JPH03230164A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、ポジ型フォトレジスト組成物に関するもので
あり、さらに詳しくは紫外線、遠赤外線Ｘ線、電子線、
分子線等の放射線に感応し、特に高集積度の集積回路製
造用のレジストとして好適なポジ型フォトレジストに関
するものである。

［従来技術］ ポジ型フォトレジスト組成物としては、感光剤としてポ
リヒドロキシベンゾフェノンのナフトキノン−１，２−
ジアジド−５−スルホン酸エステル、樹脂成分としてク
レゾールを原料とするノボラックを含むものが知られて
いる。

集積回路の高集積化にともない、解像度、感度に優れか
つ耐熱性の良いポジ型フォトレジストが要望されている
が、未だすべての性能を満足し得る製品は得られていな
いのが現状である。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明の目的は、前記従来技術の諸欠点を除去し、解像
度、感度およびマスク忠実度に優れがっ耐熱性が良く、
高集積度の集積回路製造用レジストとして好適なポジ型
フォトレジスト組成物を提供することにある。

［課題を解決するための手段］ かかる本発明の目的は、以下の構成により達成される。

１　樹脂成分として、ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール
２０／８０〜８０／２０（モル比）を原料とし、タイマ
の含有量が１０重量％以下で、トリマの含有量が１０重
量％以上のノボラックを含み、かつ感光剤成分としてテ
トラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベン
ゾフェノン、またはヘキサヒドロキシベンゾフェノンの
水酸基のうち平均７５％以上がナフトキノン−１，２−
ジアジド−５−スルホン酸またはナフトキノン−１，２
−ジアジド−４−スルホン酸でエステル化されている化
合物を含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成
物。

２　ノボラックがタイマの含有量が１０重量％以下で、
かつトリマの含有量が５重量％以下のノボラックとノボ
ラックトリマとを含む組成物からなることを特徴とする
前項記載のポジ型フォトレジスト組成物。

本発明において使用されるノボラックはｍ−クレゾール
とｐ−クレゾールの混合物より主として製造される。ｍ
−クレゾールとｐ−クレゾールの原料仕込み時における
モル比は２０／８０〜８０／２０であり、さらに好まし
くは３０／７０〜７０／３０である。

本発明のポジ型フォトレジスト組成物におけるノボラッ
クにおいては、低分子量成分としてノボラック中に存在
するタイマの量を１０％以下とすることが重要である。

さらには７％以下とすることが好ましい。

このようなノボラックは、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾ
ールを酸触媒の存在下アルデヒド類と反応させることに
よって得られる。酸触媒としては、塩酸、リン酸、硫酸
、硝酸、過塩素酸等の無機酸、蓚酸、蟻酸、酢酸、トリ
フルオロ酢酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸が
使用される。

アルデヒド類としては例えば、ホルマリン、パラホルム
アルデヒド、トリオキサン、アセトアルデヒド、プロピ
オンアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセトア
ルデヒド、α−フェニルプロピオンアルデヒド、β−フ
ェニルプロピオンアルデヒド、０−ヒドロキシベンズア
ルデヒド、ｍヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、０−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、０−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、０−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド
、ｐ−ブチルベンズアルデヒド等が挙げられるが、これ
らのうち、ホルマリン、パラホルムアルデヒド、アセト
アルデヒドおよびベンズアルデヒド等が特に好ましい。

これらのアルデヒド類は単独でまたは２種以上混合して
使用される。

ノボラックの製造は無溶媒でも行われるが、反応速度を
上げるために有機溶媒存在下で行うこともできる。この
際使用される有機溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、プロパツール、ブタノ−ル等のアルコール類、エチ
ルセロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等
のセロソルブ類、メチルセロソルブアセタート、エチル
セロソルブアセタート、ブチルセロソルブアセタート等
のセロソルブエステル類、Ｎ−メチルピロリドン、ジメ
チルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、酢酸エチ
ル、酢酸プロピル、酢酸ブチル等のエステル類、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類か好ましい。

このようにして得られたノボラックはモノマ、タイマ等
の低分子量成分を含むため、これらを取り除くため以下
の処理を行う。

（１）貧溶媒を用いノボラック粉末を抽出する方法。

ノボラックを細く粉砕し、ベンゼン、トルエン、キシレ
ン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の溶媒中で攪
拌し、低分子量部分を抽出する。

（２）　　ノボラックを良溶媒に溶解し、貧溶媒中に注
いで再沈澱する方法。

ノボラックをメタノール、エタノール、アセトン、メチ
ルエチルケトン等に溶解し、水または上記有機溶媒を含
む水中に注ぎ、析出するポリマをか取、乾燥する。

（３）　　ノボラックを良溶媒に溶解し、貧溶媒を加え
て分別する方法。

ノボラックをメタノール、エタノール、アセトン、メチ
ルエチルケトン等に溶解し、攪拌下に水、石油ベンジン
、石油エーテル、リグロイン、ｎヘキサン等の貧溶媒を
加え、高分子量部分を析出させる。上澄液を除いた後ポ
リマを取り出して乾燥する。

以上の溶媒を用いて低分子量成分を除く方法以外に、高
真空で薄膜蒸留する方法を採用することもできる。

タイマの含有量を１０重量％以下となすためには、ノボ
ラックの低分子量成分として全体の５０〜２％、好まし
くは３０〜５％を除くのがよい。

これによりモノマの含量も２重量％以下となすことがで
きる。またこのような処理によりノボラック中のトリマ
の量はおよそ５重量％以下となる。

本発明においては、上記のごときノボラックに所定量の
ノボラックトリマを加え、レジスト組成物のノボラック
中のトリマの総量が１０重量％以上になるように構成せ
しめることが重要である。

すなわち、前述のようにして得たノボラックはタイマの
含有量が１０重量％以下で、かつトリマの含有量を５重
量％以下となすことができるので、該ノボラックに別途
用意した所定量のノボラックトリマを加え、ノボラック
中のトリマの総量が１０重量％以上、好ましくは４０重
量％以下となるように調製するのがよい。したがって、
加えるノボラックトリマの量としては５〜３５重量％の
範囲で選択するのが好ましい。

このようにノボラックトリマを加えノボラック中のトリ
マの総量を１０〜４０重量％となすことにより感度、解
像度およびマスク忠実度に優れたポジ型フォトレジスト
を得ることができる。

ノボラック中のトリマの総量が１０重量％未満の場合に
は前述の効果が十分上がらず、４０重量を越える場合に
は感度は高くなるものの耐熱性が悪くなる。

本発明で使用されるノボラックはタイマの含有量が１０
重量％以下で、かつトリマの含有量が１０重量％以上で
あるとともに、その分子量分布が３〜８の範囲であり、
かつその数平均分子量が５００〜５．０００の範囲にあ
るものが好ましい。

ここで分子量分布とは、Ｍｗ（重量平均分子量）／Ｍｎ
（数平均分子量）で表わされるものである。

本発明で用いるノボラックトリマを製造する方法として
は、通常のノボラックから分別操作により得る方法、フ
ェノール類にアルカリ性条件下または二価金属イオンの
存在下にホルムアルデヒドを反応させた後、過剰のフェ
ノール類を酸性条件下に反応させる方法、あるいは２．
６−ビス（ヒドロキシメチル）フェノール類とフェノー
ル類の反応により得る方法などが挙げられるが、これら
に限定されない。

本発明においてノボラック中に含有せしめるノボラック
トリマとしては下記一般式（１）で表されるものである
ことが好ましい。

ただし、ＩＩ、ｎは１または２、ｍ、ｏは１〜４の整数
（ただしＡ’＋ｍ＜５、ｎ　＋　ｏ　＜　５　）　、Ｒ
は低級アルキル、ハロゲンまたは低級アルコキシを示す
。

Ｒとしては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル
、塩素、メトキシ、エトキシ、プロポキシおよびイソプ
ロポキシなどが好ましいが、ニトロ、シアノ、メトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、アセチル、フェニル
、ベンジルおよびベンゾイルなどであっても差支えない
。

特に好ましいノボラックトリマ（１）としては例えば下
記一般式（２）で表されるの構造を有するのものが挙げ
られる。

ここで、 ｒは次のいずれかである。

Ｈ Ｈ また、上記一般式（２）および上記各構造式中のＲはそ
れぞれ−ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＣＡ’、　　ＯＣＨ３およ
び一０Ｃ２Ｈ５のいずれかである。

これらのノボラックトリマは単独または２種以上の混合
物として用いることができるが、２．３８％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解度が２
００Ａ／秒以上であることが好ましい。特に好ましくは
５００Ａ〜１００μｍ／秒である。

溶解速度は以下の方法により測定することができる。

すなわち、トリマをエチルセロソルブアセテートなどの
有機溶媒に１０〜３０％の濃度で溶解した後、シリコン
ウェハ上にスピンナを用い１〜５μｍの厚みに塗布する
。次いでコンベクションオーブンを用い、１００°Ｃで
３０分間プリベークした後、膜厚を測定する。シリコン
ウェハを２．３８％テトラメチルアンモニウムヒドロキ
シド水溶液に２３℃で、５〜３０秒間浸漬し、ついで水
洗する。１００℃で３０分間ポストベークした後、膜厚
を測定し、膜減り量を測定し、溶解速度を計算する。

ノボラックトリマが単品で塗布できない場合または、溶
解速度が非常に早く、測定が困難である場合は他の溶解
速度既知のノボラックと数種類の割合いで混合し、混合
物の溶解速度を測定する。

溶解速度を縦軸に対数目盛りで目盛り、横軸に混合比を
普通目盛りでとり、単品の溶解速度を外挿により求める
。溶解速度には対数の加成性が成立するので上のグラフ
で直線が得られる。

すなわち、ノボラックの溶解速度をＲ１、その重量をＸ
、添加するノボラックトリマの溶解速度をＲ２、その重
量をＹ１混合物の溶解速度をＲとすると、次式が成立す
る。

Ｘ　Ｌｏｇ　Ｒ＋　＋Ｙ　Ｌｏｇ　Ｒ２＝　（Ｘ＋Ｙ　
）　ＬｏｇＲ次に本発明のポジ型フォトレジスト組成物
の感光剤成分として用いられる化合物は、テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベンゾフェノン
またはヘキサヒドロキシベンゾフェノンの分子内の水酸
基が平均して７５％以上ナフトキノン−１，２−ジアジ
ド−５−スルホン酸またはナフトキノン−１，２−ジア
ジド−４−スルホン酸でエステル化されているものであ
り、これにより解像度が良く、耐熱性の高いフォトレジ
ストを得ることができる。より好ましくは８０％以上エ
ステル化されているものが良い。

これらの感光剤は、例えばポリヒドロキシベンゾフェノ
ンと、全水酸基のモル数に対し０．７５倍モル以上のナ
フトキノン−１，２−ジアジド５−スルホニルクロリド
またはナフトキノン−１゜２−ジアジド−４−スルホニ
ルクロリドを塩基存在下で反応させることにより得られ
る。

この反応は副反応が少ないため、実質的に原料の仕込比
に等しいエステル化率をもった感光剤が得られる。

テトラヒドロキシベンゾフェノンとしては、２゜３．４
．４’　　−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２．４
．２’　、４’　−テトラヒドロキシベンゾフェノン；
ペンタヒドロキシベンゾフェノンとしては、２．３．４
．２’　、４’　　−ペンタヒドロキシベンゾフェノン
・ヘキサヒドロキシベンゾフェノンとしては、２．３．
４．３’、４’、５’　　−ヘキサヒドロキシベンゾフ
ェノンが特に好ましく用いられる。

これらの感光剤は単独または二種以上混合してフォトレ
ジスト組成物に用いることができる。

上記の樹脂成分と感光剤は適当な有機溶媒に溶解してポ
ジ型フォトレジストとなされる。

樹脂成分と感光剤の配合割合は重量比で９０／１０〜５
０１５０であることが好ましく、より好ましくは８５／
１５〜７０／３０である。感光剤が少ないと感度は高い
が耐熱性が十分でなく、多すぎると耐熱性は高いが感度
は低くなる。

これらの成分の他に塗膜時の塗りむらを防ぐための界面
活性剤、基板からの光の反射を防ぐための色素、増感剤
等を適宜添加することができる。

用いる溶媒としては、ノボラックと感光剤およびその他
の成分を溶解するものであれば特に制限はないが、エチ
レングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコー
ルモノエチルエーテル等のグリコールエーテル類、メチ
ルセロソルブアセタート、エチルセロソルブアセタート
等のセロソルブエステル類、プロピレングリコールモノ
メチルエーテルアセタート、プロピレングリコールモノ
エチルエーテルアセタート等のプロピレングリコールモ
ノエーテルアセタート類、２−ヒドロキシプロピオン酸
メチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル等のモノヒ
ドロキシカルボン酸エステル類、トルエン、キシレン、
クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類、メチルイソブチ
ルケトン、メチルイソアミルケトン、シクロヘキサノン
等のケトン類、または酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸
ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｔ−ブチル、エチルプロ
ピオナート、プロピルプロピオナート、イソプロピルプ
ロピオナート、ブチルプロピオナート、イソブチルプロ
ピオナート、ｔ−ブチルプロピオナート、ペンチルプロ
ピオナート等のエステル類を挙げることができる。また
必要に応じてアニソール、ベンジルエチルエーテル、ジ
ヘキシルエーテル等のエーテル類、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル等のジエチレングリコールエーテル類、１−
オクタツール、１−ノナノール、ベンジルアルコール等
のアルコール類、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュ
ウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、フマル酸ジエチル
、γ−ブチロラクトン、炭酸ジエチル、炭酸エチレン、
炭酸プロピレン等のエステル類、ジメチルホルムアミド
、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の非
プロトン性極性溶媒等を添加することができる。

本発明によるポジ型フォトレジストを微細ノ々り−ン作
製に用いる際、露光後、現像前に基板を加熱する（ポス
トエクスポージャベーク）ことが好ましく、これにょリ
スカムが少な（、コントラストの良いパターンを得るこ
とができる。

加熱の方法きしては、特に限定されず、例えばオーブン
やホットプレート等を用いる方法が挙げられる。温度は
９０〜１４０’Ｃの範囲が好ましく、より好ましくは１
００〜１３０’Ｃである。加熱時間は循環式のオーブン
の場合、１〜６０分間、好ましくは５〜３０分間の範囲
であり、ホットプレートを用いる場合は０．５〜５分間
、好ましくは０．７〜２分間が適当である。

［発明の効果］ 本発明は上述のごとく構成したので、解像度、感度およ
びマスク忠実度に優れ、高集積度の集積回路製造用レジ
ストとして好適なポジ型フォトレジスト組成物を得るこ
とができる。またこの発明によれば現像時にスカムの発
生のないコントラストの良好なパターンを確実に得るこ
とができる。

［実施例］ 以下本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明
はこれらによって限定されるものではない。

なお、本発明におけるダイ７およびトリマの含有量は、
それぞれゲル浸透クロマトグラフィー（Ｇ　Ｐ　Ｃ）で
測定したクロマトグラムより求めたものである。また以
下の説明で「部」は重量部の略である。

合成例１ ｍ−クレゾール３５部、ｐ−クレゾール６５部、シュウ
酸０．５部、３７％ホルマリン４６部より通常の方法で
ノボラック樹脂を得た。

このノボラックの重量平均分子量は６，６５０、数平均
分子量は１，１８４、分子量分布は５．６２であり、ダ
イ７の量は１０．５重量％、トリマ量は５．７重量％で
あった（このノボラックをノボラックＡとする）。

ノボラックＡを１部取り、メタノール５．００部に溶解
し、撹拌下に４，００部の水を滴下しノボラックを沈澱
させた。上澄液を除き、沈澱したノボラックを取り出し
て５０℃で２４時間真空乾燥した。０．８６部のノボラ
ックが得られ、このノボラックの重量平均分子量は７，
２５９、数平均分子量は１，７４５、分子量分布は４．
１６、タイマ量は６．１重量％、トリマ量は３．０重量
％であった（このノボラックをノボラックＢとする）。

ノボラックＡを１部を取り、メタノール５．　００部に
溶解し、攪拌下に２．６６部の水を滴下しノボラックを
沈澱させた。上澄液を除き、沈澱したノボラックを取り
出して５０’Ｃで２４時間真空乾燥した。０，８２部の
ノボラックが得られ、このノボラックの重量平均分子量
は８，０７５、数平均分子量は２，０３７、分子量分布
は３．９６、ダイ７の含有量は４．３重量％、トリマ含
有量は２．１重量％であった（このノボラックをノボラ
ックＣとする）。

実施例１ ノボラック８１８．７２部、２，６−ビス（２−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニルメチル）−４−メチルフェノ
ール　２．０８部、２，３゜４．４′−テトラヒドロキ
シベンゾフェノンが平均してナフトキノン−１，２−ジ
アジド−５−スルホン酸により３，８モル当量エステル
化された感光剤５．２部、“トロイソール“３６６（Ｔ
。

ＲＯＹ　　ＣＨＥＭＩＣＡＬ社製界面活性剤）０゜０５
部をプロピレングリコールモノメチルエーテルアセター
ト５１．８部、エチルラフタート２２゜２部に溶解しレ
ジスト液とした。ノボラック成分中のダイ７の含有量は
５．５重量％、トリマの総合有量は１２．７重量％であ
った。

このレジスト溶液を０．２μｍのメンブランフィルタ−
で濾過し、スピンナーを用いて６インチシリコンウェハ
上に回転塗布した後、ポットプレート上で９０°Ｃで１
分間プリベークし、１．１６μｍ厚のレジスト膜を得た
。

次いでｇ線ステッパ（−日本光学槽Ｎ５Ｒ１５０５０６
Ｅ、ＮＡ＝０．５４）を用イテテストパターンを露光し
た後、ホットプレート上で１１０℃１分間ポストエクス
ポージャベークを行った。

テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２．３８％水溶
液を用い２３℃で１分間パドル現像を行ない、水洗後、
スピン乾燥した。

得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で評価し
たところ、２００ｍＪ／ａｍ２の露光量テ０．　５０．
　０．　４５．　０．　４２および０．４０μｍのライ
ン・アンド・スペースが１：１に解像されていた。すな
わち、０．４０μｍまでのマスク忠実度が得られた。ま
た感度曲線より測定したコントラスト（γ値）は３．５
１であった。

比較例１ 前述（７）／ボラックＡ２０．８０部、２，３゜４．４
′−テトラヒドロキシベンゾフェノンが平均してナフト
キノン−１，２−ジアジド−５−スルホン酸により３．
８モル当量エステル化された感光剤５．２０部、“トロ
イソール”３６６　０゜０５部をプロピレングリコール
モノメチルエーテルアセタート５１．８０部、エチルラ
フタート２２．２部に溶解し、レジスト溶液とした。

このレジスト溶液を０．　２μｍのメンブランフィルタ
−で濾過し、スピンナーを用いて６インチシリコンウェ
ハ上に回転塗布した後、ホットプレート上で９０°Ｃで
１分間プリベークし、１．１６μｍ厚のレジスト膜を得
た。

次いで前記ｇ線ステッパを用いてテストパターンを露光
した後、ホットプレート上で１１０°０１分間ポストエ
クスポージャベークを行った。テトラメチルアンモニウ
ムヒドロキシド２．３８％水溶液を用い２３℃で１分間
パドル現像を行ない、水洗後スピン乾燥した。

得られたレジストパターンを走査型電子顕微鏡で評価し
たところ、２００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で０．５０μｍ
のライン・アンド・スペースが１：１に解像されていた
が、それ未満のパターンはスカムが多く良好なパターン
は得られなかった。

またマスク忠実度は０．５０μｍまでであった。

感度曲線より測定したコントラスト（γ値）は３゜１３
であった。

実施例２〜１１、比較例２〜４ 表１に示す組成および条件を採用した以外は実施例１と
同様にしてそれぞれレジスト組成物溶液を作り、同様の
方法で評価した。結果を表１に示す。

なお、表１中に記載したノボラックトリマＩ。

■、■および■はそれぞれ以下に示すような化学構造お
よび溶解速度（Ａ／秒）を有するものである。

番号　　　構造式　　　　　　　　溶解速度また、 表１中で感光剤ａ１ １ Ｃおよびｄはそ れぞれ次の化学構造を有するものである。

ａ　：２．３．４．４’　−テトラヒドロキシベンゾフ
ェノンが平均してナフトキノン−１゜２−ジアジド−５
−スルホン酸により３゜８モル当量エステル化された化
合物 ｂコ２．３．４．４’　−テト・ラヒドロキシベンゾフ
ェノンが平均してナフトキノン−１゜２−ジアジド−５
−スルホン酸により３゜５モル当量エステル化された化
合物 ｃ　：２．３，４．２’　、４’　−ペンタヒトミキシ
ベンゾフェノンが平均してナフトキノン１．２−ジアジ
ド−５−スルホン酸により４．０モル当量エステル化さ
れた化合物ｄ：２．３，４．３’、４’、５’　−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノンが平均してナフトキノン−
１，２−ジアジド−５−スルホン酸により４．８モル当
量エステル化された化合物

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　樹脂成分として、ｍ−クレゾール：ｐ−クレゾール
   ２０／８０〜８０／２０（モル比）を原料とし、タイマ
   の含有量が１０％重量以下で、トリマの含有量が１０％
   重量以上のノボラックを含み、かつ感光剤成分としてテ
   トラヒドロキシベンゾフェノン、ペンタヒドロキシベン
   ゾフェノン、またはヘキサヒドロキシベンゾフェノンの
   水酸基のうち平均７５％以上がナフトキノン−１、２−
   ジアジド−５−スルホン酸またはナフトキノン−１、２
   −ジアジド−４−スルホン酸でエステル化されている化
   合物を含むことを特徴とするポジ型フォトレジスト組成
   物。 ２　ノボラックがタイマの含有量が１０重量％以下で、
   かつトリマの含有量が５重量％以下のノボラックとノボ
   ラックトリマとを含む組成物からなることを特徴とする
   請求項１記載のポジ型フォトレジスト組成物。 ３　ノボラックトリマが下記一般式（１）で表されるト
   リマであることを特徴とする請求項２記載のポジ型フォ
   トレジスト組成物。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （１） ただし、ｌ、ｎは１または２、ｍ、ｏは１〜４の整数（
   ただしｌ＋ｍ＜５、ｎ＋ｏ＜５）、Ｒは低級アルキル、
   ハロゲンまたは低級アルコキシを示す。 ４　ノボラックトリマの２．３８％テトラメチルアンモ
   ニウムヒドロキシド水溶液に対する溶解速度が２００Å
   ／秒以上である請求項２または３記載のポジ型フォトレ
   ジスト組成物。