JPH03136392A - 混成集積回路 - Google Patents
混成集積回路Info
- Publication number
- JPH03136392A JPH03136392A JP27683589A JP27683589A JPH03136392A JP H03136392 A JPH03136392 A JP H03136392A JP 27683589 A JP27683589 A JP 27683589A JP 27683589 A JP27683589 A JP 27683589A JP H03136392 A JPH03136392 A JP H03136392A
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- JP
- Japan
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- metal frame
- frame
- elements
- heat radiation
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランスファーモールドタイプの混成集積回
路(以下、ハイブリッドIC)に関し、特に複数の高電
力素子(以下、Po素子)を搭載したハイブリッドIC
に関する。
路(以下、ハイブリッドIC)に関し、特に複数の高電
力素子(以下、Po素子)を搭載したハイブリッドIC
に関する。
従来、この種のハイブリッドICは、第3図(a)、(
b)に示すように複数のPo素子7を搭載していること
から、Pa素子相互の絶縁性を確保するため、配線基板
5上にダイボンディングした構造となっていた。
b)に示すように複数のPo素子7を搭載していること
から、Pa素子相互の絶縁性を確保するため、配線基板
5上にダイボンディングした構造となっていた。
上述した従来のハイブリッドICは、Po素子が配線基
板上にグイボンディングされていたなめ、放熱特性が十
分に得られないという欠点があった。
板上にグイボンディングされていたなめ、放熱特性が十
分に得られないという欠点があった。
本発明は、金属フレームと配線基板と各種半導体部品か
らなるトランスファーモールド型混成集積回路において
、金属フレームを分割し複数の高電力素子を金属フレー
ムに直接搭載し、かつモールド樹脂外部に金属フレーム
を露出させたことを特徴とする。
らなるトランスファーモールド型混成集積回路において
、金属フレームを分割し複数の高電力素子を金属フレー
ムに直接搭載し、かつモールド樹脂外部に金属フレーム
を露出させたことを特徴とする。
次に、本発明↓こついて図面を参照して説明する。第1
図は、本発明の一実施例を示す立体図であり、第2図は
第1図のAA’断面図である。図に示すように、直接P
o素子7がダイボンディングされる金属フレーム1と各
種半導体部品6を搭載した配線基板5を搭載するため金
属フレーム1′とを有し、Po素子7の放熱特性を向上
させるため、Po素子7がダイボンディングされている
金属フレーム1を外装樹脂3より露出させ放熱板兼用と
している。
図は、本発明の一実施例を示す立体図であり、第2図は
第1図のAA’断面図である。図に示すように、直接P
o素子7がダイボンディングされる金属フレーム1と各
種半導体部品6を搭載した配線基板5を搭載するため金
属フレーム1′とを有し、Po素子7の放熱特性を向上
させるため、Po素子7がダイボンディングされている
金属フレーム1を外装樹脂3より露出させ放熱板兼用と
している。
以上説明したように本発明は、金属フレームを分割する
ことにより金属フレームに直接P。素子をダイボンディ
ングし、複数のP、素子搭載を可能とすると共に、Po
素子を直接ダイボンディングした金属フレームを外装樹
脂外部に露出させているので、放熱特性を良好にする効
果がある。
ことにより金属フレームに直接P。素子をダイボンディ
ングし、複数のP、素子搭載を可能とすると共に、Po
素子を直接ダイボンディングした金属フレームを外装樹
脂外部に露出させているので、放熱特性を良好にする効
果がある。
ハイブリッドICの断面図である。
1.1′・・・金属フレーム、2・・・リード端子、3
・・外装樹脂、4・・・金属細線、5・・・配線基板、
6半導体部品、7・・・高電力素子。
・・外装樹脂、4・・・金属細線、5・・・配線基板、
6半導体部品、7・・・高電力素子。
Claims (1)
- 金属フレームと配線基板と各種半導体部品からなるト
ランスファーモールド型混成集積回路において、金属フ
レームを分割し複数の高電力素子を金属フレームに直接
搭載し、かつモールド樹脂外部に金属フレームを露出さ
せたことを特徴とする混成集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27683589A JPH0693533B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 混成集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27683589A JPH0693533B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 混成集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03136392A true JPH03136392A (ja) | 1991-06-11 |
JPH0693533B2 JPH0693533B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=17575068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27683589A Expired - Lifetime JPH0693533B2 (ja) | 1989-10-23 | 1989-10-23 | 混成集積回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0693533B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005007208A1 (ja) | 2003-07-17 | 2005-01-27 | Gunze Limited | 自動縫合器用縫合補綴材 |
-
1989
- 1989-10-23 JP JP27683589A patent/JPH0693533B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005007208A1 (ja) | 2003-07-17 | 2005-01-27 | Gunze Limited | 自動縫合器用縫合補綴材 |
US8177797B2 (en) | 2003-07-17 | 2012-05-15 | Gunze Limited | Suture reinforement material for automatic suturing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0693533B2 (ja) | 1994-11-16 |
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