばよい。
、基板内のそれ以外の領域に存在しない化学結合として
５ｔ−Ｈ結合を、その５ｉ−Ｈ結合が励起され基板内の
それ以外の領域にある化学結合が励起されない波長の光
として５μｍの光を用いたが、薄膜を形成しようとする
領域に存在し、基板内のそれ以外の領域に存在しない化
学結合と、その化学結合が励起され基板内の薄膜を形成
しようとする領域以外に存在する化学結合が励起されな
い波長の光との組合せの中から選べばよい。
以上説明したように本発明は、薄膜を形成しようとする
領域に存在する化学結合のみを励起するような波長の光
を基板に照射することで反応を起こし、薄膜を形成する
ことができるので、フォトリソグラフィーや基板あるい
は光源の走査等の工程を必要としないで一括して多領域
に薄膜を作ることができる。したがって、集積回路装置
、デイスプレィ等に用いられる薄膜の形成工程を短縮で
きる効果がある。
領域に存在する化学結合のみを励起するような波長の光
を基板に照射することで反応を起こし、薄膜を形成する
ことができるので、フォトリソグラフィーや基板あるい
は光源の走査等の工程を必要としないで一括して多領域
に薄膜を作ることができる。したがって、集積回路装置
、デイスプレィ等に用いられる薄膜の形成工程を短縮で
きる効果がある。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例の断面図であ
る。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・水素原子層、４・・・単色光、５・・・イオン注入
層、６・・・ゲート電極、７・・・アルミニウム薄膜。
る。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・水素原子層、４・・・単色光、５・・・イオン注入
層、６・・・ゲート電極、７・・・アルミニウム薄膜。
Claims (1)
- 薄膜を形成しようとする領域表面に、基板内の他の領域
表面に存在しない化学結合を形成し、次いで、その化学
結合のみをあるエネルギー準位に励起できる波長の光を
基板に照射すると共に、光照射領域に原料ガスを導入す
ることを特徴とする薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015490A JP2890617B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4015490A JP2890617B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03243768A true JPH03243768A (ja) | 1991-10-30 |
| JP2890617B2 JP2890617B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=12572849
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4015490A Expired - Lifetime JP2890617B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | 薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2890617B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613333A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-01-21 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP4015490A patent/JP2890617B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0613333A (ja) * | 1992-02-18 | 1994-01-21 | Nec Corp | 熱ｃｖｄ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2890617B2 (ja) | 1999-05-17 |
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