JPH03156944A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH03156944A JPH03156944A JP29683489A JP29683489A JPH03156944A JP H03156944 A JPH03156944 A JP H03156944A JP 29683489 A JP29683489 A JP 29683489A JP 29683489 A JP29683489 A JP 29683489A JP H03156944 A JPH03156944 A JP H03156944A
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- JP
- Japan
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- pad part
- sense
- analysis
- aluminum
- bonding
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 3
- 238000009966 trimming Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は評価用C以下、センス用と呼ぶ)パットを有
する半導体装置に関するものである。
する半導体装置に関するものである。
従来、半導体チップ上のパット部はセンス部とワイヤー
ポンディング部などを共用していた。
ポンディング部などを共用していた。
このような従来の半導体装置は第3図、第4図に示すよ
うに、半導体チップ上にはワイヤーボンディングをする
目的のみのパットしか備えていなかつ7’(ため、V−
ザートリミング工程やウェハテスト工程などでパットに
)1−ブ針当てをする際かなシハント部を傷付けて、パ
ット部表面のアルミぐずが飛び散#)、メモリセルや周
辺回路をショートさせるなどして、ウェハテストや解析
に支障を来していた。また、ウェハテスト後、アセンブ
リをする際、ハント部が傷付いているため、ワイヤーボ
ンディングの信頼性を損ねてしまうという問題点があっ
た。
うに、半導体チップ上にはワイヤーボンディングをする
目的のみのパットしか備えていなかつ7’(ため、V−
ザートリミング工程やウェハテスト工程などでパットに
)1−ブ針当てをする際かなシハント部を傷付けて、パ
ット部表面のアルミぐずが飛び散#)、メモリセルや周
辺回路をショートさせるなどして、ウェハテストや解析
に支障を来していた。また、ウェハテスト後、アセンブ
リをする際、ハント部が傷付いているため、ワイヤーボ
ンディングの信頼性を損ねてしまうという問題点があっ
た。
この発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので
、他のセンス用パット部を設けて解析やアセンブリ工程
に支障を来さないことを目的としている。
、他のセンス用パット部を設けて解析やアセンブリ工程
に支障を来さないことを目的としている。
〔課題を解決するための手段]
この発明に係る半導体装置は、半導・体チップ上ノハン
ト部をポンデイングバソト部トセンス用パット部に分け
て形成したものである。
ト部をポンデイングバソト部トセンス用パット部に分け
て形成したものである。
この発明における半導体チップ辷のハント部はボンディ
ングパット部とセンス用パット部に分けて形成したので
、レーザー) IJミングやウエハテストや、解析等で
グローブ針当てをする際、センス用パット部にのみプロ
ーブ針当てをすれば、センス用パット部を傷付ける次け
で、ワイヤーボンディングパット部は傷付かず、その後
のアセンフリ工程などワイヤーホンディングが正確に行
なわれ、ボンディング強度などの信頼性が影響を与える
事はない。
ングパット部とセンス用パット部に分けて形成したので
、レーザー) IJミングやウエハテストや、解析等で
グローブ針当てをする際、センス用パット部にのみプロ
ーブ針当てをすれば、センス用パット部を傷付ける次け
で、ワイヤーボンディングパット部は傷付かず、その後
のアセンフリ工程などワイヤーホンディングが正確に行
なわれ、ボンディング強度などの信頼性が影響を与える
事はない。
以F5この発明の一実施例を図について説明する。第1
図、第2図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示
す平面図および断面図である。
図、第2図はこの発明に係る半導体装置の一実施例を示
す平面図および断面図である。
まず、第1図のようにパット部をボンディングバフl一
部(11とセンス用−・ノド部(2)に分ける。
部(11とセンス用−・ノド部(2)に分ける。
第2図は第1図の縦断面構造であるが、従来のものとの
相違はセンス用パット部分(2)の表面を形成するアル
ば(3)を取り除くことにより1表面にポリSi (4
)に形成する。これによってアルミぐずを出さずにすみ
、他の周辺回路やメモリセルをショトさせてチップ自体
を不良にさせることがなくなる。
相違はセンス用パット部分(2)の表面を形成するアル
ば(3)を取り除くことにより1表面にポリSi (4
)に形成する。これによってアルミぐずを出さずにすみ
、他の周辺回路やメモリセルをショトさせてチップ自体
を不良にさせることがなくなる。
なお5図中、(5)は第1のポリSi、+6)はs i
o g s (7)はフィールド酸化膜である。
o g s (7)はフィールド酸化膜である。
以上のようにこの発明によれば、パット部をボンディン
グハント部とセンス用パット部に分けて形成し、しかも
センス用ハント部分の表面構造をアルミ以外で形成すれ
ば、V−ザートリミングやウェハテストでセンス用パッ
ト部にグローブ針当てしてもアルミぐずが出ないため、
周辺回路やメモリセルをショートさせてチップ自体を不
良にさせることがなくなシ解析などに支障をきたさない
などの効果がある。
グハント部とセンス用パット部に分けて形成し、しかも
センス用ハント部分の表面構造をアルミ以外で形成すれ
ば、V−ザートリミングやウェハテストでセンス用パッ
ト部にグローブ針当てしてもアルミぐずが出ないため、
周辺回路やメモリセルをショートさせてチップ自体を不
良にさせることがなくなシ解析などに支障をきたさない
などの効果がある。
第1図はこの発明に係る半導体装置の一実施例の平面図
、第2図は第1図の縦断面図、第3図は従来の半導体装
置の平面図、第4図は第3図の縦断面図である。 図において、(1)はボンディングパン)ffB、+2
1はセンス用パット部、 +3)はアルミ、 +4)は
ポリSi 、 +5)は第1のポリSi、+6)は5t
o2b (71はフィールド酸化膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
、第2図は第1図の縦断面図、第3図は従来の半導体装
置の平面図、第4図は第3図の縦断面図である。 図において、(1)はボンディングパン)ffB、+2
1はセンス用パット部、 +3)はアルミ、 +4)は
ポリSi 、 +5)は第1のポリSi、+6)は5t
o2b (71はフィールド酸化膜を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体チップ上のパット部にボンディングパット部と評
価用パット部を備え、かつ前記評価用パット部をアルミ
以外の導電材料で形成したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29683489A JPH03156944A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29683489A JPH03156944A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03156944A true JPH03156944A (ja) | 1991-07-04 |
Family
ID=17838760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29683489A Pending JPH03156944A (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03156944A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100339414B1 (ko) * | 1999-09-03 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 파워 라인 분석용 패드의 형성 방법 |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP29683489A patent/JPH03156944A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100339414B1 (ko) * | 1999-09-03 | 2002-05-31 | 박종섭 | 반도체 파워 라인 분석용 패드의 형성 방법 |
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