JPH03164713A - 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法Info
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- JPH03164713A JPH03164713A JP1305888A JP30588889A JPH03164713A JP H03164713 A JPH03164713 A JP H03164713A JP 1305888 A JP1305888 A JP 1305888A JP 30588889 A JP30588889 A JP 30588889A JP H03164713 A JPH03164713 A JP H03164713A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野］
本発明は強誘電性液晶を用いた電気光学装置とその作製
方法に関する。
方法に関する。
現在、世界的に研究が進んでいる強誘電性液晶は従来、
時計、電卓等に応用されてきたＴ Ｎ （Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶に比較して、応答速度が速
い、視野角が広い等の点で優れている。
時計、電卓等に応用されてきたＴ Ｎ （Ｔｗｉｓｔｅ
ｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶に比較して、応答速度が速
い、視野角が広い等の点で優れている。
強誘電性液晶の速い応答速度は、液晶自身の持つ自発分
極に起因している。一般に強誘電性液晶の応答時間は自
発分極、外部電界に反比例し、粘度に比例するために、
従来自発分極の小さい強誘電性液晶は応答速度が遅いた
め使えないものとされ、自発分極の大きい強誘電性液晶
の開発が進められてきた。しかしながら、ごく最近にな
ってこの自発分極が強誘電性液晶のスイ・ンチング特性
に重大な影害を与えていることが明らかになっている。
極に起因している。一般に強誘電性液晶の応答時間は自
発分極、外部電界に反比例し、粘度に比例するために、
従来自発分極の小さい強誘電性液晶は応答速度が遅いた
め使えないものとされ、自発分極の大きい強誘電性液晶
の開発が進められてきた。しかしながら、ごく最近にな
ってこの自発分極が強誘電性液晶のスイ・ンチング特性
に重大な影害を与えていることが明らかになっている。
すなわち自発分極の存在により、この分極電荷が外部電
界を印加しない状態でも液晶層内に電界を形成し、液晶
層内のイオン性不純物の偏在を生じさせ、その結果逆に
イオン性不純物が液晶分子の自発分極を拘束するために
、正常状態において双安定性を示す強誘電性液晶分子が
単安定にならざるを得す、コントラスト比の低下を招く
のである。
界を印加しない状態でも液晶層内に電界を形成し、液晶
層内のイオン性不純物の偏在を生じさせ、その結果逆に
イオン性不純物が液晶分子の自発分極を拘束するために
、正常状態において双安定性を示す強誘電性液晶分子が
単安定にならざるを得す、コントラスト比の低下を招く
のである。
ところで、液晶装置の配向膜としてはポリイミド、ポリ
アミド等の有機高分子化合物、もしくはＳｉＯ等の斜方
蒸着膜が用いられている。なかでも作業性、耐熱性に優
れたポリイミドは広く使用され、その溶液を基板上に塗
布し、溶剤を除去した後、必要に応じて熱処理して、ポ
リイミド膜を形成した後ラビング処理がなされる。
アミド等の有機高分子化合物、もしくはＳｉＯ等の斜方
蒸着膜が用いられている。なかでも作業性、耐熱性に優
れたポリイミドは広く使用され、その溶液を基板上に塗
布し、溶剤を除去した後、必要に応じて熱処理して、ポ
リイミド膜を形成した後ラビング処理がなされる。
しかし、前述のポリイミド、 Ｓｉ０等絶縁性の高い配
向膜を用いた強誘電性液晶電気光学装置では強誘電性液
晶分子の双極子の整列にともない、液晶中のイオン性不
純物が液晶層と配向膜の界面に偏在し、素子内で電荷の
偏りが生じる。
向膜を用いた強誘電性液晶電気光学装置では強誘電性液
晶分子の双極子の整列にともない、液晶中のイオン性不
純物が液晶層と配向膜の界面に偏在し、素子内で電荷の
偏りが生じる。
この結果、例えば強誘電性液晶デイスプレィで数時間一
定の表示を行った後に画面を切り換えようとしても前の
像が残ってしまういわゆる「焼付け」現象が発生し、デ
イスプレィとした場合の大きな障害となっている。
定の表示を行った後に画面を切り換えようとしても前の
像が残ってしまういわゆる「焼付け」現象が発生し、デ
イスプレィとした場合の大きな障害となっている。
この問題を回避するために、配向膜の抵抗を下げる工夫
がなされており、例えば特開昭６２−２９５０２８公報
にはポリイミド配向膜中に金属粉末または導電性有機化
合物が混合された配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。
がなされており、例えば特開昭６２−２９５０２８公報
にはポリイミド配向膜中に金属粉末または導電性有機化
合物が混合された配向膜を備えた液晶表示素子が開示さ
れている。
強誘電性液晶素子に用いられる配向膜は一般に１ｏｏｏ
Å以下で特に５００〜２００人の膜厚でのスイッチング
特性が良いとされている。このような薄い膜中に導電性
粒子を均一に分散させることは非常に困難である。
Å以下で特に５００〜２００人の膜厚でのスイッチング
特性が良いとされている。このような薄い膜中に導電性
粒子を均一に分散させることは非常に困難である。
また配向膜の表面にも当然導電性粒子が露出しており、
これが長い間に液晶層中に溶は出し、液晶層中の不純物
イオンが増加して前述の「焼付け」現象を増長してしま
うとともに液晶層内に流れる電流が増加し、液晶材料の
劣化を引起し、素子の信頼性を低下させてしまう。さら
に、この流れる電流のために消費電力を増加させてしま
う。
これが長い間に液晶層中に溶は出し、液晶層中の不純物
イオンが増加して前述の「焼付け」現象を増長してしま
うとともに液晶層内に流れる電流が増加し、液晶材料の
劣化を引起し、素子の信頼性を低下させてしまう。さら
に、この流れる電流のために消費電力を増加させてしま
う。
本来、液晶化合物は、合成する過程に使用した試薬およ
び副反応生成物が完全に取り除かれていないために、わ
ずかのイオン性不純物を含んでいる。このイオン性不純
物を減らすためには再結晶による精製の繰り返しまたは
ゾーンメルト法による精製が考えられる。しかし、これ
らの方法では液晶の精製に要する時間およびその収率が
コスト高の原因となる。
び副反応生成物が完全に取り除かれていないために、わ
ずかのイオン性不純物を含んでいる。このイオン性不純
物を減らすためには再結晶による精製の繰り返しまたは
ゾーンメルト法による精製が考えられる。しかし、これ
らの方法では液晶の精製に要する時間およびその収率が
コスト高の原因となる。
更には、液晶材料を十分に精製したとしても液晶装置製
造工程において不純物が混入したり、素子構成後におい
ても配向膜やシール部からイオン性不純物が混入するた
め、最終的には液晶層へのイオン性物質の混入は避けら
れない。
造工程において不純物が混入したり、素子構成後におい
ても配向膜やシール部からイオン性不純物が混入するた
め、最終的には液晶層へのイオン性物質の混入は避けら
れない。
〔発明の目的〕
前記問題点を解決するため、本発明は液晶パネル内のイ
オン性不純物による「焼き付け」現象を回避し、強誘電
性液晶パネルの表示品質を向上することを目的とする。
オン性不純物による「焼き付け」現象を回避し、強誘電
性液晶パネルの表示品質を向上することを目的とする。
前記目的を達成するため本発明は、電極が形成された一
対の基板間に、強誘電性液晶を介在せしめた強誘電性液
晶電気光学装置において、少なくとも一方の基板の液晶
に接する面にはポリビニルカルバゾール膜が形成されて
いることを特徴とする。
対の基板間に、強誘電性液晶を介在せしめた強誘電性液
晶電気光学装置において、少なくとも一方の基板の液晶
に接する面にはポリビニルカルバゾール膜が形成されて
いることを特徴とする。
本発明の装置は、基板上に形成した相対する配向膜の少
なくとも一方を体積抵抗率がポリイミドより低く、かつ
アクセプター性を有する有機高分子材料であるポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＫ）膜とする。そのため、液晶中
のドナー性不純物をＰＶＫ膜にトラップさせることによ
り、液晶中の電荷の偏在を解消することができ、前述の
「焼き付け」現象を回避することができる。
なくとも一方を体積抵抗率がポリイミドより低く、かつ
アクセプター性を有する有機高分子材料であるポリビニ
ルカルバゾール（ＰＶＫ）膜とする。そのため、液晶中
のドナー性不純物をＰＶＫ膜にトラップさせることによ
り、液晶中の電荷の偏在を解消することができ、前述の
「焼き付け」現象を回避することができる。
そして、基板の一方のみにＰＶＫ膜を形成した場合には
、他方には液晶分子を配向させるためのラビング処理を
行ったポリイミド膜を作製することが好ましい。なぜな
ら、ラビング処理されたポリイミド膜の液晶配向機能は
非常に優れているため、一対の基板の両方にＰＶＫ膜を
作製した場合より液晶の配向性が良いからである。だが
、一対の基板の両方にＰＶＫ膜を作製しても、大きな問
題があるわけではなく、さらに前述した「焼き付け」現
象を防ぐことについても支障はない。
、他方には液晶分子を配向させるためのラビング処理を
行ったポリイミド膜を作製することが好ましい。なぜな
ら、ラビング処理されたポリイミド膜の液晶配向機能は
非常に優れているため、一対の基板の両方にＰＶＫ膜を
作製した場合より液晶の配向性が良いからである。だが
、一対の基板の両方にＰＶＫ膜を作製しても、大きな問
題があるわけではなく、さらに前述した「焼き付け」現
象を防ぐことについても支障はない。
更に本発明は、ＰＶＫ膜を有する液晶パネル中に液晶を
公知の方法で注入した後に、更に加熱処理を加えること
により効果的にＰＶＫ中にドナー性のイオン性不純物を
トラップさせることができることを特徴とする特に、加
熱処理を液晶注入用の注入孔を封止した後、つまりパネ
ル内部に外部から不純物が入りえない状況下で行うこと
によって、パネル内部のドナー性不純物をすべてトラッ
プし、それ以後、半永久的にドナー性不純物の影響を排
除することができる。
公知の方法で注入した後に、更に加熱処理を加えること
により効果的にＰＶＫ中にドナー性のイオン性不純物を
トラップさせることができることを特徴とする特に、加
熱処理を液晶注入用の注入孔を封止した後、つまりパネ
ル内部に外部から不純物が入りえない状況下で行うこと
によって、パネル内部のドナー性不純物をすべてトラッ
プし、それ以後、半永久的にドナー性不純物の影響を排
除することができる。
さらには、一対の基板の一方にＰＶＫ、他方にポリイミ
ドを作製した場合にはＰＶＫ側の電極を正極、ポリイミ
ド側の電極を負極として直流の電圧を印加することによ
り、積極的にドナー性不純物をトラップさせることがで
き、加熱処理の時間を短縮することができる。
ドを作製した場合にはＰＶＫ側の電極を正極、ポリイミ
ド側の電極を負極として直流の電圧を印加することによ
り、積極的にドナー性不純物をトラップさせることがで
き、加熱処理の時間を短縮することができる。
また、一対の基板の両方にＰＶＫを作製した場合にはど
ちらの電極を正極にしても構わない。この場合、負極側
のＰＶＫは不純物のトラップにはあまり寄与することは
ないが、悪影響を与えることもないため、正極側のＰＶ
Ｋの不純物のトラップの効果が期待できるからである。
ちらの電極を正極にしても構わない。この場合、負極側
のＰＶＫは不純物のトラップにはあまり寄与することは
ないが、悪影響を与えることもないため、正極側のＰＶ
Ｋの不純物のトラップの効果が期待できるからである。
また、ＰＶＫはそれ自体体積抵抗率がポリイミドより低
いため液晶分子の双極子の偏りを軽減することもできる
。
いため液晶分子の双極子の偏りを軽減することもできる
。
本発明に用いる強誘電性液晶は、外部から加える電界に
応じて第１の光学安定状態と、第２の光学安定状態との
いずれかを取るものであり、カイラルスメクティックＣ
相（Ｓｃ”）の液晶が望ましいが、カイラルスメクティ
ックＩ相、カイラルスメクティックＨ相も用いることが
できる。
応じて第１の光学安定状態と、第２の光学安定状態との
いずれかを取るものであり、カイラルスメクティックＣ
相（Ｓｃ”）の液晶が望ましいが、カイラルスメクティ
ックＩ相、カイラルスメクティックＨ相も用いることが
できる。
以下、実施例により本発明を説明する。
〔実施例１〕
本実施例によって作製された強誘電性液晶電気光学装置
の断面の概略図を第１図に示す。
の断面の概略図を第１図に示す。
ＩＴＯ薄膜を直流マグネトロンスパンタ法にてソーダガ
ラス（１）上に作製した後、フォトリソグラ・フィー法
にてパクーニングを行うことにより、電極（２）を一対
のソーダガラス上に作製した。この−対の基板上に、ポ
リビニルカルバゾールの塩化ベンゼン２％溶液を回転数
３００Ｏｒｐｍでスピンコード法にて２０秒間塗布した
。成膜後約１時間１５０″Ｃで加熱し、溶剤を除去し、
ポリビニルカルバゾール薄膜（３）を作製した。膜厚は
３００人であった。そして、一方の基板上に形成された
ポリビニルカルバゾールを綿布を用いてラビング処理を
行った。
ラス（１）上に作製した後、フォトリソグラ・フィー法
にてパクーニングを行うことにより、電極（２）を一対
のソーダガラス上に作製した。この−対の基板上に、ポ
リビニルカルバゾールの塩化ベンゼン２％溶液を回転数
３００Ｏｒｐｍでスピンコード法にて２０秒間塗布した
。成膜後約１時間１５０″Ｃで加熱し、溶剤を除去し、
ポリビニルカルバゾール薄膜（３）を作製した。膜厚は
３００人であった。そして、一方の基板上に形成された
ポリビニルカルバゾールを綿布を用いてラビング処理を
行った。
その後、直径が２．５μｍのポリスチレン粒子（図面に
は示さない）２０ｍｇをイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）５０ｃｃに混合し、超音波を印加してよく分散させ
た後、スピンコード法を用いて１１０００ｒｐ 、 ２
０秒間の条件において一方の基板上に散布した。
は示さない）２０ｍｇをイソプロピルアルコール（ＩＰ
Ａ）５０ｃｃに混合し、超音波を印加してよく分散させ
た後、スピンコード法を用いて１１０００ｒｐ 、 ２
０秒間の条件において一方の基板上に散布した。
そして、一対の基板を貼り合わせてパネルを作製した。
この後、以下の表に示す特性を有する強誘電性液晶（４
）をパネル内に真空注入法により注入した後、ＵＶ硬化
接着剤にて注入孔を封止した。
）をパネル内に真空注入法により注入した後、ＵＶ硬化
接着剤にて注入孔を封止した。
相系列： Ｉｓｏ −ＳｍＡ −ＳｍＣ” 、
Ｃｒｙ転移温度ニア５°Ｃ６８°Ｃ・ −２，１”
Ｃ自発分極： ７ｎＣ／ｃｍ” （２５°Ｃ）コー
ン角： ２７゜ （表中、ｌ５ｏｓ等方相、 ＳｍＡ：スメクティックＡ
相。
Ｃｒｙ転移温度ニア５°Ｃ６８°Ｃ・ −２，１”
Ｃ自発分極： ７ｎＣ／ｃｍ” （２５°Ｃ）コー
ン角： ２７゜ （表中、ｌ５ｏｓ等方相、 ＳｍＡ：スメクティックＡ
相。
Ｓａｃ”：カイラルスメクティックＣ相、 Ｃｒｙ：結
晶）こうして作製した強誘電性液晶パネルを駆動回路に
接続し、表示を行う。この時間−の画面を２時間表示し
た。また、参考例として一対の基板の液晶に接する面に
ポリイミド薄膜を作製した液晶パネルについても同じ画
面をやはり２時間表示を行った。そして２時間経過後表
示内容をかえて表示を行う。これも、やはり参考例のパ
ネルについても同様な表示を行った。そして表示のコン
トラストを両方のパネルについて測定した。すると、最
初の２時間、つまり最初の表示を行っている間について
は、本実施例のパネルが１８〜１９程度で、参考例のパ
ネルについては２１〜２５程度と参考例のほうが大きい
コントラストが得られた。これは、ポリイミド膜の方が
ＰＶＫ膜よりも液晶の配向機能が優れているからである
と思われる。しかし、本実施例のパネルもコントラスト
が１８〜１９であるから表示装置としては充分な値であ
る。
晶）こうして作製した強誘電性液晶パネルを駆動回路に
接続し、表示を行う。この時間−の画面を２時間表示し
た。また、参考例として一対の基板の液晶に接する面に
ポリイミド薄膜を作製した液晶パネルについても同じ画
面をやはり２時間表示を行った。そして２時間経過後表
示内容をかえて表示を行う。これも、やはり参考例のパ
ネルについても同様な表示を行った。そして表示のコン
トラストを両方のパネルについて測定した。すると、最
初の２時間、つまり最初の表示を行っている間について
は、本実施例のパネルが１８〜１９程度で、参考例のパ
ネルについては２１〜２５程度と参考例のほうが大きい
コントラストが得られた。これは、ポリイミド膜の方が
ＰＶＫ膜よりも液晶の配向機能が優れているからである
と思われる。しかし、本実施例のパネルもコントラスト
が１８〜１９であるから表示装置としては充分な値であ
る。
しかしながら、表示画面をかえてからのコントラストに
ついては、本実施例のパネルが前の画面を表示している
間とほぼ同様の１７〜１８程度であったのに対し、参考
パネルのコントラストは９〜１１程度と大幅に低下して
しまった。これによって−対の基板の両方にポリイミド
膜を作製すると「焼き付け」現象がひどく、表示画面を
かえた時、前の画面が残ってしまうことが明らかであり
、本実施例のように基板の液晶に接する面にＰＶＫを作
製することにより、「焼き付けＪ現象を回避することが
できたことがわかった。
ついては、本実施例のパネルが前の画面を表示している
間とほぼ同様の１７〜１８程度であったのに対し、参考
パネルのコントラストは９〜１１程度と大幅に低下して
しまった。これによって−対の基板の両方にポリイミド
膜を作製すると「焼き付け」現象がひどく、表示画面を
かえた時、前の画面が残ってしまうことが明らかであり
、本実施例のように基板の液晶に接する面にＰＶＫを作
製することにより、「焼き付けＪ現象を回避することが
できたことがわかった。
（実施例２〕
実施例１と同様にＩＴＯ河膜を直流マグネト。
ンスバノタ法にてソーダガラス上に作製した後、フォト
リソグラフィー法にてパクーニングを行うことにより、
電極を一対のソーダガラス上に作製した。この基板上に
、ポリビニルカルバゾールの塩化ベンゼン２％溶液を回
転数３００Ｏｒｐｍでスピンコード法にて２０秒間塗布
した。成膜後約１時間１５０°Ｃで加熱し、溶剤を除去
し、ポリビニルカルバゾール薄膜を作製した。膜厚は３
００人であった。
リソグラフィー法にてパクーニングを行うことにより、
電極を一対のソーダガラス上に作製した。この基板上に
、ポリビニルカルバゾールの塩化ベンゼン２％溶液を回
転数３００Ｏｒｐｍでスピンコード法にて２０秒間塗布
した。成膜後約１時間１５０°Ｃで加熱し、溶剤を除去
し、ポリビニルカルバゾール薄膜を作製した。膜厚は３
００人であった。
また、別のソーダガラス上に同様に電極を作製した後、
ポリイミドのＮ−メチル−２−ピロリドン３％溶液を回
転数３ＱＯＯｒｐｍにてスピンコード法を用いて２０秒
間塗布した。その後、３００°Ｃで約２時間加熱焼成処
理を施した。こうして得られたポリイミド膜をベルベッ
トにより一方向にラビングを行った。この時のラビング
処理は実施例１の時と比較してやや強めに行った。この
後、このポリイミド膜面上にポリビニルカルバゾールの
塩化ベンゼン２％溶液を回転数５００Ｏｒｐｍでスピン
コード法にて２０秒間塗布した。成膜後約１時間１５０
°Ｃで加熱し、溶剤を除去し、ポリビニルカルバゾール
薄膜を作製した。膜厚は１５０人であった。このポリイ
ミド股上に形成したＰＶＫ膜は厚く作製してはいけない
。なぜなら、ポリイミド膜のラビング処理の効果がＰＶ
Ｋ膜によって完全に消されてしまうからである。概ね２
００Å以下であることが必要である。
ポリイミドのＮ−メチル−２−ピロリドン３％溶液を回
転数３ＱＯＯｒｐｍにてスピンコード法を用いて２０秒
間塗布した。その後、３００°Ｃで約２時間加熱焼成処
理を施した。こうして得られたポリイミド膜をベルベッ
トにより一方向にラビングを行った。この時のラビング
処理は実施例１の時と比較してやや強めに行った。この
後、このポリイミド膜面上にポリビニルカルバゾールの
塩化ベンゼン２％溶液を回転数５００Ｏｒｐｍでスピン
コード法にて２０秒間塗布した。成膜後約１時間１５０
°Ｃで加熱し、溶剤を除去し、ポリビニルカルバゾール
薄膜を作製した。膜厚は１５０人であった。このポリイ
ミド股上に形成したＰＶＫ膜は厚く作製してはいけない
。なぜなら、ポリイミド膜のラビング処理の効果がＰＶ
Ｋ膜によって完全に消されてしまうからである。概ね２
００Å以下であることが必要である。
その後、直径が２．５μｍのポリスチレン粒子２０ｍｇ
をイソプロピルアルコール（Ｉ Ｐ Ａ） ５０ｃｃに
混合し、超音波を印加してよく分散させた後、スピンコ
ード法を用いて１１０００ｒｐ 、 ２０秒間の条件下
において一方の基板上に散布した。そして、一対の基板
を貼り合わせてパネルを作製した。
をイソプロピルアルコール（Ｉ Ｐ Ａ） ５０ｃｃに
混合し、超音波を印加してよく分散させた後、スピンコ
ード法を用いて１１０００ｒｐ 、 ２０秒間の条件下
において一方の基板上に散布した。そして、一対の基板
を貼り合わせてパネルを作製した。
この後、以下の表に示す特性を有する実施例１と同一の
強誘電性液晶をパネル内に真空注入法により注入した後
、ＵＶ硬化接着剤にて注入孔を封止した。
強誘電性液晶をパネル内に真空注入法により注入した後
、ＵＶ硬化接着剤にて注入孔を封止した。
相系列： Ｉｓｏ −ＳｍＡ −ＳｍＣ” −Ｃｒ
ｙ転移温度ニア５°Ｃ６８’Ｃ−２，１°Ｃ自発分極：
７ ｎＣ／ｃｍ２（２５°Ｃ）コーン角： ２７
６ （表中、Ｉｓｏ：等吉相、 ＳｍＡ：スメクテインクＡ
相。
ｙ転移温度ニア５°Ｃ６８’Ｃ−２，１°Ｃ自発分極：
７ ｎＣ／ｃｍ２（２５°Ｃ）コーン角： ２７
６ （表中、Ｉｓｏ：等吉相、 ＳｍＡ：スメクテインクＡ
相。
ＳｍＣ”：力イラルスメクティックＣ相、 Ｃｒｙ：結
晶）こうして作製された強誘電性液晶パネルの液晶の配
向の状態を偏光顕微鏡を用いて観察したところ実施例１
の場合よりも配向状態が上昇し、参考例とほぼ同様であ
った。
晶）こうして作製された強誘電性液晶パネルの液晶の配
向の状態を偏光顕微鏡を用いて観察したところ実施例１
の場合よりも配向状態が上昇し、参考例とほぼ同様であ
った。
このパネルを駆動回路に接続し、画面の表示を行った。
実施例１の時と同様に同一の画面を２時間表示した後、
表示内容をかえて表示を行った。
表示内容をかえて表示を行った。
すると、最初の画面を表示している間のコントラストは
２０〜２３とほぼ参考例のパネルの初期のコントラスト
と同じ値が得られた。そして、表示画面をかえた後のコ
ントラストも１９〜２０と、はとんどコントラストの低
下はなかった。
２０〜２３とほぼ参考例のパネルの初期のコントラスト
と同じ値が得られた。そして、表示画面をかえた後のコ
ントラストも１９〜２０と、はとんどコントラストの低
下はなかった。
従って、本実施例のようにポリイミド膜とＰＶＫ膜とを
積層させることによって、ポリイミド膜の配向制御機能
を維持したままＰＶＫ膜のドナー性不純物をトラップす
る機能をも有効に活用することができることがわかる。
積層させることによって、ポリイミド膜の配向制御機能
を維持したままＰＶＫ膜のドナー性不純物をトラップす
る機能をも有効に活用することができることがわかる。
〔実施例３］
透明電極を作製するために、ＩＴＯ薄膜をスパッタ法に
てソーダガラス基板上に形成した後、フォトリソグラフ
ィー法によりパターニングを行った。
てソーダガラス基板上に形成した後、フォトリソグラフ
ィー法によりパターニングを行った。
そして、ポリイミドのＮ−メチル−２−ピロリドン３％
溶液を回転数３００Ｏｒｐｍにてスピンコード法を用い
て２０秒間塗布した。その後、３００°Ｃで約２時間加
熱焼成処理を施した。こうして得られたポリイミド膜を
ベルベットにより一方向にラビングを行った。
溶液を回転数３００Ｏｒｐｍにてスピンコード法を用い
て２０秒間塗布した。その後、３００°Ｃで約２時間加
熱焼成処理を施した。こうして得られたポリイミド膜を
ベルベットにより一方向にラビングを行った。
他方の基板には透明電極作製後、ポリビニルカルバゾー
ルの塩化ベンゼン２％溶液を回転数３００゜ｒｐｍでス
ピンコード法にて２０秒間塗布した。成膜後約１時間１
５０°Ｃで加熱し、溶剤を除去し、ポリビニルカルバゾ
ール薄膜を作製した。この膜厚は約３００人であった。
ルの塩化ベンゼン２％溶液を回転数３００゜ｒｐｍでス
ピンコード法にて２０秒間塗布した。成膜後約１時間１
５０°Ｃで加熱し、溶剤を除去し、ポリビニルカルバゾ
ール薄膜を作製した。この膜厚は約３００人であった。
その後、粒径２μｍのシリカビーズを一方の基板上に散
布した後、２枚の基板を貼り合わせてパネルを作製した
。
布した後、２枚の基板を貼り合わせてパネルを作製した
。
そして、このパネル内に以下の表に示す特性を有する強
誘電性液晶を公知の真空注入法にて注入した後、注入孔
をＵＶ硬化接着剤にて封止した。
誘電性液晶を公知の真空注入法にて注入した後、注入孔
をＵＶ硬化接着剤にて封止した。
相系列： Ｉｓｏ −ＳｍＡ −ＳｍＣ” −Ｃ
ｒｙ転移温度：６７°Ｃ５１°Ｃ−１，５°Ｃ自発分極
： ８ｎＣ／ｃｍ” （２５°Ｃ）コーン角：
３６゜ （表中、Ｉｓｏ：等吉相、 ＳｍＡ：スメクテ４７りＡ
相。
ｒｙ転移温度：６７°Ｃ５１°Ｃ−１，５°Ｃ自発分極
： ８ｎＣ／ｃｍ” （２５°Ｃ）コーン角：
３６゜ （表中、Ｉｓｏ：等吉相、 ＳｍＡ：スメクテ４７りＡ
相。
ＳｍＣ”： カイラルスメクティックＣ相、 Ｃｒｙ：
結晶）こうして作製した液晶パネルの上下電極間の比抵
抗をＨＰ社製ＬＣＲメーターにて測定したところ、液晶
注入直後２５°Ｃにおいて３．Ｉ ＸＩＯ”Ωｃｍであ
った。この液晶パネルを８０°Ｃで加熱処理し、加熱処
理時間と液晶パネルの上下電極間の比抵抗変化を測定し
た。この測定結果を第２図に示す。第２図より、明らか
に加熱処理時間の経過とともに液晶パネルの比抵抗が高
くなっていることがわかる。
結晶）こうして作製した液晶パネルの上下電極間の比抵
抗をＨＰ社製ＬＣＲメーターにて測定したところ、液晶
注入直後２５°Ｃにおいて３．Ｉ ＸＩＯ”Ωｃｍであ
った。この液晶パネルを８０°Ｃで加熱処理し、加熱処
理時間と液晶パネルの上下電極間の比抵抗変化を測定し
た。この測定結果を第２図に示す。第２図より、明らか
に加熱処理時間の経過とともに液晶パネルの比抵抗が高
くなっていることがわかる。
一方、参考例の基板の両面にポリイミド薄膜を作製した
液晶パネルについても同様な実験を行った。この場合第
２図に示すように、加熱処理により徐々に比抵抗が下が
っていることがわかる。これは、ポリイミドがドナー性
不純物をトラップする機能を有していないために、加熱
処理により液晶パネル内に不純物かにじみでているもの
と思われる。
液晶パネルについても同様な実験を行った。この場合第
２図に示すように、加熱処理により徐々に比抵抗が下が
っていることがわかる。これは、ポリイミドがドナー性
不純物をトラップする機能を有していないために、加熱
処理により液晶パネル内に不純物かにじみでているもの
と思われる。
そして、以下のような方法で加熱処理の時間と「焼き付
け」の回復率を測定した。
け」の回復率を測定した。
この測定方法は、液晶パネル内の強誘電性液晶分子の第
１の安定状態と第２の安定状態とを、それぞれ、「白」
、「黒」となるようにパネルの上下に偏光板をセットし
、まず最初に「白」を表示して、その明るさを測定した
後、一定時間（２時間）「黒」を表示させた直後の「白
」表示の明るさを測定する。そして、初期の「白」表示
との比で回復率を計算する。その結果を第１表に示す。
１の安定状態と第２の安定状態とを、それぞれ、「白」
、「黒」となるようにパネルの上下に偏光板をセットし
、まず最初に「白」を表示して、その明るさを測定した
後、一定時間（２時間）「黒」を表示させた直後の「白
」表示の明るさを測定する。そして、初期の「白」表示
との比で回復率を計算する。その結果を第１表に示す。
ただし、加熱時間の単位は（ｈｏｕｒ）で、回復率の単
位は％である。
位は％である。
第 １ 表
表から明らかなように、特に２時間以上加熱処理を行っ
た場合に大きな効果を示す。
た場合に大きな効果を示す。
また、参考例のように一対の基板の液晶に接する面の両
方にポリイミド膜を作製した場合の回復率について第２
表に示す。
方にポリイミド膜を作製した場合の回復率について第２
表に示す。
第２表
第２表より、一対の基板−の液晶に接する面の両方にポ
リイミド膜を作製した場合には、加熱処理の効果がほと
んど得られないことがわかる。
リイミド膜を作製した場合には、加熱処理の効果がほと
んど得られないことがわかる。
さらに、加熱処理を行うと同時に、ＰＶＫ側の電極を正
極、ポリイミド側の電極を負極として２０■の直流電圧
を液晶パネルに印加した場合、第３表に示すように加熱
処理時間を短縮することができる。また、加熱処理なし
で、直流電圧の印加のみを行った場合について第４表に
示す。表かられかるように、直流電圧印加のみの場合に
は、加熱処理のみの場合とほぼ同様の結果が得られた。
極、ポリイミド側の電極を負極として２０■の直流電圧
を液晶パネルに印加した場合、第３表に示すように加熱
処理時間を短縮することができる。また、加熱処理なし
で、直流電圧の印加のみを行った場合について第４表に
示す。表かられかるように、直流電圧印加のみの場合に
は、加熱処理のみの場合とほぼ同様の結果が得られた。
第
表
〔効果〕
以上述べたように、基板の液晶に接する面の少なくとも
一方にポリビニルカルバゾールを用いることによって、
液晶パネル内のドナー性不純物をトラップすることがで
き、その結果、応答速度の速い強誘電性液晶表示装置の
「焼き付け」現象を起こすことがなくなり、表示品質を
大幅に向上させることができる。
一方にポリビニルカルバゾールを用いることによって、
液晶パネル内のドナー性不純物をトラップすることがで
き、その結果、応答速度の速い強誘電性液晶表示装置の
「焼き付け」現象を起こすことがなくなり、表示品質を
大幅に向上させることができる。
第１図は、本発明による強誘電性液晶電気光学装置の断
面の概略を示す。 第２図は液晶パネルの加熱処理時間とパネルの比抵抗と
の関係を示す。 ・ソーダガラス ・電極 ・ポリビニルカルバゾール膜 ・強誘電性液晶
面の概略を示す。 第２図は液晶パネルの加熱処理時間とパネルの比抵抗と
の関係を示す。 ・ソーダガラス ・電極 ・ポリビニルカルバゾール膜 ・強誘電性液晶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、電極が形成された一対の基板間に、強誘電性液晶を
介在せしめた強誘電性液晶電気光学装置において、少な
くとも一方の基板の液晶に接する面にはポリビニルカル
バゾール膜が作製されていることを特徴とする強誘電性
液晶電気光学装置。 ２、特許請求の範囲第１項において、一方の基板の液晶
の接する面にのみ、ポリビニルカルバゾール膜が作製さ
れ、他方の面にはラビング処理されたポリイミド膜が作
製されていることを特徴とする強誘電性液晶電気光学装
置。 ３、電極が形成された一対の基板のうち少なくとも一方
の基板の表面にポリビニルカルバゾール膜を作製する工
程と、前記一対の基板をスペーサーを介して貼り合わせ
る工程と、強誘電性液晶を前記一対の基板間に注入する
工程と、液晶注入用の注入孔を封止する工程とを有し、
かつ前記強誘電性液晶を注入する工程の後に基板を加熱
する工程を有することを特徴とする強誘電性液晶電気光
学装置の作製方法。 ４、特許請求の範囲第３項において、基板を加熱する工
程は、注入孔を封止した後に行われることを特徴とする
強誘電性液晶電気光学装置の作製方法。 ５、電極が形成された一対の基板のうち少なくとも一方
の基板の表面にポリビニルカルバゾール膜を作製する工
程と、他方の基板の表面にポリイミド膜を作製する工程
と、強誘電性液晶を基板間に注入する工程とを有し、概
液晶注入工程の後に、ポリビニルカルバゾール膜を作製
した側の基板の電極を正極、ポリイミド膜を作製した側
の基板の電極を負極として、直流の電圧を印加する工程
を有することを特徴とする強誘電性液晶電気光学装置の
作製方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305888A JPH03164713A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
| US07/950,771 US5309263A (en) | 1989-11-24 | 1992-09-24 | Liquid crystal electro-optical device and manufacturing method for the same |
| US08/195,451 US5559619A (en) | 1989-11-24 | 1994-02-14 | Liquid crystal electro-optical device and manufacturing method for the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1305888A JPH03164713A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7325096A Division JPH08234210A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 液晶装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03164713A true JPH03164713A (ja) | 1991-07-16 |
Family
ID=17950519
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1305888A Pending JPH03164713A (ja) | 1989-11-24 | 1989-11-24 | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5309263A (ja) |
| JP (1) | JPH03164713A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211225A (ja) * | 1990-03-15 | 1992-08-03 | Canon Inc | 液晶素子、それを用いた表示方法及び表示装置 |
| JPH08234210A (ja) * | 1996-03-04 | 1996-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03164713A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
| US5680182A (en) * | 1994-11-11 | 1997-10-21 | Hitachi, Ltd. | Nonlinear resistance films suitable for an active matrix LCD |
| JPH08146422A (ja) * | 1994-11-15 | 1996-06-07 | Sony Corp | 液晶表示装置および製造方法 |
| EP0863127B1 (en) * | 1997-03-06 | 2002-08-28 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Method of purifying liquid crystal |
| KR100637115B1 (ko) * | 1999-09-22 | 2006-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 액정표시소자 |
| US6686977B2 (en) * | 2001-07-24 | 2004-02-03 | Three-Five Systems, Inc. | Liquid crystal on silicon device |
| US8031319B1 (en) | 2008-05-30 | 2011-10-04 | Raytheon Company | Hermetic liquid crystal cell and sealing technique |
| US9632345B2 (en) | 2012-05-24 | 2017-04-25 | Raytheon Company | Liquid crystal control structure, tip-tilt-focus optical phased array and high power adaptive optic |
| AU2013389971B2 (en) | 2013-05-24 | 2017-03-09 | Raytheon Company | Adaptive - optics liquid - crystal array device having meander resistors |
| KR102537443B1 (ko) * | 2018-04-03 | 2023-05-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3944332A (en) * | 1974-07-17 | 1976-03-16 | Xerox Corporation | Optical sensitization and development of liquid crystalline devices |
| US3951519A (en) * | 1974-08-19 | 1976-04-20 | Xerox Corporation | Liquid crystal imaging system |
| US3952193A (en) * | 1974-09-25 | 1976-04-20 | Xerox Corporation | Imaging method with U.V. excitation of liquid crystal |
| US4119840A (en) * | 1976-03-31 | 1978-10-10 | Xerox Corporation | Fast acting gain photocurrent device |
| CH629002A5 (en) * | 1979-05-04 | 1982-03-31 | Ebauches Electroniques Sa | Passive electrooptic display cell and method for manufacture thereof |
| US4813767A (en) * | 1980-01-08 | 1989-03-21 | Clark Noel A | Surface stabilized ferroelectric liquid crystal devices |
| US4781441A (en) * | 1983-11-25 | 1988-11-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of controlling orientation of liquid crystal, device used therein and liquid crystal device produced thereby |
| US4744637A (en) * | 1984-10-05 | 1988-05-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device with a protective layer of a particular coefficient of expansion |
| JPS6232424A (ja) * | 1985-08-05 | 1987-02-12 | Canon Inc | 液晶装置 |
| US5299037A (en) * | 1985-08-07 | 1994-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Diffraction grating type liquid crystal display device in viewfinder |
| US4695490A (en) * | 1985-10-15 | 1987-09-22 | Rca Corporation | Seal for liquid crystal display |
| JPS62112128A (ja) * | 1985-11-11 | 1987-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
| US4796979A (en) * | 1986-04-07 | 1989-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric liquid crystal device having dual laminated alignment films |
| NL8700627A (nl) * | 1987-03-17 | 1988-10-17 | Philips Nv | Werkwijze voor het besturen van een vloeibaar kristalweergeefinrichting en bijbehorende weergeefinrichting. |
| FR2613846B1 (fr) * | 1987-04-10 | 1990-10-26 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'affichage a cristal liquide smectique ferroelectrique bistable |
| JPH0731326B2 (ja) * | 1988-06-01 | 1995-04-10 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH03164713A (ja) * | 1989-11-24 | 1991-07-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 強誘電性液晶電気光学装置とその作製方法 |
-
1989
- 1989-11-24 JP JP1305888A patent/JPH03164713A/ja active Pending
-
1992
- 1992-09-24 US US07/950,771 patent/US5309263A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-02-14 US US08/195,451 patent/US5559619A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04211225A (ja) * | 1990-03-15 | 1992-08-03 | Canon Inc | 液晶素子、それを用いた表示方法及び表示装置 |
| JPH08234210A (ja) * | 1996-03-04 | 1996-09-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5559619A (en) | 1996-09-24 |
| US5309263A (en) | 1994-05-03 |
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