JPH03202760A - 全反射螢光x線分折装置 - Google Patents
全反射螢光x線分折装置Info
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- JPH03202760A JPH03202760A JP26343490A JP26343490A JPH03202760A JP H03202760 A JPH03202760 A JP H03202760A JP 26343490 A JP26343490 A JP 26343490A JP 26343490 A JP26343490 A JP 26343490A JP H03202760 A JPH03202760 A JP H03202760A
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Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、全反射螢光X線分析法(TotalRefl
ection X−Ray Fluorescence
)に用L1られる全反射螢光X線分析装置に関する。
ection X−Ray Fluorescence
)に用L1られる全反射螢光X線分析装置に関する。
初めに、全反射螢光X線分析法について簡単に説明する
。
。
X線を光学的に平滑な平面(0ptical f fa
tsurf’ace )に低い入射角度で照射すると、
X線はそれが照射された物質に吸収されることなく、入
射角度と等角に反射される。すなわち、X線は全反射さ
れる。このとき、X線が全反射される平面に試料を載せ
ておけば、試料にあたったX線以外は全反射されるので
、散乱X線を見掛上無視し得る状態で、試料から出る螢
光X線を検出できる。
tsurf’ace )に低い入射角度で照射すると、
X線はそれが照射された物質に吸収されることなく、入
射角度と等角に反射される。すなわち、X線は全反射さ
れる。このとき、X線が全反射される平面に試料を載せ
ておけば、試料にあたったX線以外は全反射されるので
、散乱X線を見掛上無視し得る状態で、試料から出る螢
光X線を検出できる。
したがって、S/N比の良いスペクトル計測ができる(
日本金属学会会報、第24巻、第11号(,1985)
P、956〜961参照)。かかる分析性を全反射螢光
X線分析法という。
日本金属学会会報、第24巻、第11号(,1985)
P、956〜961参照)。かかる分析性を全反射螢光
X線分析法という。
そして、このスペクトル計測の結果から、試料の定性・
定量分析が行われる。この分析例として、ウェーハ表面
に置いた試料片の定性定量分析については、X線分析の
進歩19(アグネ技術センター)P、217〜226及
び大阪電気通信大学研究論文集「自然科学編J 22
(1986)P。
定量分析が行われる。この分析例として、ウェーハ表面
に置いた試料片の定性定量分析については、X線分析の
進歩19(アグネ技術センター)P、217〜226及
び大阪電気通信大学研究論文集「自然科学編J 22
(1986)P。
87〜等があり、ウェーハ表面に滴下した水溶液の定性
定量分析については、X線分析の進歩1つ(アグネ技術
センター)P、237〜249等がある。
定量分析については、X線分析の進歩1つ(アグネ技術
センター)P、237〜249等がある。
しかし、従来の分析法によると、X線の全反射条件を満
足させる為に、試料が置かれた光学的に平滑な面に対し
X線を低照射角で照射させることが困難であった。
足させる為に、試料が置かれた光学的に平滑な面に対し
X線を低照射角で照射させることが困難であった。
また、X線の全反射条件を満足しても、X線は光学的に
平滑な面の表層100A程度の深さまでは侵入している
。このため、上述した全反射螢光X線分析性によって検
出されるX線には、光学的に平滑な面上に置かれた試料
の螢光X線以外に、光学的に平滑な面を有した試料支持
体から放射される螢光X線やX線源ターゲット(Mo、
W等)の固有X線、連続X線が含まれている。これらの
X線は分析結果のバックグラウンドとして検出されてし
まうので、試料支持体の光学的に平滑な面上に試料とし
て載せられた微量元素の検出下限濃度の上昇を招くと共
に、該元素の定量精度の低下を招いてしまう不都合があ
った。
平滑な面の表層100A程度の深さまでは侵入している
。このため、上述した全反射螢光X線分析性によって検
出されるX線には、光学的に平滑な面上に置かれた試料
の螢光X線以外に、光学的に平滑な面を有した試料支持
体から放射される螢光X線やX線源ターゲット(Mo、
W等)の固有X線、連続X線が含まれている。これらの
X線は分析結果のバックグラウンドとして検出されてし
まうので、試料支持体の光学的に平滑な面上に試料とし
て載せられた微量元素の検出下限濃度の上昇を招くと共
に、該元素の定量精度の低下を招いてしまう不都合があ
った。
さらに、従来の全反射螢光X線分析装置では、X線を全
反射する面内において分析位置を指定することができる
ようになっているものの、その指定位置のみの分析では
、その指定された領域がそのX線を全反射する面全体の
付着物の付着状態を代表し得るものなのか、あるいは、
局所的に付着物が多く存在している領域に該当している
ものなのかを判定することはできなかった。このため、
従来はX線を全反射する面を複数の領域に区分し、区分
された領域全てについて個別に分析を行い付着物の付着
状態等を確認しなければ、付着物を定量することができ
ず、膨大な時間を必要とし、作業効率が低かった。
反射する面内において分析位置を指定することができる
ようになっているものの、その指定位置のみの分析では
、その指定された領域がそのX線を全反射する面全体の
付着物の付着状態を代表し得るものなのか、あるいは、
局所的に付着物が多く存在している領域に該当している
ものなのかを判定することはできなかった。このため、
従来はX線を全反射する面を複数の領域に区分し、区分
された領域全てについて個別に分析を行い付着物の付着
状態等を確認しなければ、付着物を定量することができ
ず、膨大な時間を必要とし、作業効率が低かった。
本発明はかかる不都合を解消することを目的としている
。
。
上述の目的を達成するため、第1の発明による全反射螢
光X線分析装置は低照射角で照射されたX線を全反射す
る光学的に平滑な面を有した部材と、この部材の光学的
に平滑な面の表面近傍に位置する試料から放射される螢
光X線を検出する第1の検出手段と、上記部材からのX
線を入射してその強度を検出する第2の検出手段とを備
える。
光X線分析装置は低照射角で照射されたX線を全反射す
る光学的に平滑な面を有した部材と、この部材の光学的
に平滑な面の表面近傍に位置する試料から放射される螢
光X線を検出する第1の検出手段と、上記部材からのX
線を入射してその強度を検出する第2の検出手段とを備
える。
また、第2の発明による全反射螢光X線分析装置は上記
第2の検出手段の代わりに、X線源から放射されたX!
を分光して上記部材の光学的に平滑な面に低照射角で照
射する分光手段を備える。
第2の検出手段の代わりに、X線源から放射されたX!
を分光して上記部材の光学的に平滑な面に低照射角で照
射する分光手段を備える。
また、第3の発明による全反射螢光X線分析装置は上記
第2の検出手段の代わりに、上記光学的に平滑な面上に
座標を設定して上記部材の位置決′めを行う位置決め手
段及び上記光学的に平滑な面の状態検査を行い、上記座
標に対応させて上記光学的に平滑な面上の各点の検査情
報を得る表面検査系とを備える。
第2の検出手段の代わりに、上記光学的に平滑な面上に
座標を設定して上記部材の位置決′めを行う位置決め手
段及び上記光学的に平滑な面の状態検査を行い、上記座
標に対応させて上記光学的に平滑な面上の各点の検査情
報を得る表面検査系とを備える。
〔作用〕
第1の発明による全反射螢光X線装置によると、X線は
第2の検出手段に入射し、途中で部材の光学的に平滑な
面により全反射されると試料を励起して螢光X線を放射
させる。
第2の検出手段に入射し、途中で部材の光学的に平滑な
面により全反射されると試料を励起して螢光X線を放射
させる。
また、第2の発明による全反射螢光X線装置によると、
X線は分光手段により単色化され、部材の光学的に平滑
な面により全反射されると試料を励起して螢光X線を放
射される。
X線は分光手段により単色化され、部材の光学的に平滑
な面により全反射されると試料を励起して螢光X線を放
射される。
さらに、第3の発明による全反射螢光X線装置によると
、検査情報が得られた光学的に平滑な面上の所定の座標
位置で元素分析が可能である。
、検査情報が得られた光学的に平滑な面上の所定の座標
位置で元素分析が可能である。
(実施例〕
本発明の第1実施例について、第1図〜第3図を参照し
つつ、説明する。
つつ、説明する。
X線発生管等のX線源1から放射されたX線は、スリッ
ト2で細い平行X線束にされた後、X線分光手段3によ
り分光される。X線源1としてはM oをターゲットと
する封入型X線発生管を使用することができるが、Wを
ターゲットとする回転対陰極型X線管を使用してもよい
。この回転対陰極型X線管はターゲットを回転させて使
用するため、封入型X線発生管より高出力X線を発生さ
せることが可能である。X線分光手段3としては、弗化
リチウムLiFの分光結晶を用いることができ、その結
晶面である(200)面にてX線源1から放射されたX
線を反射(回折)させることによりX線を分光すること
ができる。X線用分光結晶としては黄玉石、St、Na
C1,方解石CaCo、Ge、α−石英、黒鉛、InS
b、ペンクエリトリトール等を使用することができる。
ト2で細い平行X線束にされた後、X線分光手段3によ
り分光される。X線源1としてはM oをターゲットと
する封入型X線発生管を使用することができるが、Wを
ターゲットとする回転対陰極型X線管を使用してもよい
。この回転対陰極型X線管はターゲットを回転させて使
用するため、封入型X線発生管より高出力X線を発生さ
せることが可能である。X線分光手段3としては、弗化
リチウムLiFの分光結晶を用いることができ、その結
晶面である(200)面にてX線源1から放射されたX
線を反射(回折)させることによりX線を分光すること
ができる。X線用分光結晶としては黄玉石、St、Na
C1,方解石CaCo、Ge、α−石英、黒鉛、InS
b、ペンクエリトリトール等を使用することができる。
このようにして分光されたX線は、試料支持体6の光学
的に平滑な平面に低い照射角で照射される。
的に平滑な平面に低い照射角で照射される。
なお、X線分光手段3はX線の照射方向に対しその固定
角度が変えられるようになっており、分光後のいずれの
波長域のX線でも試料支持体6に対して照射できるよう
になっている。したがって、X線源1に用いられている
ターゲットの固有X線のみを試料支持体6に対して照射
することができる。試料支持体6のX線が照射される平
面上には試料7が付着されている。試料支持体6は静電
チャックにより固定され、試料7が付着した表面の反り
は矯正される。試料支持体6は位置決めテーブル8のス
テージ8a上に載置されており、この位置決めテーブル
8はコントローラ10によって位置決め制御される。こ
の場合、位置決めテーブル8の代わりに分光手段3の固
定部材の位置をコントローラ10により制御してもよい
。
角度が変えられるようになっており、分光後のいずれの
波長域のX線でも試料支持体6に対して照射できるよう
になっている。したがって、X線源1に用いられている
ターゲットの固有X線のみを試料支持体6に対して照射
することができる。試料支持体6のX線が照射される平
面上には試料7が付着されている。試料支持体6は静電
チャックにより固定され、試料7が付着した表面の反り
は矯正される。試料支持体6は位置決めテーブル8のス
テージ8a上に載置されており、この位置決めテーブル
8はコントローラ10によって位置決め制御される。こ
の場合、位置決めテーブル8の代わりに分光手段3の固
定部材の位置をコントローラ10により制御してもよい
。
X線は、スリット5を通してシンチレーションカウンタ
11に入射する。このシンチレーションカウンタ11に
よりX線強度が計測される。シンチレーションカウンタ
11は光電管を備えた公知のものを使用することができ
る。計測されたX線強度はCPU等からなる中央処理制
御部12に入力され、これに基づき中央処理制御部12
からコントローラ10に対してテーブル位置の制御指令
が出力され、試料支持体6の位置制御が行われてX線の
全反射条件が満足される。
11に入射する。このシンチレーションカウンタ11に
よりX線強度が計測される。シンチレーションカウンタ
11は光電管を備えた公知のものを使用することができ
る。計測されたX線強度はCPU等からなる中央処理制
御部12に入力され、これに基づき中央処理制御部12
からコントローラ10に対してテーブル位置の制御指令
が出力され、試料支持体6の位置制御が行われてX線の
全反射条件が満足される。
試料支持体6の上方には、試料支持体6の光学的に平滑
な平面に対向して、半導体X線検出器13が配設されて
いる。この半導体X線検出器13は、例えばシリコンダ
イオードに逆電圧をかけてX線を当てると一時的に電流
が流れてパルスが発生する現象を利用したものである。
な平面に対向して、半導体X線検出器13が配設されて
いる。この半導体X線検出器13は、例えばシリコンダ
イオードに逆電圧をかけてX線を当てると一時的に電流
が流れてパルスが発生する現象を利用したものである。
具体的にはSiにLiをドープしてP−i−n型ダイオ
ードを形成し、これに逆電圧を印加して使用する。
ードを形成し、これに逆電圧を印加して使用する。
5i(Li)自体は真空容器中に封入されていて、厚さ
が数μmのベリリウム箔の窓を通して、X線が入射する
ように設計されている。Liをドープしであるのでi層
にX線が入射すると、そのエネルギに比例した数の電子
−正孔対が発生し、パルスが出力される。このパルスの
波高(電圧)を測定することによりX線のエネルギを、
このパルスの数を計数することにより、X線強度の測定
ができる。
が数μmのベリリウム箔の窓を通して、X線が入射する
ように設計されている。Liをドープしであるのでi層
にX線が入射すると、そのエネルギに比例した数の電子
−正孔対が発生し、パルスが出力される。このパルスの
波高(電圧)を測定することによりX線のエネルギを、
このパルスの数を計数することにより、X線強度の測定
ができる。
この半導体X線検出器13としては、例えば、ニシハギ
氏達によりエクステンデッド アブストラクト オブ
エレクトロ ケミカル ソサイエテイ (Exten
ded Abstracts of’ Electr。
氏達によりエクステンデッド アブストラクト オブ
エレクトロ ケミカル ソサイエテイ (Exten
ded Abstracts of’ Electr。
Chemical 5ociety)第89−2巻に発
表されたSSD、Link Co、 Ltd、製
の5i(Li)型(検出面積80+n+”、直径10m
m)SSDを使用できる。この半導体X線検出器13に
よって、試料支持体6上に載せられた試料7から放射さ
れる螢光X線が検出される。この検出出力は、プリアン
プ15及びリニアアンプ16により増幅され、螢光X線
エネルギーの大きさに比例した波高のパルス出力として
取り出される。ここで、プリアンプ15はS/N比の低
下を避けるために、半導体X線検出器13と直結されて
いる。さらに半導体X線検出器13はプリアンプ15を
含めてサーマル・ノイズ(熱雑音)をできるだけ小さく
するために成体窒素で冷却してもよい。そして、このパ
ルス出力は、A/D変換器17によってデジタル出力に
変換された後、マルチチャンネルアナライザでエネルギ
毎に積算され、中央処理制御部12にてデータ処理され
る。
表されたSSD、Link Co、 Ltd、製
の5i(Li)型(検出面積80+n+”、直径10m
m)SSDを使用できる。この半導体X線検出器13に
よって、試料支持体6上に載せられた試料7から放射さ
れる螢光X線が検出される。この検出出力は、プリアン
プ15及びリニアアンプ16により増幅され、螢光X線
エネルギーの大きさに比例した波高のパルス出力として
取り出される。ここで、プリアンプ15はS/N比の低
下を避けるために、半導体X線検出器13と直結されて
いる。さらに半導体X線検出器13はプリアンプ15を
含めてサーマル・ノイズ(熱雑音)をできるだけ小さく
するために成体窒素で冷却してもよい。そして、このパ
ルス出力は、A/D変換器17によってデジタル出力に
変換された後、マルチチャンネルアナライザでエネルギ
毎に積算され、中央処理制御部12にてデータ処理され
る。
なお、螢光X線が試料7から検出器13に入る過程で空
気が存在していると、空気中の微粒子による散乱・吸収
が生じ検出強度が低下する。また、空気中に存在するA
「の螢光X線も励起され、その近傍のエネルギ値に励起
されるCI、にの検出が困難になる。その為、al定室
は真空雰囲気にしておくことが望ましい。この場合、真
空度は0 、 I Torr以下であることが望まし
い。例えばSiのピーク強度は真空度760 Torr
で0.1cpsであるが、真空度0.01Torrで2
.2CI)Sになり、試料から検出器までの螢光X線の
強度低下がなくなり、軽元素の検出効率が向上する。
気が存在していると、空気中の微粒子による散乱・吸収
が生じ検出強度が低下する。また、空気中に存在するA
「の螢光X線も励起され、その近傍のエネルギ値に励起
されるCI、にの検出が困難になる。その為、al定室
は真空雰囲気にしておくことが望ましい。この場合、真
空度は0 、 I Torr以下であることが望まし
い。例えばSiのピーク強度は真空度760 Torr
で0.1cpsであるが、真空度0.01Torrで2
.2CI)Sになり、試料から検出器までの螢光X線の
強度低下がなくなり、軽元素の検出効率が向上する。
第2図に、上述した全反射螢光X線分析装置による分析
結果を示す。この分析は、X線源にタングステンWを用
いると共に、X線分光手段として弗化リチウムLiFの
分光結晶を用い、その(200)面にてX線を回折分光
して行った。そして、シリコンウェーハの光学的に平滑
に仕上げられた面上に試料として汚染粒子を付着させ、
その分析を行った。なお、この分析は、エネルギー分散
型検出法により行った。第2図では、横軸に検出された
螢光X線のエネルギー値をとり、縦軸に各エネルギー値
におけるX線のカウント数(検出頻度)をとってその分
析結果を示している。この分析結果をみると、Sis
KSCa、Cr。
結果を示す。この分析は、X線源にタングステンWを用
いると共に、X線分光手段として弗化リチウムLiFの
分光結晶を用い、その(200)面にてX線を回折分光
して行った。そして、シリコンウェーハの光学的に平滑
に仕上げられた面上に試料として汚染粒子を付着させ、
その分析を行った。なお、この分析は、エネルギー分散
型検出法により行った。第2図では、横軸に検出された
螢光X線のエネルギー値をとり、縦軸に各エネルギー値
におけるX線のカウント数(検出頻度)をとってその分
析結果を示している。この分析結果をみると、Sis
KSCa、Cr。
Fe5Ni、Znのそれぞれに特有のエネルギー値のと
ころにカウント数のピークが現れており、連続X線はほ
とんど検出されていない。したがって、これら元素のピ
ークが連続X線が検出されることによって生ずるバック
グラウンドに隠れることかなくなり、これらの元素が容
易に同定される。
ころにカウント数のピークが現れており、連続X線はほ
とんど検出されていない。したがって、これら元素のピ
ークが連続X線が検出されることによって生ずるバック
グラウンドに隠れることかなくなり、これらの元素が容
易に同定される。
また、ピーク面積とその元素濃度との間には、定の相関
関係があるので、濃度が既知の試料から検量すれば、そ
の元素の定量が可能である。
関係があるので、濃度が既知の試料から検量すれば、そ
の元素の定量が可能である。
第3図に、従来の全反射螢光X線装置による分析結果を
示す。この分析では、X線源にモリブデンM oを用い
、そこから放射されたX線を分光することなしにそのま
まシリコンウェーへの光学的に平滑な面上に照射して行
った。なお、シリコンウェーハ上に試料として付着させ
た汚染粒子は、第2図のものとは同一ではない。この分
析結果をみると、S ISA r s Cr SF e
s W SZ nのそれぞれに特有のエネルギー値の
ところにカウント数のピークが現れており、このことか
らこれらの元素か同定される。しかし、この分析結果で
は、検出されるX線に連続X線が含まれているため、こ
の連続X線がピーク下地にバックグラウンドとして存在
している。このため、第3図では、Ar1Fe以外のピ
ークはバックグラウンドと区別し難く、ピークを誤診し
てしまったり、微量元素を検出する場合にはピークがバ
ックグラウンドに隠れてしまい、微量元素の検出下限濃
度の上昇を招き、その同定ができないことがある。また
、検出元素の定量をする場合、ピーク面積としてバック
グラウンドを差し引いた値を用いる必要がある。しかし
、バックグラウンドの設定の仕方により誤差が生じ、定
量精度の低下を招くこととなる。
示す。この分析では、X線源にモリブデンM oを用い
、そこから放射されたX線を分光することなしにそのま
まシリコンウェーへの光学的に平滑な面上に照射して行
った。なお、シリコンウェーハ上に試料として付着させ
た汚染粒子は、第2図のものとは同一ではない。この分
析結果をみると、S ISA r s Cr SF e
s W SZ nのそれぞれに特有のエネルギー値の
ところにカウント数のピークが現れており、このことか
らこれらの元素か同定される。しかし、この分析結果で
は、検出されるX線に連続X線が含まれているため、こ
の連続X線がピーク下地にバックグラウンドとして存在
している。このため、第3図では、Ar1Fe以外のピ
ークはバックグラウンドと区別し難く、ピークを誤診し
てしまったり、微量元素を検出する場合にはピークがバ
ックグラウンドに隠れてしまい、微量元素の検出下限濃
度の上昇を招き、その同定ができないことがある。また
、検出元素の定量をする場合、ピーク面積としてバック
グラウンドを差し引いた値を用いる必要がある。しかし
、バックグラウンドの設定の仕方により誤差が生じ、定
量精度の低下を招くこととなる。
これに対し、本発明による全反射螢光X線分析装置を用
いた場合には、試料が載せられた試料支持体の光学的に
平滑な面にX線分光手段により分光された特定波長域の
単色X線のみが照射されるようになっているので、試料
支持体に照射されるX線から連続X線が除去され、これ
が半導体X線検出器により検出されることが防止されて
いる。
いた場合には、試料が載せられた試料支持体の光学的に
平滑な面にX線分光手段により分光された特定波長域の
単色X線のみが照射されるようになっているので、試料
支持体に照射されるX線から連続X線が除去され、これ
が半導体X線検出器により検出されることが防止されて
いる。
したがって、その分析結果は第2図に示したように連続
X線が検出されることによるバックグラウンドが大巾に
低減されたものとなり、極微量の元素も容易に同定する
ことができるし、ピーク面積をより正確に得ることがで
きるので、その定量精度が向上する。
X線が検出されることによるバックグラウンドが大巾に
低減されたものとなり、極微量の元素も容易に同定する
ことができるし、ピーク面積をより正確に得ることがで
きるので、その定量精度が向上する。
なお、上述した実施例では、X線分光手段として弗化リ
チウムLiFの分光結晶を用いているが、このほかにエ
チレンジアミンニ酒石酸(EDDT)、ペンタエリトリ
トール(P E T)等の分光結晶やダイヤモンド型結
晶体を用いることもできる。特に、ダイヤモンド型結晶
体を用い、その(111)面にてX線の分光を行うこと
とすれば、取り出したい波長域のX線を効率よく分光す
ることができ、波長の揃った線スペクトルの単色X線を
試料支持体の光学的に平滑な面に照射することができる
。したがって、上述した同定・定量の精度がさらに向上
する。
チウムLiFの分光結晶を用いているが、このほかにエ
チレンジアミンニ酒石酸(EDDT)、ペンタエリトリ
トール(P E T)等の分光結晶やダイヤモンド型結
晶体を用いることもできる。特に、ダイヤモンド型結晶
体を用い、その(111)面にてX線の分光を行うこと
とすれば、取り出したい波長域のX線を効率よく分光す
ることができ、波長の揃った線スペクトルの単色X線を
試料支持体の光学的に平滑な面に照射することができる
。したがって、上述した同定・定量の精度がさらに向上
する。
また、X線分光手段により分光されて試料支持体に照射
されるX線は、試料から検出したい元素のX線吸収スペ
クトルよりも高いエネルギーのものであれば、X線源か
ら放射されるいずれの固有X線でもよい。例えば、タン
グステンWの固有X線であるKa線をX線分光手段によ
り分光させて試料支持体に照射した場合、そのエネルギ
ーの高さからランタンLa以下の原子番号の元素が検出
されるが、Lβl線を分光させて試料支持体に照射した
場合には、亜鉛Zn以下の原子番号の元素しか検出され
ない。したがって、照射されるX線に応じて試料支持体
を構成する元素を適当に選択することにより、その元素
を検出させないようにすることも可能であり、これによ
りバックグラウンドがさらに低減され、分析精度が向上
する。特に、GaAsウェーハ上の遷移金属元素の検出
にはタングステンWのLβl線を選定し照射するとよい
。それは、Lβl線のエネルギ値が試料支持体を構成す
る元素であるGaは励起しないが、不純物として検出し
たいZnは励起するため、バックグラウンドを大幅に低
減することができるからである。
されるX線は、試料から検出したい元素のX線吸収スペ
クトルよりも高いエネルギーのものであれば、X線源か
ら放射されるいずれの固有X線でもよい。例えば、タン
グステンWの固有X線であるKa線をX線分光手段によ
り分光させて試料支持体に照射した場合、そのエネルギ
ーの高さからランタンLa以下の原子番号の元素が検出
されるが、Lβl線を分光させて試料支持体に照射した
場合には、亜鉛Zn以下の原子番号の元素しか検出され
ない。したがって、照射されるX線に応じて試料支持体
を構成する元素を適当に選択することにより、その元素
を検出させないようにすることも可能であり、これによ
りバックグラウンドがさらに低減され、分析精度が向上
する。特に、GaAsウェーハ上の遷移金属元素の検出
にはタングステンWのLβl線を選定し照射するとよい
。それは、Lβl線のエネルギ値が試料支持体を構成す
る元素であるGaは励起しないが、不純物として検出し
たいZnは励起するため、バックグラウンドを大幅に低
減することができるからである。
ところで、螢光X線のエネルギ値は固有のものであり、
元素間のエネルギ差は軽元素はど小さくなっている。例
えばN a (!: M gの場合、NaKα線のエネ
ルギ値は1.0410keV、MgKa線のエネルギ値
は1.2536keVであり、そのエネルギ差は212
.6eVである。この場合、このエネルギ差以下の分解
能がないとピークを分離することはできず、元素を同定
することができない。従って、この分析装置により軽元
素を同定する場合には半導体X線検出器13のエネルギ
分解能を例えば200eV以下にすることが望ましい。
元素間のエネルギ差は軽元素はど小さくなっている。例
えばN a (!: M gの場合、NaKα線のエネ
ルギ値は1.0410keV、MgKa線のエネルギ値
は1.2536keVであり、そのエネルギ差は212
.6eVである。この場合、このエネルギ差以下の分解
能がないとピークを分離することはできず、元素を同定
することができない。従って、この分析装置により軽元
素を同定する場合には半導体X線検出器13のエネルギ
分解能を例えば200eV以下にすることが望ましい。
一般に、半導体X線検出器13のエネルギ分解能は検出
部の大きさに逆比例し、検出部が150關 φであれば
、250eV、80mm2φであれば150〜180e
Vである。したがって、検出部は8011III2φで
あればよい。
部の大きさに逆比例し、検出部が150關 φであれば
、250eV、80mm2φであれば150〜180e
Vである。したがって、検出部は8011III2φで
あればよい。
次に、本発明の第2実施例について、第4図〜第8図を
参照しつつ、説明する。
参照しつつ、説明する。
図示した装置は、大別して全反射螢光X線分析を行うX
線分析系Aと、全反射螢光X線分析が行われる而の状態
を検査する表面検査系Bとから構成されている。X線分
析系Aにおいては、前述したように、X線発生管等のX
線源1からX線が放射され、スリット2で細い平行X線
束にされた後、このX線束に対して傾斜可能な固定部材
に固定された分光手段3で分光されることにより、試料
支持体6の光学的に平滑な平面に低い照射角で照射され
る。試料支持体6は例えばシリコンウェーハであり、試
料支持体6のX線が照射される平面上には試料7が付着
している。試料支持体6は位置決めテーブル8のステー
ジ8a上に載置され、位置決めテーブル8上により位置
決めされる。この位置決めテーブル8は所定の座標(x
、y、z)を有しており、その座標に従ってコントロー
ラ10によって位置決め制御される。したがって、試料
支持体6がステージ8a上に載置された時点で、試料支
持体6のX線を全反射する光学的に平滑な平面上には座
標が設定されることとなる。
線分析系Aと、全反射螢光X線分析が行われる而の状態
を検査する表面検査系Bとから構成されている。X線分
析系Aにおいては、前述したように、X線発生管等のX
線源1からX線が放射され、スリット2で細い平行X線
束にされた後、このX線束に対して傾斜可能な固定部材
に固定された分光手段3で分光されることにより、試料
支持体6の光学的に平滑な平面に低い照射角で照射され
る。試料支持体6は例えばシリコンウェーハであり、試
料支持体6のX線が照射される平面上には試料7が付着
している。試料支持体6は位置決めテーブル8のステー
ジ8a上に載置され、位置決めテーブル8上により位置
決めされる。この位置決めテーブル8は所定の座標(x
、y、z)を有しており、その座標に従ってコントロー
ラ10によって位置決め制御される。したがって、試料
支持体6がステージ8a上に載置された時点で、試料支
持体6のX線を全反射する光学的に平滑な平面上には座
標が設定されることとなる。
照射されたX線は、スリット5を通してシンチレーショ
ンカウンタ11に入射する。このシンチレーションカウ
ンタ11によりX線強度が計測される。計測されたX線
強度はCPU、ROM。
ンカウンタ11に入射する。このシンチレーションカウ
ンタ11によりX線強度が計測される。計測されたX線
強度はCPU、ROM。
RAM等からなる第1中央処理制御部12に入力され、
これに基づき、コントローラ10に対してステージ位置
の制御指令が出力される。そして、この制御指令に基づ
いて試料支持体6の位置決めが行われ、X線の全反射条
件が満足される。そして、試料支持体゛6のX線を全反
射する面の内、該制御指令に応じた位置(領域)につい
て全反射螢光X線分析法による付着物の元素分析が行わ
れる。
これに基づき、コントローラ10に対してステージ位置
の制御指令が出力される。そして、この制御指令に基づ
いて試料支持体6の位置決めが行われ、X線の全反射条
件が満足される。そして、試料支持体゛6のX線を全反
射する面の内、該制御指令に応じた位置(領域)につい
て全反射螢光X線分析法による付着物の元素分析が行わ
れる。
また、このときの制御指令に対応した位置座標について
の情報が第1中央処理制御部12のRAM内に格納され
るようになっている。
の情報が第1中央処理制御部12のRAM内に格納され
るようになっている。
試料支持体6の上方には、試料支持体6の光学的に平滑
な平面(全反射面)に対向して、半導体X線検出器13
が配設されている。この半導体X線検出器13によって
、試料支持体6上に付着した試料7から放射される螢光
X線が検出される。
な平面(全反射面)に対向して、半導体X線検出器13
が配設されている。この半導体X線検出器13によって
、試料支持体6上に付着した試料7から放射される螢光
X線が検出される。
この検出出力は、プリアンプ15及びリニアアンプ16
により増幅され、螢光X線エネルギーの大きさに比例し
た波高のパルス出力として取り出される。そして、この
パルス出力は、A/D変換器17によってデジタル出力
に変換され、マルチチャンネルアナライザで積算された
後、第1中央処理制御部12にてデータ処理される。
により増幅され、螢光X線エネルギーの大きさに比例し
た波高のパルス出力として取り出される。そして、この
パルス出力は、A/D変換器17によってデジタル出力
に変換され、マルチチャンネルアナライザで積算された
後、第1中央処理制御部12にてデータ処理される。
ところで、この全反射螢光X線分析装置においては、試
料支持体6のX線を全反射する面への試料7の付着状況
や付着した試料粒子の分布、粒径、全反射面の傷や欠陥
等、全反射面の表面検査をする表面検査系Bが付設され
ている。この表面検査系Bは試料支持体6の全反射面に
設定された座標に対応させてその面上の各点の検査情報
を得、これを記憶できるようになっている。表面検査系
Bは、試料支持体6が載置されるステージ14と、これ
に載置された試料支持体6に照射されるレーザビームを
放射するレーザ18と、このレーザビームを反射して試
料支持体6に照射する反射鏡1つと、試料支持体6によ
り反射されたレーザビームの反射光強度を検出するフォ
トマルチプライヤ20と、フォトマルチプライヤ20の
出力信号がA/D変換器22を介してディジタル化され
て入力される第2中央処理制御部21とを備えている。
料支持体6のX線を全反射する面への試料7の付着状況
や付着した試料粒子の分布、粒径、全反射面の傷や欠陥
等、全反射面の表面検査をする表面検査系Bが付設され
ている。この表面検査系Bは試料支持体6の全反射面に
設定された座標に対応させてその面上の各点の検査情報
を得、これを記憶できるようになっている。表面検査系
Bは、試料支持体6が載置されるステージ14と、これ
に載置された試料支持体6に照射されるレーザビームを
放射するレーザ18と、このレーザビームを反射して試
料支持体6に照射する反射鏡1つと、試料支持体6によ
り反射されたレーザビームの反射光強度を検出するフォ
トマルチプライヤ20と、フォトマルチプライヤ20の
出力信号がA/D変換器22を介してディジタル化され
て入力される第2中央処理制御部21とを備えている。
反射鏡19はその姿勢を変えることによりレーザビーム
を試料支持体6の全反射面全体に走査させることができ
るようになっている。試料支持体6に照射されたレーザ
ビームは試料支持体6により反射されるが、試料支持体
6の表面あるいは表面近傍に異物が存在すれば、これに
当たって散乱し反射光の強度が変化する。したがって、
この反射光強度の変化から全反射面に付着しているμ料
7の分布状況等の情報を得ることができる。この反射光
は楕円形の反射鏡22により集光され、フォトマルチプ
ライヤ20に入射する。フォトマルチプライヤ20に入
射した光はその強度に応じた電気信号に変換され、増幅
されて出力される。
を試料支持体6の全反射面全体に走査させることができ
るようになっている。試料支持体6に照射されたレーザ
ビームは試料支持体6により反射されるが、試料支持体
6の表面あるいは表面近傍に異物が存在すれば、これに
当たって散乱し反射光の強度が変化する。したがって、
この反射光強度の変化から全反射面に付着しているμ料
7の分布状況等の情報を得ることができる。この反射光
は楕円形の反射鏡22により集光され、フォトマルチプ
ライヤ20に入射する。フォトマルチプライヤ20に入
射した光はその強度に応じた電気信号に変換され、増幅
されて出力される。
フォトマルチプライヤ20の出力信号はA/D変換器2
3によりデジタル化され、第2中央処理制a1部21に
人力される。第2中央処理制御部21に入力された信号
は全反射面に設定された座標に対応させて処理され、全
反射面に付着している試料7の分布状況やその粒径、数
量、全反射螢光X線分析された領域内に存在する試料の
粒子数、この粒子数の全反射面全体に付着している試料
の全粒子数に対する割合、全反射面の傷や欠陥等の検査
情報として記憶される。このように構成された表面検査
系Bは、図示したように、コントローラ10を介してX
線分析系Aに接続されている。なお、表面検査系として
TENCORINS′TRUMENTS製の5urfs
can4500を用いることができる。
3によりデジタル化され、第2中央処理制a1部21に
人力される。第2中央処理制御部21に入力された信号
は全反射面に設定された座標に対応させて処理され、全
反射面に付着している試料7の分布状況やその粒径、数
量、全反射螢光X線分析された領域内に存在する試料の
粒子数、この粒子数の全反射面全体に付着している試料
の全粒子数に対する割合、全反射面の傷や欠陥等の検査
情報として記憶される。このように構成された表面検査
系Bは、図示したように、コントローラ10を介してX
線分析系Aに接続されている。なお、表面検査系として
TENCORINS′TRUMENTS製の5urfs
can4500を用いることができる。
上述したように、表面検査系Bが付設された本発明によ
る全反射螢光X線分析装置では、試料支持体6をステー
ジ8a上に載置してX線分析を行う前もしくは行った後
に、試料支持体6をステージ8a上に載置して試料支持
体6のX線を全反射する面上の表面検査をすることがで
きるようになっている。したがって、従来のように、全
反射螢光X線分析が行われた試料支持体6上の領域がそ
のX線を全反射する面全体の付着物の付着状態を代表し
得るものなのか、あるいは、局所的に付着物が多く存在
している領域に該当しているものなのかを判定するため
に、全反射面を複数の領域に区分し、区分された領域全
てについて個別に全反射螢光X線分析を行って試料の付
着状態等を確認するなどの膨大な時間を必要とする作業
が不要となり、表面検査系Bによる検査結果からX線分
析を行うに最も適した座標領域を容易に検索することか
でき、効率的なX線分析が可能となる。例えば、試料7
の分布濃度が最も高い部分について全反射螢光X線分析
を行いたい場合には、表面検査系Bによる検査結果から
試料7の分布濃度が最も高い領域を検索し、その領域の
みについてX線分析を行うことができる。また、全反射
螢光X線分析を行った後に、該分析が行われた試料支持
体6上の領域が、その面全体に付着している試料7の付
着状態を代表しているものなのか、局所的に試料7が多
く付着している領域に該当しているものなのかを容易に
判定することができる。さらに、分析が行われた部分に
付着している試料の全試料に対する割合を表面検査系B
による検査結果から得られるので、これを用いて試料7
の定量を高い精度で容易に行うことがてきる。
る全反射螢光X線分析装置では、試料支持体6をステー
ジ8a上に載置してX線分析を行う前もしくは行った後
に、試料支持体6をステージ8a上に載置して試料支持
体6のX線を全反射する面上の表面検査をすることがで
きるようになっている。したがって、従来のように、全
反射螢光X線分析が行われた試料支持体6上の領域がそ
のX線を全反射する面全体の付着物の付着状態を代表し
得るものなのか、あるいは、局所的に付着物が多く存在
している領域に該当しているものなのかを判定するため
に、全反射面を複数の領域に区分し、区分された領域全
てについて個別に全反射螢光X線分析を行って試料の付
着状態等を確認するなどの膨大な時間を必要とする作業
が不要となり、表面検査系Bによる検査結果からX線分
析を行うに最も適した座標領域を容易に検索することか
でき、効率的なX線分析が可能となる。例えば、試料7
の分布濃度が最も高い部分について全反射螢光X線分析
を行いたい場合には、表面検査系Bによる検査結果から
試料7の分布濃度が最も高い領域を検索し、その領域の
みについてX線分析を行うことができる。また、全反射
螢光X線分析を行った後に、該分析が行われた試料支持
体6上の領域が、その面全体に付着している試料7の付
着状態を代表しているものなのか、局所的に試料7が多
く付着している領域に該当しているものなのかを容易に
判定することができる。さらに、分析が行われた部分に
付着している試料の全試料に対する割合を表面検査系B
による検査結果から得られるので、これを用いて試料7
の定量を高い精度で容易に行うことがてきる。
また、上述のように表面検査系Bが付設された本発明に
よる全反射螢光X線分析装置では、X線分析と表面検査
とを一連の作業として行い得るので、作業の途中で異物
が試料支持体に追加的に付着する機会が減り、より精度
の高い分析が可能となっている。
よる全反射螢光X線分析装置では、X線分析と表面検査
とを一連の作業として行い得るので、作業の途中で異物
が試料支持体に追加的に付着する機会が減り、より精度
の高い分析が可能となっている。
第5図に上述したX線分析系Aによる分析結果を示し、
第6図に表面検査系Bによる検査結果を示す。第5図(
a)は、半導体製造装置等にN2ガスを導く配管からN
2ガスを採取し、試料支持体として用いるシリコンウェ
ーハ上に採取したN ガスを2時間吹き付けることによ
り、N2ガス中に含まれる汚染粒子を試料としてシリコ
ンウェーハ上に採取し、この汚染粒子について全反射螢
光X線分析を行った分析結果を示し、第5図(b)は、
N2ガスを吹き付けて汚染粒子を付着させる前のシリコ
ンウェーハ表面についての分析結果を示している。これ
らの図はいずれも横軸に検出された螢光X線のエネルギ
ー値をとり、縦軸に各エネルギー値におけるX線のカウ
ント数(検出頻度)をとって示している。なお、この分
析は、エネルギー分散型検出法により行った。
第6図に表面検査系Bによる検査結果を示す。第5図(
a)は、半導体製造装置等にN2ガスを導く配管からN
2ガスを採取し、試料支持体として用いるシリコンウェ
ーハ上に採取したN ガスを2時間吹き付けることによ
り、N2ガス中に含まれる汚染粒子を試料としてシリコ
ンウェーハ上に採取し、この汚染粒子について全反射螢
光X線分析を行った分析結果を示し、第5図(b)は、
N2ガスを吹き付けて汚染粒子を付着させる前のシリコ
ンウェーハ表面についての分析結果を示している。これ
らの図はいずれも横軸に検出された螢光X線のエネルギ
ー値をとり、縦軸に各エネルギー値におけるX線のカウ
ント数(検出頻度)をとって示している。なお、この分
析は、エネルギー分散型検出法により行った。
この分析結果を調べてみると、第5図(a)にはCr、
Fe、CuSZnに特有のエネルギー値のところにピー
クが現れており、それぞれの金属元素がこれにより同定
される。そして、第5図(b)の分析結果との比較から
、これらの金属元素はN2ガス中に含まれていたものと
判定できる。
Fe、CuSZnに特有のエネルギー値のところにピー
クが現れており、それぞれの金属元素がこれにより同定
される。そして、第5図(b)の分析結果との比較から
、これらの金属元素はN2ガス中に含まれていたものと
判定できる。
そして、これらの元素はステンレスおよび真鍮の構珠成
分であるから、N2ガスの汚染源は配管およびその継手
であると推定することができる。また、縦軸はカウント
数を表しているから、各元素についてのピーク面積はそ
の元素濃度を反映していることになり、濃度が既知の試
料から検量することによって、その元素の定量をするこ
ともできる。
分であるから、N2ガスの汚染源は配管およびその継手
であると推定することができる。また、縦軸はカウント
数を表しているから、各元素についてのピーク面積はそ
の元素濃度を反映していることになり、濃度が既知の試
料から検量することによって、その元素の定量をするこ
ともできる。
第6図(a)は上述したN2ガスを吹き付けた後のシリ
コンウェーハについて、その表面に付着した汚染粒子の
分布状況を表面検査系Aにより検査した結果を示し、第
6図(b)はN2ガスを吹き付ける前のシリコンウェー
ハ表面についての検査結果を示している。この検査結果
からN2ガスを吹き付ける前のシリコンウェーハ表面に
付着している汚染粒子は極めて少ないが、N2ガスを吹
き付けた後のシリコンウェーハではその表面にほぼ均一
な分布で多数の汚染粒子が付着していることが分かる。
コンウェーハについて、その表面に付着した汚染粒子の
分布状況を表面検査系Aにより検査した結果を示し、第
6図(b)はN2ガスを吹き付ける前のシリコンウェー
ハ表面についての検査結果を示している。この検査結果
からN2ガスを吹き付ける前のシリコンウェーハ表面に
付着している汚染粒子は極めて少ないが、N2ガスを吹
き付けた後のシリコンウェーハではその表面にほぼ均一
な分布で多数の汚染粒子が付着していることが分かる。
そして、このことから、これらの汚染粒子が第5図で同
定された金属元素を含む粒子であることが裏付けられる
。
定された金属元素を含む粒子であることが裏付けられる
。
ところで、第5図(a)の分析位置はウェーハ中央部の
直径6IImのエリアであり、その部分に付着している
汚染粒子数は表面検査系Bの検査結果から例えば全体の
汚染粒子数の約10%と判定できる。したがって、汚染
粒子の付着効率が分かれば、各元素のピーク面積と吹き
付けたN2ガスの総量とからN2ガス中に含まれていた
各元素の濃度を算出することができる。
直径6IImのエリアであり、その部分に付着している
汚染粒子数は表面検査系Bの検査結果から例えば全体の
汚染粒子数の約10%と判定できる。したがって、汚染
粒子の付着効率が分かれば、各元素のピーク面積と吹き
付けたN2ガスの総量とからN2ガス中に含まれていた
各元素の濃度を算出することができる。
第7図に表面検査系Bによる検査結果であって、第6図
と異なる検査結果を示す。この検査結果はシリコンウェ
ーハの裏面中央部に磁石を取り付け、表面に前述したと
同様にN2ガスを吹き付けたものについての検査結果で
ある。磁石を取り付けたことによって、その付近に汚染
粒子が集中して付着していることが分かる。そして、ウ
ェーハ中央部の直径6III11のエリアには全体の約
20%の汚染粒子が付着している。したがって、この汚
染粒子が集中して付着しているエリアの座標を読みだし
、このエリアについて全反射螢光X線分析が行われるよ
うに位置決めテーブル8をコントローラ10により制御
し、全反射螢光X線分析を行えば、第第5図(a)に示
した分析結果よりもピーク値の大きな分析結果が得られ
、高感度で汚染元素を検出することができ、定量分析の
精度も向上する。
と異なる検査結果を示す。この検査結果はシリコンウェ
ーハの裏面中央部に磁石を取り付け、表面に前述したと
同様にN2ガスを吹き付けたものについての検査結果で
ある。磁石を取り付けたことによって、その付近に汚染
粒子が集中して付着していることが分かる。そして、ウ
ェーハ中央部の直径6III11のエリアには全体の約
20%の汚染粒子が付着している。したがって、この汚
染粒子が集中して付着しているエリアの座標を読みだし
、このエリアについて全反射螢光X線分析が行われるよ
うに位置決めテーブル8をコントローラ10により制御
し、全反射螢光X線分析を行えば、第第5図(a)に示
した分析結果よりもピーク値の大きな分析結果が得られ
、高感度で汚染元素を検出することができ、定量分析の
精度も向上する。
さらに、表面検査系Bによりウェーハに付着している汚
染粒子の総数やその粒径毎の粒子数を検出することがで
きる。この検出結果を第8図に示す。汚染粒子の粒径は
汚染原因究明の有力な手掛かりとなるものである。
染粒子の総数やその粒径毎の粒子数を検出することがで
きる。この検出結果を第8図に示す。汚染粒子の粒径は
汚染原因究明の有力な手掛かりとなるものである。
なお、上述した実施例においては、全反射螢光X線分析
に用いられるステージ8aと全反射面の表面検査に用い
られるステージ14とが別々に設けられ、試料支持体6
が2つのステージ相互間において移載されるようになっ
ている。したがって、試料支持体6が移載される際には
、全反射螢光X線分析の際にその面上に設定された座標
をそのまま全反射面の表面検査に用いることができるよ
うに、X線分析系Aに対する試料支持体6の相対的位置
関係と、表面検査系Bに対する試料支持体6の相対的位
置関係とが同一となるよう、例えば試料支持体6がその
姿勢変化を伴わずに平行に搬送されて移載されることが
望ましい。なお、X線分析と表面検査とで異なる座標を
別々に設定したとしても、試料支持体6に座標設定の基
準を設けておけば、該基準を基に座標を相互に変換し得
、以後共通の座標を設定したのと同様に扱うことができ
る。該基準としては、試料支持体6に半導体つ工−ハを
用いた場合には、オリエンテーションフラットを用いる
ことができる。
に用いられるステージ8aと全反射面の表面検査に用い
られるステージ14とが別々に設けられ、試料支持体6
が2つのステージ相互間において移載されるようになっ
ている。したがって、試料支持体6が移載される際には
、全反射螢光X線分析の際にその面上に設定された座標
をそのまま全反射面の表面検査に用いることができるよ
うに、X線分析系Aに対する試料支持体6の相対的位置
関係と、表面検査系Bに対する試料支持体6の相対的位
置関係とが同一となるよう、例えば試料支持体6がその
姿勢変化を伴わずに平行に搬送されて移載されることが
望ましい。なお、X線分析と表面検査とで異なる座標を
別々に設定したとしても、試料支持体6に座標設定の基
準を設けておけば、該基準を基に座標を相互に変換し得
、以後共通の座標を設定したのと同様に扱うことができ
る。該基準としては、試料支持体6に半導体つ工−ハを
用いた場合には、オリエンテーションフラットを用いる
ことができる。
また、1つのステージを共有する形でX線分析系Aに表
面検査系Bを付設することとにより、X線分析と表面検
査とに共通の座標を設定することもできる。この場合に
は、試料支持体6の移載工程を省くことができると共に
、移載の際に試料支持体6上に追加的に汚染物質が付着
することを避けることができる。
面検査系Bを付設することとにより、X線分析と表面検
査とに共通の座標を設定することもできる。この場合に
は、試料支持体6の移載工程を省くことができると共に
、移載の際に試料支持体6上に追加的に汚染物質が付着
することを避けることができる。
さらに、上記実施例では表面検査系Bとしてレーザ18
とフォトマルチプライヤ20を使用し、レーザ光を2次
元的にスキャンすることによりI検査しているが、フォ
トマルチプライヤ20の代わりにCCDを用い、レーザ
を一定方向に拡大してCCDに照射するライン走査によ
り検査してもよい。
とフォトマルチプライヤ20を使用し、レーザ光を2次
元的にスキャンすることによりI検査しているが、フォ
トマルチプライヤ20の代わりにCCDを用い、レーザ
を一定方向に拡大してCCDに照射するライン走査によ
り検査してもよい。
また、レーザ18の代わりにランプを使用し、フォトマ
ルチプライヤ20の代わりにCRTを使用し、CRTか
ら得られた画像データに基づき検査してもよい。
ルチプライヤ20の代わりにCRTを使用し、CRTか
ら得られた画像データに基づき検査してもよい。
以上説明したように、第1の発明による全反射螢光X線
分析装置によれば、試料に照射されるX線の強度を予め
検出することができるので、部材の光学的に平滑な面に
対しX線の全反射条件を簡単に満足させることができる
。
分析装置によれば、試料に照射されるX線の強度を予め
検出することができるので、部材の光学的に平滑な面に
対しX線の全反射条件を簡単に満足させることができる
。
また、第2の発明による全反射螢光X線分析装置によれ
ば、試料が載せられた試料支持体の光学的に平滑な面に
は、X線分光手段により分光された特定波長域のX線の
みが照射されるので、試料支持体に対して照射されるX
線から不要な連続X線が除去され、検出されるスペクト
ル中のバックグラウンド成分が低減される。したがって
、極微量な元素を容易に同定できるようになると共に、
その定量精度が向上する。
ば、試料が載せられた試料支持体の光学的に平滑な面に
は、X線分光手段により分光された特定波長域のX線の
みが照射されるので、試料支持体に対して照射されるX
線から不要な連続X線が除去され、検出されるスペクト
ル中のバックグラウンド成分が低減される。したがって
、極微量な元素を容易に同定できるようになると共に、
その定量精度が向上する。
さらに、第3の発明による全反射螢光X線分析装置によ
れば、全反射螢光X線分析によって得られた分析結果か
ら付着物を定量するために必要とされる補足的な情報や
全反射螢光X線分析を効率的に行うために必要とされる
補足的な情報を表面検査系により短時間の内に得ること
ができる。したがって、この情報に基づき、高い作業効
率をもって、精度の高い分析を行うことができる。
れば、全反射螢光X線分析によって得られた分析結果か
ら付着物を定量するために必要とされる補足的な情報や
全反射螢光X線分析を効率的に行うために必要とされる
補足的な情報を表面検査系により短時間の内に得ること
ができる。したがって、この情報に基づき、高い作業効
率をもって、精度の高い分析を行うことができる。
なお、上記実施例では試料支持体6の表面に付着した試
料を分析対象としているが、X線は光学的に平滑な面の
表層100A程度の深さまで侵入するので表面近傍に埋
もれた元素や表面に対し直交する方向に形成された線状
物の元素を同定することができる。
料を分析対象としているが、X線は光学的に平滑な面の
表層100A程度の深さまで侵入するので表面近傍に埋
もれた元素や表面に対し直交する方向に形成された線状
物の元素を同定することができる。
第1図は本発明の第1実施例による全反射螢光X線分析
装置の概略を示した構成図、第2図は本発明による全反
射螢光X線分析装置を用いて得られた分析結果を示した
図、第3図は従来の全反射螢光X線分析装置を用いて得
られた分析結果を示した図、第4図は本発明の第2実施
例による全反射螢光X線分析装置の概略を示した構成図
、第5図は本発明による全反射螢光X線分析装置による
分析結果を示した図、第6図および第7図は本発明にか
かる表面検査系による検査結果を示した図、第8図は本
発明にかかる表面検査系による検査結果であって、第6
図および第7図と異なる検査結果を示した図である。 GO,)i馨 RO>L羅 (CI) 第5図 表面検査系による検査絽県 第6図 表面検査系(二よる$!、i絽泉 区囮(0)採取後粒−J−認数:460閣(b)採取¥
T紅辣徹7 粒 子 径(P爪) 表面検査系による挟査紹果 第8図
装置の概略を示した構成図、第2図は本発明による全反
射螢光X線分析装置を用いて得られた分析結果を示した
図、第3図は従来の全反射螢光X線分析装置を用いて得
られた分析結果を示した図、第4図は本発明の第2実施
例による全反射螢光X線分析装置の概略を示した構成図
、第5図は本発明による全反射螢光X線分析装置による
分析結果を示した図、第6図および第7図は本発明にか
かる表面検査系による検査結果を示した図、第8図は本
発明にかかる表面検査系による検査結果であって、第6
図および第7図と異なる検査結果を示した図である。 GO,)i馨 RO>L羅 (CI) 第5図 表面検査系による検査絽県 第6図 表面検査系(二よる$!、i絽泉 区囮(0)採取後粒−J−認数:460閣(b)採取¥
T紅辣徹7 粒 子 径(P爪) 表面検査系による挟査紹果 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低照射角で照射されたX線を全反射する光学的に平
滑な面を有した部材と、 前記部材の光学的に平滑な面の表面近傍に位置する試料
から放射される螢光X線を検出する第1の検出手段と、 前記部材からのX線を入射して、その強度を検出する第
2の検出手段とを備える全反射螢光X線分析装置。 2、低照射角で照射されたX線を全反射する光学的に平
滑な面を有した部材と、 前記部材の光学的に平滑な面の表面近傍に位置する試料
から放射される螢光X線を検出する検出手段と、 X線源から放射されたX線を分光して前記部材の光学的
に平滑な面に低照射角で照射する分光手段とを備える全
反射螢光X線分析装置。 3、低照射角で照射されたX線を全反射する光学的に平
滑な面を有した部材と、 前記部材の光学的に平滑な面の表面近傍に位置する試料
から放射される螢光X線を検出する検出手段と、 前記光学的に平滑な面上に座標を設定し、前記部材の位
置決めを行う位置決め手段と、 前記光学的に平滑な面の状態検査を行い、前記座標に対
応させて前記光学的に平滑な面上の各点の検査情報を得
る表面検査系とを備えた全反射螢光X線分析装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1-272124 | 1989-10-19 | ||
JP27212389 | 1989-10-19 | ||
JP1-272123 | 1989-10-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03202760A true JPH03202760A (ja) | 1991-09-04 |
Family
ID=17509412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26343490A Pending JPH03202760A (ja) | 1989-10-19 | 1990-10-01 | 全反射螢光x線分折装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03202760A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06223750A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Technos Kenkyusho:Kk | X線発生器および蛍光x線分析装置 |
JPH06317547A (ja) * | 1993-05-06 | 1994-11-15 | Rigaku Denki Kogyo Kk | 全反射蛍光x線分析装置 |
US5949847A (en) * | 1996-10-25 | 1999-09-07 | Technos Institute Co., Ltd. | X-ray analyzing apparatus and x-ray irradiation angle setting method |
JP2005207908A (ja) * | 2004-01-23 | 2005-08-04 | Rigaku Industrial Co | 蛍光x線分析装置 |
JP2006053012A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Technos Kenkyusho:Kk | 蛍光x線分析装置 |
JP2010071762A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラム |
KR101596746B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2016-02-24 | 테크밸리 주식회사 | 소각산란분석시스템 |
Citations (7)
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---|---|---|---|---|
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JPS6313342A (ja) * | 1986-07-04 | 1988-01-20 | Hitachi Ltd | 微細異物検査装置 |
JPS63135848A (ja) * | 1986-11-28 | 1988-06-08 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置 |
JPS63167251A (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-11 | Shimadzu Corp | X線分析装置 |
JPH0197844A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Hitachi Ltd | 偏光全反射蛍光x線構造解析装置 |
JPH0197843A (ja) * | 1987-10-09 | 1989-04-17 | Hitachi Ltd | 全反射蛍光x線構造解析装置 |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP26343490A patent/JPH03202760A/ja active Pending
Patent Citations (7)
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Cited By (8)
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JP4537149B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-09-01 | 株式会社リガク | 蛍光x線分析方法 |
JP2010071762A (ja) * | 2008-09-17 | 2010-04-02 | Tokyo Electron Ltd | 粒子径測定装置、粒子径測定方法及びコンピュータプログラム |
KR101596746B1 (ko) * | 2015-10-07 | 2016-02-24 | 테크밸리 주식회사 | 소각산란분석시스템 |
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