JPH0322522A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0322522A JPH0322522A JP15791489A JP15791489A JPH0322522A JP H0322522 A JPH0322522 A JP H0322522A JP 15791489 A JP15791489 A JP 15791489A JP 15791489 A JP15791489 A JP 15791489A JP H0322522 A JPH0322522 A JP H0322522A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
エビ層又は各種被膜の威膜に用いる気相成長(CVD)
装置に関し, ウエハ間隔が狭くても,膜厚分布の良好な構造を提供し
,装置のスループットの向上をはかることを目的とし, (1)反応室(1)と,該反応室内に複数の破成長ウエ
ハを載せたウェハキャリア(2)を縦に保持するウェハ
キャリア保持台(6)と,反応ガスを該反応室内に導入
するガス導入管 (3)と,該反応室室内に該ウェハキ
ャリアを囲む内管(5)と,該内管と該反応室の間から
該反応室を排気する排気管(4)と,該内管の内側に該
ウェハキャリアを囲み且つ複数の孔が開口された内々管
(8)とを有し,該内々管は頂部及び底部が閉じられ,
その外部に該ガス導入管が配設されているように構威す
る。
装置に関し, ウエハ間隔が狭くても,膜厚分布の良好な構造を提供し
,装置のスループットの向上をはかることを目的とし, (1)反応室(1)と,該反応室内に複数の破成長ウエ
ハを載せたウェハキャリア(2)を縦に保持するウェハ
キャリア保持台(6)と,反応ガスを該反応室内に導入
するガス導入管 (3)と,該反応室室内に該ウェハキ
ャリアを囲む内管(5)と,該内管と該反応室の間から
該反応室を排気する排気管(4)と,該内管の内側に該
ウェハキャリアを囲み且つ複数の孔が開口された内々管
(8)とを有し,該内々管は頂部及び底部が閉じられ,
その外部に該ガス導入管が配設されているように構威す
る。
(2)前記内々管は頂部が開口され底部が閉じられ、内
々管と内管の間は頂部及び底部が閉しられ且つ該ガス導
入管が導入されているように構戒する。
々管と内管の間は頂部及び底部が閉しられ且つ該ガス導
入管が導入されているように構戒する。
本発明はエビ層又は各種被膜の威膜に用いる気相或長(
CVD)装置に関する。
CVD)装置に関する。
本発明のCVD装置は半導体装置製造のウエハプロセス
において,基板上にエビ層,導電層,絶縁層等の威膜に
使用できる。
において,基板上にエビ層,導電層,絶縁層等の威膜に
使用できる。
近年のエビ・CVD装置(エビタキシャル成長装置を含
む広義のCVO装置)は,大スルーブット,大口径ウエ
ハ処理,膜質及び膜厚分布の均一性が望まれている。
む広義のCVO装置)は,大スルーブット,大口径ウエ
ハ処理,膜質及び膜厚分布の均一性が望まれている。
そのため.装置自体を大型化し,且つ装置内に被処理ウ
エハの稠密配置を行い,しかも上記の均一性が良好にな
るような装置が要求されている。
エハの稠密配置を行い,しかも上記の均一性が良好にな
るような装置が要求されている。
従来のエビ・CVD装置においては,膜厚分布を均一に
するためにウエハを石英キャリアに載せたまま回転し,
且つ反応ガスの供給及び排気を次のように行っていた。
するためにウエハを石英キャリアに載せたまま回転し,
且つ反応ガスの供給及び排気を次のように行っていた。
第5図は従来例によるエビ・CVD装置の模式断面図で
ある。
ある。
図において,石英製の反応室1内にウエハ匈を多数枚保
持した石英製のウェハキャリア2が縦にウェハキャリア
保持台6上に置かれ,ガス導入管3より反応ガスが成長
室内に導入され,排気管4より排気されて,ガス流量と
排気速度を調節することにより反応室内を所定のガス圧
に保つようにする。
持した石英製のウェハキャリア2が縦にウェハキャリア
保持台6上に置かれ,ガス導入管3より反応ガスが成長
室内に導入され,排気管4より排気されて,ガス流量と
排気速度を調節することにより反応室内を所定のガス圧
に保つようにする。
ウェハキャリア2は気密封止を保った状態で回転できる
構造となっている。
構造となっている。
ウエハは反応室1の外部よりヒータ7により加熱される
。
。
反応室lの管壁に成長膜の付着を防止するためと,ガス
流を全ウエハにゆきわたらせる流路形或のために,ウェ
ハキャリア2は石英製の内管5で囲まれている。
流を全ウエハにゆきわたらせる流路形或のために,ウェ
ハキャリア2は石英製の内管5で囲まれている。
ガス導入管3は内管5の内側に導入され,排気管4は内
管5と反応室lとの間より導出される。
管5と反応室lとの間より導出される。
従って反応ガスは図示の矢印のように流れる。
ところが,この装置においては,ウエハ間隔を狭くする
と,中心部の薄い膜厚分布となり,ある程度の間隔を保
つ必要があった。
と,中心部の薄い膜厚分布となり,ある程度の間隔を保
つ必要があった。
従って,或長1回当たりのウエハ枚数を多くずることが
できず,装置のスループットを低下させていた。
できず,装置のスループットを低下させていた。
本発明は,ウエハ間隔が狭くても,膜厚分布の良好な構
造を提供し,装置のスループットの向上をはかることを
目的とする。
造を提供し,装置のスループットの向上をはかることを
目的とする。
上記課題の解決は,反応室(1)と.該反応室内に複数
の被成長ウエハを載せたウェハキャリア(2)を縦に保
持するウェハキャリア保持台(6)と,反応ガスを該反
応室内に導入するガス導入管(3)と,該反応室室内に
該ウェハキャリアを囲む内管(5)と,該内管と該反応
室の間から該反応室を排気する排気管(4)と,該内管
の内側に該ウェハキャリアを囲み且つ複数の孔が開口さ
れた内々管(8〉 とを有し,該内々管は頂部及び底部
が閉じられ,その外部に該ガス導入管が配設されている
気相成長装置,或いは前記内々管は頂部が開口され底部
が閉じられ,内々管と内管の間は頂部及び底部が閉じら
れ且つ該ガス導入管が導入されている気相成長装置によ
り達威される。
の被成長ウエハを載せたウェハキャリア(2)を縦に保
持するウェハキャリア保持台(6)と,反応ガスを該反
応室内に導入するガス導入管(3)と,該反応室室内に
該ウェハキャリアを囲む内管(5)と,該内管と該反応
室の間から該反応室を排気する排気管(4)と,該内管
の内側に該ウェハキャリアを囲み且つ複数の孔が開口さ
れた内々管(8〉 とを有し,該内々管は頂部及び底部
が閉じられ,その外部に該ガス導入管が配設されている
気相成長装置,或いは前記内々管は頂部が開口され底部
が閉じられ,内々管と内管の間は頂部及び底部が閉じら
れ且つ該ガス導入管が導入されている気相成長装置によ
り達威される。
本発明は,内管の内側に多数の孔の開いた内々管を設け
,反応ガスを内々管の外側に吹き出してガス流を内々管
の複数の開口部よりウエハ間隔の内部に拡散させること
により,ウエハ間へのガスの回り込みを改善するか,或
いは,内管と内々管の頂部及び底部を閉して反応ガスを
内管と内々管の間に吹き出してこの部分の圧力を上げて
内々管の孔からウエハ間にガスが均一に押し込まれるよ
うにしたものである。
,反応ガスを内々管の外側に吹き出してガス流を内々管
の複数の開口部よりウエハ間隔の内部に拡散させること
により,ウエハ間へのガスの回り込みを改善するか,或
いは,内管と内々管の頂部及び底部を閉して反応ガスを
内管と内々管の間に吹き出してこの部分の圧力を上げて
内々管の孔からウエハ間にガスが均一に押し込まれるよ
うにしたものである。
(実施例〕
第■図は本発明の第1の実施例による
エビ・CVD装置の模式断面図である。
図において,石英製の反応室l内にウエハWを多数枚保
持した石英製のウェハキャリア2が縦にウェハキャリア
保持台6上に置かれ,ガス導入管3より反応ガスが成長
室内に導入され,排気管4より排気されて,ガス流量と
排気速度を調節することにより反応室内を所定のガス圧
に保つようにする。
持した石英製のウェハキャリア2が縦にウェハキャリア
保持台6上に置かれ,ガス導入管3より反応ガスが成長
室内に導入され,排気管4より排気されて,ガス流量と
排気速度を調節することにより反応室内を所定のガス圧
に保つようにする。
ウェハキャリア2は気密封止を保った状態で回転できる
構造となっている。
構造となっている。
ウエハは反応室1の外部よりヒータ7により加熱される
。
。
反応室1の管壁に成長膜の付着を防止するためと,ガス
流を全ウエハにゆきわたらせる流路形成のために,ウェ
ハキャリア2は石英製の内管5で囲まれている。
流を全ウエハにゆきわたらせる流路形成のために,ウェ
ハキャリア2は石英製の内管5で囲まれている。
以上までは従来例と同様であるが,これと相違する点は
以下のようである。
以下のようである。
頂部の閉じた内々管8がウェハキャリア2に被せられ,
ガス導入管3が内々管8の外部に導入されている。
ガス導入管3が内々管8の外部に導入されている。
内々管8は石英からなり,その円筒面には多数の孔また
はスリットが開口されている。
はスリットが開口されている。
第2図は本発明の第2の実施例による
エビ・CVD装置の模式断面図である。
この例では,頂部の開いた内々管8がウェハキャリア2
の回りに置かれ,内々管8と内管5の頂部は閉じられ,
ガス導入管3が内々管8と内管5の間に導入されている
。
の回りに置かれ,内々管8と内管5の頂部は閉じられ,
ガス導入管3が内々管8と内管5の間に導入されている
。
第3図(1), (2)は内々管の構造図である。
第3図(1)は正面図,第3図(2)は断面図である。
内々管8の円筒面には5 mmφの孔8lが20 11
1111ピッチで開けられている。
1111ピッチで開けられている。
第4図(1), (2)は別の内々管の構造図である。
第4図(1)は正面図.第4図(2)は断面図である。
内々管8の円筒面には幅5lの長孔(スリット)82が
8方向に開口している。
8方向に開口している。
次に,この装置を用いた成長例について説明する。
成長条件
ウエハ:6インチφのSiウエハ
処理ウエハ枚数:50枚
戒膜物質: SiOz層
成長ガス: SiH4+NzO
成長ガスの圧力二0.5↑orr
或長ガスの流量: SiH4100 SCCM,N2
0 1000 SCCM 基板温度二800゜C この成長例の他に, SiN成長の場合は反応ガスにS
iHCI3とNil.を.ボリSi1f;c長の場合は
反応ガスにSin.を用いる。
0 1000 SCCM 基板温度二800゜C この成長例の他に, SiN成長の場合は反応ガスにS
iHCI3とNil.を.ボリSi1f;c長の場合は
反応ガスにSin.を用いる。
実施例の効果を示す数値例を従来例と対比して次に示す
。
。
膜厚分布 ウエハ間隔
実施例 ±5% 1/2インチ従来例
±5% l インチこの結果より,約2倍のウエ
ハが1度に処理できるようになった。
±5% l インチこの結果より,約2倍のウエ
ハが1度に処理できるようになった。
以上説明したように本発明によれば,縦型のエビ・Cv
D装置においてウエハ間隔が狭くても,膜厚分布の良好
な構造が得られ.装置のスループットを向上することが
できた。
D装置においてウエハ間隔が狭くても,膜厚分布の良好
な構造が得られ.装置のスループットを向上することが
できた。
更に,内々管もウエハと同様十分熱せられており,内々
管とウエハとの間隔が狭いことから,間隔の広い内管だ
けのときに比べて保温効果が上がりガスにより熱を奪わ
れるのを防止するため,ウエハの熱分布が向上する。
管とウエハとの間隔が狭いことから,間隔の広い内管だ
けのときに比べて保温効果が上がりガスにより熱を奪わ
れるのを防止するため,ウエハの熱分布が向上する。
第I図は本発明の第1の実施例による
エビ・CVD装置の模式断面図である。
第2図は本発明の第2の実施例による
エビ・CVD装置の模式断面図,
第3図(1), (2)は内々管の構造図,第4図(1
), (2)は別の内々管の構造図,第5図は従来例に
よるエビ・CVO装置の模式断面図である。 図において, lは反応室, 2はウェハキャリア,3はガス
導入管, 4は排気管, 5は内管, 6はウェハキャリア保持台, 7はヒータ, 8は内々管 l 1
), (2)は別の内々管の構造図,第5図は従来例に
よるエビ・CVO装置の模式断面図である。 図において, lは反応室, 2はウェハキャリア,3はガス
導入管, 4は排気管, 5は内管, 6はウェハキャリア保持台, 7はヒータ, 8は内々管 l 1
Claims (2)
- (1)反応室(1)と、 該反応室内に複数の被成長ウェハを載せたウェハキャリ
ア(2)を縦に保持するウェハキャリア保持台(6)と
、 反応ガスを該反応室内に導入するガス導入管(3)と、 該反応室室内に該ウェハキャリアを囲む内管(5)と、 該内管と該反応室の間から該反応室を排気する排気管(
4)と、 該内管の内側に該ウェハキャリアを囲み且つ複数の孔が
開口された内々管(8)とを有し、該内々管は頂部及び
底部が閉じられ、その外部に該ガス導入管が配設されて
いることを特徴とする気相成長装置。 - (2)前記内々管は頂部が開口され底部が閉じられ、内
々管と内管の間は頂部及び底部が閉じられ且つ該ガス導
入管が導入されていることを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15791489A JP2762576B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15791489A JP2762576B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0322522A true JPH0322522A (ja) | 1991-01-30 |
JP2762576B2 JP2762576B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=15660215
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15791489A Expired - Lifetime JP2762576B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2762576B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5902103A (en) * | 1995-12-29 | 1999-05-11 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Vertical furnace of a semiconductor manufacturing apparatus and a boat cover thereof |
JP2001118836A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置用反応管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018148099A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15791489A patent/JP2762576B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5902103A (en) * | 1995-12-29 | 1999-05-11 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Vertical furnace of a semiconductor manufacturing apparatus and a boat cover thereof |
KR100302199B1 (ko) * | 1995-12-29 | 2001-11-30 | 엔도 마코토 | 반도체 제조장치 |
JP2001118836A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置用反応管、半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
JP2018148099A (ja) * | 2017-03-07 | 2018-09-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2762576B2 (ja) | 1998-06-04 |
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