JP2005093502A - 半導体装置用テープキャリア - Google Patents
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Abstract
【課題】吸湿防止効果に優れ、吸湿による寸法変化のない半導体装置用テープキャリアを提供すること。
【解決手段】ポリイミドフィルム1の両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜6として、Siの酸化物、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜6上にCu層4を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】ポリイミドフィルム1の両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜6として、Siの酸化物、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜6上にCu層4を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置用テープキャリア、とくにCOF用として適したテープキャリアに関するものである。
従来、TAB(Tape Automated Bonding)テープキャリアとしては、銅箔、接着剤、ベースフィルムの3層からなる3層TABテープキャリアと、銅箔とベースフィルムのみからなる無接着剤型の2層TABテープキャリアとの2つがある。このうち、2層TABテープキャリアは接着剤がないため、テープキャリアがしなやかであること、微細配線の形成が容易なこと等の特長があり、高密度LSIパッケージ用途に向くため、今後の伸長が期待されている。 最近では、ベースフィルム上に所望の配線パターンを形成し、めっき後絶縁テープを介してチップと接合するCOF(Chip On Film)と称されるパッケージに適用されている。
ここで、注意すべきことは、一般に導体層の数を表わす「2層配線TABテープキャリア」、「3層配線TABテープキャリア」等を混同してはならないということである。「3層TABテープキャリア」の「3層」とは、導体と接着剤と絶縁体の3層により1配線層を持つ構造を構築することを意味し、「2層TABテープキャリア」の「2層」とは、前記「3層」から接着剤を除いた2層により1配線層を持つ構造を構築することを意味する。従って、3層TABテープキャリアも2層TABテープキャリアも、共に「1層配線TABテープ又は片面銅貼り1層CCL(Copper Clad Laminate)テープ」と称される。これに対し、高周波特性を改善する接地を目的として他方の片面にも銅箔層を設けたもの、すなわちベースフィルムの両面に配線層の存するタイプは2層配線TABテープキャリア(両面銅貼り2層CCLテープキャリア)と称される。
上記TABテープキャリアを、その銅箔層の設け方を加味して分類すると、次のようになる。
(1)図4(a)に示すように、接着剤3を塗布したポリイミドフィルム1にCu箔2をラミネートした構造の1層配線TABテープキャリア(接着剤使用の片面銅貼り1層CCLテープ)。
(2)図4(b)に示すように、Cu箔2にポリイミドワニスをキャスティングし、キュアにより硬化させる方法(キャスティング法)により、ポリイミドフィルム1を設けた構造の1層配線TABテープキャリア(接着剤レス片面銅箔1層CCLテープ)。代表的なものとして新日鉄化学製の商品名エスパネックスがある。
(3)図4(c)に示すように、ポリイミドフィルム1に第一層のCuやニッケル合金をスパッタリングしてシード層とし、さらに第二層のCu層を電気めっきする方法(メタライジング法)で、ポリイミドフィルム1にCu層4を形成した構造の1層配線TABテープキャリア(接着剤レス片面銅箔1層CCLテープ)。代表的なものに住友金属鉱山製のエスパーフレックス、東洋メタライジング製のメタロイヤルの3種類がある。
テープ基材であるポリイミドフィルムは、周囲環境の湿度により吸湿膨張を起こし、リードピッチの寸法変化を起こすことが知られており、湿度条件によっては累積ピッチの精度が規定の値を外れる場合がある。この対策として、従来、キャリアを温度30℃以上、相対湿度(RH)30〜70%の環境条件に保持する方法(特開平9−205118号公報:特許文献1参照)や、吸湿そのものを無くす方法として、絶縁基材たるポリイミドフィルムの裏面側に、パターニングされた金属層から成る裏面パターンを設けることが知られている(特開2003−68804号公報:特許文献2参照)。
一方、2層TABテープキャリア(接着剤レス片面銅箔1層CCLテープ)の場合には、テープキャリアがしなやかで微細配線の形成が容易である等の特長がある反面、接着剤がないことから、金属層がポリイミドフィルムから剥離するという独特の問題がある。そこで、高温時における接着力の低下を防止して、金属層がポリイミドフィルムから剥離する問題を解決する手段として、ポリイミドフィルムの主面上に下地金属の薄膜と銅の薄膜を順次形成する一方で、当該ポリイミドフィルムのもう一方の主面上に酸素透過率の少ない薄膜を形成することが提案されている(特許文献3参照)。
特開平9−205118号公報
特開2003−68804号公報
特開平6−29634号公報
しかしながら、特許文献1の方法は吸湿が生じてしまった基板を所定の環境下に保持するものであり、一定の時間の経過を必要とする。また、特許文献2のテープキャリアでは、絶縁基材たるポリイミドフィルムの裏面側にのみ、パターニングされた金属層から成る裏面パターンを設けているにすぎない。
上記した2層TABテープキャリア(接着剤レス片面銅箔1層CCLテープ)を材料として配線を形成する場合には、そのCu層をエッチングで除去して所定の配線パターンを形成する。その場合当然のことながら、配線のない部分はポリイミドフィルムが露出することになる。
上記のようにして配線パターンを形成した配線テープは、実使用環境に置かれた場合、大気中の水分を裏面側からポリイミドフィルムが吸収するだけでなく、配線パターンの形成された表面側からも、露出した部分からポリイミドフィルムが吸収する。その結果、吸湿によってポリイミドフィルムの膨張が起こり、配線パターンの寸法変化、配線テープの形状変化(伸縮)が発生する。このような寸法、形状の変化は特に、配線パターンのピッチが30μmピッチ以下の場合に部品搭載時の障害となる。従って、吸湿による寸法変化のない配線テープの提供が望まれている。
よって、上記吸湿防止という観点からは、特許文献2のように2層TABテープキャリアの裏面側だけに、吸湿防止効果のある膜を設けるだけでは不十分である。
また、特許文献3では、高温時における接着力の低下を防止することを目的としているため、片面のみ(Cu層のない面)に酸素透過率の少ない薄膜を形成しておくだけで目的を達成できるが、吸湿防止という観点からは、かかる膜を片面に設けるだけでは十分な効果が得れない。
要するに、従来技術の配線テープは、いずれも吸湿防止効果の観点からは効果が十分に検討されていないものであり、より吸湿防止効果に優れ、従って吸湿による寸法変化のない半導体装置用テープキャリアの提供が望まれている。
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、吸湿防止効果に優れ、吸湿による寸法変化のない半導体装置用テープキャリアを提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
請求項1の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜としてSiの酸化物の膜を被覆し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする。
ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物の膜を被覆し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成したことを特徴とする。
請求項2の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物の膜を被覆し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする。
請求項3の発明に係る半導体装置用テープキャリアは、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、Siの酸化物、AlN、Al2O3又はこれらの複合化合物から成る膜を2以上組み合わせて成る積層膜を設け、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、上記電気絶縁性の無機化合物膜の厚さを50nm〜1000nmとしたことを特徴とする。
<発明の要点>
本発明によれば、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、Siの酸化物、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成したので、ポリイミドフィルムの裏面側(配線パターンの存しない側)からだけでなく、表面側(配線パターンの存する側)からの吸湿をも有効に防止することができる。従って、吸湿による配線パターンの寸法変化(伸縮)を従来よりも減少させ、部品搭載時の障害をなくすことができる。
本発明によれば、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、Siの酸化物、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成したので、ポリイミドフィルムの裏面側(配線パターンの存しない側)からだけでなく、表面側(配線パターンの存する側)からの吸湿をも有効に防止することができる。従って、吸湿による配線パターンの寸法変化(伸縮)を従来よりも減少させ、部品搭載時の障害をなくすことができる。
また、ポリイミドフィルム中に吸湿された水分が、はんだリフロー時の加熱によって急激に蒸発、膨張して、Cu配線やソルダーレジストとポリイミドフィルム間に剥離を生じさせる現象を防止することも出来る。
以上説明したように本発明によれば、次のような優れた効果が得られる。
本発明によれば、ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、Siの酸化物、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物あるいは積層膜を形成し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層を形成し、該Cu層を所定の配線パターンに形成したので、ポリイミドフィルムの裏面側(配線パターンの存しない側)からだけでなく、表面側(配線パターンの存する側)からの吸湿をも有効に防止することができる。従って、吸湿による配線パターンの寸法変化(伸縮)を減少させ、部品搭載時の障害をなくすことができる。例えば、ICドライバーをCOFテープに接合する際のピッチズレによる接合不良を大幅に低減できる。
また、ポリイミドフィルム中に吸湿された水分が、はんだリフロー時の加熱によって急激に蒸発、膨張してCu配線やソルダーレジストとポリイミドフィルム間に剥離を生じさせる現象を防止することも出来る。
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
図1において、1は絶縁性ベース基材としてのポリイミドフィルムであり、このポリイミドフィルム1の両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜6を被覆し、その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上に、スパッタリングによってNi−Cr合金層5を下地のシード層として形成した上で、めっきによってCu層4を形成している。
このCu層をエッチングにより除去して、高密度ピッチ間隔の微細インナーリード等を含む所定の配線パターン8(図3参照)を形成し、COF用TAB配線テープ(半導体装置用テープキャリア)を構成する。
このCOF用TABテープは、デバイスホールやフライングリードがなく、銅箔による銅リード及びインナーリードを含む微細配線(配線パターン)はポリイミドテープに接合された状態で形成される。従って、インナーリードの変形は無く、また銅箔は薄いので40μmピッチ以下の超微細配線が可能になる。なお、銅リードの表面の一部を残してソルダーレジストにより被覆し、これに被覆されずに露出しているインナーリードに錫めっきを施した構造とする。この錫めっきはICチップ及び液晶ガラスとの接続の為に施され、またソルダーレジストは絶縁と機械的強度向上の為に設けられる。
このように構成されたCOF用テープキャリアは、例えば液晶用及びCSP(Chip Scale Package)用TABテープとして、又はプリンタ用あるいはLCD(Liquid Crystal Display:液晶表示装置)用TABテープとして、使用するのに適する。
上記のようにポリイミドフィルム1の両面に電気絶縁性の無機化合物膜6をコーティングするのは、これにより水分がポリイミドフィルム内に浸入することを防止するためである。この目的を達成し得る電気絶縁性の無機化合物膜6としては、Siの酸化物(たとえばSiO2、SiO)や、AlN、Al2O3の単体の化合物や、これらの複合化合物や、これらを積層した薄膜が適している。
その理由として、これらの化合物は、電気絶縁性、透明性に優れ、且つ水分の浸入を防止するバリア特性に優れている。またポリイミドフィルム1上への薄膜形成が、スパッタリング、真空蒸着、CVD、プラズマCVDといった手段によって、容易に実現しうるからである。
上記電気絶縁性の無機化合物膜6の薄膜の厚さとしては、50nm〜1000nmが必要であり、特に100nm〜1000nmが最適である。50nm未満では薄膜の構造が不完全で微小なピンホールが存在するため、水分の浸入の防止効果が不充分であり、安全には100nm以上を確保するのが良い。また、厚さが1000nm以上では薄膜の剛性が大きくなり、フィルムのフレキシビリティーが損なわれ、また曲げ加工の際に薄膜部にクラックが発生し、防湿効果が損なわれる。
上記電気絶縁性の無機化合物膜6の薄膜をポリイミドフィルム1の表面に形成する方法としては、スパッタリング、真空蒸着、CVD、プラズマCVDなど、いずれの方法も適用することができる。またポリイミドフィルム1とこれら膜6の密着性を高めるために、ポリイミドフィルム1の表面に対し、プラズマ処理、コロナ処理、イオン照射などの処理を施すことは有効である。
<実施例1>
宇部興産製の厚さ25μmのユーピレックスSの両面に、スパッタリングによってSiO2薄膜(無機化合物膜6)を作成した。試作例として、薄膜の厚さを表1に示すように、0nmとしたもの(従来例)、5〜2000nmと変化させたもの(実施例)を作成した。それらの片側の表面に、Ni−20wt%Cr合金層5を厚さ10nmスパッタリングで形成し、さらにCu層を2μmスパッタリングで形成し、その上にさらに電気めっきによって6μmのCu層4を作成した。このCu層付きポリイミドフィルムの構造を図1に示す。
宇部興産製の厚さ25μmのユーピレックスSの両面に、スパッタリングによってSiO2薄膜(無機化合物膜6)を作成した。試作例として、薄膜の厚さを表1に示すように、0nmとしたもの(従来例)、5〜2000nmと変化させたもの(実施例)を作成した。それらの片側の表面に、Ni−20wt%Cr合金層5を厚さ10nmスパッタリングで形成し、さらにCu層を2μmスパッタリングで形成し、その上にさらに電気めっきによって6μmのCu層4を作成した。このCu層付きポリイミドフィルムの構造を図1に示す。
このCu層付きポリイミドフィルム(図2(a))のCu層を、通常のフォトレジスト塗布、露光、現像、エッチングによって配線パターン8を形成し、フレキシブル配線基板を作成した。製造工程を図2に、また完成品の図3に示す。
すなわち、図1のCu層付きポリイミドフィルムを用意し(図2(a))、そのCu層4の上にフォトレジスト7を塗布し(図2(b))、露光、現像し(図2(c))、エッチングし(図2(d))、フォトレジスト7を剥離すること(図2(e))によって、微細リード9を含む配線パターン8を形成し、図3に断面構造を示すCOF用TABテープを作成した。
この試作品の基板(COF用TABテープ)を、温度25℃、相対湿度80%の恒温恒湿槽に入れて吸湿させた。吸湿後の重量変化および寸法変化を測定した。その結果を表1に示す。
詳述するに、SiO2薄膜(無機化合物膜6)が設けられていない従来例(膜厚が0nm)の場合には、120時間吸湿後の重量変化が1.28(wt%)、寸法変化が0.117(%)であるのに対し、本発明に従い、SiO2薄膜を設けた場合には、これを僅か5nmの厚さで設けただけで、120時間吸湿後の重量変化は0.6(wt%)、寸法変化が0.029(%)と激減する。また、この重量変化の低減効果は100nmまでは、SiO2薄膜を厚くするほど有効であるが、100nmでほぼ飽和状態となり、それより厚くしても低減効果に変化はない。
また、寸法変化の低減効果は50nmまでは、SiO2薄膜を厚くするほど有効であり、50nmで寸法変化がゼロとなり、それより厚くしても低減効果に変化はない。
従って、SiO2薄膜の厚さは50nm以上とすれば寸法変化をゼロとすることができ、また、100nm以上とすればそれ以上の厚さで設けたのと同じ重量変化低減効果(重量変化0.01(wt%))を得ることができる。
上記表2中に、上記試料を180°密着曲げ(「はぜ折り」と称する)を1回行った後、上記と同じ条件で吸湿試験を行い、重量変化、寸法変化を測定した結果を示す。
SiO2薄膜(無機化合物膜6)が設けられていない従来例(膜厚が0nm)の場合には、はぜ折りした120時間吸湿後の重量変化が1.31(wt%)であるのに対し、本発明に従い、SiO2薄膜を設けた場合には、これを僅か5nmの厚さで設けただけで、はぜ折りした120時間吸湿後の重量変化は0.6(wt%)と激減する。また、この重量変化の低減効果は100nmまでは、SiO2薄膜を厚くするほど有効であるが、100nmでほぼ飽和状態となり、800nmより再び増加傾向を示し、1000nmでは0.02nmに留まっているが、2000nm以上では0.7(wt%)と大きな値になる。
これはSiO2厚さが1000nmを超えると、はぜ折りの際に曲げ変形によってSiO2層にクラックが発生するため、吸湿量が増加し、寸法変化も増加するためである。
よって、はぜ折りの場合を加味すると、SiO2薄膜(無機化合物膜6)の厚さは、50nm〜1000nmが好ましく、特には100nm〜1000nmが好ましい。
このSiO2薄膜(無機化合物膜6)の厚さが50nm〜1000nmという条件の下で、本実施例によって作成されたCu層付きポリイミドフィルムを用いて製作した最小配線ピッチ20μmのCOF(Chip On Film)用配線テープは、そのドライバーICとの接合部の寸法変化率が0.01%であり、従来のCu層付きポリイミドフィルム(エスパーフレックス)を使用したものが0.05%であるのに比べて、非常に小さい。これはICドライバーをCOFテープに接合する際のピッチズレによる接合不良を大幅に低減できることを意味する。
<他の実施例、変形例>
(1)上記実施例では無機化合物としてSiO2を選択したが、SiO、Al2O3、AlNあるいはこれらの複合化合物、積層膜でも同様の効果が得られる。
(1)上記実施例では無機化合物としてSiO2を選択したが、SiO、Al2O3、AlNあるいはこれらの複合化合物、積層膜でも同様の効果が得られる。
(2)上記実施例では片面配線基板について示したが、本発明はポリイミドフィルムの両面に導体層の存する2層配線TABテープキャリア(両面銅貼り2層CCLテープキャリア)についても適用することができる。この場合も、無機化合物はポリイミドフィルムの両面に形成されるので、上記同様の吸湿防止効果が得られる。
(3)ポリイミドフィルムの両面にCu層を形成したCu層付きポリイミドフィルムについて実施したが、ポリイミドフィルムの両面に無機化合物層を形成したフィルムを使用し、接着材をラミネート、Cu箔をラミネートするTABテープにも適用可能である。この場合にも同様に無機化合物層がポリイミドフィルムの吸湿を防止するため、吸湿が少なく、寸法変化の少ないTABテープを得ることが可能である。
1 ポリイミドフィルム
2 Cu箔
3 接着剤
4 Cu層
5 合金層
6 無機化合物膜
7 フォトレジスト
8 配線パターン
9 リード
2 Cu箔
3 接着剤
4 Cu層
5 合金層
6 無機化合物膜
7 フォトレジスト
8 配線パターン
9 リード
Claims (4)
- ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜としてSiの酸化物の膜を被覆し、
その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 - ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、AlN、Al2O3単体又はこれらの複合化合物の膜を被覆し、
その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 - ポリイミドフィルムの両側の表面に、電気絶縁性の無機化合物膜として、Siの酸化物、AlN、Al2O3又はこれらの複合化合物から成る膜を2以上組み合わせて成る積層膜を設け、
その少なくとも片面側の上記無機化合物膜上にCu層の配線パターンを形成したことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。 - 請求項1〜3のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
上記電気絶縁性の無機化合物膜の厚さを50nm〜1000nmとしたことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
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---|---|---|---|---|
JP2007073935A (ja) * | 2005-08-10 | 2007-03-22 | Seiko Instruments Inc | 回路基板とその製造方法、及び半導体装置 |
JP2008218806A (ja) * | 2007-03-06 | 2008-09-18 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009016751A (ja) * | 2007-07-09 | 2009-01-22 | Sharp Corp | テープキャリア及び半導体装置の製造方法 |
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