JPH03149896A - 薄膜多層配線回路基板 - Google Patents
薄膜多層配線回路基板Info
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- JPH03149896A JPH03149896A JP28910489A JP28910489A JPH03149896A JP H03149896 A JPH03149896 A JP H03149896A JP 28910489 A JP28910489 A JP 28910489A JP 28910489 A JP28910489 A JP 28910489A JP H03149896 A JPH03149896 A JP H03149896A
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
基板としてガラスやセラミックを用いる薄膜多層配線回
路基板、特にCu−ポリイミド系の薄膜多層配線回路基
板の構成に関し、 製造工程の簡略化と信幀性の向上が可能なCu −ポリ
イミド系薄膜多層配線回路基板の提供を目的とし、 Cuの薄膜からなる導体層とポリイミドからなる絶縁層
が、基板上に交互に積層されてなるCu−ポリイミド系
f!膜多層配線回路基板であって、導体層と絶縁層との
間にTiWからなる密着層を有し、且つ、絶縁層と密着
層との間にCrからなる中間層を介在せしめてなるよう
に構成する。
路基板、特にCu−ポリイミド系の薄膜多層配線回路基
板の構成に関し、 製造工程の簡略化と信幀性の向上が可能なCu −ポリ
イミド系薄膜多層配線回路基板の提供を目的とし、 Cuの薄膜からなる導体層とポリイミドからなる絶縁層
が、基板上に交互に積層されてなるCu−ポリイミド系
f!膜多層配線回路基板であって、導体層と絶縁層との
間にTiWからなる密着層を有し、且つ、絶縁層と密着
層との間にCrからなる中間層を介在せしめてなるよう
に構成する。
本発明は基板としてガラスやセラミックを用いる薄膜多
層配線回路基板に係り、特にCu−ポリイミド系の薄膜
多層配線回路基板の構成に関する。
層配線回路基板に係り、特にCu−ポリイミド系の薄膜
多層配線回路基板の構成に関する。
ガラスやセラミック等を基板とした薄膜多層配線回路基
板は、絶縁性や熱伝導性に優れ半導体集積回路の高密度
実装が可能なことから、近年、大型電子計算機における
メインボード等に利用されるようになうできた。しかし
ガラスエポキシ等を基板とした従来の多層配線回路基板
に比べ、かかる薄膜多層配線回路基板は製造工程が複雑
で歩留りが低く高価である。そこで製造工程の簡略化と
信頼性の向上によるコスト低減が要望されている。
板は、絶縁性や熱伝導性に優れ半導体集積回路の高密度
実装が可能なことから、近年、大型電子計算機における
メインボード等に利用されるようになうできた。しかし
ガラスエポキシ等を基板とした従来の多層配線回路基板
に比べ、かかる薄膜多層配線回路基板は製造工程が複雑
で歩留りが低く高価である。そこで製造工程の簡略化と
信頼性の向上によるコスト低減が要望されている。
第4図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図である。
示す側断面図である。
図において従来のCu−ポリイミ−ド系薄膜多層配線回
路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラスセラミッ
ク等からなる基板l上に、銅(Cu)の薄膜からなる導
体層2とポリイミドからなる絶縁層3とが交互に積層さ
れている。
路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラスセラミッ
ク等からなる基板l上に、銅(Cu)の薄膜からなる導
体層2とポリイミドからなる絶縁層3とが交互に積層さ
れている。
導体層2の両面は厚さ500人程度のクロム(Cr)か
らなる密着層4で被覆されており、両面がCrからなる
密着層4で被覆されたCu薄膜からなる導体層2には、
フォトエッチング法によって各種の導体パターンが形成
されている。
らなる密着層4で被覆されており、両面がCrからなる
密着層4で被覆されたCu薄膜からなる導体層2には、
フォトエッチング法によって各種の導体パターンが形成
されている。
フォトエッチング法によって導体パターンを形成する際
用いるレジストには、高分子量のものほど溶解度が小さ
いことを利用したネガ形レジストと、露光により生じた
ケテンがアルカリ水溶液に溶けることを利用したポジ形
レジストがあり、薄膜多層配線回路基板の製造では一般
にネガ形レジストによるエッチングより、ポジ形レジス
トによるエッチングの方が製造工程を簡略化できる。
用いるレジストには、高分子量のものほど溶解度が小さ
いことを利用したネガ形レジストと、露光により生じた
ケテンがアルカリ水溶液に溶けることを利用したポジ形
レジストがあり、薄膜多層配線回路基板の製造では一般
にネガ形レジストによるエッチングより、ポジ形レジス
トによるエッチングの方が製造工程を簡略化できる。
しかし両面がCrからなる密着層4で被覆されたCui
l膜からなる導体層2は、ポジ形レジストを用い酸素系
エッチング液でエッチングするとオーバーエッチングが
激しい、そこで従来の薄膜多層配線回路基板では導体パ
ターン形成時に、ネガ形レジストを用いてアルカリ系エ
ッチング液でエッチングしており、その結果、製造工程
の簡略化が阻害されるという問題があった。
l膜からなる導体層2は、ポジ形レジストを用い酸素系
エッチング液でエッチングするとオーバーエッチングが
激しい、そこで従来の薄膜多層配線回路基板では導体パ
ターン形成時に、ネガ形レジストを用いてアルカリ系エ
ッチング液でエッチングしており、その結果、製造工程
の簡略化が阻害されるという問題があった。
またC「からな名膜は密着層として優れているが膜応力
が太きく、膜厚が大きくなるとポリイミドからなる絶縁
層に亀裂が生じるため、適切な密着層を形成するための
膜厚管理が極めて困難であり、しかも酸に弱いため最上
層パターンを保護膜で被覆しなければならないという問
題があった。
が太きく、膜厚が大きくなるとポリイミドからなる絶縁
層に亀裂が生じるため、適切な密着層を形成するための
膜厚管理が極めて困難であり、しかも酸に弱いため最上
層パターンを保護膜で被覆しなければならないという問
題があった。
本発明の目的は製造工程の簡略化と信頼性の向上が可能
なCu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板を掛供する
ことにある。、− 〔課題を解決するための手段〕 第1図は本発明になるfIm多層配線回路基板の層構成
を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対象物は同
一記号で表している。
なCu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板を掛供する
ことにある。、− 〔課題を解決するための手段〕 第1図は本発明になるfIm多層配線回路基板の層構成
を示す側断面図である。なお全図を通し同じ対象物は同
一記号で表している。
上記課題はCuの薄膜からなる導体層2とポリイミドか
らなる絶縁層3が、基板l上に交互に積層されてなるC
u−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であって、導体
層2と絶縁層3との間にTiWからなる密着層5を有し
、且つ、絶縁層3と密着層5との間にCrからなる中間
層6を、介在せしめてなる本発明のEll!多層配線回
路基板によって達成される。
らなる絶縁層3が、基板l上に交互に積層されてなるC
u−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であって、導体
層2と絶縁層3との間にTiWからなる密着層5を有し
、且つ、絶縁層3と密着層5との間にCrからなる中間
層6を、介在せしめてなる本発明のEll!多層配線回
路基板によって達成される。
第1図において導体層と絶縁層との間にTiWからなる
密着層を設けることによって、導体パターン形成時にポ
ジ形レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と
密着層との間にCrからなる中間層を介在せしめること
によって、TiWからなる密着層の絶縁層に対する密着
性を大幅に高めることができる。しかち密着層の膜応力
低減と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図るこ
とができる。即ち、薄膜多層配線回路基板における製造
工程が簡略化され信頼性が向上する。
密着層を設けることによって、導体パターン形成時にポ
ジ形レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と
密着層との間にCrからなる中間層を介在せしめること
によって、TiWからなる密着層の絶縁層に対する密着
性を大幅に高めることができる。しかち密着層の膜応力
低減と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図るこ
とができる。即ち、薄膜多層配線回路基板における製造
工程が簡略化され信頼性が向上する。
以下添付図により本発明の実施例について詳細に説明す
る。第2図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第
3図は本発明の一実施例を示す図である。
る。第2図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第
3図は本発明の一実施例を示す図である。
第1図において本発明になるCu−ポリイミド系iin
多層配線回路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラ
スセラミック等からなる基板l上に、Cuの薄膜からな
る導体層2とポリイミドからなる絶縁層3とが交互に積
層されており、導体層2の両面は厚さ500〜1000
人程度のTiWからなる密着層5で被覆されている。
多層配線回路基板は、ガラス、セラミック、或いはガラ
スセラミック等からなる基板l上に、Cuの薄膜からな
る導体層2とポリイミドからなる絶縁層3とが交互に積
層されており、導体層2の両面は厚さ500〜1000
人程度のTiWからなる密着層5で被覆されている。
両面がTiWからなる密着層5で被覆されたCu薄膜か
らなる導体層−2は、ポジ形レジストを用い酸素系エッ
チング液でエッチングしても、密着層5の耐酸性が優れ
ているためオーバーエッチングは僅少である。またTi
Wからなる膜は膜応力が小さく膜厚が大きくなっても絶
縁層に亀裂が生じない。
らなる導体層−2は、ポジ形レジストを用い酸素系エッ
チング液でエッチングしても、密着層5の耐酸性が優れ
ているためオーバーエッチングは僅少である。またTi
Wからなる膜は膜応力が小さく膜厚が大きくなっても絶
縁層に亀裂が生じない。
しかも耐酸性に優れているため最上層パターンの保護膜
は不要になる。
は不要になる。
第2図はスクラッチ法により測定した膜の密着強度を示
す図で、縦軸の密着強度は試験針に掛かる力の大きさを
表している。5〜20%のTiと残りがWからなる膜の
ポリイミドに対する密着強度は、図示の如く250〜3
80gでCrからなる膜の密着強度550〜650gに
比べ小さいが、ポリイミドとの間に10〜50人のCr
からなる膜を設けることにより、第2図に示す如くCr
からなる膜の密着強度とほぼ同等にまで高めることがで
きる。
す図で、縦軸の密着強度は試験針に掛かる力の大きさを
表している。5〜20%のTiと残りがWからなる膜の
ポリイミドに対する密着強度は、図示の如く250〜3
80gでCrからなる膜の密着強度550〜650gに
比べ小さいが、ポリイミドとの間に10〜50人のCr
からなる膜を設けることにより、第2図に示す如くCr
からなる膜の密着強度とほぼ同等にまで高めることがで
きる。
そこで本発明になる基板はTiWからなる密着層5とポ
リイミドからなる絶縁層3との間に、厚さ10〜50人
のCrからなる中間層6が設けられている。
リイミドからなる絶縁層3との間に、厚さ10〜50人
のCrからなる中間層6が設けられている。
なおCrからなる中間層6は従来のCrからなる密着層
に比べて極く薄く、TiWからなる密着層の特徴である
優れた耐酸性等を損なうことはない。
に比べて極く薄く、TiWからなる密着層の特徴である
優れた耐酸性等を損なうことはない。
本発明になるCu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板
の一実施例は、第3図に示す如く絶縁層3の上に直接密
着層5が形成されている。TiWからなる膜はCrから
なる膜に比ベポリイミドに対する密着強度が小さい、し
かし逆スパッタ等によって絶縁層の表面を活性化するこ
とによって、TiWからなる膜の密着強度をCrからな
る膜と同等まで高めることができる。そこでCrからな
る中間層6を省略し工程の一層の簡略化を図っている。
の一実施例は、第3図に示す如く絶縁層3の上に直接密
着層5が形成されている。TiWからなる膜はCrから
なる膜に比ベポリイミドに対する密着強度が小さい、し
かし逆スパッタ等によって絶縁層の表面を活性化するこ
とによって、TiWからなる膜の密着強度をCrからな
る膜と同等まで高めることができる。そこでCrからな
る中間層6を省略し工程の一層の簡略化を図っている。
このように導体層と絶縁層との間にTiWからなる密着
層を設けることによって、導体パターン形成時にポジ形
レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と密着
層との間にCrからなる中間層を介在せしめることによ
って、TiWからなる密着層の絶縁層に対する密着性を
大幅に高めることができる。しかも密着層の膜応力低減
と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図ることが
できる。
層を設けることによって、導体パターン形成時にポジ形
レジストによるエッチングが可能になり、絶縁層と密着
層との間にCrからなる中間層を介在せしめることによ
って、TiWからなる密着層の絶縁層に対する密着性を
大幅に高めることができる。しかも密着層の膜応力低減
と耐酸性の強化が可能になり信頼性の向上を図ることが
できる。
即ち、薄膜多層配線回路基板における製造工程が簡略化
され信頼性が向上する。
され信頼性が向上する。
上述の如く本発明によれば製造工程の簡略化と信頼性の
向上が可能な、Cu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基
板を提供することができる。
向上が可能な、Cu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基
板を提供することができる。
第1図は本発明になる薄膜多層配線回路基板の層構成を
示す側断面図、 第2図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第3図
は本発明の一実施例を示す図、 第4図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図、 である。図において lは基板、 2は導体層、 3は絶縁層、 5は密着層、 6は中間層、 をそれぞれ表す。 本発明になる専腰多層記線回路基板のJIIil#Lと
示す側断面図v11 目 ド ド ト 金属層とポリイミドの嘗@姓を示す図 本発明の一実施例を示す図 第 3 目 ! W薄膜多層色沫組勇展5I反にお【する肩構戚と示す暑
相m石図第4図
示す側断面図、 第2図は金属層とポリイミドの密着性を示す図、第3図
は本発明の一実施例を示す図、 第4図は従来の薄膜多層配線回路基板における層構成を
示す側断面図、 である。図において lは基板、 2は導体層、 3は絶縁層、 5は密着層、 6は中間層、 をそれぞれ表す。 本発明になる専腰多層記線回路基板のJIIil#Lと
示す側断面図v11 目 ド ド ト 金属層とポリイミドの嘗@姓を示す図 本発明の一実施例を示す図 第 3 目 ! W薄膜多層色沫組勇展5I反にお【する肩構戚と示す暑
相m石図第4図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 銅(Cu)の薄膜からなる導体層(2)とポリイミド
からなる絶縁層(3)が、基板(1)上に交互に積層さ
れてなるCu−ポリイミド系薄膜多層配線回路基板であ
って、 該導体層(2)と該絶縁層(3)との間にチタンタング
ステン(Ti W)からなる密着層(5)を有し、且つ
、該絶縁層(3)と該密着層(5)との間にクロム(C
r)からなる中間層(6)を、介在せしめてなることを
特徴とする薄膜多層配線回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28910489A JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28910489A JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03149896A true JPH03149896A (ja) | 1991-06-26 |
Family
ID=17738844
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28910489A Pending JPH03149896A (ja) | 1989-11-07 | 1989-11-07 | 薄膜多層配線回路基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03149896A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677651A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 回路基板 |
CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
-
1989
- 1989-11-07 JP JP28910489A patent/JPH03149896A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0677651A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Kyocera Corp | 回路基板 |
CN115279042A (zh) * | 2022-07-26 | 2022-11-01 | 江苏富乐华半导体科技股份有限公司 | 一种化学镀镍金dpc陶瓷基板制备方法 |
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