JP3451818B2 - 半導体レーザー - Google Patents
半導体レーザーInfo
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- JP3451818B2 JP3451818B2 JP34798795A JP34798795A JP3451818B2 JP 3451818 B2 JP3451818 B2 JP 3451818B2 JP 34798795 A JP34798795 A JP 34798795A JP 34798795 A JP34798795 A JP 34798795A JP 3451818 B2 JP3451818 B2 JP 3451818B2
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- impurity concentration
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置およ
び半導体レーザーに関し、例えば、電流狭窄構造を有す
る半導体レーザーに適用して好適なものである。
び半導体レーザーに関し、例えば、電流狭窄構造を有す
る半導体レーザーに適用して好適なものである。
【０００２】
【従来の技術】赤色発光の半導体レーザーとしてＡｌＧ
ａＩｎＰ系半導体レーザーが実用化されている。図９に
従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの一例を示す。
ａＩｎＰ系半導体レーザーが実用化されている。図９に
従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの一例を示す。
【０００３】図９に示すように、この従来のＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ基板１
０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、アン
ドープＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１０６が順次積層されている。
ｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ基板１
０１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、アン
ドープＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰク
ラッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ
型ＧａＡｓキャップ層１０６が順次積層されている。
【０００４】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上
層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１０６は、一方向に延びる所定幅のリッジス
トライプ形状を有する。このリッジストライプ部の両側
の部分にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。
層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１０６は、一方向に延びる所定幅のリッジス
トライプ形状を有する。このリッジストライプ部の両側
の部分にはｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７が埋め込ま
れ、これによって電流狭窄構造が形成されている。
【０００５】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０８が設けられている。
一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、例えばＩｎ
電極のようなｎ側電極１０９が設けられている。
ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ
／Ａｕ電極のようなｐ側電極１０８が設けられている。
一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面には、例えばＩｎ
電極のようなｎ側電極１０９が設けられている。
【０００６】この従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザ
ーにおいて、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４、ｐ
型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０６中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１０７およびｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０２中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
ーにおいて、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４、ｐ
型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓキャップ
層１０６中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１０７およびｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０２中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
【０００７】上述の従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザーを製造するためには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、アンド
ープＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型
ＧａＡｓキャップ層１０６を、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。
ザーを製造するためには、まず、ｎ型ＧａＡｓ基板１０
１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０２、アンド
ープＧａＩｎＰ活性層１０３、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１０４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型
ＧａＡｓキャップ層１０６を、例えば有機金属化学気相
成長（ＭＯＣＶＤ）法により順次成長させる。
【０００８】次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６の全
面にＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチ
ングによりパターニングして所定幅のストライプ状のマ
スク（図示せず）を形成する。
面にＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチ
ングによりパターニングして所定幅のストライプ状のマ
スク（図示せず）を形成する。
【０００９】次に、このマスクをエッチングマスクとし
て用いて、ウエットエッチング法により、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１０４の厚さ方向の途中の深さまでエ
ッチングし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上
層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１０６を一方向に延びる所定幅のリッジスト
ライプ形状にパターニングする。
て用いて、ウエットエッチング法により、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１０４の厚さ方向の途中の深さまでエ
ッチングし、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４の上
層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層１０５およびｐ型ＧａＡｓ
キャップ層１０６を一方向に延びる所定幅のリッジスト
ライプ形状にパターニングする。
【００１０】次に、上述のエッチングに用いたものと同
一のマスクを成長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により、リッジストライプ部の両側の部分を埋め込
むようにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７を成長させる。
一のマスクを成長マスクとして用いて、例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により、リッジストライプ部の両側の部分を埋め込
むようにｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７を成長させる。
【００１１】次に、上述のマスクをエッチング除去した
後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１０７の全面にｐ側電極１０８を形成すると
ともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面にｎ側電極１０
９を形成する。
後、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１０６およびｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１０７の全面にｐ側電極１０８を形成すると
ともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１の裏面にｎ側電極１０
９を形成する。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、特
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１にオフ基板を用いた場合な
どのように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中の
Ｚｎなどのｐ型不純物が拡散しやすい状態にある場合に
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長の際に、以下
に述べるような問題が生じる。
従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、特
に、ｎ型ＧａＡｓ基板１０１にオフ基板を用いた場合な
どのように、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中の
Ｚｎなどのｐ型不純物が拡散しやすい状態にある場合に
は、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長の際に、以下
に述べるような問題が生じる。
【００１３】すなわち、図１０に示すように、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１０４のｐ型不純物濃度Ｎp より
もｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７のｎ型不純物濃度Ｎn
が高い場合には、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長
の際に、リッジストライプ部の中央部において、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中のｐ型不純物が例えば
図１０中破線で示す位置まで拡散してしまう。
ＧａＩｎＰクラッド層１０４のｐ型不純物濃度Ｎp より
もｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７のｎ型不純物濃度Ｎn
が高い場合には、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長
の際に、リッジストライプ部の中央部において、ｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中のｐ型不純物が例えば
図１０中破線で示す位置まで拡散してしまう。
【００１４】また、図１１に示すように、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１０４のｐ型不純物濃度Ｎp よりもｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７のｎ型不純物濃度Ｎn が低
い場合には、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長の際
に、リッジストライプ部の両側の部分のｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１０７中に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４中のｐ型不純物が図１１中破線で示す位置まで拡散
してしまう。
ＩｎＰクラッド層１０４のｐ型不純物濃度Ｎp よりもｎ
型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７のｎ型不純物濃度Ｎn が低
い場合には、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７の成長の際
に、リッジストライプ部の両側の部分のｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層１０７中に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
０４中のｐ型不純物が図１１中破線で示す位置まで拡散
してしまう。
【００１５】このように、従来のＡｌＧａＩｎＰ系半導
体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７
の成長の際に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中
のｐ型不純物の不要な拡散が生じるという問題があり、
このため、良好な特性が得られなかったり、信頼性が低
いなどの問題があった。
体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１０７
の成長の際に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０４中
のｐ型不純物の不要な拡散が生じるという問題があり、
このため、良好な特性が得られなかったり、信頼性が低
いなどの問題があった。
【００１６】以上はＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーに
ついてであるが、上述と同様な問題は、他の半導体レー
ザーはもちろん、半導体レーザー以外の半導体装置にお
いても生じ得るものである。
ついてであるが、上述と同様な問題は、他の半導体レー
ザーはもちろん、半導体レーザー以外の半導体装置にお
いても生じ得るものである。
【００１７】したがって、この発明の目的は、半導体層
にこれと不純物濃度が異なる他の半導体層を接して設け
る場合に不純物の不要な拡散を抑えることができる半導
体装置および半導体レーザーを提供することにある。
にこれと不純物濃度が異なる他の半導体層を接して設け
る場合に不純物の不要な拡散を抑えることができる半導
体装置および半導体レーザーを提供することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の発明は、オフ基板上のｎ型の第１
のクラッド層と、 第１のクラッド層上の活性層と、 活性
層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、 第２のクラッ
ド層に設けられたストライプ部の両側の部分にｎ型の電
流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する半導体レ
ーザーにおいて、 電流狭窄層のうちの第２のクラッド層
と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層の不純物
濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純物濃度よ
りも低い ことを特徴とするものである。
に、この発明の第１の発明は、オフ基板上のｎ型の第１
のクラッド層と、 第１のクラッド層上の活性層と、 活性
層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、 第２のクラッ
ド層に設けられたストライプ部の両側の部分にｎ型の電
流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する半導体レ
ーザーにおいて、 電流狭窄層のうちの第２のクラッド層
と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層の不純物
濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純物濃度よ
りも低い ことを特徴とするものである。
【００１９】
【００２０】この発明の第２の発明は、オフ基板上のｎ
型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上の活性層
と、活性層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、第２
のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に
ｎ型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する
半導体レーザーにおいて、電流狭窄層のうちの第２のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純
物濃度よりも高いことを特徴とするものである。
型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上の活性層
と、活性層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、第２
のクラッド層に設けられたストライプ部の両側の部分に
ｎ型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造を有する
半導体レーザーにおいて、電流狭窄層のうちの第２のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しくかつ他の部分の電流狭窄層の不純
物濃度よりも高いことを特徴とするものである。
【００２１】
【００２２】
【００２３】この発明の第１および第２の発明において
は、電流狭窄層は、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体や、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＺｎＭｇ、
ＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳなどのＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体からなる。
は、電流狭窄層は、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＩｎＰ、Ａ
ｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ、ＧａＮなどのＩＩＩ−Ｖ族化合
物半導体や、ＺｎＳＳｅ、ＺｎＭｇＳＳｅ、ＺｎＭｇ、
ＺｎＳｅ、ＺｎＣｄＳｅ、ＺｎＳなどのＩＩ−ＶＩ族化
合物半導体からなる。
【００２４】この発明の第１および第２の発明において
は、電流狭窄層の不純物は、例えば、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｌ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ、Ｐ、
Ａｓ、Ｓｂなどである。ここで、電流狭窄層の材料とそ
の不純物との組み合わせの例を挙げると、ＡｌＩｎＰま
たはＡｌＧａＩｎＰに対して、ｐ型不純物としてＺｎ、
Ｍｇ、Ｂｅなど、ｎ型不純物としてＳｅ、Ｓｉなどであ
る。また、ＺｎＳＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
に対しては、ｐ型不純物としてＮなど、ｎ型不純物とし
てＣｌなどである。
は、電流狭窄層の不純物は、例えば、Ｓｅ、Ｓｉ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｌ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ａｔ、Ｐ、
Ａｓ、Ｓｂなどである。ここで、電流狭窄層の材料とそ
の不純物との組み合わせの例を挙げると、ＡｌＩｎＰま
たはＡｌＧａＩｎＰに対して、ｐ型不純物としてＺｎ、
Ｍｇ、Ｂｅなど、ｎ型不純物としてＳｅ、Ｓｉなどであ
る。また、ＺｎＳＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半導体
に対しては、ｐ型不純物としてＮなど、ｎ型不純物とし
てＣｌなどである。
【００２５】この発明の第１および第２の発明において
は、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分と他の部分とは、互いに異な
る材料からなるものであってもよい。その一例を挙げる
と、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分がＡｌＧａＩｎＰからなり、
他の部分がＡｌＩｎＰからなる場合である。
は、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分と他の部分とは、互いに異な
る材料からなるものであってもよい。その一例を挙げる
と、電流狭窄層のうちの不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しい部分がＡｌＧａＩｎＰからなり、
他の部分がＡｌＩｎＰからなる場合である。
【００２６】この発明の第３の発明は、オフ基板上のｎ
型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上の活性層
と、活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、第２のクラ
ッド層上のストライプ状の開口を有するｎ型の電流狭窄
層と、電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド
層と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層とを有す
る半導体レーザーにおいて、第３のクラッド層のうちの
第２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のク
ラッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第３のク
ラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とするもの
である。この発明の第４の発明は、 オフ基板上のｎ型の
第１のクラッド層と、 第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、 第２のクラッド
層上のストライプ状の開口を有するｎ型の電流狭窄層
と、 電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド層
と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層とを有する
半導体レーザーにおいて、 第３のクラッド層のうちの第
２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラ
ッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第３のクラ
ッド層の不純物濃度よりも高い ことを特徴とするもので
ある。
型の第１のクラッド層と、第１のクラッド層上の活性層
と、活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、第２のクラ
ッド層上のストライプ状の開口を有するｎ型の電流狭窄
層と、電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド
層と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層とを有す
る半導体レーザーにおいて、第３のクラッド層のうちの
第２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のク
ラッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第３のク
ラッド層の不純物濃度よりも低いことを特徴とするもの
である。この発明の第４の発明は、 オフ基板上のｎ型の
第１のクラッド層と、 第１のクラッド層上の活性層と、
活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、 第２のクラッド
層上のストライプ状の開口を有するｎ型の電流狭窄層
と、 電流狭窄層の開口の部分における第２のクラッド層
と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層とを有する
半導体レーザーにおいて、 第３のクラッド層のうちの第
２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラ
ッド層の不純物濃度と等しくかつ他の部分の第３のクラ
ッド層の不純物濃度よりも高い ことを特徴とするもので
ある。
【００２７】
【００２８】
【００２９】この発明の第３および第４の発明において
は、第３のクラッド層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰなど
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体や、ＺｎＭｇＳＳｅなどの
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる。
は、第３のクラッド層は、例えば、ＡｌＧａＩｎＰなど
のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体や、ＺｎＭｇＳＳｅなどの
ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体からなる。
【００３０】この発明の第３および第４の発明において
は、第３のクラッド層の不純物は、例えば、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｌ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ａ
ｔ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなどである。ここで、第３のクラッ
ド層の材料とその不純物との組み合わせの例を挙げる
と、ＡｌＧａＩｎＰに対して、ｐ型不純物としてＺｎ、
Ｍｇ、Ｂｅなど、ｎ型不純物としてＳｅ、Ｓｉなどであ
る。また、ＺｎＭｇＳＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体に対しては、ｐ型不純物としてＮなど、ｎ型不純物
としてＣｌなどである。
は、第３のクラッド層の不純物は、例えば、Ｓｅ、Ｓ
ｉ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｃｌ、Ｎ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉ、Ａ
ｔ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂなどである。ここで、第３のクラッ
ド層の材料とその不純物との組み合わせの例を挙げる
と、ＡｌＧａＩｎＰに対して、ｐ型不純物としてＺｎ、
Ｍｇ、Ｂｅなど、ｎ型不純物としてＳｅ、Ｓｉなどであ
る。また、ＺｎＭｇＳＳｅなどのＩＩ−ＶＩ族化合物半
導体に対しては、ｐ型不純物としてＮなど、ｎ型不純物
としてＣｌなどである。
【００３１】
【００３２】上述のように構成されたこの発明の第１お
よび第２の発明によれば、電流狭窄層のうちの第２のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と電流狭
窄層との境界部に不純物濃度の不均衡がなく、このた
め、オフ基板を用いる場合において第２のクラッド層に
接して電流狭窄層を成長させる際に、第２のクラッド層
中の不純物の不要な拡散を抑えることができる。
よび第２の発明によれば、電流狭窄層のうちの第２のク
ラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッド層
の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と電流狭
窄層との境界部に不純物濃度の不均衡がなく、このた
め、オフ基板を用いる場合において第２のクラッド層に
接して電流狭窄層を成長させる際に、第２のクラッド層
中の不純物の不要な拡散を抑えることができる。
【００３３】上述のように構成されたこの発明の第３お
よび第４の発明によれば、第３のクラッド層のうちの第
２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラ
ッド層の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と
第３のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第２のクラッド層に接して第３
のクラッド層を成長させる際に、第２のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
よび第４の発明によれば、第３のクラッド層のうちの第
２のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラ
ッド層の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と
第３のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第２のクラッド層に接して第３
のクラッド層を成長させる際に、第２のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。
て図面を参照しながら説明する。
【００３５】図１は、この発明の第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
【００３６】図１に示すように、この第１の実施形態に
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２、アンドープＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層６が順次積層されている。
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２、アンドープＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型Ｇ
ａＡｓキャップ層６が順次積層されている。
【００３７】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の上層
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形
状を有する。このリッジストライプ部の両側の部分には
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７が埋め込まれ、これによって
電流狭窄構造が形成されている。
部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５およびｐ型ＧａＡｓキャッ
プ層６は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形
状を有する。このリッジストライプ部の両側の部分には
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７が埋め込まれ、これによって
電流狭窄構造が形成されている。
【００３８】ここで、各層の不純物の例を挙げると、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６中のｐ型不純物は例
えばＺｎ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３およびｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層７中のｎ型不純物は例えばＳｅであ
る。
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６中のｐ型不純物は例
えばＺｎ、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３およびｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層７中のｎ型不純物は例えばＳｅであ
る。
【００３９】ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およびｎ型Ｇａ
Ａｓ電流狭窄層７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極のようなｐ側電極８が設けられている。一方、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側
電極９が設けられている。
Ａｓ電流狭窄層７の上には、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電
極のようなｐ側電極８が設けられている。一方、ｎ型Ｇ
ａＡｓ基板１の裏面には、例えばＩｎ電極のようなｎ側
電極９が設けられている。
【００４０】この第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
７のうちの下地と接する部分７ａの不純物濃度はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の不純物濃度よりも高い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
ｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａのｎ型不純物濃度をＮn ´、
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７
ａ以外の部分のｎ型不純物濃度をＮn とすると、Ｎp ≒
Ｎn ´＜Ｎn に設定されている。ここで、不純物濃度の
具体例を挙げると、Ｎp およびＮn ´は例えば７×１０
17ｃｍ-3程度、Ｎn は例えば２×１０18ｃｍ-3程度であ
る。
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
７のうちの下地と接する部分７ａの不純物濃度はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の不純物濃度よりも高い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
ｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａのｎ型不純物濃度をＮn ´、
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７
ａ以外の部分のｎ型不純物濃度をＮn とすると、Ｎp ≒
Ｎn ´＜Ｎn に設定されている。ここで、不純物濃度の
具体例を挙げると、Ｎp およびＮn ´は例えば７×１０
17ｃｍ-3程度、Ｎn は例えば２×１０18ｃｍ-3程度であ
る。
【００４１】次に、上述のように構成されたこの第１の
実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
【００４２】図２〜図６は、この第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明する
ための断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法を説明する
ための断面図である。
【００４３】この第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーを製造するためには、まず、図２に示
すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２、アンドープＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６を、例えばＭＯＣＶＤ
法により順次成長させる。
系半導体レーザーを製造するためには、まず、図２に示
すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層２、アンドープＧａＩｎＰ活性層３、ｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４、ｐ型ＧａＩｎＰ中間層５
およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６を、例えばＭＯＣＶＤ
法により順次成長させる。
【００４４】次に、図３に示すように、ｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層６の全面に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜や
ＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチングによりパター
ニングして所定幅のストライプ形状のマスク１０を形成
する。
ャップ層６の全面に例えばＣＶＤ法によりＳｉＯ2 膜や
ＳｉＮ膜を形成した後、これをエッチングによりパター
ニングして所定幅のストライプ形状のマスク１０を形成
する。
【００４５】次に、図４に示すように、マスク１０をエ
ッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法に
より、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の厚さ方向の途
中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が、一方向に延び
る所定幅のリッジストライプ形状にパターニングされ
る。
ッチングマスクとして用いて、ウエットエッチング法に
より、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の厚さ方向の途
中の深さまでエッチングする。これによって、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層４の上層部、ｐ型ＧａＩｎＰ中間
層５およびｐ型ＧａＡｓキャップ層６が、一方向に延び
る所定幅のリッジストライプ形状にパターニングされ
る。
【００４６】次に、図５に示すように、マスク１０を成
長マスクとして用いて、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａを例えばＭＯＣＶＤ法により
成長させる。このとき、ｐ型不純物のドーパントの供給
量は、この部分７ａ以外の部分のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層７の成長の際のｐ型不純物のドーパントの供給量より
も少なくする。ここで、この部分７ａの厚さは、このＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの特性に大きな影響を及
ぼさないような厚さ、具体的には例えば１００ｎｍ程度
以下に選ばれる。
長マスクとして用いて、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａを例えばＭＯＣＶＤ法により
成長させる。このとき、ｐ型不純物のドーパントの供給
量は、この部分７ａ以外の部分のｎ型ＧａＡｓ電流狭窄
層７の成長の際のｐ型不純物のドーパントの供給量より
も少なくする。ここで、この部分７ａの厚さは、このＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの特性に大きな影響を及
ぼさないような厚さ、具体的には例えば１００ｎｍ程度
以下に選ばれる。
【００４７】次に、図６に示すように、マスク１０を成
長マスクとして用いて、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａの上に残りのｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層７を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。
長マスクとして用いて、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａの上に残りのｎ型ＧａＡｓ電
流狭窄層７を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。
【００４８】次に、マスク１０をエッチング除去した
後、図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およ
びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７の全面にｐ側電極８を形成
するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極９
を形成する。
後、図１に示すように、ｐ型ＧａＡｓキャップ層６およ
びｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７の全面にｐ側電極８を形成
するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｎ側電極９
を形成する。
【００４９】以上により、目的とするＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーが製造される。
半導体レーザーが製造される。
【００５０】以上のように、この第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７ａのｎ型不
純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のｐ
型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４とｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層４に接してｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７
を成長させる際に、リッジストライプ部の中央部におい
てｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４中のｐ型不純物の不
要な拡散が生じるのを有効に抑えることができる。これ
によって、所望の不純物濃度分布を再現性よく得ること
ができ、特性が良好で信頼性が高いＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザーを得ることができる。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７ａのｎ型不
純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のｐ
型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４とｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層４に接してｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７
を成長させる際に、リッジストライプ部の中央部におい
てｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４中のｐ型不純物の不
要な拡散が生じるのを有効に抑えることができる。これ
によって、所望の不純物濃度分布を再現性よく得ること
ができ、特性が良好で信頼性が高いＡｌＧａＩｎＰ系半
導体レーザーを得ることができる。
【００５１】次に、この発明の第２の実施形態によるＡ
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーについて説明する。
ｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーについて説明する。
【００５２】この第２の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーは、図１に示す第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーと同様な構造を有す
る。
系半導体レーザーは、図１に示す第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーと同様な構造を有す
る。
【００５３】この第２の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
７のうちの下地と接する部分７ａの不純物濃度はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の不純物濃度よりも低い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
ｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａのｎ型不純物濃度をＮn ´、
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７
ａ以外の部分のｎ型不純物濃度をＮn とすると、Ｎp ≒
Ｎn ´＞Ｎn に設定されている。
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
７のうちの下地と接する部分７ａの不純物濃度はｐ型Ａ
ｌＧａＩｎＰクラッド層４の不純物濃度とほぼ等しく設
定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層４の不純物濃度よりも低い不純物濃度に設定され
ている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４の
ｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のう
ちの下地と接する部分７ａのｎ型不純物濃度をＮn ´、
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７
ａ以外の部分のｎ型不純物濃度をＮn とすると、Ｎp ≒
Ｎn ´＞Ｎn に設定されている。
【００５４】この第２の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーの製造方法は、第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法と同様であ
るので、説明を省略する。
系半導体レーザーの製造方法は、第１の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造方法と同様であ
るので、説明を省略する。
【００５５】以上のように、この第２の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７ａのｎ型不
純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のｐ
型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４とｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層４に接してｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７
を成長させる際に、リッジストライプ部の両側の部分の
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層４中のｐ型不純物の不要な拡散が生じるのを有効に
抑えることができる。これによって、所望の不純物濃度
分布を再現性よく得ることができ、特性が良好で信頼性
が高いＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを得ることがで
きる。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層７のうちの下地と接する部分７ａのｎ型不
純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層４のｐ
型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層４とｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７との境界部
に不純物濃度の不均衡がない。このため、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層４に接してｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７
を成長させる際に、リッジストライプ部の両側の部分の
ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７にｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層４中のｐ型不純物の不要な拡散が生じるのを有効に
抑えることができる。これによって、所望の不純物濃度
分布を再現性よく得ることができ、特性が良好で信頼性
が高いＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを得ることがで
きる。
【００５６】図７は、この発明の第３の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
【００５７】図７に示すように、この第３の実施形態に
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１２、アンドープＧａＩｎＰ活性層１３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１４が順次積層されている。
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１２、アンドープＧａＩｎＰ活性層１３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１４が順次積層されている。
【００５８】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４上に
は、一方向に延びる所定幅のストライプ状の開口１５ａ
を有するｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５が積層されてい
る。このｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５およびその開口１
５ａの部分におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
の上には、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６が積層さ
れている。このｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６上に
は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１７が設けられている。
は、一方向に延びる所定幅のストライプ状の開口１５ａ
を有するｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５が積層されてい
る。このｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５およびその開口１
５ａの部分におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４
の上には、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６が積層さ
れている。このｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６上に
は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１７が設けられている。
【００５９】ここで、各層の不純物の例を挙げると、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４、１６およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層１７中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層１５中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４、１６およびｐ型Ｇａ
Ａｓキャップ層１７中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１２およびｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層１５中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
【００６０】ｐ型ＧａＡｓキャップ層１７上には、例え
ばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１８が設けら
れている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面には、例
えばＩｎ電極のようなｎ側電極１９が設けられている。
ばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極１８が設けら
れている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板１１の裏面には、例
えばＩｎ電極のようなｎ側電極１９が設けられている。
【００６１】この第３の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーにおいては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａの不純物濃
度はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の不純物濃度と
ほぼ等しく設定され、その他の部分の不純物濃度はｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６に本来必要な、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１４の不純物濃度よりも高い不純
物濃度に設定されている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１４のｐ型不純物濃度をＮp 、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６
ａのｐ型不純物濃度をＮp ´、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａ以外の部分
のｐ型不純物濃度をＮp ´´とすると、Ｎp ≒Ｎp ´＜
Ｎp ´´に設定されている。
系半導体レーザーにおいては、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａの不純物濃
度はｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４の不純物濃度と
ほぼ等しく設定され、その他の部分の不純物濃度はｐ型
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６に本来必要な、ｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１４の不純物濃度よりも高い不純
物濃度に設定されている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎ
Ｐクラッド層１４のｐ型不純物濃度をＮp 、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６
ａのｐ型不純物濃度をＮp ´、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａ以外の部分
のｐ型不純物濃度をＮp ´´とすると、Ｎp ≒Ｎp ´＜
Ｎp ´´に設定されている。
【００６２】次に、上述のように構成されたこの第３の
実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーの製造
方法について説明する。
【００６３】この第３の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーを製造するためには、まず、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
２、アンドープＧａＩｎＰ活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
を例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。
系半導体レーザーを製造するためには、まず、ｎ型Ｇａ
Ａｓ基板１１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１
２、アンドープＧａＩｎＰ活性層１３、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１４およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５
を例えばＭＯＣＶＤ法により順次成長させる。
【００６４】次に、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５上に、
ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などからなる一方向に延びた所定
幅のストライプ状の開口を有するマスク（図示せず）を
形成する。
ＳｉＯ2 膜やＳｉＮ膜などからなる一方向に延びた所定
幅のストライプ状の開口を有するマスク（図示せず）を
形成する。
【００６５】次に、このマスクをエッチングマスクとし
て用いて、ウエットエッチング法により、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１５を選択的にエッチングする。これによっ
て、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５に一方向に延びるスト
ライプ状の開口１５ａが形成される。この後、エッチン
グに用いたマスクを除去する。
て用いて、ウエットエッチング法により、ｎ型ＧａＡｓ
電流狭窄層１５を選択的にエッチングする。これによっ
て、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５に一方向に延びるスト
ライプ状の開口１５ａが形成される。この後、エッチン
グに用いたマスクを除去する。
【００６６】次に、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５の全面
にその開口１５ａを埋め込むようにして、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａ
を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。このとき、ｐ
型不純物のドーパントの供給量は、この部分１６ａ以外
の部分のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６の成長の際
のｐ型不純物のドーパントの供給量よりも少なくする。
ここで、この部分１６ａの厚さは、このＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーの特性に大きな影響を及ぼさないよう
な厚さ、具体的には例えば１００ｎｍ程度以下に選ばれ
る。
にその開口１５ａを埋め込むようにして、ｐ型ＡｌＧａ
ＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６ａ
を例えばＭＯＣＶＤ法により成長させる。このとき、ｐ
型不純物のドーパントの供給量は、この部分１６ａ以外
の部分のｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６の成長の際
のｐ型不純物のドーパントの供給量よりも少なくする。
ここで、この部分１６ａの厚さは、このＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーの特性に大きな影響を及ぼさないよう
な厚さ、具体的には例えば１００ｎｍ程度以下に選ばれ
る。
【００６７】次に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６
のうちの下地と接する部分１６ａの上に残りのｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６を例えばＭＯＣＶＤ法により
成長させる。
のうちの下地と接する部分１６ａの上に残りのｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層１６を例えばＭＯＣＶＤ法により
成長させる。
【００６８】次に、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６
の全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層１７を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により成長させた後、このｐ型ＧａＡｓキャップ層
１７の表面を平坦化する。
の全面にｐ型ＧａＡｓキャップ層１７を例えばＭＯＣＶ
Ｄ法により成長させた後、このｐ型ＧａＡｓキャップ層
１７の表面を平坦化する。
【００６９】次に、ｐ型ＧａＡｓキャップ層１７の全面
にｐ側電極１８を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板
１１の裏面にｎ側電極１９を形成する。
にｐ側電極１８を形成するとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板
１１の裏面にｎ側電極１９を形成する。
【００７０】以上により、目的とするＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーが製造される。
半導体レーザーが製造される。
【００７１】以上のように、この第３の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６
ａのｐ型不純物濃度Ｎp ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１４のｐ型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５ａの部分におけるｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１６との境界部に不純物濃度の不均衡がな
い。このため、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５
ａの部分においてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４に
接してｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６を成長させる
際に、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５ａの部分
におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４中のｐ型不
純物の不要な拡散が生じるのを有効に抑えることができ
る。これによって、所望の不純物濃度分布を再現性よく
得ることができ、特性が良好で信頼性が高いＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザーを得ることができる。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｐ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層１６のうちの下地と接する部分１６
ａのｐ型不純物濃度Ｎp ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッ
ド層１４のｐ型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいので、ｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５ａの部分におけるｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４とｐ型ＡｌＧａＩｎＰ
クラッド層１６との境界部に不純物濃度の不均衡がな
い。このため、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５
ａの部分においてｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４に
接してｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１６を成長させる
際に、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層１５の開口１５ａの部分
におけるｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１４中のｐ型不
純物の不要な拡散が生じるのを有効に抑えることができ
る。これによって、所望の不純物濃度分布を再現性よく
得ることができ、特性が良好で信頼性が高いＡｌＧａＩ
ｎＰ系半導体レーザーを得ることができる。
【００７２】図８は、この発明の第４の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーを示す断面図である。
【００７３】図８に示すように、この第４の実施形態に
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２２、アンドープＧａＩｎＰ活性層２３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２４が順次積層されている。
よるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーにおいては、ｎ型
ＧａＡｓ基板２１上に、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
２２、アンドープＧａＩｎＰ活性層２３およびｐ型Ａｌ
ＧａＩｎＰクラッド層２４が順次積層されている。
【００７４】ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の上層
部は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形状を
有する。このリッジストライプ部の両側の部分にはｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層２５が埋め込まれ、これによって電
流狭窄構造が形成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２４およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５の上に
は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６が積層されている。
部は、一方向に延びる所定幅のリッジストライプ形状を
有する。このリッジストライプ部の両側の部分にはｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層２５が埋め込まれ、これによって電
流狭窄構造が形成されている。ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２４およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５の上に
は、ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６が積層されている。
【００７５】ここで、各層の不純物の例を挙げると、ｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２６中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
２５中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４およびｐ型ＧａＡｓキ
ャップ層２６中のｐ型不純物は例えばＺｎ、ｎ型ＡｌＧ
ａＩｎＰクラッド層２２およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
２５中のｎ型不純物は例えばＳｅである。
【００７６】ｐ型ＧａＡｓキャップ層２６の全面には、
例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２７が設
けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面に
は、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極２８が設けられて
いる。
例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ電極のようなｐ側電極２７が設
けられている。一方、ｎ型ＧａＡｓ基板２１の裏面に
は、例えばＩｎ電極のようなｎ側電極２８が設けられて
いる。
【００７７】この第４の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
２５のうちの下地と接する部分２５ａの不純物濃度はｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の不純物濃度とほぼ等
しく設定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層２５に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２４の不純物濃度よりも高い不純物濃度
に設定されている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２４のｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層２５のうちの下地と接する部分２５ａのｎ型不純
物濃度をＮn ´ 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５のうちの
下地と接する部分２５ａ以外の部分のｎ型不純物濃度を
Ｎn とすると、Ｎp ≒Ｎn ´ ＜Ｎn に設定されてい
る。ここで、不純物濃度の具体例を挙げると、Ｎp およ
びＮn ´は例えば７×１０17ｃｍ-3程度、Ｎn は例えば
２×１０18ｃｍ-3程度である。
系半導体レーザーにおいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
２５のうちの下地と接する部分２５ａの不純物濃度はｐ
型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２４の不純物濃度とほぼ等
しく設定されており、その他の部分の不純物濃度はｎ型
ＧａＡｓ電流狭窄層２５に本来必要な、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層２４の不純物濃度よりも高い不純物濃度
に設定されている。すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラ
ッド層２４のｐ型不純物濃度をＮp 、ｎ型ＧａＡｓ電流
狭窄層２５のうちの下地と接する部分２５ａのｎ型不純
物濃度をＮn ´ 、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５のうちの
下地と接する部分２５ａ以外の部分のｎ型不純物濃度を
Ｎn とすると、Ｎp ≒Ｎn ´ ＜Ｎn に設定されてい
る。ここで、不純物濃度の具体例を挙げると、Ｎp およ
びＮn ´は例えば７×１０17ｃｍ-3程度、Ｎn は例えば
２×１０18ｃｍ-3程度である。
【００７８】以上のように、この第４の実施形態による
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層２５のうちの下地と接する部分２５ａのｎ
型不純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４のｐ型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいことにより、第１
の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーと同
様な利点を得ることができる。
ＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーによれば、ｎ型ＧａＡ
ｓ電流狭窄層２５のうちの下地と接する部分２５ａのｎ
型不純物濃度Ｎn ´がｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２
４のｐ型不純物濃度Ｎp とほぼ等しいことにより、第１
の実施形態によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レーザーと同
様な利点を得ることができる。
【００７９】以上、この発明の実施形態について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
に説明したが、この発明は、上述の実施形態に限定され
るものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の
変形が可能である。
【００８０】例えば、上述の第１〜第４の実施形態にお
いて挙げた材料や数値は、あくまで例に過ぎず、これら
に限定されるものではない。
いて挙げた材料や数値は、あくまで例に過ぎず、これら
に限定されるものではない。
【００８１】また、この発明は、一般的には、上述の第
１〜第４の実施形態において用いたもの以外の各種の構
造基板上に二度目の成長を行う場合に適用することが可
能である。
１〜第４の実施形態において用いたもの以外の各種の構
造基板上に二度目の成長を行う場合に適用することが可
能である。
【００８２】また、上述の第１および第２の実施形態に
おいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１６およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５
のうちの下地と接する部分以外の部分の不純物濃度は均
一であるが、この部分がさらに二段階以上の不純物濃度
分布を有するようにしてもよい。
おいては、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層７、ｐ型ＡｌＧａＩ
ｎＰクラッド層１６およびｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層２５
のうちの下地と接する部分以外の部分の不純物濃度は均
一であるが、この部分がさらに二段階以上の不純物濃度
分布を有するようにしてもよい。
【００８３】さらに、上述の第１〜第４の実施形態にお
いては、一度目の成長を行って構造基板を形成した後に
行われる二度目の成長の際に、その成長層のうちの下地
と接する部分の不純物濃度を下地のクラッド層の不純物
濃度とほぼ等しく設定し、その他の部分の不純物濃度を
本来必要とされる不純物濃度に設定しているが、この発
明は、三度目以降の成長を行う際に下地の層中の不純物
の不要な拡散を抑える場合にも適用することが可能であ
る。
いては、一度目の成長を行って構造基板を形成した後に
行われる二度目の成長の際に、その成長層のうちの下地
と接する部分の不純物濃度を下地のクラッド層の不純物
濃度とほぼ等しく設定し、その他の部分の不純物濃度を
本来必要とされる不純物濃度に設定しているが、この発
明は、三度目以降の成長を行う際に下地の層中の不純物
の不要な拡散を抑える場合にも適用することが可能であ
る。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の第１お
よび第２の発明による半導体レーザーによれば、電流狭
窄層のうちの第２のクラッド層と接する部分の不純物濃
度が第２のクラッド層の不純物濃度と等しいので、第２
のクラッド層と電流狭窄層との境界部に不純物濃度の不
均衡がなく、このため、オフ基板を用いる場合において
第２のクラッド層に接して電流狭窄層を成長させる際
に、第２のクラッド層中の不純物の不要な拡散を抑える
ことができる。
よび第２の発明による半導体レーザーによれば、電流狭
窄層のうちの第２のクラッド層と接する部分の不純物濃
度が第２のクラッド層の不純物濃度と等しいので、第２
のクラッド層と電流狭窄層との境界部に不純物濃度の不
均衡がなく、このため、オフ基板を用いる場合において
第２のクラッド層に接して電流狭窄層を成長させる際
に、第２のクラッド層中の不純物の不要な拡散を抑える
ことができる。
【００８５】この発明の第３および第４の発明による半
導体レーザーによれば、第３のクラッド層のうちの第２
のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッ
ド層の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と第
３のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第２のクラッド層に接して第３
のクラッド層を成長させる際に、第２のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
導体レーザーによれば、第３のクラッド層のうちの第２
のクラッド層と接する部分の不純物濃度が第２のクラッ
ド層の不純物濃度と等しいので、第２のクラッド層と第
３のクラッド層との境界部に不純物濃度の不均衡がな
く、このため、オフ基板を用いる場合において電流狭窄
層の開口の部分における第２のクラッド層に接して第３
のクラッド層を成長させる際に、第２のクラッド層中の
不純物の不要な拡散を抑えることができる。
【００８６】
【図１】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
【図２】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
【図３】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
【図４】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
【図５】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
【図６】この発明の第１の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
Ｐ系半導体レーザーの製造方法を説明するための断面図
である。
【図７】この発明の第３の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
【図８】この発明の第４の実施形態によるＡｌＧａＩｎ
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
Ｐ系半導体レーザーを示す断面図である。
【図９】従来の技術によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レー
ザーを示す断面図である。
ザーを示す断面図である。
【図１０】従来の技術によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザーの問題を説明するための断面図である。
ーザーの問題を説明するための断面図である。
【図１１】従来の技術によるＡｌＧａＩｎＰ系半導体レ
ーザーの問題を説明するための断面図である。
ーザーの問題を説明するための断面図である。
１、１１、２１ ｎ型ＧａＡｓ基板
２、１２、２２ ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
３、１３、２３ アンドープＧａＩｎＰ活性層
４、１４、１６、２４ ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
５ ｐ型ＧａＩｎＰ中間層
６、１７、２６ ｐ型ＧａＡｓキャップ層
７、１５、２５ ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層
８、１８、２７ ｐ側電極
９、１９、２８ ｎ側電極
１５ａ 開口
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01S 5/00 - 5/50
H01L 33/00
H01L 31/02 - 31/10
Claims (6)
- 【請求項１】 オフ基板上のｎ型の第１のクラッド層
と、 上記第１のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、 上記第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側
の部分にｎ型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造
を有する半導体レーザーにおいて、 上記電流狭窄層のうちの上記第２のクラッド層と接する
部分の不純物濃度が上記第２のクラッド層の不純物濃度
と等しくかつ他の部分の上記電流狭窄層の不純物濃度よ
りも低い ことを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項２】 上記第２のクラッド層のｐ型不純物はＺ
ｎであることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ
ー。 - 【請求項３】 上記半導体レーザーはＡｌＧａＩｎＰ系
半導体レーザーであることを特徴とする請求項１または
２記載の半導体レーザー。 - 【請求項４】 オフ基板上のｎ型の第１のクラッド層
と、 上記第１のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型の第２のクラッド層とを有し、 上記第２のクラッド層に設けられたストライプ部の両側
の部分にｎ型の電流狭窄層が埋め込まれた電流狭窄構造
を有する半導体レーザーにおいて、 上記電流狭窄層のうちの上記第２のクラッド層と接する
部分の不純物濃度が上記第２のクラッド層の不純物濃度
と等しくかつ他の部分の上記電流狭窄層の不純物濃度よ
りも高い ことを特徴とする半導体レーザー。 - 【請求項５】 オフ基板上のｎ型の第１のクラッド層
と、 上記第１のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、 上記第２のクラッド層上のストライプ状の開口を有する
ｎ型の電流狭窄層と、 上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第２のク
ラッド層と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層と
を有する半導体レーザーにおいて、 上記第３のクラッド層のうちの上記第２のクラッド層と
接する部分の不純物濃度が上記第２のクラッド層の不純
物濃度と等しくかつ他の部分の上記第３のクラッド層の
不純物濃度よりも低いことを特徴とする半導体レーザ
ー。 - 【請求項６】 オフ基板上のｎ型の第１のクラッド層
と、 上記第１のクラッド層上の活性層と、 上記活性層上のｐ型の第２のクラッド層と、 上記第２のクラッド層上のストライプ状の開口を有する
ｎ型の電流狭窄層と、 上記電流狭窄層の上記開口の部分における上記第２のク
ラッド層と接して設けられたｐ型の第３のクラッド層と
を有する半導体レーザーにおいて、 上記第３のクラッド層のうちの上記第２のクラッド層と
接する部分の不純物濃度が上記第２のクラッド層の不純
物濃度と等しくかつ他の部分の上記第３のクラッド層の
不純物濃度よりも高い ことを特徴とする半導体レーザ
ー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34798795A JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34798795A JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09167875A JPH09167875A (ja) | 1997-06-24 |
| JP3451818B2 true JP3451818B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=18393975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34798795A Expired - Lifetime JP3451818B2 (ja) | 1995-12-15 | 1995-12-15 | 半導体レーザー |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451818B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7619261B2 (en) | 2000-08-07 | 2009-11-17 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing gallium nitride compound semiconductor |
| US7260130B2 (en) | 2003-03-31 | 2007-08-21 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-12-15 JP JP34798795A patent/JP3451818B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｍａｔｅｒ．，Ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．６，（１９９５．６），ｐ．７４７−７５０ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09167875A (ja) | 1997-06-24 |
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