JPH03175486A - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板Info
- Publication number
- JPH03175486A JPH03175486A JP1315812A JP31581289A JPH03175486A JP H03175486 A JPH03175486 A JP H03175486A JP 1315812 A JP1315812 A JP 1315812A JP 31581289 A JP31581289 A JP 31581289A JP H03175486 A JPH03175486 A JP H03175486A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- storage capacitor
- wiring electrode
- thin film
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 9
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜トランジスタ基板に関し、特に製造歩留り
の高い薄膜トランジスタ基板に関する。
の高い薄膜トランジスタ基板に関する。
従来、この種の薄膜トランジスタ基板は、第３図に示す
薄膜トランジスタの模式的平面図のように、ストレージ
キャパシタ電８ｉ！１とゲート配線電極３とを同一工程
で形成し、その上にゲート絶縁膜および半導体膜８を形
成し、半導体膜８の不用部分をエツチング除去し、その
上にトレイン配線型ｆ！４を形成しさらに表示電極５を
形成した構成となっていた。ストレージキャパシタ電極
１と絶縁膜を介して対向した表示電極５の重なり容量で
ストレージキャパシタが形成される。
薄膜トランジスタの模式的平面図のように、ストレージ
キャパシタ電８ｉ！１とゲート配線電極３とを同一工程
で形成し、その上にゲート絶縁膜および半導体膜８を形
成し、半導体膜８の不用部分をエツチング除去し、その
上にトレイン配線型ｆ！４を形成しさらに表示電極５を
形成した構成となっていた。ストレージキャパシタ電極
１と絶縁膜を介して対向した表示電極５の重なり容量で
ストレージキャパシタが形成される。
上述した従来の薄膜トランジスタ基板は、ゲート配線電
極とストレージキャパシタ電極を同一工程で一体に形成
しているためにゲート配線電極の断線や欠陥による抵抗
増大により製造歩留りが低いという欠点がある。
極とストレージキャパシタ電極を同一工程で一体に形成
しているためにゲート配線電極の断線や欠陥による抵抗
増大により製造歩留りが低いという欠点がある。
本発明は、ｎ−１番目のストレージキャパシタ電極をｎ
番目のゲート電極に電気的に接続した構成の薄膜トラン
ジスタ基板において、ストレージキャパシタ電極を透明
電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配線電極と
ゲート配線電極を同−の工程で一体に形成したことを特
徴とする。
番目のゲート電極に電気的に接続した構成の薄膜トラン
ジスタ基板において、ストレージキャパシタ電極を透明
電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配線電極と
ゲート配線電極を同−の工程で一体に形成したことを特
徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例の模式的平面図である。
ストレージキャパシタ電［１を透明電極で形成した後、
ストレージキャパシタ配線電極２とゲート配線電極３と
を同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体Ｉ
ＪＩ ８を形成し半導体膜８の不用部分をエツチング除
去する。その後ドレイン電極配線４を形成しさらに表示
室ｆｆ！５を形成して１２インチ液晶デイスプレィ用薄
膜トランジスタ基板とした。
ストレージキャパシタ配線電極２とゲート配線電極３と
を同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体Ｉ
ＪＩ ８を形成し半導体膜８の不用部分をエツチング除
去する。その後ドレイン電極配線４を形成しさらに表示
室ｆｆ！５を形成して１２インチ液晶デイスプレィ用薄
膜トランジスタ基板とした。
このようにして形成した薄膜トランジスタ基板は、ゲー
ト電極の断線に関しては、歩留りが１００％であり従来
の薄膜トランジスタ基板の’ｙ’−１〜電極の断線に関
する歩留り８５〜９０％に比して優れている。これはス
トレージキャパシタ電極の配線電極とゲート配線電極が
同時に切断しなければ断線欠陥とはならないためである
。
ト電極の断線に関しては、歩留りが１００％であり従来
の薄膜トランジスタ基板の’ｙ’−１〜電極の断線に関
する歩留り８５〜９０％に比して優れている。これはス
トレージキャパシタ電極の配線電極とゲート配線電極が
同時に切断しなければ断線欠陥とはならないためである
。
第２図は本発明の第２の実施例の模式的平面図である。
ス■・レージキャパシタ電極上を透明電極で形成した後
、ストレージキャパシタ配線電極２とゲート配線電極３
とを同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体
膜８を形成し半導体膜８の不要部分をエツチング除去す
る。その後ゲート絶縁膜にコンタクトホール６を開け、
次にトレイン電極配線４と接続電極７を同一工程で形成
しさらに表示電極５を形成して１２インチ液晶デイスプ
レィ用薄膜トランジスタ基板とした。この薄膜トランジ
スタ基板はゲート電極２本とトレイン電極２本とで分け
られた４つの表示電極で１画素を形成するもので従来の
薄膜トランジスタ基板ではストレージキャパシタの形成
が困難であった。しかしこの実施例では、ストレージキ
ャパシタ電極を透明電極で形成し、ストレージキャパシ
タ電極の配線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成
しているため、ゲート電極２本とトレイン電極２本とで
分けられた４つの表示電極で１画素を構成していてさら
にストレージキャパシタを作ることができる。したがっ
て、この薄膜トランジスタ基板を用いた液晶デイスプレ
ィは表示特性が良いという利点がある。
、ストレージキャパシタ配線電極２とゲート配線電極３
とを同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体
膜８を形成し半導体膜８の不要部分をエツチング除去す
る。その後ゲート絶縁膜にコンタクトホール６を開け、
次にトレイン電極配線４と接続電極７を同一工程で形成
しさらに表示電極５を形成して１２インチ液晶デイスプ
レィ用薄膜トランジスタ基板とした。この薄膜トランジ
スタ基板はゲート電極２本とトレイン電極２本とで分け
られた４つの表示電極で１画素を形成するもので従来の
薄膜トランジスタ基板ではストレージキャパシタの形成
が困難であった。しかしこの実施例では、ストレージキ
ャパシタ電極を透明電極で形成し、ストレージキャパシ
タ電極の配線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成
しているため、ゲート電極２本とトレイン電極２本とで
分けられた４つの表示電極で１画素を構成していてさら
にストレージキャパシタを作ることができる。したがっ
て、この薄膜トランジスタ基板を用いた液晶デイスプレ
ィは表示特性が良いという利点がある。
以上説明したように本発明は、ストレージキャパシタ電
極を透明電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配
線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成するため、
ゲート配線電極のｒＩｆｒ線がなく製造歩留りが高い薄
膜トランジスタ基板を提供できる効果がある。
極を透明電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配
線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成するため、
ゲート配線電極のｒＩｆｒ線がなく製造歩留りが高い薄
膜トランジスタ基板を提供できる効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例の薄膜トランジスタ基板
を示す模式的平面図、第２図は本発明の第２の実施例の
薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図、第３図は従
来の薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図である。 １・・・ストレージキャパシタ電極、２・・・ストレー
ジキャパシタ配線電極、３・・・ゲート配線電極、４・
・・トレイン配線電極、５・・・表示電極、６・・・コ
ンタク トホール、 ７・・ 接続電極、 ８・・ 半導体膜。
を示す模式的平面図、第２図は本発明の第２の実施例の
薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図、第３図は従
来の薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図である。 １・・・ストレージキャパシタ電極、２・・・ストレー
ジキャパシタ配線電極、３・・・ゲート配線電極、４・
・・トレイン配線電極、５・・・表示電極、６・・・コ
ンタク トホール、 ７・・ 接続電極、 ８・・ 半導体膜。
Claims (1)
- ｎ−１番目のストレージキャパシタ電極をｎ番目のゲ
ート配線電極に電気的に接続した構成の薄膜トランジス
タ基板において、ストレージキャパシタ電極を透明電極
で構成し、ストレージキャパシタ電極の配線電極とゲー
ト配線電極を一体に形成したことを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31581289A JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31581289A JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03175486A true JPH03175486A (ja) | 1991-07-30 |
| JP3044725B2 JP3044725B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=18069851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31581289A Expired - Lifetime JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3044725B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11194369A (ja) * | 1997-10-18 | 1999-07-21 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31581289A patent/JP3044725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11194369A (ja) * | 1997-10-18 | 1999-07-21 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP4643774B2 (ja) * | 1997-10-18 | 2011-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3044725B2 (ja) | 2000-05-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920005512B1 (ko) | 비정질 실리콘 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
| KR980006265A (ko) | 액티브매트릭스기탄 및 그 제조방법 | |
| JP2682997B2 (ja) | 補助容量付液晶表示装置及び補助容量付液晶表示装置の製造方法 | |
| KR970011968A (ko) | 액정셀의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 | |
| JPH09244055A (ja) | 液晶表示装置 | |
| KR19990006966A (ko) | 액티브 매트릭스 기판 | |
| KR940015576A (ko) | 액정표시장치 제조방법 | |
| US20030117542A1 (en) | Liquid crystal display and fabricating method thereof | |
| JPH02310536A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| JPH03175486A (ja) | 薄膜トランジスタ基板 | |
| JPH04265945A (ja) | アクティブマトリクス基板 | |
| US6940480B2 (en) | Pixel structure | |
| JPH01225167A (ja) | 縦型パワーｍｏｓトランジスタ | |
| JPS6387761A (ja) | ガリウム砒素集積回路のｍｉｍ容量 | |
| JPH0319267A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| KR100249191B1 (ko) | 표시소자의 액정표시장치 제조방법 | |
| KR910002194B1 (ko) | 액티브 매트릭스 액정표시소자 | |
| JPS63253391A (ja) | 薄膜トランジスタアレイ | |
| JP2550692B2 (ja) | 薄膜トランジスタアレイの製造方法 | |
| JPH0251128A (ja) | シリコン薄膜トランジスタアレイの保持容量 | |
| KR100232179B1 (ko) | 액정 표시장치 및 이의 제조방법 | |
| JPH03174517A (ja) | 薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの製造方法 | |
| JPH02275417A (ja) | 表示素子用薄膜トランジスタ | |
| JP2980803B2 (ja) | 金属配線の形成方法 | |
| JPH0396923A (ja) | 液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080317 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090317 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100317 Year of fee payment: 10 |