JPH0317251A - 耐摩耗性皮膜 - Google Patents

耐摩耗性皮膜

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JPH0317251A
JPH0317251A JP15195389A JP15195389A JPH0317251A JP H0317251 A JPH0317251 A JP H0317251A JP 15195389 A JP15195389 A JP 15195389A JP 15195389 A JP15195389 A JP 15195389A JP H0317251 A JPH0317251 A JP H0317251A
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池田 孜
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勝田 通隆
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [a業上の利用分野] 本発明は、フライス加工.切削加工,穿孔加工等の加工
に使用される工作工具の表面コーテインる。
[従来の技術] 高速度工具鋼や超硬合金工具鋼等を製作する場合は、耐
摩耗性等の性能をより優れたものとする目的で、工具基
材の表面にTi等の窒化物や炭化物よりなる耐摩耗性皮
膜を形戒することが行なわれている. 基材表面に耐摩耗性皮膜を形成する方法としては、従来
よりCVD法(化学的蒸着法)およびPVD法(物埋的
蒸着法)が知られている.しかし前者の方法では母材が
高温処理に曝される九母材特性が劣化するねそれがあり
、母材特性も重要視される工具の場合は後者の方法が好
まれる傾向がある。
そこで比較的低温条件でコーティング処理することので
きる高周波放電プラズマCVD法,反応性イオンブレー
ティング法.スパッタリング法等が採用されるに至って
いる。
工具等の耐摩耗性皮膜としてはイオンプレーティング法
によるTiNやTiCが汎用されており、特は高温耐酸
化性〈耐熱性)の優れたTtN膜が広く実用化されてい
る。即ちTINはTiCより耐熱性に優れている為、切
削時の加工熱や摩擦熱によって昇温する工具すくい面を
クレータ摩耗から保護する機能を発揮する。しかしTi
NはTicに比べて低硬度である鳥被削材と接する逃げ
面に発生するフランク摩耗に対してはむしろ脆弱であり
、フランク摩耗に対してはTiCの方が高い耐久性を示
す. 近年、切削速度の一層の高速化が要望されており、切削
条件がより過酷化する傾向にある為、上記した様な従来
のTiN皮膜程度ではこの要請に応えきれなくなってい
る. そこで耐熱性や硬度が更に優れた皮膜として、イオンブ
レーティング法やスパッタリング法によるTiAIN,
TiAIC,或はTiAICN等の皮膜が提案された[
特開昭62−56565,J. Vac. Scl. 
Technol. A第4 (6 ) @, 1981
i年1第27l7頁.およびJ. of Solld 
Stateft+em1stry,70. 1987年
.第318 〜322頁]。
[発明が解決しようとする課題] PVD法はイオンのエネルギーを利用した低温被覆法で
あるので、基材表面と皮膜間には、CVD法において見
られた様な熱による拡散層は存在しない。従ってPVD
法によって形成された皮膜は、CVD法によって形戒さ
れた皮膜に比べて密着性が劣るのが一般的である。
一方最近では耐摩耗性を改善して寿命延長を図るという
観点から、皮膜を厚膜化する傾向が見られるが、厚膜化
するにつれて皮膜の内部応力が増大し、皮膜にクラック
が発生したりIiI密着性が低下して皮膜剥離の原因に
なる。尚TiN皮膜に代わり得る高耐摩耗性皮膜として
、(AI,Tt)(N,C)系皮膜が提案されているこ
とは上述した通りであるが、これらの皮膜はTiN皮膜
に比べて内部応力が2倍以上も高くなるので、TtN皮
膜を形成する場合よりもできるだけ薄い@厚を形成して
実用されている。
こうしたことから、特に(AI,Ti)(N,C)系皮
膜等の優れた特性を十分に発揮し得る様な、皮膜形戒技
術の改善が望まれている.本発明はこうした事情に着目
してなされたものであって、比較的低温条件で製膜する
ことができると共にそれにもかかわらず、密着性や膜強
度に優れ、しかもクレータ摩耗やフランク摩耗に対する
抵抗力の優れた耐摩耗性皮膜を提供することを目的とす
るものである。
[課題を解決する為の手段] 上記目的を達成し得た本発明とは、TiCxNl−.(
但しO≦X≦0.6)で示される化学組成からなり、層
厚が0.3〜6μmの皮膜層が基材表面に形成されると
共に、(A I , T i +−y)(Nエc+−i
(但し0.05≦y≦0.75, 0.6≦Z≦1)示
される化学組成からなり、層厚が0.6〜8μmの皮膜
層が最上層に形成され、少なくとも2層からなる点に要
旨を有する耐摩耗性皮膜である。
[作用] 本発明は上述の如く構成されるが、要するにT i C
. Nl−.  (但し0≦X≦0.6 ) テ示され
る化学組戊からなる皮膜層を基材表面に形成することに
よって基材表面との密着性が達成されると共に、(A 
I,Ti t−yN Nz c.−.)(但し0.05
≦y≦0.75, 0.6≦Z≦1)で示される化学m
戊からなる皮lli層を最上層に形成することによって
、膜強度において優れた耐摩耗性皮膜が実現できること
を見出し、本発明を完成した。尚本発明の皮膜に6いて
は、上記2つの皮lll層の間に、夫々の皮膜層組戒を
構戒する戒分を混合した化学組成、または2つの皮膜層
組成に亘って連続的に変化した化学組成の中間層を介在
することが好ましく、この中間層を介在させることによ
って本発明の効果がより一層顕著になる。
上述の各皮膜層を形成するに当たっては、カソードを蒸
発源とするアーク放電によって金属成分をイオン化する
方法、即ちイオンブレーテイング法やスパッタリング法
等に代表されるPVD法によって行なうことができる。
これらの方法のうち例えばイオンブレーティング法で行
なう場合を?表的に取り上げて説明する。
この方法は、前記の様にイオン化した金属戊分をN2雰
囲気又はN2/CH4雰囲気中で反応させて窒化物や窒
炭化物を被覆するものである。カソードとしては、Ti
  (C,N)系皮膜の形成を目的とするときはTiを
使用すればよく、一方(At,Ti)(C.N)系皮膜
の形成を目的とするときはTiおよびAIを夫々個別に
使用することもできるが、目的組成そのものからなるA
I.Ti.■をターゲットとすれば、皮膜組成のコント
ロールが容易である。
各合金戒分の蒸発は、数十アンペア以上の大電流域で行
なわれるため、カソード物質の組戒ずれは殆んど生じな
い.しかもイオン化効率が高くて反応性に富み、基板に
バイアス電圧を印加することによって密着性の優れた皮
膜が得られる。
尚形威された皮膜のC固溶量はX線分析やオージェ分析
等によって求めることができ、該分析値とCH4流量の
相関を知ることにより、より一層正確な組成制御を行な
うことができる.本発明において、基材表面に形威され
る皮膜層の組成は(以下第1皮膜層と呼ぶことがある)
は、TtC.N1−.(但しO≦X≦O.Ii ) テ
アルことが必要である.第1皮膜層の化学組成を上記の
様に限定したのは、基材表面との密着性を考慮した為で
ある。尚第1皮膜層は、(AI,Tt)(N,C)皮膜
よりも低い内部応力を有するTiN(x=Oのとき)で
も5本発明の効果は達成されるが、更に高耐摩耗性を発
揮させる為にはTi(C.N)系皮I1i(x≠Oのと
@)であることが望ましい.その理由は次の通りである
TiCは常温硬度(Hv)が3 1 0 0 kg/a
m”と高い反面、耐熱性に欠け酸化され易いという欠点
があり、一方TiNは高温での耐酸化性に{量れ、且つ
比較的低温条件でも密着性のよい皮膜層を容易に形成す
ることができるが、Hvが2000kg/mm2以下と
やや低い難点がある。
これに対し一般式TtCXN+−xで示される化学組成
のTfN−TiC固溶体系皮膜層においては、C固溶量
(X)を適切に調整することにより、密着性が良く耐酸
化性にも優れたTiNの特性を備えつつTlCの高硬度
をも得ることができる。即ち上記第1皮Uは、TiNの
特性を備えつつC固溶量が増加するに従って(×が増加
するに従って)硬度が増し、耐フランク摩耗の面でも優
れた性能を発揮するものである。Xが増加するに伴って
皮rFA層は高硬度化し、フランク摩耗は解消されると
共に、膜の色調は金色から赤味を帯びはじめ、Ciの増
加につれてさらに赤色から金色に変化し、密着性および
耐酸化性についてはこれを満足する性能を維持する。一
方Xが0.6を超えると密着性と耐酸化性が劣化して、
工具部材等のエッジ部分に微小な膜の剥離が発生し、ク
レータ摩耗を起こし易くなる。また戒膜速度はC固溶量
の増加に伴なって低下し、Xが0.6を超える領域では
低下が著しい。上記理由から、木発明ではXの範囲を0
〜0.6 と定めた。
尚第1皮膜層の厚さは03〜6μmにする必要がある.
層厚が0.3μm未満では最上層に形成される皮11I
Fjの内部応力を適切に緩和することができず、一方P
JJgが6μmを超えると膜自体の強度が低下する。
次に、最上層に形成される皮膜層(以下表面層というこ
とがある)の化学組成は、 (A I, Ti+−yH Nt C,−,)但し 0
.05≦y≦0.75 0.6≦2≦1 であることが必要であり、好ましくは0,6≦y≦0.
7である。
上記表面層組成からなる固溶体について、窒化物系で代
表して説明する。この固溶体はAIN−TiNft端組
成とする固溶体であり、種々の成分範囲について調べた
結果、第1図に示すように内部応力(圧縮応力)はT 
t N(7)1.9 x 1 0 ”dyne/cm’
に比べて(A l y T ! i−y)N ( :J
が0.05以上) テハy=0.6 1 テハ平均4.
7 x 1 0 I0dyne/cm’もの値を示すこ
とが分かる。更にAIN成分が増加すると、それにつれ
て内部応力の低下が認められ、y=0.7で結晶構造が
NaC l型(B14IIll造)からZnS (ウル
ツアイト型)ニ変化して内部応力は2.8 x 1 0
 ”dyne/cm”となる。
第2図は(A 1 y T i t−y)N皮膜層にお
いてyを変化させた場合の硬度の変化を示すグラフであ
る。
第2図から明らかな様に、yが0から大きくなるにつれ
てTiNのH V 4 2 0 0 0 kg/m@”
から硬度が増大し、yが0.6ノときにH’v ’v 
3 0 0 0kg/am’程度の最大値を示し、yが
0.6から更に大きくなるにつれて結晶構造の変化に伴
なう硬度低下を示す.モしてyが0.75になるとTi
Hの硬度とほぼ等しくなり、0.75を超えるとTiN
の硬度よりも低下する。即ちAIN固溶度(y)が0.
75を超える場合は、皮膜層組戒がAINに近似してく
る結果、皮膜層の軟質化を招き、十分な硬度が得られな
くなり、フランク摩耗を容易に引き起す。
以上の結果から、本発明においては耐摩耗性および内部
応力の両者を考慮し、yの値(A I N固熔度)は0
.05〜0,75と定めた。尚yのより好ましい範囲は
0.6〜0.7である。
また本発明では炭窒化物を形威することによってTic
の高硬度性(常温硬度Hv:約3100kg/mn+2
)を発揮させるものである。即ち本発明の組成式におい
て2の値が減少するにつれて硬度が大となり耐摩耗性は
向上する。
第3図は、超硬チップ(we−to%Coを主戊分とす
る)に(A 1 o.asT l O.35)(N− 
CI−z )  [但しZ冨0.4 , 0.6 , 
0.8 ,0.9.1]を3μm被覆し、被削材S50
Cを切削速度1 7 0 m/ a+In ,送り速度
0.25n++o/ rev ,切り込み0.1mmで
切削した時の15分後のクレータ摩耗量を測定した結果
を示す。
この結果にみられるように2が0.6未満になると耐酸
化性が低下してクレータ摩耗を起こし易くなる.2≧0
.6の範囲では耐酸化性の顕著な低下はみられない。従
って本発明では2の範囲は0.6〜1.0と定めた. 尚後述する実施例で明らかにするが、表面層の層厚が0
.6μm未満の場合は第1皮膜層による効果のみが主体
となって耐摩耗性が不十分となり、一方8μmを超える
と膜自体にクラックが発生し易くなり、強度が不十分と
なる。従って本発明では、表面層の層厚は0.6〜8μ
mと定めた, 本発明においては、第1皮膜層と表面層の間に、両皮膜
層成分の混合または傾斜した組成の中間層を介在するの
が好ましい。この中間層は、真空槽内に第1皮膜層形成
用Ti製カソードおよび表面層形成用AI,Ti.,製
カソードを設け、N2またはN2/CH.雰囲気中で、
同時にまたは出力を制御しつつアーク放電を生じさせる
ことによって形成することができる。この様な中間層を
、第1皮III層と表面層の間に介在させることによっ
て、表面層の内部応力を緩和しつつ基材との密着性が優
れた耐摩耗性皮膜が実現できる。
またこの様な構成を採用することによって、T I I
−y N t C +−g単一皮膜を形戒するよりも全
層厚を大きくすることができ、耐熱性や耐摩耗性がより
優れた皮膜となる。
尚後述する実施例から明らかな様に、中間層の層厚は、
0.2 μm程度で応力緩和の効果が認められ、最大で
も0.5μmあれば十分である。
以下実施例について説明するが、本発明は下記の実施例
に限定されるものではなく、前・後記の趣旨に徴して適
宜設計変更することは本発明の技術的範囲に含まれる。
[実施例] 実施例l Tiカソード電極およびA I y T’t r−y 
 (y =0.05〜OL75)の組成のカソード電極
を用い、カソードアーク方式イオンブレーティング装置
の基板ホルダーに超硬合金製チップ(WC−10%Co
を主成分とする)を取付けた。尚木装置には、耐摩耗性
皮膜形成状態の均一性を確保する九の基材回転機構等及
びヒータを設置した.成膜に当たっては、ヒータによっ
て基材温度を450℃に加熱保持したまま、基材に−7
0Vのバイアス電圧を印加すると共に、装置内に高純度
N2ガスを5 x 10−”Torrまで導入し、アー
ク放電を開始し、基材表面にT I (CX Nl −
* )系皮膜層(第1皮膜層),中間層および(A 1
yT t +−yN NIL c,−,)系皮g層(表
面層)の順に積層して各種の皮膜を形成した.層厚の測
定は、基板ホルダーに同時に取り付けた基材の内の1個
を破断し、層断面を走査型電子顕微鏡で観察して測定し
たものである。さらに層組成の定量は、同じく同時に取
り付けた基材につきオージェ分光分析法により層深さ方
向の分析を行なった。その結果第1皮膜層および表面層
の厚さ方向には濃度変化がなく一定であった.その分析
結果の一例は、前記第4図の通りであった。膜中の金属
成分比T i / A lはカソード成分比とずれがな
く殆んど同一といえた。
得られた各皮膜につい′C5下記の切削条件により25
分間の切削試験に供したときのフランク摩耗幅を測定し
た。
切削条件: 被削材    S50C 切削速度   1 70,200m/Ilin送り速度
   0.25 mm/rev切り込み   0.1 
mm その結果を各層の組戒および層厚と共に第1表に示す。
尚第1表には比較の烏、実施例1で示した手段と同様に
して(AI,Ti)(C,N)系単層膜を形成したとき
のもの(No.8〜10)、および第1皮膜層が本発明
の範囲外のもの(NO.11)についても、その組戒,
層膜およびフランク摩耗幅を示した。
第1表より明らかな様に、比較例に比べて本発明例はい
ずれも耐摩耗性に優れていた。
次に超硬ドリルへの適用例を以下に示す。
実施例2 61φの(WC−9.5%Coを主成分とする)超硬ド
リルに実施例1と同様に各種の皮膜を形成した。
得られた各皮膜について、下記の条件にて切削を行なっ
た。
切削条件; 被削材    350C,13mm’ (H B 2 3 0〜250) 切削速度   80m/nin 送り速度   0.2 mIII/rev潤 滑   
 エマルジBンによる このときの穴明け個数の結果を、各皮膜層の組成および
層厚と共に第2表に示す。
第2表より明らかな様に本発明方法で得られた工具は、
比較例に比べて加工個数の大幅な増加が認められ、耐摩
耗性が良好であった. 次にハイスドリルへの適用例を以下に示す。
実施例3 6mIIlφハイスドリルに実施例1と同じ様にして各
種皮膜を形成した。
得られた各皮膜について、下記の条件にて切削を行なっ
た。
切削条件: 被剛材    S50C,10mmt 切削速度   30m/のin 送り速度   0.18mm/rev 潤滑     エマルジョンによる このときの穴明け個数の結果を、各皮膜層の組戒および
層厚と共に第3表に示す。
第3表より明らかな様に本発明方法で得られた工具は、
比較例に比べて加工個数の大幅な増加がみられ、耐摩耗
性が良好であった。
[発明の効果] 本発明は以上の様に構成されているので、TiNを基本
としたTi (C,N)系皮膜元来の良好な基材密着性
を有すると共に、表面層が、III b族の窒化物であ
るAINにTtが固溶した皮膜層である為、耐熱性.熱
伝導性等に関し、AINに近似した優れた特性が発揮さ
れる。
【図面の簡単な説明】
第1図は(A ly T i +−y ) N系皮膜層
においてyを変化させた場合の内部応力の変化を示すグ
ラフ、第2図は(A 1 y T i + −y ) 
N系皮膜層においてyを変化させた場合の硬度の変化を
示すグラフ、第3図は( A 1 o. ssT j 
0. 35)(N− CI−x )系皮膜において2を
変化させたときの硬度チップの切削時のクレータ摩耗量
を示すグラフ、第4図は(a) ,  (b)は本発明
壜皮膜のオージエ分折結果例を示すグラフである。 第1 図 キ TiN (Al,Ti)N中のAIN (mol%)乎 AIN 第3図 Z (Alo.65Tio35) (N2C1−2)にち・
けるZ固溶度第2図 TiN AIN スパツタ時間 (min) ヌバツタ時間 (rro n )

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) TiC_xN_1_−_x(但し0≦x≦0.
    6)で示される化学組成からなり、層厚が0.3〜6μ
    mの皮膜層が基材表面に形成されると共に、 (Al_yTi_1_−_y)(N_zC_1_−_z
    )(但し0.05≦y≦0.75,0.6≦z≦1)示
    される化学組成からなり、層厚が0.6〜8μmの皮膜
    層が最上層に形成され、少なくとも2層からなることを
    特徴とする耐摩耗性皮膜。
  2. (2) 前記2つの皮膜層の間に、夫々の皮膜層組成を
    混合した化学組成、または2つの皮膜層組成に亘って連
    続的に変化した中間層が介在されてなる請求項(1)に
    記載の耐摩耗性皮膜。
JP1151953A 1989-06-14 1989-06-14 耐摩耗性皮膜 Expired - Lifetime JP2580330B2 (ja)

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