JPH0322523A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH0322523A JPH0322523A JP15791589A JP15791589A JPH0322523A JP H0322523 A JPH0322523 A JP H0322523A JP 15791589 A JP15791589 A JP 15791589A JP 15791589 A JP15791589 A JP 15791589A JP H0322523 A JPH0322523 A JP H0322523A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
エビ層又は各種被膜の或膜に用いる気相成長（ＣＶＤ）
装置に関し， 反応室内部や内部治具の洗浄間の処理回数を増やし，１
回の成長シーケンス時間を短縮し，装置のスループット
の向上をはかることを目的とし，反応室（１）と．該反
応室内に配列され且つ被成長ウェハを載せる複数のサセ
プタ（２）と，反応ガスを該反応室内に導入して吹き出
すガス導入管（３）と．該サセプタを挟んで該ガス導入
管の対向位置に設けられ且つ該反応室を排気する排気管
（４）と，該サセプタと該ガス導入管と該排気管とを囲
む内管（５）と，該ガス導入管と該排気管と該内管の各
々に向かってガスを噴出する冷却用ガスノズルとを有す
るように構威する。
装置に関し， 反応室内部や内部治具の洗浄間の処理回数を増やし，１
回の成長シーケンス時間を短縮し，装置のスループット
の向上をはかることを目的とし，反応室（１）と．該反
応室内に配列され且つ被成長ウェハを載せる複数のサセ
プタ（２）と，反応ガスを該反応室内に導入して吹き出
すガス導入管（３）と．該サセプタを挟んで該ガス導入
管の対向位置に設けられ且つ該反応室を排気する排気管
（４）と，該サセプタと該ガス導入管と該排気管とを囲
む内管（５）と，該ガス導入管と該排気管と該内管の各
々に向かってガスを噴出する冷却用ガスノズルとを有す
るように構威する。
本発明はエビ層又は各種被膜の成膜に用いる気相成長（
ＣＶＤ）装置に関する。
ＣＶＤ）装置に関する。
本発明のＣＶＤ装置は半導体装置製造のウエハプロセス
において，基板上にエビ層．導電層，絶縁層等の威膜に
使用できる。
において，基板上にエビ層．導電層，絶縁層等の威膜に
使用できる。
近年のエビ・ＣｖＤ装置（エビタキシャル或長装置を含
む広義のＣＶＤ装置）は，大スループット，大口径ウエ
ハ処理，膜質及び膜厚分布の均一性が望まれている。
む広義のＣＶＤ装置）は，大スループット，大口径ウエ
ハ処理，膜質及び膜厚分布の均一性が望まれている。
そのため，装置自体を大型化し，且つ装置内に被処理ウ
エハの稠密配置を行い，しかも上記均一性が良好になる
ような装置が要求されている。
エハの稠密配置を行い，しかも上記均一性が良好になる
ような装置が要求されている。
更に．１回の或長シーケンス時間の短縮や，戒長室内や
内部治具の洗浄から次の洗浄までの処理回数を増加させ
る必要がある。
内部治具の洗浄から次の洗浄までの処理回数を増加させ
る必要がある。
〔従来の技術］
従来のエビ・ＣＶＤ装置においては．膜厚分布を均一に
するためにウエハを回転し，且つ反応ガスの供給及び排
気を，例えば．次のように行っていた。
するためにウエハを回転し，且つ反応ガスの供給及び排
気を，例えば．次のように行っていた。
第３図は従来例によるエビ・ＣＶＤ装置の模式断面図で
あり．第４図はその平面図である。
あり．第４図はその平面図である。
図において，反応室１内にサセプタ２が縦に多数枚各々
支柱６を隔てて配列して保持され２ガス導入管３より反
応ガスが成長室内に導入され，排気管４より排気されて
，ガス流量と排気速度を調節することにより反応室内を
所定のガス圧に保つようにする。
支柱６を隔てて配列して保持され２ガス導入管３より反
応ガスが成長室内に導入され，排気管４より排気されて
，ガス流量と排気速度を調節することにより反応室内を
所定のガス圧に保つようにする。
サセプタ２は気密封止を保った状態で回転できる構造と
なっている。
なっている。
サセプタ２は反応室１の外部よりＲＦコイル７により誘
導加熱される。
導加熱される。
反応室１の管壁に或長膜の付着を防止するため，サセプ
タ２，ガス導入管３，排気管４は内管５で囲まれている
。
タ２，ガス導入管３，排気管４は内管５で囲まれている
。
ところが．この装置においては，戒長時にガス導入管３
，排気管４に多量の或長膜が付着し，塵発生の原因とな
っていた。
，排気管４に多量の或長膜が付着し，塵発生の原因とな
っていた。
又，戒長後の降温時に，保温効果のためサセプタ２の温
度がなかなか下がらなかった。
度がなかなか下がらなかった。
従って．反応室内部や内部治具の洗浄交換後から次の交
換までの間の処理回数を増やせない，或いは１回の成長
シーケンス時間が長くなるという問題があった。
換までの間の処理回数を増やせない，或いは１回の成長
シーケンス時間が長くなるという問題があった。
本発明は，反応室内部や内部治具の洗浄間の処理回数を
増やし，１回の戒長シーケンス時間を短縮し，装置のス
ループットの向上をはかることを目的とする。
増やし，１回の戒長シーケンス時間を短縮し，装置のス
ループットの向上をはかることを目的とする。
上記課題の解決は．反応室（１）と．該反応室内に配列
され且つ被或長ウエハを載せる複数のサセプタ（２）と
，反応ガスを該反応室内に導入して吹き出すガス導入管
（３）と，該サセプタを挟んで該ガス導入管の対向位置
に設けられ且つ該反応室を排気する排気管（４）と．該
サセプタと該ガス導入管と該排気管とを囲む内管（５）
と，該ガス導入管と該排気管と該内管の各々に向かって
ガスを噴出する冷却用ガスノズルとを有する気相成長装
置により達威される。
され且つ被或長ウエハを載せる複数のサセプタ（２）と
，反応ガスを該反応室内に導入して吹き出すガス導入管
（３）と，該サセプタを挟んで該ガス導入管の対向位置
に設けられ且つ該反応室を排気する排気管（４）と．該
サセプタと該ガス導入管と該排気管とを囲む内管（５）
と，該ガス導入管と該排気管と該内管の各々に向かって
ガスを噴出する冷却用ガスノズルとを有する気相成長装
置により達威される。
本発明は．ガス導入管と排気管のそれぞれを隔壁で囲み
，隔壁内に設けた冷却用ガスノズルから噴出されるガス
により．戒長中にガス導入管．排気管を冷却することに
より，ここへの膜の付着を防止して．これらの洗浄間隔
を長＜シ，更に，内管と反応室間に設けた冷却用ガスノ
ズルから噴出されるガスにより，戒長後の降温時に内管
をその外側から冷却することにより降温時間を短縮でき
るようにしたものである。
，隔壁内に設けた冷却用ガスノズルから噴出されるガス
により．戒長中にガス導入管．排気管を冷却することに
より，ここへの膜の付着を防止して．これらの洗浄間隔
を長＜シ，更に，内管と反応室間に設けた冷却用ガスノ
ズルから噴出されるガスにより，戒長後の降温時に内管
をその外側から冷却することにより降温時間を短縮でき
るようにしたものである。
第１図は本発明の一実施例によるエビ・ＣＶＤ装置の模
式断面図であり，第２図はその平面図である。
式断面図であり，第２図はその平面図である。
図において，反応室１内にサセプタ２が縦に多数枚各々
支柱６を隔てて配列して保持され．ガス導入管３より反
応ガスが反応室内に導入され．排気管４より排気されて
，ガス流量と排気速度を調節することにより反応室内を
所定のガス圧に保つようにする。
支柱６を隔てて配列して保持され．ガス導入管３より反
応ガスが反応室内に導入され．排気管４より排気されて
，ガス流量と排気速度を調節することにより反応室内を
所定のガス圧に保つようにする。
サセプタ２は気密封止を保った状態で回転できる構造と
なっている。
なっている。
サセプタ２は反応室１９外部よりＲＦコイル７により誘
導加熱される。
導加熱される。
反応室１の管壁に成長膜の付着を防止するため．サセプ
タ２，ガス導入管３．排気管４は内管５で囲まれている
。
タ２，ガス導入管３．排気管４は内管５で囲まれている
。
ここで．反応室１は石英，サセプタ２と内管５はカーボ
ン．ガス導入管３と排気管４は石英で作威される。
ン．ガス導入管３と排気管４は石英で作威される。
以上までは従来例と同様であるが．これと相違する点は
以下のようである。
以下のようである。
内管５はガス導入管３と排気管４をそれぞれ隔壁で囲む
ように形威し，各々の隔壁内に冷却用ガスノズル８．９
がそれぞれガス導入管と排気管に向かって噴出するよう
に設けられている。
ように形威し，各々の隔壁内に冷却用ガスノズル８．９
がそれぞれガス導入管と排気管に向かって噴出するよう
に設けられている。
又，反応室１と内管５の間に４個の冷却用ガスノズル１
０〜ｌ３が内管５に向かって噴出するように設けられて
いる。
０〜ｌ３が内管５に向かって噴出するように設けられて
いる。
次に．この装置を用いた戒長例について説明する。
或長条件
ウエハ：８インチφのＳｉウエハ
処理ウエハ枚数：１０枚
威膜物質：Ｓｉエビ層
或長ガス： ＳｉＪ６＋ｔｈ
成長ガスの圧力：１０Ｔｏｒｒ
成長ガスの流量： Ｓｉ ｚｔｌ６１００ ＳＣＣＭ
８２ １０Ｓ４２Ｍ 基板温度二９００″Ｃ 上記の戒長中に冷却用ガスノズル８，９にそれぞれＨ２
をｉ／分の流量で流して，ガス導入管３と排気管４を冷
却する。
８２ １０Ｓ４２Ｍ 基板温度二９００″Ｃ 上記の戒長中に冷却用ガスノズル８，９にそれぞれＨ２
をｉ／分の流量で流して，ガス導入管３と排気管４を冷
却する。
又，戒長中に成長室１と内管５の管に反応ガスが回り込
むのを防ぐために，冷却用ガスノズル１０〜１３のそれ
ぞれにＨ２をＩｆｆ／分程度の流量で流してもよい。
むのを防ぐために，冷却用ガスノズル１０〜１３のそれ
ぞれにＨ２をＩｆｆ／分程度の流量で流してもよい。
次に，戒長後の降温時には．ガス導入管３からの１０ｌ
／分のＨ２に加えて，冷却用ガスノズル１０〜１３のそ
れぞれにＨ２を５４２／分の流量で流して内管５を冷却
し，降温速度を促進させる。
／分のＨ２に加えて，冷却用ガスノズル１０〜１３のそ
れぞれにＨ２を５４２／分の流量で流して内管５を冷却
し，降温速度を促進させる。
実施例の装置を用いた結果，装置洗浄間の処理回数は従
来２０〜３０回であったのが． ５０回に向上した。
来２０〜３０回であったのが． ５０回に向上した。
又，降温時間は，従来１５分であったのが，１０分に短
縮された。
縮された。
（発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば，
エビ・ＣＶＤ装置において反応室内部や内部治具の洗浄
間の処理回数を増やし，１回の成長シーケンス時間を短
縮し．装置のスループットを向上することができた。
間の処理回数を増やし，１回の成長シーケンス時間を短
縮し．装置のスループットを向上することができた。
置の模式断面図であり，第２図はその平面図，第３図は
従来例によるエビ・ＣＶＤ装置の模式断面図であり，第
４図はその平面図である。
従来例によるエビ・ＣＶＤ装置の模式断面図であり，第
４図はその平面図である。
図において，
ｌは反応室．
２はサセプタ，
３はガス導入管
４は排気管，
５は内管，
６は支柱，
７はＲＦコイル，
８〜１３は冷却用ガスノズル
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室（１）と、 該反応室内に配列され且つ被成長ウェハを載せる複数の
サセプタ（２）と、 反応ガスを該反応室内に導入して吹き出すガス導入管（
３）と、 該サセプタを挟んで該ガス導入管の対向位置に設けられ
且つ該反応室を排気する排気管（４）と、該サセプタと
該ガス導入管と該排気管とを囲む内管（５）と、 該ガス導入管と該排気管と該内管の各々に向かってガス
を噴出する冷却用ガスノズル とを有することを特徴とする気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791589A JPH0322523A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15791589A JPH0322523A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0322523A true JPH0322523A (ja) | 1991-01-30 |
Family
ID=15660238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15791589A Pending JPH0322523A (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0322523A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003100643A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Daiichi Kiden:Kk | 高温ｃｖｄ装置 |
| WO2004027846A1 (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-01 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2005056908A (ja) * | 2003-08-05 | 2005-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2005302908A (ja) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2006319201A (ja) * | 2005-05-13 | 2006-11-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2007081428A (ja) * | 2006-12-08 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| JP2012074618A (ja) * | 2010-09-29 | 2012-04-12 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| WO2014050338A1 (ja) * | 2012-09-27 | 2014-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP2014165500A (ja) * | 2013-02-26 | 2014-09-08 | Tera Semicon Corp | バッチ式基板処理装置 |
| JP2014192501A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
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| JP2015504601A (ja) * | 2011-11-17 | 2015-02-12 | ユ−ジーン テクノロジー カンパニー．リミテッド | 熱遮断プレートを含む基板処理装置 |
| TWI770095B (zh) * | 2016-12-26 | 2022-07-11 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 成膜裝置、成膜方法及絕熱構件 |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP15791589A patent/JPH0322523A/ja active Pending
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN102437071A (zh) * | 2010-09-29 | 2012-05-02 | 东京毅力科创株式会社 | 立式热处理装置 |
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