JP3012571B2 - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JP3012571B2 JP3012571B2 JP9256996A JP25699697A JP3012571B2 JP 3012571 B2 JP3012571 B2 JP 3012571B2 JP 9256996 A JP9256996 A JP 9256996A JP 25699697 A JP25699697 A JP 25699697A JP 3012571 B2 JP3012571 B2 JP 3012571B2
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- Japan
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄装置に関し、
特に、高圧水を用いた洗浄装置に関する。
特に、高圧水を用いた洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に使用されるフォトマ
スクやウェーハを純水洗浄する場合、純水をノズルから
高圧噴射し、ウェーハ表面に吹き付けている。この純水
は、１５ＭΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有しており、８０〜
１００ｋｇ・ｃｍ-2 の圧力でウェーハ表面に吹き付け
られると、ウェーハ表面の酸化シリコン膜などの絶縁膜
と純水の接触により、静電気が発生してウェーハ表面が
帯電し、数キロボルト以上の電位になる。この静電気に
より、半導体装置の特性が所期のものからずれたり、破
壊されたりする不具合が発生する。例えば、ＭＯＳトラ
ンジスタの形成後に純水洗浄を行うと、ゲート絶縁膜が
破壊されてしまい易い。
スクやウェーハを純水洗浄する場合、純水をノズルから
高圧噴射し、ウェーハ表面に吹き付けている。この純水
は、１５ＭΩ・ｃｍ以上の抵抗率を有しており、８０〜
１００ｋｇ・ｃｍ-2 の圧力でウェーハ表面に吹き付け
られると、ウェーハ表面の酸化シリコン膜などの絶縁膜
と純水の接触により、静電気が発生してウェーハ表面が
帯電し、数キロボルト以上の電位になる。この静電気に
より、半導体装置の特性が所期のものからずれたり、破
壊されたりする不具合が発生する。例えば、ＭＯＳトラ
ンジスタの形成後に純水洗浄を行うと、ゲート絶縁膜が
破壊されてしまい易い。
【０００３】その第１の対策として、２酸化炭素をバブ
リングして、純水に炭酸（Ｈ2 ＣＯ3 ）を溶け込まして
弱酸性にしその抵抗率を１００ｋΩ・ｃｍ程度にして、
静電気の発生を抑制する手法が行われている。これによ
り帯電による電圧は、数十〜数百ボルトにすることがで
きるが、半導体装置の高集積化に伴い、ゲート酸化膜の
厚さが１５ｎｍ以下に薄くなると、絶縁破壊を防止する
のは困難である。
リングして、純水に炭酸（Ｈ2 ＣＯ3 ）を溶け込まして
弱酸性にしその抵抗率を１００ｋΩ・ｃｍ程度にして、
静電気の発生を抑制する手法が行われている。これによ
り帯電による電圧は、数十〜数百ボルトにすることがで
きるが、半導体装置の高集積化に伴い、ゲート酸化膜の
厚さが１５ｎｍ以下に薄くなると、絶縁破壊を防止する
のは困難である。
【０００４】又、第２の対策として、イオン雰囲気中で
純水を高圧で吹き付ける手法がある。
純水を高圧で吹き付ける手法がある。
【０００５】もちろん第１の手法と第２の手法を組み合
わせることも可能であり、例えば、特開平３−１３１０
２６号公報には、ウェーハ洗浄を、２酸化炭素のバブリ
ングのみでなく、イオン雰囲気中で行う手法が記載され
ている。これは、炭酸の濃度を大きくすると、ウェーハ
を単体に分離するダイシング工程において砥石（ブレー
ド）の摩耗が大きくなるのを防止するための技術であ
る。次に、この公報から摘録する。ただし、参照符号や
若干の用語等は変更してある。
わせることも可能であり、例えば、特開平３−１３１０
２６号公報には、ウェーハ洗浄を、２酸化炭素のバブリ
ングのみでなく、イオン雰囲気中で行う手法が記載され
ている。これは、炭酸の濃度を大きくすると、ウェーハ
を単体に分離するダイシング工程において砥石（ブレー
ド）の摩耗が大きくなるのを防止するための技術であ
る。次に、この公報から摘録する。ただし、参照符号や
若干の用語等は変更してある。
【０００６】図４に示すように、被洗浄物１であるウェ
ーハはチャックテーブル２に真空吸着されている。この
チャックテーブル２はチャックテーブル回転用モータ３
によって回転される。ウェーハ（１）の洗浄は、外部よ
り高圧水６を導入し、ジェットノズル９を介して噴流２
０となってウェーハ（１）表面に当たることによりウェ
ーハ表面のシリコン等の異物を除去する。この際ウェー
ハ（１）表面は高圧かつ抵抗率の高いＣＯ2 入り純水の
噴流２０と接触するため表面にプラスの電荷が蓄積す
る。イオン１９は外部のイオン発生器１８よりイオン送
風ノズル１７を介してプラスイオンとマイナスイオンが
ウェーハ（１）表面に向かって流れる。このイオン１９
によりウェーハ（１）表面に蓄積したプラスイオンがイ
オン１９のマイナスイオンにより中和される。なおイオ
ン１９の発生量をウェーハ（１）表面の蓄積電荷より多
くすることにより雰囲気のイオンバランスは保つことが
できる。イオン送風ノズル１７の形状はカバー４内にリ
ング状に形成されて、円筒状に無数の穴があいている。
Ｎ2 噴射ノズル２１はＣＯ2 入り純水の噴流２０洗浄の
後ウェーハ（１）表面を乾燥する時Ｎ2 をウェーハ
（１）表面に吹きつけるものである。イオン１９はＣＯ
2 入り純水の噴流２０による洗浄からＮ2 噴射ノズル２
１によるウェーハ（１）表面の乾燥までの全ての状態で
発生している。排気ダクト５は噴流２０による洗浄時の
ミスト及びＮ2 の排気を行うために設けたものである。
イオンホース１６はイオン発生器１８からイオン送風ノ
ズル１７までの接続管である。純水接続管２２は外部の
高圧水６をジェットノズル９に導く管である。Ｎ2 ２３
は外部より供給される。Ｎ2 接続管２４はＮ2 ２３をＮ
2 噴射ノズル２１に導く管である。
ーハはチャックテーブル２に真空吸着されている。この
チャックテーブル２はチャックテーブル回転用モータ３
によって回転される。ウェーハ（１）の洗浄は、外部よ
り高圧水６を導入し、ジェットノズル９を介して噴流２
０となってウェーハ（１）表面に当たることによりウェ
ーハ表面のシリコン等の異物を除去する。この際ウェー
ハ（１）表面は高圧かつ抵抗率の高いＣＯ2 入り純水の
噴流２０と接触するため表面にプラスの電荷が蓄積す
る。イオン１９は外部のイオン発生器１８よりイオン送
風ノズル１７を介してプラスイオンとマイナスイオンが
ウェーハ（１）表面に向かって流れる。このイオン１９
によりウェーハ（１）表面に蓄積したプラスイオンがイ
オン１９のマイナスイオンにより中和される。なおイオ
ン１９の発生量をウェーハ（１）表面の蓄積電荷より多
くすることにより雰囲気のイオンバランスは保つことが
できる。イオン送風ノズル１７の形状はカバー４内にリ
ング状に形成されて、円筒状に無数の穴があいている。
Ｎ2 噴射ノズル２１はＣＯ2 入り純水の噴流２０洗浄の
後ウェーハ（１）表面を乾燥する時Ｎ2 をウェーハ
（１）表面に吹きつけるものである。イオン１９はＣＯ
2 入り純水の噴流２０による洗浄からＮ2 噴射ノズル２
１によるウェーハ（１）表面の乾燥までの全ての状態で
発生している。排気ダクト５は噴流２０による洗浄時の
ミスト及びＮ2 の排気を行うために設けたものである。
イオンホース１６はイオン発生器１８からイオン送風ノ
ズル１７までの接続管である。純水接続管２２は外部の
高圧水６をジェットノズル９に導く管である。Ｎ2 ２３
は外部より供給される。Ｎ2 接続管２４はＮ2 ２３をＮ
2 噴射ノズル２１に導く管である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平３−１
３１０２６号公報に記載されたものは、フォトマスクや
ウェーハ洗浄一般に使用できることは明らかであり、汎
用性のある優れた技術と言うことができる。
３１０２６号公報に記載されたものは、フォトマスクや
ウェーハ洗浄一般に使用できることは明らかであり、汎
用性のある優れた技術と言うことができる。
【０００８】しかし、ウェーハ全体をイオン雰囲気にさ
らす一方水の噴流は局所的であり、電荷の発生も局所的
となり、イオンバランスを保ちつつこの電荷を十分に中
和するために多量のイオンを発生させなければならな
い。また、イオン密度をウェーハなどの被洗浄物上で均
一にすることにも困難を伴う。従って、被洗浄物全面で
確実に電荷を中和することは困難である。このような問
題は、ウェーハの大口径化の進展とともに益々大きくな
る。
らす一方水の噴流は局所的であり、電荷の発生も局所的
となり、イオンバランスを保ちつつこの電荷を十分に中
和するために多量のイオンを発生させなければならな
い。また、イオン密度をウェーハなどの被洗浄物上で均
一にすることにも困難を伴う。従って、被洗浄物全面で
確実に電荷を中和することは困難である。このような問
題は、ウェーハの大口径化の進展とともに益々大きくな
る。
【０００９】本発明の目的は、被洗浄物の表面全面で確
実に電荷を中和しつつ洗浄できる洗浄装置を提供するこ
とである。
実に電荷を中和しつつ洗浄できる洗浄装置を提供するこ
とである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の洗浄装置は、２
重管の内管から水を噴射し、前記２重管の外管と内管の
間からイオン含有ガスを吹き出すノズルと、被洗浄物を
載置する手段と、前記ノズルと被洗浄物の相対位置を変
化させることにより前記被洗浄物の表面に前記ノズルか
ら噴射される水及びイオン含有ガスを当てて走査する手
段とを備えた洗浄装置において、前記ノズルの先端部で
前記外管及び内管がそれぞれ第１の導電性部材及び第２
の導電性部材でなり、前記第１の導電性部材の内壁に導
電性の突起が設けられ、前記第１の導電性部材と第２の
導電性部材との間に電圧を印加して放電させる手段が設
けられているものである。
重管の内管から水を噴射し、前記２重管の外管と内管の
間からイオン含有ガスを吹き出すノズルと、被洗浄物を
載置する手段と、前記ノズルと被洗浄物の相対位置を変
化させることにより前記被洗浄物の表面に前記ノズルか
ら噴射される水及びイオン含有ガスを当てて走査する手
段とを備えた洗浄装置において、前記ノズルの先端部で
前記外管及び内管がそれぞれ第１の導電性部材及び第２
の導電性部材でなり、前記第１の導電性部材の内壁に導
電性の突起が設けられ、前記第１の導電性部材と第２の
導電性部材との間に電圧を印加して放電させる手段が設
けられているものである。
【００１１】又、前記導電性の突起を高融点金属又は高
融点金属シリサイドで形成することができる。更に、前
記ノズルの先端部に静電気量センサを設け、検出される
静電気量に応じて電圧値を制御する手段を有してもよ
い。
融点金属シリサイドで形成することができる。更に、前
記ノズルの先端部に静電気量センサを設け、検出される
静電気量に応じて電圧値を制御する手段を有してもよ
い。
【００１２】被洗浄物全体をイオン雰囲気にさらす代わ
りに、ノズルの先端部周辺に放電により密度を一層高く
したイオンを吹き付けることができる。
りに、ノズルの先端部周辺に放電により密度を一層高く
したイオンを吹き付けることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明の参考
例の洗浄装置は、被洗浄物１を真空吸着するチャックテ
ーブル２、チャックテーブル２を回転させるチャックテ
ーブル回転用モータ３を有している。
例の洗浄装置は、被洗浄物１を真空吸着するチャックテ
ーブル２、チャックテーブル２を回転させるチャックテ
ーブル回転用モータ３を有している。
【００１４】ノズルは、２重管でなり、図示しない加圧
ポンプから供給される高圧水６が内管９Ａを通ってその
先端から噴射され、内管９Ａとともに２重管をなす外管
１０−１に接続される送風管１０−２に図示しないイオ
ン発生器（特開平３−１３１０２６号公報のイオン発生
器１８相当）からイオン含有ガス８ａ（正イオン及び負
イオンを含んでいるＮ2 ガス又は乾燥空気）が供給さ
れ、外管１０−１と内管９Ａの間の隙間から吹き出す
（イオン含有ガス８ｂ）。この隙間がほぼ一定となるよ
うに、外管と内管との間に、局所的にスペーサを挿入す
ることができる。このスペーサの外形、寸法及び個数
は、イオン含有ガスの通気をできるだけ妨げないよう
に、しかるべく選定される。このノズルは、図示しない
機構で保持されて、被洗浄物、ここではウェーハの表面
とほぼ平行に可動であるものとする。
ポンプから供給される高圧水６が内管９Ａを通ってその
先端から噴射され、内管９Ａとともに２重管をなす外管
１０−１に接続される送風管１０−２に図示しないイオ
ン発生器（特開平３−１３１０２６号公報のイオン発生
器１８相当）からイオン含有ガス８ａ（正イオン及び負
イオンを含んでいるＮ2 ガス又は乾燥空気）が供給さ
れ、外管１０−１と内管９Ａの間の隙間から吹き出す
（イオン含有ガス８ｂ）。この隙間がほぼ一定となるよ
うに、外管と内管との間に、局所的にスペーサを挿入す
ることができる。このスペーサの外形、寸法及び個数
は、イオン含有ガスの通気をできるだけ妨げないよう
に、しかるべく選定される。このノズルは、図示しない
機構で保持されて、被洗浄物、ここではウェーハの表面
とほぼ平行に可動であるものとする。
【００１５】ＣＯ2 のバブリングにより抵抗率１００ｋ
Ω・ｃｍ程度になされたＣＯ2 入り純水（高圧水６）を
内管９Ａに供給し、その先端から５０〜１００ｋｇ・ｃ
ｍ-2の圧力で噴射される。この噴射圧は、ウェーハを洗
浄する場合、デバイスへのダメージとパーティクル（異
物、ゴミ）の除去効率を考慮して、８０〜９０ｋｇ・ｃ
ｍ-2に設定するのが好ましい。
Ω・ｃｍ程度になされたＣＯ2 入り純水（高圧水６）を
内管９Ａに供給し、その先端から５０〜１００ｋｇ・ｃ
ｍ-2の圧力で噴射される。この噴射圧は、ウェーハを洗
浄する場合、デバイスへのダメージとパーティクル（異
物、ゴミ）の除去効率を考慮して、８０〜９０ｋｇ・ｃ
ｍ-2に設定するのが好ましい。
【００１６】次に、この洗浄装置を利用した、ウェーハ
の洗浄について説明する。
の洗浄について説明する。
【００１７】ＭＯＳトランジスタを形成し、層間絶縁膜
を堆積したウェーハ（この層間絶縁膜にスルーホールを
形成する前）を、被洗浄物１としてチャックテーブル２
に真空吸着させる。このチャックテーブル２は、チャッ
クテーブル回転用モータ３によって回転される。ウェー
ハ（１）の洗浄は、内管９Ａの先端から噴射されるＣＯ
2 入り純水の噴流２０をウェーハ（１）に衝突させるこ
とによって行う。ウェーハ上の層間絶縁膜表面に付着し
ているパーティクルの除去が行われるが、同時に、層間
絶縁膜に正電荷が蓄積される。この正電荷は、内管９Ａ
と外管１０−１の間の隙間から吹き出されるイオン含有
ガス８ｂ中の負イオンによって中和される。イオン含有
ガス８ｂ中の正イオン及び負イオンの密度と送風量を大
きくしておくことにより、中和により負イオンが減少し
たイオン含有ガスによる新たな帯電を避けることができ
る。即ち、イオンバランスを保つことが容易にできる。
ノズルを移動させると、ウェーハの回転と相まって、ウ
ェーハ全面の洗浄を逐次行うことができるが、層間絶縁
膜の水が衝突しているところに蓄積される正電荷は、そ
の発生直後に中和される。又、イオン含有ガスを電荷が
発生する場所の近くに局所的に吹き付けるので、単位面
積あたりの正イオン及び負イオンの流量を十分にとれ、
中和が速やかに行われる。従って、イオンバランスを保
ちつつ電荷の中和をウェーハ全面にわたって確保して洗
浄することができる。
を堆積したウェーハ（この層間絶縁膜にスルーホールを
形成する前）を、被洗浄物１としてチャックテーブル２
に真空吸着させる。このチャックテーブル２は、チャッ
クテーブル回転用モータ３によって回転される。ウェー
ハ（１）の洗浄は、内管９Ａの先端から噴射されるＣＯ
2 入り純水の噴流２０をウェーハ（１）に衝突させるこ
とによって行う。ウェーハ上の層間絶縁膜表面に付着し
ているパーティクルの除去が行われるが、同時に、層間
絶縁膜に正電荷が蓄積される。この正電荷は、内管９Ａ
と外管１０−１の間の隙間から吹き出されるイオン含有
ガス８ｂ中の負イオンによって中和される。イオン含有
ガス８ｂ中の正イオン及び負イオンの密度と送風量を大
きくしておくことにより、中和により負イオンが減少し
たイオン含有ガスによる新たな帯電を避けることができ
る。即ち、イオンバランスを保つことが容易にできる。
ノズルを移動させると、ウェーハの回転と相まって、ウ
ェーハ全面の洗浄を逐次行うことができるが、層間絶縁
膜の水が衝突しているところに蓄積される正電荷は、そ
の発生直後に中和される。又、イオン含有ガスを電荷が
発生する場所の近くに局所的に吹き付けるので、単位面
積あたりの正イオン及び負イオンの流量を十分にとれ、
中和が速やかに行われる。従って、イオンバランスを保
ちつつ電荷の中和をウェーハ全面にわたって確保して洗
浄することができる。
【００１８】ウェーハに吹き付けられた水はウェーハ回
転の遠心力により振り切られカバー４に当たった後排気
ダクト５によりミストやＮ2 ガス又は空気等とともに排
出される。洗浄完了後に水の噴射を止めて乾燥すること
ができるわけである。
転の遠心力により振り切られカバー４に当たった後排気
ダクト５によりミストやＮ2 ガス又は空気等とともに排
出される。洗浄完了後に水の噴射を止めて乾燥すること
ができるわけである。
【００１９】ＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜の厚さ
を１５ｎｍにしても絶縁破壊を防止することができた。
を１５ｎｍにしても絶縁破壊を防止することができた。
【００２０】図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態
を示す模式図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線相
当部の拡大断面図である。
を示す模式図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線相
当部の拡大断面図である。
【００２１】この実施の形態は、ノズルの先端部で外管
１０−１Ａ及び内管９Ｂがそれぞれアルミニウム円筒１
０−１Ａａ（第１の導電部材）及びアルミニウム円筒９
Ｂａ（第２の導電部材）でなり、アルミニウム円筒１０
−１Ａａの内壁に複数の導電性の突起１１（高融点金属
又は高融点金属シリサイド、例えば、ＷＳｉｘ，ｘ＝
２、で出来ている円錐体）を設けてある。外管１０−１
Ａのアルミニウム円筒１０−１Ａａ以外の部分及び内管
９Ｂのアルミニウム円筒９Ｂａ以外の部分は絶縁体でな
るものとする。内管のアルミニウム円筒９Ｂａは、接地
配線１２により接地され、外管１０−１Ａａは、高圧配
線１３により交流電圧電源７に接続され周波数５０〜６
０Ｈｚ、電圧４〜７ｋＶの電圧が供給される。突起１１
の先端部とアルミニウム円筒９Ｂａとの間で放電が起き
正イオン及び負イオンが発生するので、参考例に比較す
ると、ノズルから吹き出されるイオン含有ガスのイオン
の密度を一層容易に高くすることができる利点がある。
１０−１Ａ及び内管９Ｂがそれぞれアルミニウム円筒１
０−１Ａａ（第１の導電部材）及びアルミニウム円筒９
Ｂａ（第２の導電部材）でなり、アルミニウム円筒１０
−１Ａａの内壁に複数の導電性の突起１１（高融点金属
又は高融点金属シリサイド、例えば、ＷＳｉｘ，ｘ＝
２、で出来ている円錐体）を設けてある。外管１０−１
Ａのアルミニウム円筒１０−１Ａａ以外の部分及び内管
９Ｂのアルミニウム円筒９Ｂａ以外の部分は絶縁体でな
るものとする。内管のアルミニウム円筒９Ｂａは、接地
配線１２により接地され、外管１０−１Ａａは、高圧配
線１３により交流電圧電源７に接続され周波数５０〜６
０Ｈｚ、電圧４〜７ｋＶの電圧が供給される。突起１１
の先端部とアルミニウム円筒９Ｂａとの間で放電が起き
正イオン及び負イオンが発生するので、参考例に比較す
ると、ノズルから吹き出されるイオン含有ガスのイオン
の密度を一層容易に高くすることができる利点がある。
【００２２】図３は、本発明の第２の実施の形態を示す
模式図である。
模式図である。
【００２３】この実施の形態は、第１の実施の形態にお
いて、アルミニウム円筒１０−１Ａａにこれと絶縁して
誘導増幅型の静電気量センサ１４を取り付け、配線１５
により交流電圧電源７Ａに接続したものである。ただ
し、内管のアルミニウム円筒９Ｂａに高電圧を印加し、
外管のアルミニウム円筒１０−１Ａａは接地するのが好
ましい。交流電圧電源７Ａは、検出される静電気量に応
じて電圧値を調節する。ウェーハの表面に凹凸がある場
合、場所によって水との摩擦により発生する静電気量が
異なるが、その静電気量に見合うようにイオンを発生さ
せることにより、イオンの密度の不足を一層確実に防止
できるので大変有利である。この凹凸は、ウェーハ上に
形成する半導体装置の種類あるいは工程毎に異なる。こ
の実施の形態によれば、そのいずれにも的確に対応でき
る。
いて、アルミニウム円筒１０−１Ａａにこれと絶縁して
誘導増幅型の静電気量センサ１４を取り付け、配線１５
により交流電圧電源７Ａに接続したものである。ただ
し、内管のアルミニウム円筒９Ｂａに高電圧を印加し、
外管のアルミニウム円筒１０−１Ａａは接地するのが好
ましい。交流電圧電源７Ａは、検出される静電気量に応
じて電圧値を調節する。ウェーハの表面に凹凸がある場
合、場所によって水との摩擦により発生する静電気量が
異なるが、その静電気量に見合うようにイオンを発生さ
せることにより、イオンの密度の不足を一層確実に防止
できるので大変有利である。この凹凸は、ウェーハ上に
形成する半導体装置の種類あるいは工程毎に異なる。こ
の実施の形態によれば、そのいずれにも的確に対応でき
る。
【００２４】以上、純水にＣＯ2 をバブリングして抵抗
率を１００ｋΩ・ｃｍ程度に低くして、ＭＯＳトランジ
スタを形成したウェーハを洗浄する場合について説明し
たが、被洗浄物に応じて抵抗率をしかるべく変えること
ができる。
率を１００ｋΩ・ｃｍ程度に低くして、ＭＯＳトランジ
スタを形成したウェーハを洗浄する場合について説明し
たが、被洗浄物に応じて抵抗率をしかるべく変えること
ができる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように、ノズルを２重管に
しその導電部材でなる先端部に導電性の突起を設け放電
を起こさせて内管から水を噴射し外管と内管の間から放
電により密度を一層高くしたイオン含有ガスを吹き出し
て、被洗浄物の表面に当てて走査することにより、水と
被洗浄物の摩擦による被洗浄物表面の電荷をその発生場
所近傍で中和するので、容易にイオンバランスを確保し
ながら被洗浄物の表面全面にわたって洗浄することがで
きる。
しその導電部材でなる先端部に導電性の突起を設け放電
を起こさせて内管から水を噴射し外管と内管の間から放
電により密度を一層高くしたイオン含有ガスを吹き出し
て、被洗浄物の表面に当てて走査することにより、水と
被洗浄物の摩擦による被洗浄物表面の電荷をその発生場
所近傍で中和するので、容易にイオンバランスを確保し
ながら被洗浄物の表面全面にわたって洗浄することがで
きる。
【図１】本発明の参考例を示す模式図。
【図２】本発明の第１の実施の形態を示す模式図（図２
（ａ））及び図２（ａ）のＡ−Ａ線相当部の拡大断面図
（図２（ｂ））。
（ａ））及び図２（ａ）のＡ−Ａ線相当部の拡大断面図
（図２（ｂ））。
【図３】本発明の第２の実施の形態を示す模式図。
【図４】従来例を示す模式図。
１ 被洗浄物 ２ チャックテーブル ３ チャックテーブル回転用モータ ４ カバー ５ 排気ダクト ６ 高圧水 ７，７Ａ 交流電圧電源 ８ イオン含有ガス ９ ジェットノズル ９Ａ，９Ｂ 内管 １０−１ 外管 １０−２ 送風管 １１ 突起 １２ 接地配線 １３ 高圧配線 １４ 静電気量センサ １５ 静電気量センサの配線 １６ イオンホース １７ イオン送風ノズル １８ イオン発生器 １９ イオン ２０ 噴流 ２１ Ｎ2 噴射ノズル ２２ 純水接続管 ２３ Ｎ2 ２４ Ｎ2 接続管
Claims (3)
- 【請求項１】 ２重管の内管から水を噴射し、前記２重
管の外管と内管の間からイオン含有ガスを吹き出すノズ
ルと、被洗浄物を載置する手段と、前記ノズルと被洗浄
物の相対位置を変化させることにより前記被洗浄物の表
面に前記ノズルから噴射される水及びイオン含有ガスを
当てて走査する手段とを備えた洗浄装置において、前記
ノズルの先端部で前記外管及び内管がそれぞれ第１の導
電性部材及び第２の導電性部材でなり、前記第１の導電
性部材の内壁に導電性の突起が設けられ、前記第１の導
電性部材と第２の導電性部材との間に電圧を印加して放
電させる手段が設けられていることを特徴とする洗浄装
置。 - 【請求項２】 前記導電性の突起が高融点金属又は高融
点金属シリサイドでなる請求項１記載の洗浄装置。 - 【請求項３】 前記ノズルの先端部に静電気量センサを
設け、検出される静電気量に応じて電圧値を制御する手
段を有する請求項１又は２記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256996A JP3012571B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9256996A JP3012571B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 洗浄装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1197402A JPH1197402A (ja) | 1999-04-09 |
| JP3012571B2 true JP3012571B2 (ja) | 2000-02-21 |
Family
ID=17300280
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP9256996A Expired - Lifetime JP3012571B2 (ja) | 1997-09-22 | 1997-09-22 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN105206566A (zh) * | 2006-09-29 | 2015-12-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-09-22 JP JP9256996A patent/JP3012571B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105206566A (zh) * | 2006-09-29 | 2015-12-30 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置的制造方法 |
| CN104148338A (zh) * | 2014-07-30 | 2014-11-19 | 张家港市华源染织有限公司 | 电清清洁工具 |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH1197402A (ja) | 1999-04-09 |
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