JPH0348817A - 液晶電気光学素子 - Google Patents
液晶電気光学素子Info
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- JPH0348817A JPH0348817A JP18538089A JP18538089A JPH0348817A JP H0348817 A JPH0348817 A JP H0348817A JP 18538089 A JP18538089 A JP 18538089A JP 18538089 A JP18538089 A JP 18538089A JP H0348817 A JPH0348817 A JP H0348817A
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野１
本発明は強誘電性液晶を用いる電気光学素子に関する。
］従来の技術１
近年、情報処理のコンピユータ化が進み、それに伴いコ
ンピュータの小型化が強く望まれるようになった。特に
マンマシンインターフェイスとしてゆるぎない地位を占
めていたＣＲＴデイスプレィは重く大きい為、軽く薄い
液晶デイスプレィや、プラズマデイスプレィに置き換え
られようとしている。液晶デイスプレィとしては、ツイ
ストネマチック型のものが一般に使用されている。しが
し、高精細のデイスプレィとしては、応答の遅いネマチ
ヅク液晶よりも高速でメモリー性を有する強誘電性液晶
が研究されている。 （例えばＣ１ａｒｋ ら、Ａｐ
ｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、３６，８９９ （１
９８０））従来の強誘電性液晶を用いた電気光学素子の
配向制御方法は、基板表面にポリイミド等の有機高分子
層を設はラビング処理を行なう方法、ＳｉＯを斜め方向
から蒸着する方法、磁場配向法、直流電界を印加しなが
ら徐冷する方法等がある。
ンピュータの小型化が強く望まれるようになった。特に
マンマシンインターフェイスとしてゆるぎない地位を占
めていたＣＲＴデイスプレィは重く大きい為、軽く薄い
液晶デイスプレィや、プラズマデイスプレィに置き換え
られようとしている。液晶デイスプレィとしては、ツイ
ストネマチック型のものが一般に使用されている。しが
し、高精細のデイスプレィとしては、応答の遅いネマチ
ヅク液晶よりも高速でメモリー性を有する強誘電性液晶
が研究されている。 （例えばＣ１ａｒｋ ら、Ａｐ
ｐｌ、 Ｐｈｙｓ、 Ｌｅｔｔ、、３６，８９９ （１
９８０））従来の強誘電性液晶を用いた電気光学素子の
配向制御方法は、基板表面にポリイミド等の有機高分子
層を設はラビング処理を行なう方法、ＳｉＯを斜め方向
から蒸着する方法、磁場配向法、直流電界を印加しなが
ら徐冷する方法等がある。
１発明が解決しようとする課題１
強誘電性液晶の電界による応答特性、特に記憶効果は、
液晶分子と基板表面の化学的、あるいは物理化学的相互
作用に大きく影響されると考えられる。カイラルスメク
ティックＣ相（以下、ＳｍＣ°相と略記する）のスイッ
チング原理によれば、良好な記憶効果を得るためには液
晶分子は基板表面に平行かつ一方向に揃っている事が望
ましい。
液晶分子と基板表面の化学的、あるいは物理化学的相互
作用に大きく影響されると考えられる。カイラルスメク
ティックＣ相（以下、ＳｍＣ°相と略記する）のスイッ
チング原理によれば、良好な記憶効果を得るためには液
晶分子は基板表面に平行かつ一方向に揃っている事が望
ましい。
しかしながら従来の高分子膜表面にラビング処理を施す
等の配向制御方法を用いると、ＳｍＣ’相における分子
配向はツイスト状態すなわち液晶分子ダイレクタが片側
の基板表面から対向基板表面において円錐の側面上を回
転しており、自発分極が上下両界面で内側或は外側を向
いた状態を呈しやすく、従って良好な記憶効果を得るの
は困難であった。ラビング処理を施さない配向膜形成方
法の１つとして、ラングミュア−プロジェット法（以下
、ＬＢ法と略記する）が提案されている（例えば、池野
ら：電子情報通信学会技術報告Ｖｏ１．８８Ｎｏ、２６
７ （１９８８））。しかし従来のポリイミドＬＢ膜の
場合、ポリイミドを直接基板上に累積する事が出来ない
ため、前駆体であるポリアミック酸を積層した後、基板
上でイミド化反応を行なっている。
等の配向制御方法を用いると、ＳｍＣ’相における分子
配向はツイスト状態すなわち液晶分子ダイレクタが片側
の基板表面から対向基板表面において円錐の側面上を回
転しており、自発分極が上下両界面で内側或は外側を向
いた状態を呈しやすく、従って良好な記憶効果を得るの
は困難であった。ラビング処理を施さない配向膜形成方
法の１つとして、ラングミュア−プロジェット法（以下
、ＬＢ法と略記する）が提案されている（例えば、池野
ら：電子情報通信学会技術報告Ｖｏ１．８８Ｎｏ、２６
７ （１９８８））。しかし従来のポリイミドＬＢ膜の
場合、ポリイミドを直接基板上に累積する事が出来ない
ため、前駆体であるポリアミック酸を積層した後、基板
上でイミド化反応を行なっている。
この方法は工程が複雑である上に累積された膜の状態で
化学反応を行なうので生成物のポリイミドは構造的均一
性に欠け、液晶配向膜として満足な特性を得るのは容易
ではない。
化学反応を行なうので生成物のポリイミドは構造的均一
性に欠け、液晶配向膜として満足な特性を得るのは容易
ではない。
本発明は、液晶配向膜の材質と形成方法を改良して表面
物性を制御する事により上記問題点を解決するもので、
その目的とするところは、双安定なユニフォーム配向に
よって良好な記憶効果を持ち、配向欠陥によるコントラ
スト低下の少ない優れた液晶電気光学素子を提供する事
である。
物性を制御する事により上記問題点を解決するもので、
その目的とするところは、双安定なユニフォーム配向に
よって良好な記憶効果を持ち、配向欠陥によるコントラ
スト低下の少ない優れた液晶電気光学素子を提供する事
である。
［課題を解決するための手段１
本発明の液晶電気光学素子は、上記課題を解決するため
に、 （１）走査″ｒＪ、極群と信号電極群を有する一対の基
板間に強誘電性液晶を挟持して成る液晶電気光学素子に
於て、少なくとも一方の基板上には液晶分子の配列を規
制する為の略配向した高分子薄膜を有する事を特徴とす
る。
に、 （１）走査″ｒＪ、極群と信号電極群を有する一対の基
板間に強誘電性液晶を挟持して成る液晶電気光学素子に
於て、少なくとも一方の基板上には液晶分子の配列を規
制する為の略配向した高分子薄膜を有する事を特徴とす
る。
（２）上記高分子ｆｉＩＩＩＩがラングミュア−プロジ
ェット法により形成された事を特徴とする。
ェット法により形成された事を特徴とする。
（３）上記高分子薄膜を構成する材料が、千ツマーユニ
ット中に親水性基と疎水性基を持つ両親媒性高分子化合
物である事を特徴とする。
ット中に親水性基と疎水性基を持つ両親媒性高分子化合
物である事を特徴とする。
（４）上記高分子化合物がサーモトロピックな液晶性物
質である事を特徴とする。
質である事を特徴とする。
１実施例 １１
第１図は本発明実施例に於ける電気光学素子の主要断面
図である。ＩＴＯ透明電極及びＳｉＯ２絶縁層を設けた
ガラス基板上にＬＢＪＩＱを形成した。
図である。ＩＴＯ透明電極及びＳｉＯ２絶縁層を設けた
ガラス基板上にＬＢＪＩＱを形成した。
膜材料としては構造式（１）に示す側鎖型高分子液晶化
合物を使用した。
合物を使用した。
上記（１）の化合物を水面に展開してＬ（ラングミュア
）膜とし、表面圧を４０ｍＮ／ｍに保ちながら５ ａｖ
／ｓｉｎ、の速度で基板を上下して３層のＬＢ膜を形成
した。このようにして得られた基板を、上下で引き上げ
方向が１８０°となるように組み立てた。セル厚は約２
μｍとした。第１図においては上下両基板上に絶縁層を
設けであるが、これはどちらか一方のみでも良い。また
、ラビング処理についても片側基板のみ施してもよい。
）膜とし、表面圧を４０ｍＮ／ｍに保ちながら５ ａｖ
／ｓｉｎ、の速度で基板を上下して３層のＬＢ膜を形成
した。このようにして得られた基板を、上下で引き上げ
方向が１８０°となるように組み立てた。セル厚は約２
μｍとした。第１図においては上下両基板上に絶縁層を
設けであるが、これはどちらか一方のみでも良い。また
、ラビング処理についても片側基板のみ施してもよい。
上記基板間に強誘電性液晶組成物を加熱封入し、室温ま
で徐冷した。ここで液晶にはメルク社１ｚＬＩ−３７７
４を用いた。以上の方法で得られた液晶電気光学素子を
偏光軸の互いに直交する偏光板間に挟持し、第２図（ａ
）に示す駆動波形を印加して、その際の同図（ｂ）に示
される光学応答を評価した。記憶効果の良否は電界印加
時の透過光量（第２図（ｂ）のＩ＋）と電界除去後の透
過光１（第２図（ｂ）の１２）の比Ｉ２／Ｉｔが大きい
程良好であると考えられる。本実施例では２５゛Ｃに於
てＩ２／Ｉ＋＝０．７０、コントラスト比１：１５と良
好であった。
で徐冷した。ここで液晶にはメルク社１ｚＬＩ−３７７
４を用いた。以上の方法で得られた液晶電気光学素子を
偏光軸の互いに直交する偏光板間に挟持し、第２図（ａ
）に示す駆動波形を印加して、その際の同図（ｂ）に示
される光学応答を評価した。記憶効果の良否は電界印加
時の透過光量（第２図（ｂ）のＩ＋）と電界除去後の透
過光１（第２図（ｂ）の１２）の比Ｉ２／Ｉｔが大きい
程良好であると考えられる。本実施例では２５゛Ｃに於
てＩ２／Ｉ＋＝０．７０、コントラスト比１：１５と良
好であった。
【実施例２１
実施例１に示した素子の電極間に±２５ｖ、１５Ｈｚの
交番波形を約１０秒間印加したところ、液晶の配向状態
は、層方向にほぼ垂直な方向に緻密な筋状組織を伴った
ユニフォーム状態を呈した。
交番波形を約１０秒間印加したところ、液晶の配向状態
は、層方向にほぼ垂直な方向に緻密な筋状組織を伴った
ユニフォーム状態を呈した。
この電界処理により、封入冷却時に形成されたジグザグ
欠陥は除去された。該素子を偏光軸の互いに直交する偏
光板間に挟持し、第２図（ａ）に示す駆動波形を印加し
て、その際の同図（ｂ）に示される光学応答を評価した
。本実施例では２５°Ｃに於てＩ２／ＩＩ＝０．９６、
コントラスト比１：３５と良好であった。
欠陥は除去された。該素子を偏光軸の互いに直交する偏
光板間に挟持し、第２図（ａ）に示す駆動波形を印加し
て、その際の同図（ｂ）に示される光学応答を評価した
。本実施例では２５°Ｃに於てＩ２／ＩＩ＝０．９６、
コントラスト比１：３５と良好であった。
１発明の効果１
本発明は上記の構成によって、液晶配向膜の材質と形成
方法を改良して表面物性を制御する事により、上記従来
技術の欠点を解決し、双安定なユニフォーム配向によっ
て良好な記憶効果を持ち、配向欠陥によるコントラスト
低下の少ない優れた液晶電気光学素子を提供する事がで
きた。
方法を改良して表面物性を制御する事により、上記従来
技術の欠点を解決し、双安定なユニフォーム配向によっ
て良好な記憶効果を持ち、配向欠陥によるコントラスト
低下の少ない優れた液晶電気光学素子を提供する事がで
きた。
第１図は本発明実施例の液晶電気光学素子の断面図であ
る。 第２図は本発明の液晶電気光学素子を評価する際に用い
た駆動波形と、対応する光学応答の一例を示す図である
。 １．２．、、上下ガラス基板 ３ ８９．スペーサ ４．５．、、透明電極 ６ ．６．液晶層 ７．８．、、絶縁層 ９、 １０．、、ＬＢ配向膜 １１．１２．、偏光板 ２１ 、、、駆動波形 ２２、、、光学応答 以上
る。 第２図は本発明の液晶電気光学素子を評価する際に用い
た駆動波形と、対応する光学応答の一例を示す図である
。 １．２．、、上下ガラス基板 ３ ８９．スペーサ ４．５．、、透明電極 ６ ．６．液晶層 ７．８．、、絶縁層 ９、 １０．、、ＬＢ配向膜 １１．１２．、偏光板 ２１ 、、、駆動波形 ２２、、、光学応答 以上
Claims (4)
- （１）走査電極群と信号電極群を有する一対の基板間に
強誘電性液晶を挟持して成る液晶電気光学素子に於て、
少なくとも一方の基板上には液晶分子の配列を規制する
為の略配向した高分子薄膜を有する事を特徴とする液晶
電気光学素子。 - （２）上記高分子薄膜がラングミュア−プロジェット法
により形成された事を特徴とする請求項１記載の液晶電
気光学素子。 - （３）上記高分子薄膜を構成する材料が、モノマーユニ
ット中に親水性基と疎水性基を持つ両親媒性高分子化合
物である事を特徴とする請求項１記載の液晶電気光学素
子。 - （４）上記高分子化合物がサーモトロピックな液晶性物
質である事を特徴とする請求項３記載の液晶電気光学素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18538089A JPH0348817A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 液晶電気光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18538089A JPH0348817A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 液晶電気光学素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0348817A true JPH0348817A (ja) | 1991-03-01 |
Family
ID=16169793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18538089A Pending JPH0348817A (ja) | 1989-07-18 | 1989-07-18 | 液晶電気光学素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0348817A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195234A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-14 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | Ｎｍｒ用無線周波コイル |
| JP2002226275A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-08-14 | Osamu Yamanaka | セラミックスおよびその製造方法 |
| KR100621280B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-09-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 강유전체 박막 형성용 조성물, 강유전체 박막 및 강유전체박막의 제조방법 |
-
1989
- 1989-07-18 JP JP18538089A patent/JPH0348817A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6195234A (ja) * | 1984-10-09 | 1986-05-14 | ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ | Ｎｍｒ用無線周波コイル |
| JP2002226275A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-08-14 | Osamu Yamanaka | セラミックスおよびその製造方法 |
| KR100621280B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-09-14 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 강유전체 박막 형성용 조성물, 강유전체 박막 및 강유전체박막의 제조방법 |
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