JPH03183123A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH03183123A JPH03183123A JP32207789A JP32207789A JPH03183123A JP H03183123 A JPH03183123 A JP H03183123A JP 32207789 A JP32207789 A JP 32207789A JP 32207789 A JP32207789 A JP 32207789A JP H03183123 A JPH03183123 A JP H03183123A
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- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 15
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明番よ、基板上に各種薄膜を作成するのに用いら
れるスパッタリング装置であって、柱状に形成され一方
の端面が板状ターゲットの裏面中心部に近接して対向す
る第1の磁極体と、該第1の磁極体を包囲する筒状に形
成され前記第1の磁極体の一方の端面と同側の端面が前
記板状ターゲットの裏面周縁側に近接して対向するとと
もに該第1の磁極体の一方の端面と逆の極性を有する第
2の磁極体と、該第1.第2の磁極体のそれぞれ他方の
端面を互いに磁気結合するヨークとを備え、前記板状タ
ーゲットの表面側に円弧状の磁束を環状に形成してプラ
ズマを発生させるプレーナマグネトロン方式のスパッタ
リング装置に係り、特に前記板状ターゲットの利用効率
の高いスパッタリング装置に関する。
れるスパッタリング装置であって、柱状に形成され一方
の端面が板状ターゲットの裏面中心部に近接して対向す
る第1の磁極体と、該第1の磁極体を包囲する筒状に形
成され前記第1の磁極体の一方の端面と同側の端面が前
記板状ターゲットの裏面周縁側に近接して対向するとと
もに該第1の磁極体の一方の端面と逆の極性を有する第
2の磁極体と、該第1.第2の磁極体のそれぞれ他方の
端面を互いに磁気結合するヨークとを備え、前記板状タ
ーゲットの表面側に円弧状の磁束を環状に形成してプラ
ズマを発生させるプレーナマグネトロン方式のスパッタ
リング装置に係り、特に前記板状ターゲットの利用効率
の高いスパッタリング装置に関する。
衆知のように、この種のスパッタリング装置の陰極側を
構成するマグネトロンカソードは、通常、第2図に示す
ように、柱状に形成され一方の端面が板状ターゲット3
の裏面中心部に近接して対向する第1の磁極体を構成す
る永久磁石1と、この永久磁石1を包囲して筒状に形成
され一方の端面が前記板状ターゲットの裏面周縁側に近
接して対向する第2の磁極体である永久磁石2と、前記
永久磁石1.2のそれぞれ他方の端面を互いに磁気的に
結合する円板状ヨーク4とからなり、永久磁石1.永久
磁石2それぞれのターゲット裏面と対向する面に互いに
逆の極性を有する磁極面を構成させてターゲット3の表
面側に円弧状の磁束5を環状に形成し、円弧の頂部近傍
すなわち磁束のターゲットと平行な部分を中心に環状の
プラズマ6を形成してプラズマ中のイオンをターゲット
方向へ加速し、ターゲット表面をスパッタすることによ
り、ターゲット3に対向する9図示されない基板の表面
にスパッタ粒子を堆積させて薄膜を形成させている。
構成するマグネトロンカソードは、通常、第2図に示す
ように、柱状に形成され一方の端面が板状ターゲット3
の裏面中心部に近接して対向する第1の磁極体を構成す
る永久磁石1と、この永久磁石1を包囲して筒状に形成
され一方の端面が前記板状ターゲットの裏面周縁側に近
接して対向する第2の磁極体である永久磁石2と、前記
永久磁石1.2のそれぞれ他方の端面を互いに磁気的に
結合する円板状ヨーク4とからなり、永久磁石1.永久
磁石2それぞれのターゲット裏面と対向する面に互いに
逆の極性を有する磁極面を構成させてターゲット3の表
面側に円弧状の磁束5を環状に形成し、円弧の頂部近傍
すなわち磁束のターゲットと平行な部分を中心に環状の
プラズマ6を形成してプラズマ中のイオンをターゲット
方向へ加速し、ターゲット表面をスパッタすることによ
り、ターゲット3に対向する9図示されない基板の表面
にスパッタ粒子を堆積させて薄膜を形成させている。
〔発明が解決しようとする課題〕
このような構成の従来のマグネトロンカソードにおいて
は、ターゲットとほぼ平行となる磁束領域幅が狭いため
、プラズマの発生領域幅も狭く、このため、スパッタリ
ングによるターゲットの侵食も当然限られた狭い領域幅
内で進行する。この結果、高価なターゲットの利用効率
が低く、大きな問題となっていた。
は、ターゲットとほぼ平行となる磁束領域幅が狭いため
、プラズマの発生領域幅も狭く、このため、スパッタリ
ングによるターゲットの侵食も当然限られた狭い領域幅
内で進行する。この結果、高価なターゲットの利用効率
が低く、大きな問題となっていた。
このような問題を解決するマグネトロンカソードとして
、例えば、特公昭59−22788号公報に開示されて
いる。第4図に示すごとき構成のものが知られている。
、例えば、特公昭59−22788号公報に開示されて
いる。第4図に示すごとき構成のものが知られている。
これによれば、従来の第2の磁極体12の外側にさらに
、第2の磁極体を包囲する第3の磁極体13を設けると
ともに、この第3の磁極体13の内側に沿って環状の励
磁コイル14を配し、この励磁コイル14にまず一方向
の電流を流してターゲット17に対向する磁極面の極性
を第1.第2゜第3の磁極体の順にN−3−3とし、タ
ーゲット表面側の磁束分布をターゲット中央部側で淳く
、周縁部側で薄くなるように形成してターゲット17の
中央部側の侵食量が多くなるようにし、次にこの電流の
大きさを徐々に小さくしつつ方向を反転して第5図のよ
うに各磁極体11.12.13の磁極面の極性をN−3
−Nとしてターゲット17の周縁部側の磁束を中央部側
より厚くすると、ターゲット周縁部側の侵食量が中央部
側より大きくなるから、励磁コイルの電流を周波数の低
い交流とすることにより、ターゲットが径方向に幅広く
一様に侵食され、ターゲットの利用効率が向上する。し
かし、この構成では、励磁コイルと、この11ITli
コイルに流す電流を制御する制mva構とを必要とし、
構造が複雑かつ高価となるという欠点がある。なお、第
4図および第5図において、符号19はターゲット17
からのスパッタ粒子の飛散範囲を制限するシールド、符
号18はプラズマ中のイオンをターゲット17へ向けて
加速するためのリング状の陽極である。
、第2の磁極体を包囲する第3の磁極体13を設けると
ともに、この第3の磁極体13の内側に沿って環状の励
磁コイル14を配し、この励磁コイル14にまず一方向
の電流を流してターゲット17に対向する磁極面の極性
を第1.第2゜第3の磁極体の順にN−3−3とし、タ
ーゲット表面側の磁束分布をターゲット中央部側で淳く
、周縁部側で薄くなるように形成してターゲット17の
中央部側の侵食量が多くなるようにし、次にこの電流の
大きさを徐々に小さくしつつ方向を反転して第5図のよ
うに各磁極体11.12.13の磁極面の極性をN−3
−Nとしてターゲット17の周縁部側の磁束を中央部側
より厚くすると、ターゲット周縁部側の侵食量が中央部
側より大きくなるから、励磁コイルの電流を周波数の低
い交流とすることにより、ターゲットが径方向に幅広く
一様に侵食され、ターゲットの利用効率が向上する。し
かし、この構成では、励磁コイルと、この11ITli
コイルに流す電流を制御する制mva構とを必要とし、
構造が複雑かつ高価となるという欠点がある。なお、第
4図および第5図において、符号19はターゲット17
からのスパッタ粒子の飛散範囲を制限するシールド、符
号18はプラズマ中のイオンをターゲット17へ向けて
加速するためのリング状の陽極である。
この発明の目的は、従来のマグネトロンカソードの構造
に実質的な変更を加えることなく、ターゲットの表面に
ターゲットに平行な成分の長さが長い、従って幅の広い
環状磁界を形成して、プラズマの発生領域幅が従来より
大幅に広くなるマグネトロンカソードの構成を提供する
ことである。
に実質的な変更を加えることなく、ターゲットの表面に
ターゲットに平行な成分の長さが長い、従って幅の広い
環状磁界を形成して、プラズマの発生領域幅が従来より
大幅に広くなるマグネトロンカソードの構成を提供する
ことである。
上記課題を解決するために、この発明においては、柱状
に形成され一方の端面が板状ターゲットの裏面中心部に
近接して対向する第1の磁極体と、該第1の磁極体を包
囲する筒状に形成され前記第1の磁極体の一方の端面と
同側の端面が前記板状ターゲットの裏面FiI縁側に近
接して対向するとともに該第1の磁極体の一方の端面と
逆の極性を有する第2の磁極体と、該第1.第2の磁極
体のそれぞれ他方の端面を互いに磁気結合するヨークと
を備え、前記板状ターゲットの表面側に円弧状の磁束を
環状に形成してプラズマを発生させるプレーナマグネト
ロン方式のスパッタリング装置を、リング状に形成され
内周側が前記第1の磁極体の一方の端酊と逆極性となる
ように放射状に磁化された第3の磁極体が前記第1.第
2の磁極体の間に前記板状ターゲットに平行に近接して
配された構成とするものとする。
に形成され一方の端面が板状ターゲットの裏面中心部に
近接して対向する第1の磁極体と、該第1の磁極体を包
囲する筒状に形成され前記第1の磁極体の一方の端面と
同側の端面が前記板状ターゲットの裏面FiI縁側に近
接して対向するとともに該第1の磁極体の一方の端面と
逆の極性を有する第2の磁極体と、該第1.第2の磁極
体のそれぞれ他方の端面を互いに磁気結合するヨークと
を備え、前記板状ターゲットの表面側に円弧状の磁束を
環状に形成してプラズマを発生させるプレーナマグネト
ロン方式のスパッタリング装置を、リング状に形成され
内周側が前記第1の磁極体の一方の端酊と逆極性となる
ように放射状に磁化された第3の磁極体が前記第1.第
2の磁極体の間に前記板状ターゲットに平行に近接して
配された構成とするものとする。
マグネトロンカソードをこのように構成すると、第3の
磁極体がターゲット表面側の円弧状磁束を自分に引きつ
けるように磁橋配置がなされているため、ターゲット表
面側で磁束がターゲットにおおむね平行となる領域が増
大し、これによりプラズマ領域幅も広がり、ターゲット
のスパッタリング領域幅が広がるため、ターゲットの利
用効率が、従来のマグネトロンカソードの構造に実質的
な変更を加えることなく向上する。
磁極体がターゲット表面側の円弧状磁束を自分に引きつ
けるように磁橋配置がなされているため、ターゲット表
面側で磁束がターゲットにおおむね平行となる領域が増
大し、これによりプラズマ領域幅も広がり、ターゲット
のスパッタリング領域幅が広がるため、ターゲットの利
用効率が、従来のマグネトロンカソードの構造に実質的
な変更を加えることなく向上する。
第1図は本発明の一実施例によるマグネトロンカソード
の構成を示す断面模式図である0円柱状に形成され極性
がNの磁極面を構成する一方の端面が円板状ターゲット
3の裏面中心部に近接して対向する永久磁石1と、この
永久磁石1を包囲して円筒状に形成され極性がSの磁極
面を構成する一方の端面が円板状ターゲット3の裏面周
縁側に近接して対向する永久磁石2とのそれぞれの他方
の端面が円板状のヨーク4に接合されてなる従来構成の
マグネトロンカソードに対し、さらに、永久磁石1.2
の間に、環状に形成された永久磁石9がターゲット7に
平行に近接して配されている。
の構成を示す断面模式図である0円柱状に形成され極性
がNの磁極面を構成する一方の端面が円板状ターゲット
3の裏面中心部に近接して対向する永久磁石1と、この
永久磁石1を包囲して円筒状に形成され極性がSの磁極
面を構成する一方の端面が円板状ターゲット3の裏面周
縁側に近接して対向する永久磁石2とのそれぞれの他方
の端面が円板状のヨーク4に接合されてなる従来構成の
マグネトロンカソードに対し、さらに、永久磁石1.2
の間に、環状に形成された永久磁石9がターゲット7に
平行に近接して配されている。
この永久磁石9は、この実施例では、板材からなる環状
体くリング〉として形成され、内周側が永久磁石lの一
方の磁極面と逆の極性Sとなるように放射状に磁化され
ている。
体くリング〉として形成され、内周側が永久磁石lの一
方の磁極面と逆の極性Sとなるように放射状に磁化され
ている。
マグネトロンカソードをこのように構成することにより
、永久磁石lから出る磁力線5は、永久磁石9に引き寄
せられるため、適切な位置にターゲット3を配置するこ
とにより、ターゲット表面側の磁力線がかなりの部分タ
ーゲットと平行な成分となる。第3図はターゲットと垂
直な磁束密度成分B、と、ターゲット中心からの距11
11xとの関係を示したものであり、実線が本実施例に
よるもの、破線が従来例によるものであり、本実施例の
構成により、B、!Oガウス、すなわちターゲット表面
側にはほとんど平行成分のみの領域iく存在することが
わかる。
、永久磁石lから出る磁力線5は、永久磁石9に引き寄
せられるため、適切な位置にターゲット3を配置するこ
とにより、ターゲット表面側の磁力線がかなりの部分タ
ーゲットと平行な成分となる。第3図はターゲットと垂
直な磁束密度成分B、と、ターゲット中心からの距11
11xとの関係を示したものであり、実線が本実施例に
よるもの、破線が従来例によるものであり、本実施例の
構成により、B、!Oガウス、すなわちターゲット表面
側にはほとんど平行成分のみの領域iく存在することが
わかる。
このように、本発明によれば、プラズマ領域6(第1図
)はターゲット表面側の広い範囲に存在し、ターゲット
は表面側が半径方向に広くスパッタされ、侵食領域7は
図示したように従来と比べて顕著に広くなる。なお、図
中の符号8はターゲット3に対して正電位が与えられる
。リング状に形成された陽極を示す。
)はターゲット表面側の広い範囲に存在し、ターゲット
は表面側が半径方向に広くスパッタされ、侵食領域7は
図示したように従来と比べて顕著に広くなる。なお、図
中の符号8はターゲット3に対して正電位が与えられる
。リング状に形成された陽極を示す。
以上の実施例では、第1の磁極体は円柱状に形成されて
いるものとしているが、断面形状として細長比の大きい
方形、楕円など各種形状のものに本発明が適用可能なこ
とは明らかである。なお、第3の磁極体として稀土類を
成分とする永久磁石を用いる場合には、着磁のために大
きい磁化力を必要とするため、幅を有するリングの放射
状着磁は通常困難である。従って、この場合には、第3
の磁極体を全体として多角形構成とし、各辺ごとに着磁
して組み立てるとよい。
いるものとしているが、断面形状として細長比の大きい
方形、楕円など各種形状のものに本発明が適用可能なこ
とは明らかである。なお、第3の磁極体として稀土類を
成分とする永久磁石を用いる場合には、着磁のために大
きい磁化力を必要とするため、幅を有するリングの放射
状着磁は通常困難である。従って、この場合には、第3
の磁極体を全体として多角形構成とし、各辺ごとに着磁
して組み立てるとよい。
以上に述べたように、本発明においては、柱状に形成さ
れ一方の端面が板状ターゲットの裏面中心部に近接して
対向する第1の磁極体と、該第1の磁極体を包囲する環
状に形成され前記第1の磁極体の一方の端面と同側の端
面が前記板状ターゲットの裏面周縁側に近接して対向す
るとともに酋第1の磁極体の一方の端面と逆の極性を有
する第2の磁極体と、咳第1.第2の磁極体のそれぞれ
他方の端面を互いに磁気結合するヨークとを備え、前記
板状ターゲットの表面側に円弧状の磁束を環状に形成し
てプラズマを発生させるプレーナマグネトロン方式のス
パッタリング装置を、リング状に形成され内周側が前記
第1の磁極体の一方の端面と逆極性となるように放射状
に磁化された第3の磁極体が前記第1.第2の磁極体の
間に前記板状ターゲットに平行に近接して配された構成
としたので、第3の磁極体がターゲット表面側の円弧状
磁束を自分に引きつけるように作用し、ターゲット表面
側で磁束がターゲットにおおむね平行となる領域が増大
し、これによりプラズマ領域の幅が広がってターゲット
のスパッタリング領域が広カリ、従来のマグネトロンカ
ソードの構造を実質的に変更することなく比較的安価に
ターゲットの利用効率を従来と比べて顕著に向上させる
ことができる。また、これにより、ターゲット1枚当り
の成膜面積が増加してターゲット交換の頻度が減り、ス
パッタリング装置のメンテナンス上もその効果は極めて
大きい。
れ一方の端面が板状ターゲットの裏面中心部に近接して
対向する第1の磁極体と、該第1の磁極体を包囲する環
状に形成され前記第1の磁極体の一方の端面と同側の端
面が前記板状ターゲットの裏面周縁側に近接して対向す
るとともに酋第1の磁極体の一方の端面と逆の極性を有
する第2の磁極体と、咳第1.第2の磁極体のそれぞれ
他方の端面を互いに磁気結合するヨークとを備え、前記
板状ターゲットの表面側に円弧状の磁束を環状に形成し
てプラズマを発生させるプレーナマグネトロン方式のス
パッタリング装置を、リング状に形成され内周側が前記
第1の磁極体の一方の端面と逆極性となるように放射状
に磁化された第3の磁極体が前記第1.第2の磁極体の
間に前記板状ターゲットに平行に近接して配された構成
としたので、第3の磁極体がターゲット表面側の円弧状
磁束を自分に引きつけるように作用し、ターゲット表面
側で磁束がターゲットにおおむね平行となる領域が増大
し、これによりプラズマ領域の幅が広がってターゲット
のスパッタリング領域が広カリ、従来のマグネトロンカ
ソードの構造を実質的に変更することなく比較的安価に
ターゲットの利用効率を従来と比べて顕著に向上させる
ことができる。また、これにより、ターゲット1枚当り
の成膜面積が増加してターゲット交換の頻度が減り、ス
パッタリング装置のメンテナンス上もその効果は極めて
大きい。
第1図は本発明の一実施例によるマグネトロンカソード
の構成を示す模式断面図、第2図は従来のマグネトロン
カソードの通常の構成を示す模式断面図、第3図は本発
明におけるターゲット表面側磁束のターゲットと平行な
領域幅と従来構成のマグネトロンカソードの場合の平行
な領域幅との比較を、ターゲットに垂直な磁束密度成分
とターゲット中心からの距離との関係で示す線図、第4
図および第5図はターゲットの侵食幅を広げるためのマ
グネトロンカソードの公知の構成例と作用とを示す断面
模式図である。 1:永久磁石 (第1の磁極体)、2:永久磁石(第2
の磁極体) 3:ターゲット、4:ヨーク、5:磁力
線(磁束)、6:プラズマ、9:永久磁第1 噂 第2節 第3図 第41fI l気 9 9 5a 1!5図
の構成を示す模式断面図、第2図は従来のマグネトロン
カソードの通常の構成を示す模式断面図、第3図は本発
明におけるターゲット表面側磁束のターゲットと平行な
領域幅と従来構成のマグネトロンカソードの場合の平行
な領域幅との比較を、ターゲットに垂直な磁束密度成分
とターゲット中心からの距離との関係で示す線図、第4
図および第5図はターゲットの侵食幅を広げるためのマ
グネトロンカソードの公知の構成例と作用とを示す断面
模式図である。 1:永久磁石 (第1の磁極体)、2:永久磁石(第2
の磁極体) 3:ターゲット、4:ヨーク、5:磁力
線(磁束)、6:プラズマ、9:永久磁第1 噂 第2節 第3図 第41fI l気 9 9 5a 1!5図
Claims (1)
- 1)柱状に形成され一方の端面が板状ターゲットの裏面
中心部に近接して対向する第1の磁極体と、該第1の磁
極体を包囲する筒状に形成され前記第1の磁極体の一方
の端面と同側の端面が前記板状ターゲットの裏面周縁側
に近接して対向するとともに該第1の磁極体の一方の端
面と逆の極性を有する第2の磁極体と、該第1、第2の
磁極体のそれぞれ他方の端面を互いに磁気結合するヨー
クとを備え、前記板状ターゲットの表面側に円弧状の磁
束を環状に形成してプラズマを発生させるプレーナマグ
ネトロン方式のスパッタリング装置において、リング状
に形成され内周側が前記第1の磁極体の一方の端面と逆
極性となるように放射状に磁化された第3の磁極体が前
記第1、第2の磁極体の間に前記板状ターゲットに平行
に近接して配されたことを特徴とするスパッタリング装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32207789A JPH03183123A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32207789A JPH03183123A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | スパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03183123A true JPH03183123A (ja) | 1991-08-09 |
Family
ID=18139664
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32207789A Pending JPH03183123A (ja) | 1989-12-12 | 1989-12-12 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03183123A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100270457B1 (ko) * | 1996-05-21 | 2000-12-01 | 니시히라 쥰지 | 스퍼터링 장치 |
WO2005048284A3 (en) * | 2003-11-05 | 2006-04-20 | Dexter Magnetic Technologies I | Rotating sputtering magnetron |
WO2009095496A1 (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Magnetron sputtering source and arrangement with adjustable secondary magnet arrangement |
CN104487607A (zh) * | 2012-07-11 | 2015-04-01 | 佳能安内华股份有限公司 | 溅射设备和磁体单元 |
-
1989
- 1989-12-12 JP JP32207789A patent/JPH03183123A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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