JPH0320647A - 異物検査方法 - Google Patents
異物検査方法Info
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- JPH0320647A JPH0320647A JP15539989A JP15539989A JPH0320647A JP H0320647 A JPH0320647 A JP H0320647A JP 15539989 A JP15539989 A JP 15539989A JP 15539989 A JP15539989 A JP 15539989A JP H0320647 A JPH0320647 A JP H0320647A
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Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はパターン付き半導体基板上の異物検査方法に関
する。
する。
従来の技術
半導体集積回路の高集積化に伴い、素子の微細化と、チ
ップの大型化が進み、１た半導体素子の高性能化に伴う
工数の増加等により、半導体製造工程にかいては、回路
パターン形或上致命傷となるような異物の存在を無くす
必要がある。と〈に、その最小寸法が１μｍあるいはそ
れ以下のサブミクロンを基準にするようなパターンにな
ると、サブミクロンの異物１ヶがチップを不良品として
し１うことになる。このため高歩留シを確保するには、
超クリーンな環境が必要とされている。このクリーンな
環境の維持のためのモニタリングの代表的な方法は、パ
ーティクルカウンタで空気中のパーティクル数ヲカウン
トする方法と、パターンのないウエハ上のパーティクル
数をレーザー光の散乱を利用してカウントする方法であ
る。
ップの大型化が進み、１た半導体素子の高性能化に伴う
工数の増加等により、半導体製造工程にかいては、回路
パターン形或上致命傷となるような異物の存在を無くす
必要がある。と〈に、その最小寸法が１μｍあるいはそ
れ以下のサブミクロンを基準にするようなパターンにな
ると、サブミクロンの異物１ヶがチップを不良品として
し１うことになる。このため高歩留シを確保するには、
超クリーンな環境が必要とされている。このクリーンな
環境の維持のためのモニタリングの代表的な方法は、パ
ーティクルカウンタで空気中のパーティクル数ヲカウン
トする方法と、パターンのないウエハ上のパーティクル
数をレーザー光の散乱を利用してカウントする方法であ
る。
発明が解決しようとする課題
このようなモニタ方法では、半導体製造工程中のパター
ン付ウェハ特有の問題をモニターできず、充分な工程モ
ニターとはなっていない。本発明は上記問題点を解決し
、製造工程中のパターン付ウエハ上のパーティクルを直
接カウントし、管理を行う方法を提供するものである。
ン付ウェハ特有の問題をモニターできず、充分な工程モ
ニターとはなっていない。本発明は上記問題点を解決し
、製造工程中のパターン付ウエハ上のパーティクルを直
接カウントし、管理を行う方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は、製造工程中のパターン付ウェハに、２方向以
上からレーザー光を照射し、パターンエッジの影響を無
くし、パターン付ウェハ上の異物を高感度に検出する、
異物検査方法である。
上からレーザー光を照射し、パターンエッジの影響を無
くし、パターン付ウェハ上の異物を高感度に検出する、
異物検査方法である。
作 用
この検査方法によれば、特別のモニターウェハを用いず
に、直接製造工程中のパターン付ウェハで、製造工程中
のパーティクル管理が可能となり、またパターン付ウェ
ハ特有の問題もモニタ可能となる。これによシ高歩留り
の製造ラインを実現できる。
に、直接製造工程中のパターン付ウェハで、製造工程中
のパーティクル管理が可能となり、またパターン付ウェ
ハ特有の問題もモニタ可能となる。これによシ高歩留り
の製造ラインを実現できる。
実施例
本発明の異物検査方法を実施例をもって説明する。唸ず
ｐ型半導体基板５の表面に熱酸化膜６を１００ｏ人或長
し、ホトリソグラフィ工程，エッチング工程を経て、所
望のパターンを形戊する。
ｐ型半導体基板５の表面に熱酸化膜６を１００ｏ人或長
し、ホトリソグラフィ工程，エッチング工程を経て、所
望のパターンを形戊する。
次にこの半導体基板の異物検査を行う。第１図に示すよ
うに、被検査ウェハ１に８３３ｎｍスポット径Ｉ Ａｍ
φのレーザー光をＸ（２ａ），Ｙ（２ｂ）２方向から照
射し、ウェハをＸ−Ｙ方向に動かし、（４ａ，４ｂ）、
レーザー光がウェハ全域をく渣なくスキャンするように
する。被検査ウェハ１のある部位にパターン以外の異物
３がある場合の拡大図を第２図（ａ）に示す。
うに、被検査ウェハ１に８３３ｎｍスポット径Ｉ Ａｍ
φのレーザー光をＸ（２ａ），Ｙ（２ｂ）２方向から照
射し、ウェハをＸ−Ｙ方向に動かし、（４ａ，４ｂ）、
レーザー光がウェハ全域をく渣なくスキャンするように
する。被検査ウェハ１のある部位にパターン以外の異物
３がある場合の拡大図を第２図（ａ）に示す。
レーザー光の照射角度を基板と２〜３°程度に設定し、
パターンエッジからの散乱がないようにすると、異物部
分だけレーザー光を散乱するようになる。しかし、１方
向からのレーザー光２ａでは第２図（ｂ）に示すように
、微小な異物３がパターンエッジの陰にかくれてし１う
。そこで本発明によるＸ−Ｙ２方向からのレーザー光２
ａ，２ｂを照射することによシ、第２図（Ｃ）に示すよ
うに微小な異物３はもう一方のレーザー光２ｂの照射範
囲に捕足され検出可能となる。
パターンエッジからの散乱がないようにすると、異物部
分だけレーザー光を散乱するようになる。しかし、１方
向からのレーザー光２ａでは第２図（ｂ）に示すように
、微小な異物３がパターンエッジの陰にかくれてし１う
。そこで本発明によるＸ−Ｙ２方向からのレーザー光２
ａ，２ｂを照射することによシ、第２図（Ｃ）に示すよ
うに微小な異物３はもう一方のレーザー光２ｂの照射範
囲に捕足され検出可能となる。
上記実施例では、８３３ｎｍのレーザー光を用いたが、
これは６ ０ ０ ｎ ｍ〜７００ｎｍのどの波長でも
よい。またレーザー光のスポット径も０．５μｍφ〜３
μｍφ程度であれば同様の効果がある。
これは６ ０ ０ ｎ ｍ〜７００ｎｍのどの波長でも
よい。またレーザー光のスポット径も０．５μｍφ〜３
μｍφ程度であれば同様の効果がある。
また、レーザー光の方向ぱ２方向とはかぎらずそれ以上
であってもよい。
であってもよい。
発明の効果
本発明の方法によれば、特別のモニタウェハを作或せず
に、製造工程中のパーティクル管理が可能となシ、また
、パターン付ウェハ特有の問題もモニタ可能となる。こ
れにょシ、問題点を早期に見い出すことが可能となシ高
歩留９の製造ラインが実現できコスト低減効果が犬であ
る。
に、製造工程中のパーティクル管理が可能となシ、また
、パターン付ウェハ特有の問題もモニタ可能となる。こ
れにょシ、問題点を早期に見い出すことが可能となシ高
歩留９の製造ラインが実現できコスト低減効果が犬であ
る。
第１図は本発明による異物検査方法の概略を示す図、第
２図（．）はウェハ上の異物のある部分の拡大図、第２
図ｔｂ） ． （０）はそれぞれ第２図＜ａ）に示す異
物の部分のＸ方向断面図ｔ，Ｙ方向断面図Ｃである。 １・・・・・・被検査ウェハ、２ａ・・・Ｘ方向レーザ
光、２ｂ・・・・・・Ｙ方向レーザ〜光、２ｃ・・・・
・・レーザー光焦点位置、３・・・・・微小異物、４ａ
・・・・・・Ｘ方向ステージスキャン範囲、４ｂ・・・
・・・Ｙ方向ステージスキャン範囲、５・・・・・・ｐ
型シリコン基板、６・・・・・・酸化膜、７・・・・・
・微小異物による散乱光。
２図（．）はウェハ上の異物のある部分の拡大図、第２
図ｔｂ） ． （０）はそれぞれ第２図＜ａ）に示す異
物の部分のＸ方向断面図ｔ，Ｙ方向断面図Ｃである。 １・・・・・・被検査ウェハ、２ａ・・・Ｘ方向レーザ
光、２ｂ・・・・・・Ｙ方向レーザ〜光、２ｃ・・・・
・・レーザー光焦点位置、３・・・・・微小異物、４ａ
・・・・・・Ｘ方向ステージスキャン範囲、４ｂ・・・
・・・Ｙ方向ステージスキャン範囲、５・・・・・・ｐ
型シリコン基板、６・・・・・・酸化膜、７・・・・・
・微小異物による散乱光。
Claims (2)
- （１）半導体基板の表面の１点に、半導体基板表面とな
す角度が３０゜以下である５００ｎｍ〜７００ｎｍのレ
ーザー光を２方向以上から同時に照射し、前記レーザー
光の散乱強度の和をもって表面の異物を検出する異物検
査方法。 - （２）レーザー光同志のなす角度が９０゜±５゜である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の異物検
査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15539989A JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15539989A JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0320647A true JPH0320647A (ja) | 1991-01-29 |
Family
ID=15605118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15539989A Pending JPH0320647A (ja) | 1989-06-16 | 1989-06-16 | 異物検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0320647A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299550A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Corp | 半導体基板評価方法及び装置 |
| KR100429103B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-29 | 주식회사 한진중공업 | 바닥충격음 저감용 뜬바닥층 구조 및 건축용 바닥재 |
| KR100462552B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2004-12-17 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
| KR100471607B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2005-02-21 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
| KR100470497B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-11 | 주식회사종합건축사사무소가람건축 | 마루바닥재 |
| KR100493611B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-06-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 차량용 교류발전기 및 그 브러시 마모검지 시스템 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01263539A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1989
- 1989-06-16 JP JP15539989A patent/JPH0320647A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01263539A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04299550A (ja) * | 1991-03-27 | 1992-10-22 | Toshiba Corp | 半導体基板評価方法及び装置 |
| KR100429103B1 (ko) * | 2001-08-06 | 2004-04-29 | 주식회사 한진중공업 | 바닥충격음 저감용 뜬바닥층 구조 및 건축용 바닥재 |
| KR100493611B1 (ko) * | 2001-12-11 | 2005-06-10 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 차량용 교류발전기 및 그 브러시 마모검지 시스템 |
| US7116032B2 (en) | 2001-12-11 | 2006-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Automotive alternator and automotive alternator brush abrasion detection system |
| KR100470497B1 (ko) * | 2002-04-30 | 2005-03-11 | 주식회사종합건축사사무소가람건축 | 마루바닥재 |
| KR100462552B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2004-12-17 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
| KR100471607B1 (ko) * | 2002-05-09 | 2005-02-21 | 주식회사 한진중공업 | 바닥 충격음 차음을 위한 공동건물 바닥구조 |
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