JPH0613333A - 熱ｃｖｄ方法 - Google Patents
熱ｃｖｄ方法Info
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- JPH0613333A JPH0613333A JP2637793A JP2637793A JPH0613333A JP H0613333 A JPH0613333 A JP H0613333A JP 2637793 A JP2637793 A JP 2637793A JP 2637793 A JP2637793 A JP 2637793A JP H0613333 A JPH0613333 A JP H0613333A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高温を要する表面清浄化プロセスなしで、空
間的に整形された光を使用し、空間選択性の良いパター
ンを転写する。 【構成】 熱ＣＶＤに先だって、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３
を成膜し、更に、この表面を水素終端する。基板温度が
２００℃〜４００℃の間では、原料ガスのＡｌ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｈの存在下で、シンクロトロン放射光などの極
端短波長光１４をマスク１５で空間的に整形して照射す
ると、その表面組成を、熱ＣＶＤが生じにくいものに変
えることができる。これによって、光の非照射部にだけ
ＣＶＤ膜が成長する。また、光照射前は、ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜１３が水素終端されているので、大気に触れても自
然酸化膜は成長しないので、プロセス装置間の大気中の
搬送も可能になり、プロセス自由度が広がる。
間的に整形された光を使用し、空間選択性の良いパター
ンを転写する。 【構成】 熱ＣＶＤに先だって、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３
を成膜し、更に、この表面を水素終端する。基板温度が
２００℃〜４００℃の間では、原料ガスのＡｌ（Ｃ
Ｈ3 ）2 Ｈの存在下で、シンクロトロン放射光などの極
端短波長光１４をマスク１５で空間的に整形して照射す
ると、その表面組成を、熱ＣＶＤが生じにくいものに変
えることができる。これによって、光の非照射部にだけ
ＣＶＤ膜が成長する。また、光照射前は、ｐｏｌｙ−Ｓ
ｉ膜１３が水素終端されているので、大気に触れても自
然酸化膜は成長しないので、プロセス装置間の大気中の
搬送も可能になり、プロセス自由度が広がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種材料のＣＶＤにおい
て、レジスト塗布、露光、レジスト剥離等の工程無し
で、高温を要する表面清浄化工程無しで、光利用によっ
て空間選択性良くパターニングできるＣＶＤ方法に関す
るものである。
て、レジスト塗布、露光、レジスト剥離等の工程無し
で、高温を要する表面清浄化工程無しで、光利用によっ
て空間選択性良くパターニングできるＣＶＤ方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】熱ＣＶＤ中に光を照射し、光照射部での
ＣＶＤ膜成長を抑制することによって直接ＣＶＤ膜のパ
ターニングを行う光反転ＣＶＤは、光照射部に膜を成長
させる通常の光ＣＶＤ方法に比べて、気相分解による降
り積もりの影響を除去できるため、パターン転写の分解
能を向上させることができる。
ＣＶＤ膜成長を抑制することによって直接ＣＶＤ膜のパ
ターニングを行う光反転ＣＶＤは、光照射部に膜を成長
させる通常の光ＣＶＤ方法に比べて、気相分解による降
り積もりの影響を除去できるため、パターン転写の分解
能を向上させることができる。
【０００３】これまでに、我々の発明による特願平３−
３４７５６号と特願平３−８１８４０号が従来例として
挙げることができる。これらの発明によれば、レジスト
を用いない直接パターニング方法において、所望領域だ
けに成膜を行い、かつ、パターン分解能を向上でき、更
に、使用する光源の制約が少なくなる方法として、成膜
の不要な部分に光を選択的に照射して、その表面を原子
層オーダで化学的に不活性な面に改質し、非照射部にだ
け成膜する反転ＣＶＤを提供できる。
３４７５６号と特願平３−８１８４０号が従来例として
挙げることができる。これらの発明によれば、レジスト
を用いない直接パターニング方法において、所望領域だ
けに成膜を行い、かつ、パターン分解能を向上でき、更
に、使用する光源の制約が少なくなる方法として、成膜
の不要な部分に光を選択的に照射して、その表面を原子
層オーダで化学的に不活性な面に改質し、非照射部にだ
け成膜する反転ＣＶＤを提供できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】我々の先の発明では上
述したような特徴を持っているが、発明の基になる現象
は基板表面の状態に敏感で、清浄なＳｉ表面が必要であ
る。したがって自然酸化膜があったり、汚染されている
基板では、先の発明の適用は困難である。通常、清浄面
を形成する温度は高いため、デバイス形成上悪い影響を
与える恐れがある場合、この発明を適用するのは困難な
場合がある。
述したような特徴を持っているが、発明の基になる現象
は基板表面の状態に敏感で、清浄なＳｉ表面が必要であ
る。したがって自然酸化膜があったり、汚染されている
基板では、先の発明の適用は困難である。通常、清浄面
を形成する温度は高いため、デバイス形成上悪い影響を
与える恐れがある場合、この発明を適用するのは困難な
場合がある。
【０００５】一方、Ｓｉ表面の汚染防止や自然酸化膜の
成長抑制方法として、この表面をフッ酸に浸したり、原
子状水素を照射したり、水素プラズマに曝したりして表
面を水素終端する方法が有望視されている。この場合、
清浄表面を形成する高温プロセスが不要なので、プロセ
ス上のメリットは大きい。
成長抑制方法として、この表面をフッ酸に浸したり、原
子状水素を照射したり、水素プラズマに曝したりして表
面を水素終端する方法が有望視されている。この場合、
清浄表面を形成する高温プロセスが不要なので、プロセ
ス上のメリットは大きい。
【０００６】もし、このような水素終端Ｓｉ表面上でも
我々が先に発明した反転ＣＶＤが可能であれば、Ｓｉ表
面の清浄化プロセスを行わなくても、高精細の反転パタ
ーニングが可能になる。また、これまでの我々の反転Ｃ
ＶＤだけでなく、水素終端Ｓｉ表面上で熱ＣＶＤが生じ
ない温度でもＣＶＤ反応を誘起できれば、光照射による
ＣＶＤ反応の制御性が更に広がる。しかし、これまで、
水素終端Ｓｉ表面上でのＣＶＤ反応制御によるネガ型Ｃ
ＶＤやポジ型ＣＶＤによる直接パターニングは行われて
いない。
我々が先に発明した反転ＣＶＤが可能であれば、Ｓｉ表
面の清浄化プロセスを行わなくても、高精細の反転パタ
ーニングが可能になる。また、これまでの我々の反転Ｃ
ＶＤだけでなく、水素終端Ｓｉ表面上で熱ＣＶＤが生じ
ない温度でもＣＶＤ反応を誘起できれば、光照射による
ＣＶＤ反応の制御性が更に広がる。しかし、これまで、
水素終端Ｓｉ表面上でのＣＶＤ反応制御によるネガ型Ｃ
ＶＤやポジ型ＣＶＤによる直接パターニングは行われて
いない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光照射
を用いて直接パターン化された膜を成長させる熱ＣＶＤ
方法において、熱ＣＶＤの前工程として、基板表面を水
素で終端する工程を有し、その後、熱ＣＶＤ中の光照射
による表面組成改質工程を有し、前記照射部での熱ＣＶ
Ｄを抑制することによってＣＶＤ膜のパターニングを行
うことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
を用いて直接パターン化された膜を成長させる熱ＣＶＤ
方法において、熱ＣＶＤの前工程として、基板表面を水
素で終端する工程を有し、その後、熱ＣＶＤ中の光照射
による表面組成改質工程を有し、前記照射部での熱ＣＶ
Ｄを抑制することによってＣＶＤ膜のパターニングを行
うことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【０００８】また、光照射を用いて直接パターン化され
た膜を成長させる熱ＣＶＤ方法において、熱ＣＶＤの前
工程として、基板表面を水素で終端する工程を有し、そ
の後、ＣＶＤ原料ガスの存在下で、かつ、熱ＣＶＤが生
じない温度で、光照射による表面組成改質の工程を有
し、前記照射部で熱ＣＶＤを誘起することによってＣＶ
Ｄ膜のパターニングを行うことを特徴とする熱ＣＶＤ方
法を提供できる。
た膜を成長させる熱ＣＶＤ方法において、熱ＣＶＤの前
工程として、基板表面を水素で終端する工程を有し、そ
の後、ＣＶＤ原料ガスの存在下で、かつ、熱ＣＶＤが生
じない温度で、光照射による表面組成改質の工程を有
し、前記照射部で熱ＣＶＤを誘起することによってＣＶ
Ｄ膜のパターニングを行うことを特徴とする熱ＣＶＤ方
法を提供できる。
【０００９】水素終端方法として、基板をフッ酸に浸す
ることによって、前記基板表面を水素で終端する工程を
有することを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
ることによって、前記基板表面を水素で終端する工程を
有することを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【００１０】また基板に原子状水素を供給することによ
って、前記基板表面を水素で終端する工程を有すること
を特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
って、前記基板表面を水素で終端する工程を有すること
を特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【００１１】また、基板を水素プラズマに曝することに
よって、前記基板表面を水素で終端する工程を有するこ
とを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
よって、前記基板表面を水素で終端する工程を有するこ
とを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【００１２】また、ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアル
ミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を用いる
ことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
ミニウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を用いる
ことを特徴とする熱ＣＶＤ方法を提供できる。
【００１３】
【作用】本発明の作用の基になるのは、ジメチルアルミ
ニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を原料とするＡｌのＣ
ＶＤの研究で得られた、次の２つの現象である。１つ
は、請求項１の発明に関するもので、水素終端Ｓｉ表面
上でのＣＶＤ中に光を照射するとＣＶＤ反応が抑制され
るというものである。
ニウムハイドライド（ＤＭＡＨ）を原料とするＡｌのＣ
ＶＤの研究で得られた、次の２つの現象である。１つ
は、請求項１の発明に関するもので、水素終端Ｓｉ表面
上でのＣＶＤ中に光を照射するとＣＶＤ反応が抑制され
るというものである。
【００１４】他の１つは、請求項２の発明に関するもの
で、同じ水素終端Ｓｉ表面上でも、その温度がＣＶＤの
生じる温度以下であっても、光を照射するとＣＶＤ反応
が誘起される現象である。
で、同じ水素終端Ｓｉ表面上でも、その温度がＣＶＤの
生じる温度以下であっても、光を照射するとＣＶＤ反応
が誘起される現象である。
【００１５】最初の現象に関する実験結果を図３に示
す。２００℃〜４００℃付近までの温度領域では、熱Ｃ
ＶＤによってＡｌは成長するが、４ｎｍ付近の波長の光
の照射によってＡｌの成長速度が零に抑えられる。つま
り、水素終端Ｓｉ表面上でネガ型のＣＶＤが可能なこと
を示している。
す。２００℃〜４００℃付近までの温度領域では、熱Ｃ
ＶＤによってＡｌは成長するが、４ｎｍ付近の波長の光
の照射によってＡｌの成長速度が零に抑えられる。つま
り、水素終端Ｓｉ表面上でネガ型のＣＶＤが可能なこと
を示している。
【００１６】他の１つの現象に関する実験結果は、ＣＶ
Ｄが生じない温度でも、図３の場合では２００℃以下、
２７ｎｍ付近の波長の光の照射によってＣＶＤによるＡ
ｌ成長が誘起されるというものである。つまり、ポジ型
ＣＶＤが生じる。この現象は、１５０℃〜２００℃の間
で観測される。温度領域の下限と上限は、各々以下の要
因で決まると考えられる。先ず、上限は、水素終端Ｓｉ
表面上でＡｌの熱ＣＶＤが生じる下限の温度である２０
０℃になる。一方、下限は、Ａｌ上にＡｌの熱ＣＶＤが
継続して生じる温度になる。こう考えることによって、
ポジ型ＣＶＤの現象が発現する温度領域を説明できる。
Ｄが生じない温度でも、図３の場合では２００℃以下、
２７ｎｍ付近の波長の光の照射によってＣＶＤによるＡ
ｌ成長が誘起されるというものである。つまり、ポジ型
ＣＶＤが生じる。この現象は、１５０℃〜２００℃の間
で観測される。温度領域の下限と上限は、各々以下の要
因で決まると考えられる。先ず、上限は、水素終端Ｓｉ
表面上でＡｌの熱ＣＶＤが生じる下限の温度である２０
０℃になる。一方、下限は、Ａｌ上にＡｌの熱ＣＶＤが
継続して生じる温度になる。こう考えることによって、
ポジ型ＣＶＤの現象が発現する温度領域を説明できる。
【００１７】このように、４５０℃以上の高温プロセス
を嫌うＡｌ配線のある基板上であっても、高温を要する
清浄表面形成プロセスを用いずに、高速高精細パターニ
ング可能なネガ・ポジ両タイプのＣＶＤを実現できる。
以上のことは、水素終端Ｓｉ基板の温度を変えることに
よって、光照射効果をＣＶＤの抑制として発現させる
か、誘起として発現させるかを制御できることを示して
いる。本発明のＣＶＤ方法によって、これまでの我々の
発明の特願平３−３４７５６号、特願平３−８１８４０
号、特願平３−１３６７３号と併せて、光照射による選
択ＣＶＤの適用領域を一層広げられることを示してい
る。
を嫌うＡｌ配線のある基板上であっても、高温を要する
清浄表面形成プロセスを用いずに、高速高精細パターニ
ング可能なネガ・ポジ両タイプのＣＶＤを実現できる。
以上のことは、水素終端Ｓｉ基板の温度を変えることに
よって、光照射効果をＣＶＤの抑制として発現させる
か、誘起として発現させるかを制御できることを示して
いる。本発明のＣＶＤ方法によって、これまでの我々の
発明の特願平３−３４７５６号、特願平３−８１８４０
号、特願平３−１３６７３号と併せて、光照射による選
択ＣＶＤの適用領域を一層広げられることを示してい
る。
【００１８】
【実施例】（実施例１）以下、請求項１の発明の熱ＣＶ
Ｄ方法について図１を参照しながら説明する。本実施例
ではＳｉデバイスの形成におけるＡｌ配線を、レジスト
を用いずに直接形成する場合について述べる。
Ｄ方法について図１を参照しながら説明する。本実施例
ではＳｉデバイスの形成におけるＡｌ配線を、レジスト
を用いずに直接形成する場合について述べる。
【００１９】図１（ａ）は、表面を水素終端した基板の
断面の概念図である。Ｓｉ基板１１に熱酸化膜１２がパ
ターニングされており、この上に全面にｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜１３が成膜されている基板を、約１％に希釈したＨＦ
水溶液に浸して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３の水素終端を行
ない、水素終端表面１８を形成すると同時に、熱酸化膜
１２のクリーニングを行う。
断面の概念図である。Ｓｉ基板１１に熱酸化膜１２がパ
ターニングされており、この上に全面にｐｏｌｙ−Ｓｉ
膜１３が成膜されている基板を、約１％に希釈したＨＦ
水溶液に浸して、ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３の水素終端を行
ない、水素終端表面１８を形成すると同時に、熱酸化膜
１２のクリーニングを行う。
【００２０】ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１３の形成時に、この膜
の表面は部分的に水素で覆われているが、完全には水素
終端されていないので、Ａｌ−ＣＶＤ用のチャンバに装
着する途中で大気中酸素による酸化やカーボン汚染を防
ぐために、この水素終端を行う。図１（ｂ）は、この工
程の後に、図１（ａ）の基板の非配線領域を光１４を用
いて直接パターニングする方法を示している。図１
（ａ）の水素終端された基板をＣＶＤ用チャンバに装着
し、Ａｌ原料としてのジメチルアルミハイドライド（Ａ
ｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を導入し、熱ＣＶＤ可能な３００℃
で、非配線領域に対応する部分が開口部になっているマ
スク１５を通して、光１４を照射する。
の表面は部分的に水素で覆われているが、完全には水素
終端されていないので、Ａｌ−ＣＶＤ用のチャンバに装
着する途中で大気中酸素による酸化やカーボン汚染を防
ぐために、この水素終端を行う。図１（ｂ）は、この工
程の後に、図１（ａ）の基板の非配線領域を光１４を用
いて直接パターニングする方法を示している。図１
（ａ）の水素終端された基板をＣＶＤ用チャンバに装着
し、Ａｌ原料としてのジメチルアルミハイドライド（Ａ
ｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を導入し、熱ＣＶＤ可能な３００℃
で、非配線領域に対応する部分が開口部になっているマ
スク１５を通して、光１４を照射する。
【００２１】これによって、表面に付着しているＡｌ
（ＣＨ3 ）2 Ｈ分子が光分解し、原子層オーダの炭化ア
ルミ薄膜１６が形成される。光１４として、Ａｌ原子、
Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起できる１００ｅＶよりも
高いエネルギーのシンクロトロン放射光を用いた。
（ＣＨ3 ）2 Ｈ分子が光分解し、原子層オーダの炭化ア
ルミ薄膜１６が形成される。光１４として、Ａｌ原子、
Ｃ原子、Ｓｉ原子の内殻を励起できる１００ｅＶよりも
高いエネルギーのシンクロトロン放射光を用いた。
【００２２】次に、光１４の照射を停止し、Ａｌ（ＣＨ
3 ）2 Ｈを供給して熱ＣＶＤだけを行なうと、図１
（ｃ）のように、炭化アルミ薄膜１６の無い部分にだけ
Ａｌが成長し、Ａｌ配線１７を形成できる。
3 ）2 Ｈを供給して熱ＣＶＤだけを行なうと、図１
（ｃ）のように、炭化アルミ薄膜１６の無い部分にだけ
Ａｌが成長し、Ａｌ配線１７を形成できる。
【００２３】この後、成長させたＡｌ膜をマスクにし
て、ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いて
Ａｌ配線形成プロセスが終了する。 （実施例２）請求項２の発明の熱ＣＶＤ方法について説
明する。本実施例では、絶縁ゲート電界効果トランジス
タのゲート、ソース、ドレインの３ヵ所に、１回のＣＶ
ＤでＡｌを成膜させる場合を例にして、図２を参照しな
がら説明する。
て、ｐｏｌｙ−Ｓｉをプラズマエッチングで取り除いて
Ａｌ配線形成プロセスが終了する。 （実施例２）請求項２の発明の熱ＣＶＤ方法について説
明する。本実施例では、絶縁ゲート電界効果トランジス
タのゲート、ソース、ドレインの３ヵ所に、１回のＣＶ
ＤでＡｌを成膜させる場合を例にして、図２を参照しな
がら説明する。
【００２４】このデバイスのソース、ドレインはボロン
の高濃度ドーピングによってｎ+ Ｓｉになっており、こ
の上へのＡｌの成膜は、ドーピングのプロファイルを崩
さないように、充分に低温で行う必要がある。一方、ゲ
ート部の成膜ではＳｉＯ2 上への成膜が必要である。本
発明によって、Ｓｉ上への低温ポジ型ＣＶＤが、また、
我々の先の発明である特願平３−１３６７３号によって
ＳｉＯ2 上へのポジ型ＣＶＤが可能である。これら両者
の発明によって本実施例のようなプロセスが可能にな
る。
の高濃度ドーピングによってｎ+ Ｓｉになっており、こ
の上へのＡｌの成膜は、ドーピングのプロファイルを崩
さないように、充分に低温で行う必要がある。一方、ゲ
ート部の成膜ではＳｉＯ2 上への成膜が必要である。本
発明によって、Ｓｉ上への低温ポジ型ＣＶＤが、また、
我々の先の発明である特願平３−１３６７３号によって
ＳｉＯ2 上へのポジ型ＣＶＤが可能である。これら両者
の発明によって本実施例のようなプロセスが可能にな
る。
【００２５】基板は図２（ａ）のように、Ｓｉ基板１１
の表面に形成された熱酸化膜１２と、これに窓を開け、
その部分へのボロンの高濃度ドーピングによるｎ+ Ｓｉ
状態のソース１９、ドレイン２０を具備する構成となっ
ている。
の表面に形成された熱酸化膜１２と、これに窓を開け、
その部分へのボロンの高濃度ドーピングによるｎ+ Ｓｉ
状態のソース１９、ドレイン２０を具備する構成となっ
ている。
【００２６】先ず、ｎ+ Ｓｉ部分を水素ラジカルで水素
終端する。これによって、ソース１９とドレイン２０の
部分だけでなく、熱酸化膜１２の表面もクリーニングさ
れ、清浄表面が得られる。
終端する。これによって、ソース１９とドレイン２０の
部分だけでなく、熱酸化膜１２の表面もクリーニングさ
れ、清浄表面が得られる。
【００２７】次に、ＡｌのＣＶＤ原料ガスのジメチルア
ルミニウムハイドライドの存在で、Ａｌを成膜したい部
分にだけマスク１５を通して光１４を照射する。光の波
長は、約２７ｎｍよりも長波長側の白色光を用いた。基
板温度は約１７５℃で、この温度では水素終端Ｓｉ上で
もＳｉＯ2 上でも熱ＣＶＤは生じない。しかし、光が照
射された部分では、水素終端Ｓｉ上でもＳｉＯ2 上でも
その表面が活性化され、熱ＣＶＤは継続して起こる。
ルミニウムハイドライドの存在で、Ａｌを成膜したい部
分にだけマスク１５を通して光１４を照射する。光の波
長は、約２７ｎｍよりも長波長側の白色光を用いた。基
板温度は約１７５℃で、この温度では水素終端Ｓｉ上で
もＳｉＯ2 上でも熱ＣＶＤは生じない。しかし、光が照
射された部分では、水素終端Ｓｉ上でもＳｉＯ2 上でも
その表面が活性化され、熱ＣＶＤは継続して起こる。
【００２８】このようにして、図２（ｂ）のように、Ａ
ｌ膜をソース１９、ドレイン２０のｎ+ Ｓｉ上、ゲート
部熱酸化膜上のゲート部Ａｌ２１、配線領域の熱酸化膜
のＡｌ配線１７を、一回のＣＶＤ工程で成長できる。
ｌ膜をソース１９、ドレイン２０のｎ+ Ｓｉ上、ゲート
部熱酸化膜上のゲート部Ａｌ２１、配線領域の熱酸化膜
のＡｌ配線１７を、一回のＣＶＤ工程で成長できる。
【００２９】以上の実施例では，水素終端の形成はＨＦ
水溶液に浸す方法と、原子状の水素ラジカルを供給して
形成する方法について述べたが、この他にも、Ｈ2 雰囲
気中でプラズマを発生させ、この中に基板を入れること
にっても水素終端を形成する方法もある。
水溶液に浸す方法と、原子状の水素ラジカルを供給して
形成する方法について述べたが、この他にも、Ｈ2 雰囲
気中でプラズマを発生させ、この中に基板を入れること
にっても水素終端を形成する方法もある。
【００３０】また、以上述べた実施例では、Ａｌ（ＣＨ
3 ）2 Ｈを原料としたＡｌの反転ＣＶＤについて述べた
が、原料はこれに限られることなく、Ａｌ−ｉｓｏ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 などの他の有機金属でもよいし、塩素原子を
含んでいてもよい。
3 ）2 Ｈを原料としたＡｌの反転ＣＶＤについて述べた
が、原料はこれに限られることなく、Ａｌ−ｉｓｏ（Ｃ
4 Ｈ9 ）3 などの他の有機金属でもよいし、塩素原子を
含んでいてもよい。
【００３１】また、基板も実施例に限られることなく、
他の半導体基板でも有効である。また、反転ＣＶＤさせ
る材料もＡｌに限らず、ＣｕやＡｕなどの金属を初め、
ＳｉやＧａＡｓなどの半導体やこれらの混晶であっても
よいし、ＳｉＯ2 を初めとする絶縁膜であってもよい。
これらの成長するものに応じて基板や原料ガスや、光の
エネルギー、基板温度などの成長条件を、作用の項で述
べた原理に合うように変えればよい。
他の半導体基板でも有効である。また、反転ＣＶＤさせ
る材料もＡｌに限らず、ＣｕやＡｕなどの金属を初め、
ＳｉやＧａＡｓなどの半導体やこれらの混晶であっても
よいし、ＳｉＯ2 を初めとする絶縁膜であってもよい。
これらの成長するものに応じて基板や原料ガスや、光の
エネルギー、基板温度などの成長条件を、作用の項で述
べた原理に合うように変えればよい。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、各種材料のＣＶＤにお
いて、高温を要する表面清浄化工程を用いずに、レジス
ト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセス無しで、光
利用によって空間選択性良くパターニング出来る熱ＣＶ
Ｄ方法を提供できる。
いて、高温を要する表面清浄化工程を用いずに、レジス
ト塗布、露光、レジスト剥離などのプロセス無しで、光
利用によって空間選択性良くパターニング出来る熱ＣＶ
Ｄ方法を提供できる。
【図１】請求項１の発明の熱ＣＶＤ方法によるパターニ
ングＣＶＤ方法を説明するための概念図。
ングＣＶＤ方法を説明するための概念図。
【図２】請求項２の発明の熱ＣＶＤ方法を説明するため
の概念図。
の概念図。
【図３】本発明の作用を説明するための図である。
１１ Ｓｉ基板 １２ 熱酸化膜 １３ ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜 １４ 光 １５ マスク １６ 炭化アルミ薄膜 １７ Ａｌ配線 １８ 水素終端表面 １９ ソース ２０ ドレイン ２１ ゲート部Ａｌ
Claims (6)
- 【請求項１】 光照射を用いて直接パターン化された膜
を成長させる熱ＣＶＤ方法において、熱ＣＶＤの前工程
として、基板表面を水素で終端する工程を有し、その
後、熱ＣＶＤ中の光照射による表面組成改質工程を有
し、前記照射部での熱ＣＶＤを抑制することによってＣ
ＶＤ膜のパターニングを行うことを特徴とする熱ＣＶＤ
方法。 - 【請求項２】 光照射を用いて直接パターン化された膜
を成長させる熱ＣＶＤ方法において、熱ＣＶＤの前工程
として、基板表面を水素で終端する工程を有し、その
後、ＣＶＤ原料ガスの存在下で、かつ、熱ＣＶＤが生じ
ない温度で、光照射による表面組成改質の工程を有し、
前記照射部で熱ＣＶＤを誘起することによってＣＶＤ膜
のパターニングを行うことを特徴とする熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項３】 基板をフッ酸に浸すことによって、前記
基板表面を水素で終端する工程を有することを特徴とす
る請求項１または請求項２に記載の熱ＣＶＤ方法。 - 【請求項４】 基板に原子状水素を供給することによっ
て、前記基板表面を水素で終端する工程を有することを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱ＣＶＤ方
法。 - 【請求項５】 基板を水素プラズマに曝することによっ
て、前記基板表面を水素で終端する工程を有することを
特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱ＣＶＤ方
法。 - 【請求項６】 ＣＶＤ原料ガスとしてジメチルアルミニ
ウムハイドライド（Ａｌ（ＣＨ3 ）2 Ｈ）を用いること
を特徴とする請求項１、請求項２、請求項３、請求項４
または請求項５に記載の熱ＣＶＤ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5026377A JP2968657B2 (ja) | 1992-02-18 | 1993-02-16 | 熱ｃｖｄ方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6908792 | 1992-02-18 | ||
| JP4-69087 | 1992-02-18 | ||
| JP5026377A JP2968657B2 (ja) | 1992-02-18 | 1993-02-16 | 熱ｃｖｄ方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613333A true JPH0613333A (ja) | 1994-01-21 |
| JP2968657B2 JP2968657B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=26364155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5026377A Expired - Lifetime JP2968657B2 (ja) | 1992-02-18 | 1993-02-16 | 熱ｃｖｄ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2968657B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007032057A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62116786A (ja) * | 1985-11-13 | 1987-05-28 | Nec Corp | 表面選択処理方法 |
| JPS63289923A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Toshiba Corp | 化合物半導体の結晶成長方法 |
| JPH03243768A (ja) * | 1990-02-20 | 1991-10-30 | Nec Corp | 薄膜の形成方法 |
| JPH042125A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Fujitsu Ltd | シリコンの表面処理方法 |
| JPH0452278A (ja) * | 1990-06-19 | 1992-02-20 | Nec Corp | 光反転ｃｖｄ方法 |
| JPH04221822A (ja) * | 1990-12-21 | 1992-08-12 | Kazuo Tsubouchi | 堆積膜形成法 |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP5026377A patent/JP2968657B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
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| JPH042125A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-01-07 | Fujitsu Ltd | シリコンの表面処理方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2007032057A1 (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-22 | Tadahiro Ohmi | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
| US8895410B2 (en) | 2005-09-13 | 2014-11-25 | Tadahiro Ohmi | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2968657B2 (ja) | 1999-10-25 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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