JPH03225983A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH03225983A JPH03225983A JP2077790A JP2077790A JPH03225983A JP H03225983 A JPH03225983 A JP H03225983A JP 2077790 A JP2077790 A JP 2077790A JP 2077790 A JP2077790 A JP 2077790A JP H03225983 A JPH03225983 A JP H03225983A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0206—Substrates, e.g. growth, shape, material, removal or bonding
- H01S5/021—Silicon based substrates
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
- H01S5/32—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
- H01S5/323—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
- H01S5/32308—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm
- H01S5/32325—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser emitting light at a wavelength less than 900 nm red laser based on InGaP
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は可視光半導体レーザに関するものであり、特に
発振波長の短波長化、低閾値化、温度特性の改善および
、レーザ駆動回路、受光素子、受光素子駆動回路の集積
化に関する。
発振波長の短波長化、低閾値化、温度特性の改善および
、レーザ駆動回路、受光素子、受光素子駆動回路の集積
化に関する。
（従来の技術）
ＡｌｌＧａＩｎＰ系可視光半導体レーザは、従来ＧａＡ
ｓ基板上にダブルヘテロ構造が形成され、ＧａＡｓ基板
と格子整合するする組成の（ＡＮ 。
ｓ基板上にダブルヘテロ構造が形成され、ＧａＡｓ基板
と格子整合するする組成の（ＡＮ 。
Ｇ ａ ＋−ｕ） ｏ、ｓ Ｉ ｎｏ、ｓ Ｐをクラッ
ド層、（ＡΩｌＧ’ａ １−＋ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ
Ｏ，５Ｐを活性層（０≦ｔａＵ≦１）としている（例え
ばアイ・イ・イー・イー ジャーナル・オブ・クアンタ
ムφエレクトロニクス（ＩＥＩＩＪ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＱｕａｎｔｕｎ＋Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ＱＥ
−２３巻 ｐ７０４−７１１（１９８７）に構造が示さ
れている）。発振波長は、Ｇ ａｏ、５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐを活性層とした場合には６６０〜６９０ｎｎ＋、活
性層を（ＡＩ ＋ Ｃｙａ ｒ−＋ ） ｏ、５ｌｎｏ
５Ｐとした場合には５８０ ｎｍ程度迄の短波長化が期
待できる。
ド層、（ＡΩｌＧ’ａ １−＋ ） ｏ、ｓ Ｉ ｎ
Ｏ，５Ｐを活性層（０≦ｔａＵ≦１）としている（例え
ばアイ・イ・イー・イー ジャーナル・オブ・クアンタ
ムφエレクトロニクス（ＩＥＩＩＪ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＱｕａｎｔｕｎ＋Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ）第ＱＥ
−２３巻 ｐ７０４−７１１（１９８７）に構造が示さ
れている）。発振波長は、Ｇ ａｏ、５ Ｉ ｎｏ、５
Ｐを活性層とした場合には６６０〜６９０ｎｎ＋、活
性層を（ＡＩ ＋ Ｃｙａ ｒ−＋ ） ｏ、５ｌｎｏ
５Ｐとした場合には５８０ ｎｍ程度迄の短波長化が期
待できる。
（発明が解決しようとする課題）
前述の従来技術では、発振波長の短波長化、低閾値化、
温度特性の改善を行うために活性層とクラッド層のエネ
ルギ・ギャップ差Ｅ、を増すとき、クラッド層のＡ、Ｑ
組成を増さねばならない。Ａ、Ｑ組成を増すと、ドーピ
ング効率が低下し、クラッド層の低ドーピング濃度化、
高抵抗化につながり、温度特性の改善や低閾値化が難し
くなる。また、ＧａＡｓ上にレーザを形成しているので
、電子回路や受光素子を集積化するときに、これらをＧ
ａＡｓ上に形成させねばならない。良好な特性の電子回
路や受光素子をＧａＡｓ上に形成することはさ程容易で
はなく、形成できても電子回路や受光素子の単価がＳｉ
基板に形成したものより高くなる。このように、ＧａＡ
ｓ基板上に形成する半導体レーザには、発振波長短波長
化、低閾値化、温度特性の改善ならびに電子回路および
受光素子の集積化の容易化に関し改善すべき課題があっ
た。
温度特性の改善を行うために活性層とクラッド層のエネ
ルギ・ギャップ差Ｅ、を増すとき、クラッド層のＡ、Ｑ
組成を増さねばならない。Ａ、Ｑ組成を増すと、ドーピ
ング効率が低下し、クラッド層の低ドーピング濃度化、
高抵抗化につながり、温度特性の改善や低閾値化が難し
くなる。また、ＧａＡｓ上にレーザを形成しているので
、電子回路や受光素子を集積化するときに、これらをＧ
ａＡｓ上に形成させねばならない。良好な特性の電子回
路や受光素子をＧａＡｓ上に形成することはさ程容易で
はなく、形成できても電子回路や受光素子の単価がＳｉ
基板に形成したものより高くなる。このように、ＧａＡ
ｓ基板上に形成する半導体レーザには、発振波長短波長
化、低閾値化、温度特性の改善ならびに電子回路および
受光素子の集積化の容易化に関し改善すべき課題があっ
た。
この発明はそれらの課題の解決を目的とする。
（課題を解決するための手段）
この発明の要旨は、Ｓｉ基板上に、（Ａｊｌｌ 。
Ｇａ、−ｘ ） ｙ Ｉ ｎｌ−ｙ Ｐ （０≦ｘ≦
１．０≦ｙ≦１）を活性層、（ｌ ｚ Ｇａ１−＋ ）
ｗ Ｉ ｎｌ−、ｐ（０≦ｚ≦１，０≦ｗ≦１）をク
ラッド層とするダブルヘテロ構造（Ｄ Ｈ）を有する構
造により、前述の従来技術に残された課題を過解決する
ことにある。特に活性層をＧａｖ Ｉ Ｊ−ｖＰ （０
≦ｖ≦１）、クラッド層をＧａＰとして、さらに活性層
厚を２００Ａ以下とすることにより、改善の効果が著し
い。また、Ｓｉ基板とダブルヘテロ構造との間に、Ａ、
７１ 、 Ｇａ＋−ｖ Ｐ （０≦ｖ≦１）の格子定数
の値から連続的に又は、段階的にクラッド層の格子定数
の値に近づける層を有することにより、本発明により生
じうる問題を除去する。
１．０≦ｙ≦１）を活性層、（ｌ ｚ Ｇａ１−＋ ）
ｗ Ｉ ｎｌ−、ｐ（０≦ｚ≦１，０≦ｗ≦１）をク
ラッド層とするダブルヘテロ構造（Ｄ Ｈ）を有する構
造により、前述の従来技術に残された課題を過解決する
ことにある。特に活性層をＧａｖ Ｉ Ｊ−ｖＰ （０
≦ｖ≦１）、クラッド層をＧａＰとして、さらに活性層
厚を２００Ａ以下とすることにより、改善の効果が著し
い。また、Ｓｉ基板とダブルヘテロ構造との間に、Ａ、
７１ 、 Ｇａ＋−ｖ Ｐ （０≦ｖ≦１）の格子定数
の値から連続的に又は、段階的にクラッド層の格子定数
の値に近づける層を有することにより、本発明により生
じうる問題を除去する。
各層形成のための結晶成長方法には、有機金属熱分解気
相エビタクシャル法（ＭＯＶＰＥ法）、分子ビームエピ
タクシャル法（ＭＢＥ法）、液相エピタクシャル法（Ｌ
ＰＥ法）、ハロゲン輸送気相エビタクシャル法（ＨＴ−
ＶＰＥ法）など各種の方法が適用でき、本発明は結晶の
成長方法に制限されることな〈実施できる。
相エビタクシャル法（ＭＯＶＰＥ法）、分子ビームエピ
タクシャル法（ＭＢＥ法）、液相エピタクシャル法（Ｌ
ＰＥ法）、ハロゲン輸送気相エビタクシャル法（ＨＴ−
ＶＰＥ法）など各種の方法が適用でき、本発明は結晶の
成長方法に制限されることな〈実施できる。
（作用）
第４図に、（Ａｌｌ ！ Ｇａ１−ｘ ） ｙ Ｉ ｎ
ｌ−ｙ Ｐのエネルギギャップと格子定数の関数を示す
。実線で囲まれた領域で全組成範囲が示される。Ｓｔの
格子定数（ａ ｓ、＝ ５．４３Ａ ）も併せて示す。
ｌ−ｙ Ｐのエネルギギャップと格子定数の関数を示す
。実線で囲まれた領域で全組成範囲が示される。Ｓｔの
格子定数（ａ ｓ、＝ ５．４３Ａ ）も併せて示す。
図中斜線部は間接遷移領域で、無地の部分は直接遷移領
域である。図より、同じエネルギギャップ値でも格子定
数の小さいとき程へρ組成を減らすことのできることが
わかる。前述のようにドーピング特性はＡβ組成の小さ
いことが望ましい。ところが、格子定数を小さくすると
、ＧａＡｓの格子定数からのずれが大きくなり、ミスフ
ィツト転位が発生し、結晶の品質を損う。ところで、Ｓ
ｔとＧａＰの格子定数を比較すると、Ｓｔが５．４３Ａ
、 Ｇ ａ Ｐが５．４５Ａなので、その格子不整合度
は３．７ Ｘｌ０−’と非常に小さい。そこで、Ｓｉ基
板上にＧａＰをクラッド層、Ｇａｏ、、 Ｉ ｎｏ、５
ｐを活性層とすれば、ＡＩを用いずにダブルヘテロ構
造が形成され、発振波長も６６０〜６９０ｎＩ１１のも
のが得られる。
域である。図より、同じエネルギギャップ値でも格子定
数の小さいとき程へρ組成を減らすことのできることが
わかる。前述のようにドーピング特性はＡβ組成の小さ
いことが望ましい。ところが、格子定数を小さくすると
、ＧａＡｓの格子定数からのずれが大きくなり、ミスフ
ィツト転位が発生し、結晶の品質を損う。ところで、Ｓ
ｔとＧａＰの格子定数を比較すると、Ｓｔが５．４３Ａ
、 Ｇ ａ Ｐが５．４５Ａなので、その格子不整合度
は３．７ Ｘｌ０−’と非常に小さい。そこで、Ｓｉ基
板上にＧａＰをクラッド層、Ｇａｏ、、 Ｉ ｎｏ、５
ｐを活性層とすれば、ＡＩを用いずにダブルヘテロ構
造が形成され、発振波長も６６０〜６９０ｎＩ１１のも
のが得られる。
また、ＧａＰをクラッド層、Ｇ ａｏ、６ Ｉ ｎ、４
Ｐを活性層とすると発振波長６２０ ｎｍ程度のものが
、／ｌを用いずに得られる。レーザのＤＨ（ダブルヘテ
ロ構造）の場合活性層厚は０．１μｍ以下と薄くするの
で、活性層のみ格子定数がずれていても、素子特性には
それ程の悪影響を及ぼさない。活性層厚を＜２００Ａの
薄膜量子井戸構造とすると、格子不整合の影響がさらに
軽減される゛ことに加えて、量子効果が得られる。また
、Ｓｉ基板とＤＨとの間に、ＧａＰの格子定数から、格
子定数を連続的に或いは段階的に減じてゆけば、クラッ
ド層としてより活性層の格子定数に近い組成のものを用
いることがき、素子特性や信頼性は更に向上する。
Ｐを活性層とすると発振波長６２０ ｎｍ程度のものが
、／ｌを用いずに得られる。レーザのＤＨ（ダブルヘテ
ロ構造）の場合活性層厚は０．１μｍ以下と薄くするの
で、活性層のみ格子定数がずれていても、素子特性には
それ程の悪影響を及ぼさない。活性層厚を＜２００Ａの
薄膜量子井戸構造とすると、格子不整合の影響がさらに
軽減される゛ことに加えて、量子効果が得られる。また
、Ｓｉ基板とＤＨとの間に、ＧａＰの格子定数から、格
子定数を連続的に或いは段階的に減じてゆけば、クラッ
ド層としてより活性層の格子定数に近い組成のものを用
いることがき、素子特性や信頼性は更に向上する。
（実施例）
第１図に本発明の第１の実施例を示す。この実施例の製
造においては半導体層の成長はＭＯＶＰＥ法により行な
った。ｎ型Ｓｉ基板１上に厚さ１μｍのＳｔドープｎ−
ＧａＰクラッド層２、厚さ０．０８μｍのアンドープＧ
ａ Ｏ６，Ｉ ｎ ｏ、４．Ｐ活性層３、厚さ１μｍ
のＺｎドープｐ−ＧａＰクラッド層４をＭＯＶＰＥ法に
より成長よる。この上にＳｉＯ２膜５を形成し、電流注
入用ストライプ６を形成するために、フォトリソグラフ
ィ法などにより、ストライプ状にＳｉＯ２を選択的に除
去する。最後にｐ型用電極７としてＡｕＺｎ合金などを
、ｎ型用電極８としてＡｕＧｅ合金などを、蒸着法等に
よりそれぞれ耐着させる。活性層の組成は所望のレーザ
発振波長に応じて変えられる。
造においては半導体層の成長はＭＯＶＰＥ法により行な
った。ｎ型Ｓｉ基板１上に厚さ１μｍのＳｔドープｎ−
ＧａＰクラッド層２、厚さ０．０８μｍのアンドープＧ
ａ Ｏ６，Ｉ ｎ ｏ、４．Ｐ活性層３、厚さ１μｍ
のＺｎドープｐ−ＧａＰクラッド層４をＭＯＶＰＥ法に
より成長よる。この上にＳｉＯ２膜５を形成し、電流注
入用ストライプ６を形成するために、フォトリソグラフ
ィ法などにより、ストライプ状にＳｉＯ２を選択的に除
去する。最後にｐ型用電極７としてＡｕＺｎ合金などを
、ｎ型用電極８としてＡｕＧｅ合金などを、蒸着法等に
よりそれぞれ耐着させる。活性層の組成は所望のレーザ
発振波長に応じて変えられる。
第２の実施例は、第１の実施例と同じ組成であって、活
性層３の厚さを１００Ａ程度と薄くしたものである。
性層３の厚さを１００Ａ程度と薄くしたものである。
第３の実施例を第１図および第２図を参照して説明する
。第２図は第３の実施例における層の形成方向の格子定
数プロファイルを示す。第３の実施例の製造におい、ｎ
−５ｔ基板上に組成を連続的に変えた１μ市厚のｎ−Ｇ
ａ、Ｉｎ＋□Ｐ層（Ｏ≦ｘ≦１）を成長する。Ｓｔ基板
に接する部分をＧａＰとし、連続的にＩｎの量を増し、
Ｉｎ組成１−ｘ−０，１まで増やす。この上にＧａｏ７
Ｉｎｏ、３Ｐと格子整合するｎ−（ＡΩｏ２Ｇａｏ、ｓ
） ０．７ Ｉ ｎｏ、ｇ Ｐクラッド層を１μｍ成
長する。これは、Ｇａｏ、７ Ｉ ｎｏ、ｉ Ｐよりも
約８０ ｍｅＶエネルギギャップが大きい。次に厚さ１
００ のアンドープ活性層Ｇａ（１，５Ｉ ｎｏ、５
Ｐを成長する。さらにこの上にｐ−（Ａ１１ｏ２Ｇａｏ
、ｓ ） 、、、 Ｉ ｎ。、、 Ｐクラッド層を成長
させる。このあと、第１の実施例と同じ手順で第１図と
同様の素子構造をとる。
。第２図は第３の実施例における層の形成方向の格子定
数プロファイルを示す。第３の実施例の製造におい、ｎ
−５ｔ基板上に組成を連続的に変えた１μ市厚のｎ−Ｇ
ａ、Ｉｎ＋□Ｐ層（Ｏ≦ｘ≦１）を成長する。Ｓｔ基板
に接する部分をＧａＰとし、連続的にＩｎの量を増し、
Ｉｎ組成１−ｘ−０，１まで増やす。この上にＧａｏ７
Ｉｎｏ、３Ｐと格子整合するｎ−（ＡΩｏ２Ｇａｏ、ｓ
） ０．７ Ｉ ｎｏ、ｇ Ｐクラッド層を１μｍ成
長する。これは、Ｇａｏ、７ Ｉ ｎｏ、ｉ Ｐよりも
約８０ ｍｅＶエネルギギャップが大きい。次に厚さ１
００ のアンドープ活性層Ｇａ（１，５Ｉ ｎｏ、５
Ｐを成長する。さらにこの上にｐ−（Ａ１１ｏ２Ｇａｏ
、ｓ ） 、、、 Ｉ ｎ。、、 Ｐクラッド層を成長
させる。このあと、第１の実施例と同じ手順で第１図と
同様の素子構造をとる。
以下に述べた第１〜第３の実施例において、結晶成長は
ＭＯＶｙＰＥ以外の方法、ＭＢＥ法、ＬＰＥ法、ＨＴ−
ＶＰＥ法でもよく、その方法によらず本発明は実現でき
る。また、各層の具体的な組成は、所望の発振波長に応
じて実施例の値に限らず各種の値にきめる。Ａｊ？組成
の増加による結晶品質の劣化と、格子不整合による結晶
品質の劣化がともに著しくならない最適な組成がある。
ＭＯＶｙＰＥ以外の方法、ＭＢＥ法、ＬＰＥ法、ＨＴ−
ＶＰＥ法でもよく、その方法によらず本発明は実現でき
る。また、各層の具体的な組成は、所望の発振波長に応
じて実施例の値に限らず各種の値にきめる。Ａｊ？組成
の増加による結晶品質の劣化と、格子不整合による結晶
品質の劣化がともに著しくならない最適な組成がある。
第４の実施例を第３図に示す。第１〜第３の実施例によ
るレーザと受光素子および電気回路を集積化した模式的
平面図である。まず、ｎ−８ｔ基板９上に、５μｍ程度
の段差１５をつけ、レーザ１０を形成する領域のＳｔ基
板表面をエツチングなどにより削る。レーザを形成する
ための成長を全面に行う。ドライエツチング法などによ
りレーザ端面、側面を形成し、第３図のようにレーザ部
１０のみ残し、他を表面からとりさる。レーザの光が図
中矢印１４の方向に出射するように電流注入ストライプ
を形成する。続いて、Ｓｔ基板上に受光素子となるｐｉ
ｎフォトダイオード１１、フォトダイオード駆動回路１
２、レーザ駆動回路１３をイオン注入やフォトリングラ
フィ法を用いて形成する。こうして、ＡＤＧａｌｎＰ系
レーザ並びにＳｉ−受光素子および電気回路を１つのＳ
ｔ基板９の上に集積できる。
るレーザと受光素子および電気回路を集積化した模式的
平面図である。まず、ｎ−８ｔ基板９上に、５μｍ程度
の段差１５をつけ、レーザ１０を形成する領域のＳｔ基
板表面をエツチングなどにより削る。レーザを形成する
ための成長を全面に行う。ドライエツチング法などによ
りレーザ端面、側面を形成し、第３図のようにレーザ部
１０のみ残し、他を表面からとりさる。レーザの光が図
中矢印１４の方向に出射するように電流注入ストライプ
を形成する。続いて、Ｓｔ基板上に受光素子となるｐｉ
ｎフォトダイオード１１、フォトダイオード駆動回路１
２、レーザ駆動回路１３をイオン注入やフォトリングラ
フィ法を用いて形成する。こうして、ＡＤＧａｌｎＰ系
レーザ並びにＳｉ−受光素子および電気回路を１つのＳ
ｔ基板９の上に集積できる。
（発明の効果）
このように本発明の構造を採ることにより、ＡｐＧａ
Ｉ ｎＰ系材料において、高結晶品質を維持したまま、
低閾値でかつ良好な温度特性の可視光レーザが得られる
。特に発振波長が短くなったとき、この効果が大きい。
Ｉ ｎＰ系材料において、高結晶品質を維持したまま、
低閾値でかつ良好な温度特性の可視光レーザが得られる
。特に発振波長が短くなったとき、この効果が大きい。
また、Ｓｉの受光素子および電子回路と、ＡｐＧａｌｎ
Ｐ系レーザとが容易な製造工程でモノリシックに集積で
きる点は本発明の構造の半導体レーザの大きな利点であ
る。
Ｐ系レーザとが容易な製造工程でモノリシックに集積で
きる点は本発明の構造の半導体レーザの大きな利点であ
る。
第１図は本発明の第１及び第２の実施例を示す模式的斜
視図、第２図は本発明の第３の実施例における層形成方
向の格子定数プロファイルを示す図、第３図は本発明の
第４の実施例を示す図、第４図はＡ１１ＧａＩｎＰ系半
導体の格子定数とエネルギギャップの関係を示す図であ
る。 １・・・ｎ−８ｔ基板、２・・・ｎ−ＧａＰクラッド層
、３・・・アンドープＧ ａ ０．５５Ｉ ｎ ０．４
ＳＰ活性層、４・・・ｐ−ＧａＰクラッド層、５・・・
５ｉｎ２膜、６・・・電流注入ストライプ、７・・・ｐ
電極、８・・・ｎ電極。 ０
視図、第２図は本発明の第３の実施例における層形成方
向の格子定数プロファイルを示す図、第３図は本発明の
第４の実施例を示す図、第４図はＡ１１ＧａＩｎＰ系半
導体の格子定数とエネルギギャップの関係を示す図であ
る。 １・・・ｎ−８ｔ基板、２・・・ｎ−ＧａＰクラッド層
、３・・・アンドープＧ ａ ０．５５Ｉ ｎ ０．４
ＳＰ活性層、４・・・ｐ−ＧａＰクラッド層、５・・・
５ｉｎ２膜、６・・・電流注入ストライプ、７・・・ｐ
電極、８・・・ｎ電極。 ０
Claims (4)
- （１）（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿−＿ｘ）＿ｙＩｎ＿１＿−
＿ｙＰ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を活性層として、（
Ａｌ＿ｚＧａ＿１＿−＿ｚ）＿ｗＩｎ＿１＿−＿ｗＰ（
０≦ｚ≦１、０≦ｗ≦１）をクラッド層とするダブルヘ
テロ構造がＳｉ基板上に形成されてなることを特徴とす
る半導体レーザ。 - （２）Ｇａ＿ｙＩｎ＿１＿−＿ｙＰ（０≦ｙ≦１）を活
性層とし、ＧａＰをクラッド層とすることを特徴とする
請求項１に記載の半導体レーザ。 - （３）活性層の厚さを２００Å以下としたことを特徴と
する請求項１又は２に記載の半導体レーザ。 - （４）Ｓｉ基板とダブルヘテロ構造との間に、Ａｌ＿ｖ
Ｇａ＿１＿−＿ｖＰ（０≦ｖ≦１）の格子定数の値から
連続的または段階的にクラッド層の格子定数の値に近づ
ける層を有することを特徴とする請求項１乃至３に記載
の半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077790A JPH03225983A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2077790A JPH03225983A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03225983A true JPH03225983A (ja) | 1991-10-04 |
Family
ID=12036579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2077790A Pending JPH03225983A (ja) | 1990-01-31 | 1990-01-31 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03225983A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918087A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Nec Corp | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2001127339A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | 半導体発光素子 |
-
1990
- 1990-01-31 JP JP2077790A patent/JPH03225983A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0918087A (ja) * | 1995-06-27 | 1997-01-17 | Nec Corp | マルチビーム半導体レーザ装置 |
| JP2001127339A (ja) * | 1999-10-25 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | 半導体発光素子 |
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