JP2000319658A - 単安定強誘電液晶表示装置 - Google Patents

単安定強誘電液晶表示装置

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JP2000319658A
JP2000319658A JP11125182A JP12518299A JP2000319658A JP 2000319658 A JP2000319658 A JP 2000319658A JP 11125182 A JP11125182 A JP 11125182A JP 12518299 A JP12518299 A JP 12518299A JP 2000319658 A JP2000319658 A JP 2000319658A
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ferroelectric liquid
compound
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crystal display
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Teiichiro Nishimura
貞一郎 西村
Keiichi Nito
敬一 仁藤
Tadaaki Isozaki
忠昭 磯崎
Eiji Okabe
英二 岡部
Tatsuji Harufuji
龍士 春藤
Hideo Saito
秀雄 齋藤
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Sony Corp
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Sony Corp
Chisso Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 安定した単安定モードを実現し、十分なアナ
ログ階調性、コントラストを得る。 【解決手段】 一軸配向処理が施された一対の基板を配
向処理方向が互いに略平行となるように対向配置し、基
板間にカイラルスメクチックＣ相を有する強誘電性液晶
材料を充填する。強誘電性液晶材料の液晶分子が描くコ
ーンの軸方向の基板への投影成分及び液晶分子自身の分
子軸方向の基板への投影成分は、それぞれ基板の配向処
理方向とほぼ一致しており、この状態が初期状態として
単安定化される。強誘電性液晶材料は、フェニルピリミ
ジン骨格の両末端に炭素数の和が１７であるアルキル鎖
が結合した化合物を含む液晶組成物である。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、カイラルスメクチ
ックＣ相を有する液晶材料を用いた新規な単安定強誘電
液晶表示装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、軽量・薄型表示素子として液晶表
示素子が広く使用されており、中でもＴＦＴ駆動のＴＮ
（ツイスティッド・ネマチック）表示素子が主に使用さ
れている。
【０００３】しかしながら、上記表示素子では、中間調
における階調反転挙動等の問題があり、視野角が狭く、
また、応答時間が数十ミリ秒以上と遅く、特に中間調間
の応答時間は１００ミリ秒以上にも達し、画像表示の遅
れから生じる尾引き現象が見られている。
【０００４】このような状況の中、視野角を改善し、同
時に応答時間を短くする液晶材料として、強誘電性液晶
が注目されており、そのディスプレイヘの適用が考えら
れている。
【０００５】例えば、Ｃｌａｒｋ等は、強誘電性液晶の
螺旋ピッチを狭ギャップセル中でほどき、２つのメモリ
ー状態を有する双安定性を実現し、この双安定メモリー
を利用したパッシブマトリックス駆動方式の表面安定化
型強誘電性液晶ディスプレイ（surface-stabilized fer
roelectric liquid crystal display：ＳＳＦＬＣＤ）
を提案している［Appl.Phys.Lett.36,899(1980) 及び米
国特許第４３６７９２４号、特公昭６０−２２２８７号
参照］。
【０００６】このＳＳＦＬＣＤは、白黒２値の広視野角
の表示素子が実現できるという利点を有する。
【０００７】しかしながら、画面表示の高速化に関して
は、パッシブマトリックスという駆動法のため、１画素
の応答時間は数十マイクロ秒と短いものの、画素数の多
いディスプレイにおいては、必ずしも高速化されず、特
にマルチメディア時代の動画表示には適用できなくなっ
ている。
【０００８】さらに、画素数も、いわゆるＶＧＡから、
ＳＶＧＡ，ＸＧＡ，ＳＸＧＡ，ＵＸＧＡと次第に増えて
きており、大容量の表示となり、本当の意味での高速化
したディスプレイの原理が期待されている。
【０００９】この高速応答・広視野角ディスプレイを実
現する方法として、本願出願人は、特開平４−２１２１
２６公報、あるいは米国特許第５２１４５２３号におい
て、単安定ＦＬＣモードを提案している。
【００１０】このモードは、液晶表示素子として、一軸
配向処理が施された一対の基板が配向処理方向が互いに
ほぼ平行となるように対向配置するとともに、これら基
板間にカイラルスメクティックＣ相を有する液晶材料を
充填したものを用い、このカイラルスメクティックＣ相
を有する液晶材料の液晶分子が描くコーンの軸方向の基
板への投影成分及び液晶分子自身の分子軸方向の基板へ
の投影成分をそれぞれ基板の配向処理方向と同一とし、
この状態が初期状態とする単安定化構成をとり、各画
素、すなわち最小単位の画素に対応してスイッチング素
子を設けたアクティブマトリクス駆動を行うものであ
り、電圧印加によって液晶のダイレクタ（分子軸の傾
き）を連続的に変化させて透過光強度をアナログ変調す
ることで、高速・広視野角のアナログ階調表示や、フル
カラー表示が実現できるという優れた特徴を有する。
【００１１】具体的には、透明電極（ＩＴＯ）を配した
ガラス板の透明電極側をシランカップリング処理した
後、スピンコート法によりポリアミド酸膜を塗布し、べ
ーキングによりイミド化してポリイミド膜を形成する。
このポリイミド膜に対してベルベット布で一方向にラビ
ング処理を施し、配向膜とする。配向膜の厚さは約２０
０Åであり、液晶配向の効果を得るラビング処理方向に
関して非対称性を有する。以上により配向膜を形成した
ガラス板をラビング処理方向が互いに反平行（アンチパ
ラレル）となるように透明電極を対向させて配置し、２
μｍの真絲球（ミクロパール）を分散させた紫外線硬化
接着剤を用いてギャップ２μｍのセルを組み立てる。そ
して、液晶材料としては、カイラル成分として下記の化
２に示す化合物（イ）を、非カイラル成分として下記の
化２に示す３環性２フッ素系の化合物（ロ）、フェニル
ピリミジン系の化合物（ハ）及びフェニルベンゾエート
系の化合物（ニ）を用い、単安定ＦＬＣモードを実現し
ている。
【００１２】
【化２】
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記液
晶組成物では、黒レベルの沈み込みが少ないため、十分
なコントラスト比が得られていない。
【００１４】一方、上記従来の液晶組成物に含有されて
いるフェニルピリミジンの両末端の構造としては、エー
テル結合を介してアルキル鎖が結合したものや、アルキ
ル鎖がフェニルピリミジン骨格に直結したものが用いら
れている。
【００１５】しかしながら、例えば、特開平９−１６５
５７８号公報に記載されているように、べース液晶とし
て２環系あるいは３環系のフェニルピリミジンを単に用
いただけでは、双安定構造となり、単安定モードは実現
できていない。
【００１６】このように、フェニルピリミジン系液晶の
アルキル鎖には様々な種類があり、それらの種類を限定
せずに液晶組成物を構成した場合には、この液晶組成物
を注入した液晶セルにおいて、単安定モードを発現させ
ても黒レベルが向上せず、また、そのほとんどが双安定
状態となり、安定した単安定モードを実現できないのが
実情である。
【００１７】その結果、単安定性ＦＬＣモード特有のア
クティブマトリックス駆動によるアナログ階調性が十分
に得られず、また、黒レベルが沈んでいないため、高品
位の表示素子として満足できるようなコントラストは得
られていない。
【００１８】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、安定した単安定モードを実現するこ
とができ、十分なアナログ階調性、コントラストを得る
ことが可能な単安定強誘電液晶表示装置を提供すること
を目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、単安定強
誘電液晶表示装置の開発を進める過程において、２環系
フェニルピリミジンを含む強誘電液晶組成物において、
フェニルピリミジン骨格の両末端に結合するアルキル鎖
の炭素数の和が１７のときに特異的に安定な単安定モー
ドが実現され、黒レベル、コントラスト比も改善される
ことを見出すに至った。
【００２０】本発明はかかる知見に基づいて完成された
ものであり、一軸配向処理が施された一対の基板が配向
処理方向が互いに略平行となるように対向配置されると
ともに、これら基板間にカイラルスメクチックＣ相を有
する強誘電性液晶材料が充填されてなり、前記強誘電性
液晶材料の液晶分子が描くコーンの軸方向の基板への投
影成分及び液晶分子自身の分子軸方向の基板への投影成
分がそれぞれ基板の配向処理方向と略同一とされ、この
状態が初期状態として単安定化された単安定強誘電液晶
表示装置において、上記強誘電性液晶材料は、フェニル
ピリミジン骨格の両末端に炭素数の和が１７であるアル
キル鎖が結合した化合物を含む液晶組成物であることを
特徴とするものである。
【００２１】フェニルピリミジン骨格の両末端に炭素数
の和が１７であるアルキル鎖が結合した２環系フェニル
ピリミジンの添加により、その詳細な理由は不明である
が、安定な単安定ＦＬＣモードが実現され、黒レベル、
コントラスト比も大幅に向上する。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した単安定強
誘電液晶表示装置について、図面を参照しながら詳細に
説明する。
【００２３】本発明が適用される単安定強誘電液晶表示
装置の基本構成は、例えば図１に示すようなものであ
り、ラビング処理や斜方蒸着等の一軸配向処理を施した
一対の基板１，２を面対向する如く配置して液晶セルと
なし、これら基板１，２の間隙にＳｍＣ* 相を有する液
晶材料を充填してなるものである。
【００２４】基板１，２は、いずれも透明基板上に透明
電極を形成し、さらにその上にポリイミド膜を被着して
ラビング処理したり、斜方蒸着膜を形成してなるもので
あって、それぞれの一軸配向処理方向（図１中矢印Ｘ及
び矢印Ｙで示す。）が互いに略平行となるように配置さ
れている。
【００２５】ここで、例えばラビング処理はポリイミド
膜の表面を一方向に擦って表面に微細な傷を付けて配向
性を持たせる手法であるが、擦った方向まで同一（全く
の平行。以下、パラレルと称する。）になるように配置
してもよいし、擦った方向が互いに逆（反平行。以下、
アンチパラレルと称する。）になるように配置してもよ
い。すなわち、前者は基板１のラビング方向をＸ1 とし
たときに基板２のラビング方向をＹ1 とした場合であ
り、後者は基板１のラビング方向をＸ1 としたときに基
板２のラビング方向をＹ2 とした場合である。
【００２６】上述のように上下両方の基板１，２に一軸
配向処理を施し、その配向方向が互いに略平行となるよ
うに配した液晶セルに、ＳｍＣ* 相を有する液晶材料を
充填すると、例えば液晶材料が層構造を有するものであ
れば、各層の法線方向（あるいはその基板への投影成分
の方向）が前記配向処理方向と一致する。ここで、各層
の液晶分子３は、図２に示すように円錐の外周面に沿う
形で回転するが、この液晶分子３の描くコーン（円錐）
の軸方向Ｚ（あるいはその基板への投影成分の方向）も
前記配向処理方向と一致する。さらには、液晶分子３自
身のダイレクタ（分子軸）の方向Ｄ（あるいはその基板
への投影成分の方向）もやはり前記配向処理方向と一致
する。すなわち、各液晶分子３は、コーンの円周上の点
ｒあるいは点ｓの位置で安定する。
【００２７】したがって、本発明が適用される強誘電液
晶表示装置は、基板表面での液晶分子の安定化効果を用
いたものであるが、これまで知られる双安定（メモリー
コーン３０°〜４５°程度）を利用したものではなく、
また双安定のどちらか片側だけで安定化する片安定でも
なく、その中間の状態で単安定されたもの（メモリーコ
ーン２°以下）と言える。
【００２８】上記強誘電液晶表示装置は、基板１，２の
法線方向から見たときに、電界を印加しない状態で各基
板１，２の一軸配向処理方向Ｘ，Ｙと液晶分子３が描く
コーンの軸方向Ｚ、液晶分子３自身のダイレクタの方向
Ｄが一致する構造である。
【００２９】ここで、一対の偏光子（アナライザとポー
ラライザ。それぞれの偏光方向をＡ及びＰで表す。）の
偏光方向を直交させたまま、いずれか一方の偏光方向を
前記配向処理方向と一致させると、光は透過せず黒レベ
ルが得られる。
【００３０】これに対して、電界を印加すると、液晶分
子３のダイレクタはコーンに沿って回転し、電界強度や
極性に応じて右あるいは左に連続的（アナログ的）にチ
ルトすることになり、これによって連続階調（アナログ
階調）が得られる。
【００３１】なお、印加する電界の駆動電圧波形は任意
であるが、＋，−交互の印加であって、電気的中性条件
をほぼ満足した振幅変調型であることが好ましい。
【００３２】このときの液晶分子の挙動を図３、図４及
び図５に示す。図３は図１中ａ方向から見た液晶分子の
挙動、図４は図１中ｂ方向から見た液晶分子の挙動、図
５は図１中ｃ方向から見た液晶分子の挙動である。ま
た、これらの図面においては、ガラス板１ａ，２ａ上に
透明電極１ｂ，２ｂ及びラビング処理層１ｃ，２ｃが成
膜されたものが基板１，２として配置されている。
【００３３】電界を印加していない状態では、各液晶分
子３のダイレクタの方向Ｄは、基板１，２のラビング処
理層１ｃ，２ｃの一軸配向処理方向に揃う。すなわち、
図３中央に示すように、液晶分子３のダイレクタの方向
Ｄは、コーンの投影面のセンターに来る。
【００３４】この状態が単安定状態であり、例えばポー
ラライザの偏光方向Ｐを配向処理方向Ｘ，Ｙに一致さ
せ、アナライザの偏光方向Ａをこれと直交させると、光
は透過せずに暗状態となる。
【００３５】一方、例えば上方の基板１の透明電極１ｂ
に＋、下方の基板２の透明電極２ｂに−の電界を印加す
ると、各図面において左側に示すように、液晶分子３は
反時計回り方向（回転方向は液晶材料の自発分極の極性
に依存する。）に回転する。このとき、ラビング処理層
１ｃ，２ｃとの界面から離れるに従って見掛けのチルト
角θは大きくなるが、これはラビング処理層１ｃ，２ｃ
との界面では相互作用が大きく、いわゆるアンカー効果
が働くためと考えられる。
【００３６】ここで、見掛けのチルト角θの最大値θ
MAX は電界強度によって決まり、したがって電界強度に
応じて前記チルト角の最大値θMAX が連続的に変化する
ことになる。これに伴い、当然のことながら液晶セル全
体で見た見掛けのチルト角の平均値θAVG も連続的に変
化する。
【００３７】上方の基板１の透明電極１ｂに−、下方の
基板２の透明電極２ｂに＋の電界を印加した場合も同様
で、この場合には各図面において右側に示すように、液
晶分子３は時計回り方向に回転し、やはり見掛けのチル
ト角の最大値θMAX や平均値θAVG が連続的に変化す
る。
【００３８】このとき、ポーラライザからの直線偏光
は、この液晶分子３のダイレクタのチルトにより位相差
を生じ楕円偏光となるため、アナライザからの透過光量
はチルト角の平均値θAVG に対応して大きくなる。すな
わち、前記液晶セルにおける透過光強度Ｉは、次の式１
に示す関係となり、電界強度に対応して連続的に変化す
る見掛けのチルト角の平均値θAVG に応じて変化し、ア
ナログ階調が得られることになる。
【００３９】Ｉ∝Ｉ0sin2２θ ・・・式１ （ただし、式中のＩ0 はセルを透過する前の光の強
度。） 電界印加状態から外部電界を除去すると、液晶の内部電
界及び界面の安定化効果により、すみやかに初期状態に
戻る。
【００４０】上記液晶表示装置において、用いる強誘電
性液晶としては、ＳｍＣ* 相をとりうる液晶材料であれ
ば如何なるものであってもよい。ただし、配向性等を考
慮すると、ＳｍＣ* 相の螺旋ピッチが十分に長いことが
好ましく、さらには大きな自発分極を有し且つＳｍＣ*
相を室温を含む広い温度範囲で示すことが好ましい。
【００４１】したがって、従来より公知のカイラル液晶
と、３環性エステルのフッ素置換誘導体，フェニルピリ
ミジン系，フェニルベンゾエート系等の非カイラル液晶
（ホスト液晶）とを混合した組成物等が好適である。
【００４２】特に、単安定性構造を安定に発現するため
には、非カイラル液晶としてフェニルピリミジン系液
晶、なかでも２環系フェニルピリミジンと３環系フェニ
ルピリミジンの混合物を使用することが好ましい。フェ
ニルピリミジン系液晶は欠陥等の観点から最も好適であ
る。
【００４３】また、上述のようにカイラル液晶と非カイ
ラル液晶の混合物を使用する場合、ホスト液晶である非
カイラル液晶へのカイラル液晶の添加量がコントラス
ト，応答時間等に影響する。実用的な応答時間を維持
し、しかも高コントラストを実現するためには、カイラ
ル液晶の添加量を１〜２０重量％とすることが好まし
い。
【００４４】本発明において特徴的なのは、上記強誘電
性液晶に、フェニルピリミジン骨格の両末端に炭素数の
和が１７であるアルキル鎖が結合した化合物を添加する
ことである。
【００４５】添加する化合物の具体例としては、下記の
化３で示される化合物のうち、ｍ＝９，ｎ＝８である化
合物、ｍ＝８，ｎ＝９である化合物、ｍ＝７，ｎ＝１０
である化合物等を挙げることができる。
【００４６】
【化３】
【００４７】これにより、特異的に安定な単安定モード
が実現され、黒レベル、コントラスト比も改善される。
【００４８】なお、液晶組成物における上記化合物の含
有量は、１〜５０重量％であることが好ましい。上記化
合物の含有量が１重量％未満であると、効果が期待でき
ない。また、上記化合物の含有量は５０重量％が実用上
の限界であり、５０重量％を越えると、例えばＳｍＣ*
相が発現する温度範囲が狭くなってしまう。
【００４９】
【実施例】以下、本発明を適用した実施例について、具
体的な実験結果に基づいて説明する。
【００５０】表示パネルの作製 以下に、本実施例で使用した表示パネルの作製法につい
て記述する。
【００５１】ここで記述するのは、ガラスセル、ＴＦＴ
基板及び対向基板（片面ＩＴＯ電極）を用いたパネル作
製プロセス（図６参照）である。ＴＦＴ基板としては、
ソニー社製、商品名ＬＣＸ０１６用のＴＦＴ基板を使用
した。
【００５２】イ．パネルの洗浄 ＴＦＴ基板 ：水洗シャワー４回（超音波無し）、湯洗
・・・（工程ａ） 対向基板 ：アルカリ洗浄で超音波洗浄、水洗シャワ
ー４回（超音波）、湯洗・・・（工程ｂ） ＵＶオゾン処理・・・（工程ｃ） ガラスセル ：対向基板と同じ方法 ロ．ポリイミド膜形成工程（工程ｄ） スピンコートにて塗布（１０００ｒｐｍ／５秒及び３５
００ｒｐｍ／３０秒）塗布した後、窒素ボックス内で一
日放置 べーキング（５０℃／３０分＋１８０℃／４時間） ハ．ラビング（工程ｅ） 図１に示すように、ラビング方向と平行で且つアンチパ
ラレルの状態に組み立てられるようにラビングを行っ
た。ラビング条件は、３００ｒｐｍ、テーブル速度２ｍ
ｍ／秒、押し込み量０．２ｍｍとした。ガラスセルにお
いても同じ条件で行った。
【００５３】ニ．組立（工程ｆ） 対向基板にシール剤をスクリーン印刷法あるいはディス
ペンサーを用いて塗布し、ＴＦＴ基板と電極面側を対向
させ、アンチパラレルで組み立てた。
【００５４】ホ．注入（工程ｇ） 注入口上部に注入したい液晶を付着し、真空オープンを
用いて、ネマチック相−等方相転移温度より１０℃〜２
０℃高い温度で真空状態にして注入を行ない、注入が完
了した後に窒素ガスを用いてゆっくりと常圧に戻し、常
温に戻した。ガラス基板の時の注入はホットステージ
（メトラー社製、商品名ＦＰ８２）を使用して注入を行
った。
【００５５】以下はＴＦＴ基板のみについて行った。
【００５６】ヘ．封止（工程ｈ） 注入口を封止剤により封止した。
【００５７】ト．フレキシブル配線板の取付け（工程
ｉ） 圧着装置を用いてＴＦＴ基板側の電極にフレキシブル配
線板を圧着した。
【００５８】チ．画像評価（工程ｊ） 専用ドライバーを用いて画像評価を行った。
【００５９】さらに、ＴＮ液晶表示装置用ドライバーを
流用し、いわゆるノーマリープラックモードにおいて画
像評価を行った。
【００６０】液晶組成物Ａにおける検討 下記の化４に示す化合物ａ〜化合物ｇからなる組成物を
液晶組成物Ａの基本組成とし、２環系フェニルピリミジ
ン（化合物ｃ）を下記の化５に示す化合物ｈ、化合物
ｉ、化合物ｊに変えて、そのときの上記表示パネルにお
ける特性の相違を調べた。結果を表１に示す。
【００６１】
【化４】
【００６２】
【化５】
【００６３】
【表１】
【００６４】単安定ＦＬＣモードで駆動させたときのコ
ントラストを測定した結果、アルキル鎖の炭素数の和が
１７でない化合物ｃを用いたときには３４であったが、
アルキル鎖の炭素数の和が１７である２環系フェニルピ
リミジン（化合物ｈ）を用いたときには７０に、同じく
化合物ｉを用いたときには７７に、化合物ｊを用いたと
きには１０６にそれぞれ向上した。
【００６５】また、アルキル鎖の炭素数の和が１７であ
る２環系フェニルピリミジンを用いた場合には、メモリ
ーコーンも２°以下に抑えられている。メモリーコーン
が大きくなると、コントラストが取れず、黒レベルも劣
化する。
【００６６】特に、化合物ｉ（ｍ＝８，ｎ＝９）あるい
は化合物ｊ（ｍ＝９，ｎ＝８）を用いたときに黒レベル
及び単安定の安定性（電界印加に伴い液晶の傾き角が変
化し、電界の除去に伴い元の配向状態に回復するときの
一様配向性）の向上が顕著であり、高いコントラストを
得ることができた。
【００６７】液晶組成物Ｂにおける検討 下記の化６に示す化合物ｐ〜化合物ｗからなる組成物を
液晶組成物Ｂの基本組成とし、２環系フェニルピリミジ
ン（化合物ｒ）を化合物ｊに変え、そのときの特性の相
違を調べた。結果を表２に示す。
【００６８】
【化６】
【００６９】
【表２】
【００７０】この表２からも明らかなように、液晶組成
物Ｂに含有されている化合物ｒに変えて同じ含有率で添
加化合物である化合物ｊを含有させたところ、黒レベル
が暗くなり、コントラストが３０から１０２に向上し
た。
【００７１】２種類以上の添加 さらに、化合物ｈ、化合物ｉ、化合物ｊを２種類以上組
み合わせて添加した場合においても単安定性の向上が見
られた。
【００７２】具体的には、化合物ｈと化合物ｉ、化合物
ｈと化合物ｊ、化合物ｉと化合物ｊの組み合わせにおい
て、さまざまな比で含有させた混合添加化合物を液晶組
成物Ａ及びＢの化合物ｃ又は化合物ｒに代えて含有させ
たところ、単安定性を示し黒レベルが向上した。
【００７３】液晶組成物Ａにおいて、化合物ｃの代わり
に上記混合添加物（比率１：１）を添加したときの特性
を表３に示す。
【００７４】
【表３】
【００７５】また、化合物ｈ、化合物ｉ、化合物ｊの３
種類をそれぞれ１：１：１の比で混合させて含有させた
ところ、コントラストが１００と向上した。
【００７６】添加量の検討 化合物ｃに代えて添加化合物として化合物ｊを含有させ
るとき、含有量を変化させても黒レベルは維持されるこ
とが判明した。
【００７７】例えば、化合物ｊの含有率を０重量％から
２６．７重量％の間でさまざまな含有率となるように変
えたところ、表４に示すように、０重量％では単安定性
を示さなかったが、それ以外では単安定性を維持した。
また、その時のコントラストを測定した結果、０重量％
のときには６０であったのに対して、１重量％の時には
８２．５、３重量％の時には１２３．８、４．４５重量
％の時には１６８、１３．３５重量％の時には１５８、
２２．２５重量％の時には１０２．７に向上した。
【００７８】
【表４】
【００７９】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、安定した単安定モードを実現することがで
き、十分なアナログ階調性、コントラストを得ることが
可能な単安定強誘電液晶表示装置を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】単安定強誘電液晶表示装置における液晶セルの
構成例を模式的に示す斜視図である。
【図２】液晶分子が描くコーンを説明する模式図であ
る。
【図３】図１の矢印ａ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図４】図１の矢印ｂ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図５】図１の矢印ｃ方向から見た液晶分子の挙動を示
す模式図である。
【図６】表示パネルの作製プロセスを示すフローチャー
トである。
【符号の説明】
１，２ 基板、３ 液晶分子
フロントページの続き (72)発明者 仁藤 敬一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 磯崎 忠昭 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 岡部 英二 東京都千代田区丸の内２丁目７番３号 チ ッソ株式会社内 (72)発明者 春藤 龍士 東京都千代田区丸の内２丁目７番３号 チ ッソ株式会社内 (72)発明者 齋藤 秀雄 東京都千代田区丸の内２丁目７番３号 チ ッソ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA03 GA04 GA17 HA03 HA08 JA17 MA02 4H027 BA06 BC05 BD20 CE08 DC03 DE01 DF01 DF03 DF10

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 一軸配向処理が施された一対の基板が配
    向処理方向が互いに略平行となるように対向配置される
    とともに、これら基板間にカイラルスメクチックＣ相を
    有する強誘電性液晶材料が充填されてなり、前記強誘電
    性液晶材料の液晶分子が描くコーンの軸方向の基板への
    投影成分及び液晶分子自身の分子軸方向の基板への投影
    成分がそれぞれ基板の配向処理方向と略同一とされ、こ
    の状態が初期状態として単安定化された単安定強誘電液
    晶表示装置において、 上記強誘電性液晶材料は、フェニルピリミジン骨格の両
    末端に炭素数の和が１７であるアルキル鎖が結合した化
    合物を含む液晶組成物であることを特徴とする単安定強
    誘電液晶表示装置。
  2. 【請求項２】 上記化合物は、下記の化１で示される化
    合物のうち、ｍ＝９，ｎ＝８である化合物、ｍ＝８，ｎ
    ＝９である化合物、ｍ＝７，ｎ＝１０である化合物から
    選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項
    １記載の単安定強誘電液晶表示装置。 【化１】
  3. 【請求項３】 上記液晶組成物は、自発分極を有するカ
    イラル成分、２環系フェニルピリミジン、３環系フェニ
    ルピリミジンを含むことを特徴とする請求項１記載の単
    安定強誘電液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 上記液晶組成物における上記化合物の含
    有量が１〜５０重量％であることを特徴とする請求項１
    記載の単安定強誘電液晶表示装置。
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