JPH03175486A - 薄膜トランジスタ基板 - Google Patents
薄膜トランジスタ基板Info
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- JPH03175486A JPH03175486A JP1315812A JP31581289A JPH03175486A JP H03175486 A JPH03175486 A JP H03175486A JP 1315812 A JP1315812 A JP 1315812A JP 31581289 A JP31581289 A JP 31581289A JP H03175486 A JPH03175486 A JP H03175486A
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- Japan
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
の高い薄膜トランジスタ基板に関する。
薄膜トランジスタの模式的平面図のように、ストレージ
キャパシタ電8i!1とゲート配線電極3とを同一工程
で形成し、その上にゲート絶縁膜および半導体膜8を形
成し、半導体膜8の不用部分をエツチング除去し、その
上にトレイン配線型f!4を形成しさらに表示電極5を
形成した構成となっていた。ストレージキャパシタ電極
1と絶縁膜を介して対向した表示電極5の重なり容量で
ストレージキャパシタが形成される。
極とストレージキャパシタ電極を同一工程で一体に形成
しているためにゲート配線電極の断線や欠陥による抵抗
増大により製造歩留りが低いという欠点がある。
番目のゲート電極に電気的に接続した構成の薄膜トラン
ジスタ基板において、ストレージキャパシタ電極を透明
電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配線電極と
ゲート配線電極を同−の工程で一体に形成したことを特
徴とする。
ストレージキャパシタ配線電極2とゲート配線電極3と
を同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体I
JI 8を形成し半導体膜8の不用部分をエツチング除
去する。その後ドレイン電極配線4を形成しさらに表示
室ff!5を形成して12インチ液晶デイスプレィ用薄
膜トランジスタ基板とした。
ト電極の断線に関しては、歩留りが100%であり従来
の薄膜トランジスタ基板の’y’−1〜電極の断線に関
する歩留り85〜90%に比して優れている。これはス
トレージキャパシタ電極の配線電極とゲート配線電極が
同時に切断しなければ断線欠陥とはならないためである
。
、ストレージキャパシタ配線電極2とゲート配線電極3
とを同一工程で形成し、つづいてゲート絶縁膜と半導体
膜8を形成し半導体膜8の不要部分をエツチング除去す
る。その後ゲート絶縁膜にコンタクトホール6を開け、
次にトレイン電極配線4と接続電極7を同一工程で形成
しさらに表示電極5を形成して12インチ液晶デイスプ
レィ用薄膜トランジスタ基板とした。この薄膜トランジ
スタ基板はゲート電極2本とトレイン電極2本とで分け
られた4つの表示電極で1画素を形成するもので従来の
薄膜トランジスタ基板ではストレージキャパシタの形成
が困難であった。しかしこの実施例では、ストレージキ
ャパシタ電極を透明電極で形成し、ストレージキャパシ
タ電極の配線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成
しているため、ゲート電極2本とトレイン電極2本とで
分けられた4つの表示電極で1画素を構成していてさら
にストレージキャパシタを作ることができる。したがっ
て、この薄膜トランジスタ基板を用いた液晶デイスプレ
ィは表示特性が良いという利点がある。
極を透明電極で構成し、ストレージキャパシタ電極の配
線電極とゲート配線電極を同一の工程で形成するため、
ゲート配線電極のrIfr線がなく製造歩留りが高い薄
膜トランジスタ基板を提供できる効果がある。
を示す模式的平面図、第2図は本発明の第2の実施例の
薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図、第3図は従
来の薄膜トランジスタ基板を示す模式的平面図である。 1・・・ストレージキャパシタ電極、2・・・ストレー
ジキャパシタ配線電極、3・・・ゲート配線電極、4・
・・トレイン配線電極、5・・・表示電極、6・・・コ
ンタク トホール、 7・・ 接続電極、 8・・ 半導体膜。
Claims (1)
- n−1番目のストレージキャパシタ電極をn番目のゲ
ート配線電極に電気的に接続した構成の薄膜トランジス
タ基板において、ストレージキャパシタ電極を透明電極
で構成し、ストレージキャパシタ電極の配線電極とゲー
ト配線電極を一体に形成したことを特徴とする薄膜トラ
ンジスタ基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31581289A JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31581289A JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03175486A true JPH03175486A (ja) | 1991-07-30 |
JP3044725B2 JP3044725B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=18069851
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31581289A Expired - Lifetime JP3044725B2 (ja) | 1989-12-04 | 1989-12-04 | 薄膜トランジスタ基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3044725B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194369A (ja) * | 1997-10-18 | 1999-07-21 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-04 JP JP31581289A patent/JP3044725B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11194369A (ja) * | 1997-10-18 | 1999-07-21 | Samsung Electron Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
JP4643774B2 (ja) * | 1997-10-18 | 2011-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3044725B2 (ja) | 2000-05-22 |
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