JPH03129731A - 酸化膜等の被膜除去処理後における基板表面の洗浄方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばシリコンウェハの表面や、ポリシリ
コン膜の表面、アモルファスシリコン膜の表面（これら
の表面を総称して以下、「シリコン層表面」という）に
形成される自然酸化膜を、フッ化水素（ＨＦ）等のハロ
ゲン化物を用いてウェハ表面から除去したり、シリコン
層表面に形成した各種シリコン絶縁膜等を、ハロゲン化
物によりエツチング処理したりした後に、基板表面に残
存するハロゲン化物を除去するための基板表面の洗浄方
法に関する。

〔従来の技術〕

半導体デバイスの製造工程においては、例えばシリコン
ウェハ等の基板表面の酸化膜を洗浄除去したりエツチン
グしたりする際に、或いは基板上のアルミニウム膜等の
金属膜をエツチングする際に、ＨＦ、ＮＦ３、ＳＦいＣ
Ｉ　Ｆ、、Ｃ１２等のハロゲン化物が多用されている。

これらのハロゲン化物化物は、何れもイオン。

ラジカル等の活性な状態で利用されるため、エツチング
や洗浄の処理工程を終了した段階においては、基板表面
にフッ素、塩素等のハロゲンのイオン性の汚染が残存す
ることになる。基板表面にそれらのイオン性汚染を残し
たままでデバイスの形成を行なうと、成膜不良や電気的
動作不良等の各種デバイス不良を引き起こす原因となる
。従って、エツチングや洗浄処理後に基板表面に残存し
ているイオン性汚染は、洗浄してそれを基板表面から除
去しておく必要がある。

基板表面からイオン性汚染を除去する方法としては、従
来一般に、純水（超純水）により基板表面を洗浄する方
法が行なわれている。また、例えば特開昭６２−１７３
７２０号公報には、ウェハが収容された容器内へフッ化
水素酸（フッ酸）の蒸気を供給してウェハ表面の自然酸
化膜を洗浄除去した後に、同じ容器内へ高純度の水蒸気
を供給してウェハ表面からフッ酸を洗い落とすようにす
る方法が開示されている。その他、ＵＶ光（紫外光）照
射やＡｒ（アルゴン）イオンスパッタなどの処理により
基板表面からイオン性汚染を除去する方法が一部では行
なわれている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、上記した従来の方法では、基板表面にＳ
ｉ（シリコン）やアルミニウム等の金属が露出している
と、イオン性汚染を除去するための処理過程で、二次的
に酸化膜が容易に形成されてしまう、といった問題点が
ある。

また、ＵＶ光照射やＡｒイオンスパッタによる場合には
、デバイスの欠陥発生等、シリコンウェハに対するダメ
ージが避けられない。

この発明は、半導体デバイスの製造工程においてエツチ
ングや洗浄処理後に基板表面からフッ素等のハロゲンの
イオン性汚染を除去するために行なわれていた上記従来
方法に比べ、二次的な酸化膜の形成を格段に少なくする
とともに、基板表面からイオン性汚染を極めて低いレベ
ルにまで除去することができる洗浄方法を提供すること
を技術的課題とする。

〔課題を解決するための手段〕

この発明は、上記課題を達成するための手段として、基
板に対しフッ化水素等のハロゲン化物を供給して基板表
面をエツチングや洗浄処理した後に、その基板表面に対
し無水アルコールを供給することにより、基板表面に残
存するハロゲン化物を除去するようにしたことを構成の
要旨とする。

〔作　　用〕

ハロゲン化物、例えばフッ化水素が残存している基板表
面に対しアルコールを供給すると、フッ化水素はアルコ
ールに溶解してアルコール分子によって溶媒和され、ア
ルコールと共に基板表面から除去される。

ここで、基板、例えばシリコンウェハの表面に自然酸化
膜が成長するためには、酸素と水分との両方の存在が必
要であることが知られている（例えば、「信学技報　Ｖ
ｏｌ、８９　　Ｎａ１ｌｌ　；電子情報通信学会技術報
告　ｐＨ〜１２１ｒＳｉ自然酸化膜形成の制御ｆｆｌ、
（社）電子情報通信学会１９８９．６．２６発行」参照
）が、この発明に係る方法では、基板へ無水アルコール
を供給するようにしており、系の水分が低く抑えられて
いるため、純水や水蒸気により基板を洗浄する従来方法
における場合に比べ、基板表面に二次的に酸化膜が形成
される、といったことが格段に少なくなる。

また、アルコールは還元性の雰囲気をつくり易く、酸化
能力が極めて低いため、基板表面がアルコールで層状に
覆われて保護されることにより、基板表面にシリコンや
金属が露出している領域においても、二次的な酸化がさ
らに有効に防止されることになり、また有機物による汚
染も極めて受は難くなる。

一方、ハロゲン化物、例えばフッ化水素ＨＦの、水Ｈ，
Ｏ及びアルコールＲＯＨへのｍＭは、次に示すような過
程で行なわれる（ジエイ、エッチ、シモンズ；フルオリ
ン　ケミストリー（Ｊ、Ｈ，Ｓｉｍｏｎｓ　；Ｆｌｕｏ
ｒｉｎｅＣｈｅｍｉｓｔｒｙ）、１，２２５　（１９５
０）参照）。

ｎＨ，Ｏ＋２ＨＦ→（Ｈ，０）ｎＨ＋ＨＦ２−ＲＯＨ＋
２ＨＦ→（ＲＯＨ）Ｈ”＋ＨＦ２−従って、ＨＦ、−を
形成するに際し、１モルのアルコールはｎモルの水に相
当する。また、メタノール、エタノール等のフッ化水素
溶液の当電電導度は、水のフッ化水素溶液の当量型導度
より大きいことからも分かるように、フッ化水素は水よ
りアルコールに溶解し易い。このため、アルコールを用
いたこの発明に係る洗浄方法によると、フッ素、塩素等
のイオン性汚染はアルコールによって良く溶媒和されて
、純水や水蒸気を用いる従来の洗浄方法に比べ、より高
い効率で基板表面からイオン性汚染が除去される。

そして、基板表面を覆うように形成されたアルコールの
層は、真空排気や比較的低い温度での加熱などによって
、基板表面から容易に離脱させることができ、純水や水
蒸気を用いた場合のように特別な乾燥工程を必要とする
、といったこともない。

〔実施例〕

以下、この発明の好適な実施例について図面を参照しな
がら説明する。

第１図は、この発明の方法を実施するためのシリコンウ
ェハの洗浄装置の１例を示す概略構成図である１図にお
いて、洗浄されるべきシリコンウェハＩＯが収容される
容器１２は、テフロンを用いて形成されており、その内
部は外気から気密に隔離されている。この容器１２には
、ガス・蒸気の供給管路２０及び排気管路２２にそれぞ
れ接続された供給口１４及び排気口１６が設けられてお
り、またバイパス管路１８が付設されている。尚。

第１図には表していないが、容器１２の側面には、シリ
コンウェハを出し入れするための扉が設けられているが
、その扉に隣接してロードロック室を併設したり、また
他のプロセス装置と搬送ラインを接続してインライン化
するような構成とすることもできる。

容器１２の供給口１４に連通している供給管路２０には
、３本の管路２４．２６．２８が合流しており、容管８
２４．２６．２８の端部に、無水フッ化水素の供給源３
０、アルコールの供給源３２及びキャリアガスである窒
素ガスの供給源３４がそれぞれ設けられている。また、
無水フッ化水素ガスの供給管路２４には、キャリアガス
の管路２８の分岐管路３６が連通している。

また、無水フッ化水素ガスの供給管路２４及び窒素ガス
の供給管路２８には、それぞれマスフローコントローラ
３８．４０が介挿されている。一方、アルコール供給ｗ
Ｘ３２のアルコール貯溜槽内に連通接続された管路４２
には、マスフローコントローラ４６を介在して窒素ガス
の供給ｇ４４が接続されていて、無水フッ化水素ガスと
メタノール蒸気とを時期を違えて容１ｍ　１２内へ供給
することができるようになっている。また、無水フッ化
水素及びアルコールの各供給源３０．３２には温度コン
トローラ４８．５０がそれぞれ設けられている。

そして、無水フッ化水素ガス及びキャリアガス（窒素）
の供給量の調節は、それぞれの供給管路２４．２８に設
けられたマスフローコントローラ３８．４０によって行
なわれる。また、アルコール蒸気の供給量の調節は、マ
スフローコントローラ４６による窒素ガス流量の制御並
びにアルコール（液体）の温度（従ってアルコールの蒸
気圧）の制御によって行なわれる。また、無水フッ化水
素ガス及びアルコール蒸気の各供給系において結露が起
こったりしないようにするため、それぞれの供給管路２
４．２６は、破線で示すように保温材５２．５４によっ
て保温されている。

そして、この装置では、上記したように無水フッ化水素
ガスとメタノール蒸気とを時期を違えて容器１２内へ供
給することができるようになっており、例えば、第２図
の（１）にタイムチャートを示すように、無水フッ化水
素ガスの供給とメタノール蒸気の供給とをそれぞれ同時
に開始し、洗浄を行なって基板表面から自然酸化膜等を
除去した後、無水フッ化水素ガスの供給を停止し、その
後メタノール蒸気だけを所定時間（例えば１０〜３０秒
〉供給してから、その供給を停止するようにする。これ
により、洗浄処理が終了した時点で基板表面に残存して
いたフッ化水素を洗浄して基板表面から除去することが
できる。また、同図（２）に示すように、シリコンウェ
ハ１０を容器１２内に収容し、Ｎ２ガスパージした後、
まず、メタノール蒸気を容器１２内へ導入し、所定時間
（例えば１０〜６０秒）経過した時点から無水ツブ化水
素ガスを供給し始め、無水フン化水素ガスとメタノール
蒸気とを同時に所定時間供給して洗浄処理を行ない、基
板表面から自然酸化膜等を除去した後に、上記と同様に
、無ホップ化水素ガスの供給を停止してから、メタノー
ル蒸気だけを所定時間（例えば１０〜３０秒）供給した
後、その供給を停止するようにすることもできる。

次に、上記洗浄装置を使用し、シリコンウェハ表面の自
然酸化膜をフッ化水素を用いて洗浄除去した後、ウェハ
表面に残存するフッ化水素をさらに洗浄除去し、その洗
浄後における残存フッ素量を測定することにより洗浄効
果を調べた実験例について説明する。この実験において
は、リンドープｎ型、抵抗率２〜８Ω・備のシリコンウ
ェハを用い、このシリコンウェハをＨ２ＳＯ，−Ｈ，Ｏ
，混合液中へ浸漬して酸化し。

１３Ａの厚みの酸化膜を形成したものを試料として用い
た。また、実験には、洗浄用ガス・試薬として、昭和電
工■製の超高純度無水フッ化水素、ダイキン工業＠製の
ＥＬグレードの５０％フッ化水素酸、日本酸素■製の超
高純度窒素、及び関東化学■製のＥＬグレードのメタノ
ールを使用した。

まず、シリコンウェハ表面の自然酸化膜の洗浄除去は、
次の２通りの方法により行なった。

■　第１図に示した装置の容器１２内に、表面に酸化膜
が形成された上記シリコンウェハｌＯを搬入して設置し
、容器１２の内部を完全に密封してから、窒素ガスの供
給源３４より供給管路２８．２０を通して高純度Ｎ２ガ
スを１５Ｑ／分の流量で容器１２内へ送り込み、容器１
２の内部を３０秒間パージした。そして、各ガス・ペー
パーは、無水フン化水素ガスを１００〜ｌ。

０００ｃｃ／ｍｉ　ｎ　（２５℃）、メタノール蒸気を
生成するためのパフリング用Ｎ２ガスを５００〜５，０
００ｃｃ／ｍｉ　ｎ　（２５℃）。

窒素ガスをＯ〜５．０ＯＯｃｃ／ｍｉ　ｎ　（２５℃）
の各流量で容器１２内へ供給するようにした。以上の条
件下において、３０秒間洗浄処理を行ない、処理終了後
に容器１２内部を３０秒間Ｎ２ガスによってパージした
。

■　１％フッ化水素酸中へ、表面に酸化膜が形成された
上記シリコンウェハ１０を３０秒間浸漬することにより
洗浄処理を行ない、処理終了後に３０秒間Ｎ２ガスによ
ってブローした。

次に、シリコンウェハ表面の残存フッ素（イオン性汚染
）の洗浄除去は、この発明に係る方法と、比較のための
２つの従来方法との次の３通りの方法により行なった。

ｉ、第１図に示した装置の容器１２内に、自然酸化膜の
洗浄除去が終了したシリコンウェハを設置して、容器１
２の内部を密封した状態で。

メタノール蒸気を、パフリング用Ｎ２ガス流量として４
．ＯＯＯ〜５，０ＯＯｃｃ／ｍｉ　ｎ（２５℃）の流量
で３０秒間容器１２内へ供給するようにした。洗浄処理
終了後に、容器１２内部八Ｎ２ガスを１５　ｎ　／　ｍ
　ｉ　ｎの流量で３０秒間送り込んでパージした。

■、純純水流水へ、自然酸化膜の洗浄除去が終了したシ
リコンウェハを３０秒間浸漬して洗浄を行ない、洗浄処
理終了後に３０秒間Ｎ２ガスによってブローした。

ｍ、アルミ製真空容器の内部に、自然酸化膜の洗浄除去
が終了したシリコンウェハを設置し、真空容器内部を真
空ポンプによって１０−３＋ｓ＋Ｈｇまで真空排気しな
がら、ウェハ上方から２９０Ｗ低圧水銀ランプによって
１０分間ＵＶ光を照射するようにした。

以上、２通りの自然酸化膜洗浄方法■■と３通りの残存
フッ素洗浄方法ｉ、　ｉｔ、　ｎｉ、とを組み合わせ、
シリコンウェハの表面がら自然酸化膜を洗浄除去した後
、ウェハ表面に残存するフッ素を洗浄除去した各々のも
のについて、ウェハ表面からのフッ素の除去効果の評価
を行なった。シリコンウェハ表面上のフッ素及び酸素の
層の厚みの測定は、光電子分光測定（ＥＳＣＡ測定）に
より行ない、測定装置としては■島津製作所製のＥＳＣ
Ａ８５０を使用した。また、フッ素又は酸素の各元素の
残存量の比較は、各元素のスペクトルのピーク面積値を
５ｉ２Ｐのスペクトルのピーク面積値で割った値（Ｆｌ
、ピーク面積／　Ｓ　ｘ　２Ｐピ一ク面積、又は０１ｓ
ピ一ク面積／　Ｓ　ｉ　２Ｐビ一ク面積）を用いて行な
った。

無水フッ化水素ガス及びメタノール蒸気にシリコンウェ
ハの表面をさらすことによりウェハ表面の自然酸化膜を
除去した（上記■の方法）後に、メタノール蒸気をシリ
コンウェハの表面に供給して残存フッ素を洗浄除去した
く上記ｉ。

の方法）場合のフッ素残存量（ＥＳＣＡピーク面積比Ｆ
１５／５１２ｐ）を１とすると、シリコンウェハ表面の
自然酸化膜の除去方法を同じにして（上記■の方法）、
純水中へシリコンウェハを浸漬して洗浄した（上記■、
の方法）場合のフッ素残存量は１．９、シリコンウェハ
にＵＶ光を照射した場合（上記■、の方法）のフッ素残
存量は２．３．残存フッ素の洗浄を行なわなかった場合
のフッ素残存量は２．４であった。

また、フッ化水素酸中ヘシリ・コンウェハを浸漬するこ
とによりウェハ表面の自然酸化膜を除去した（上記■の
方法）後に、メタノール蒸気をシリコンウェハの表面に
供給して残存フッ素を洗浄除去した（上記ｉ、の方法）
場合のフッ素残存量は１．７、同じく、純水中へシリコ
ンウェハを浸漬して洗浄した（上記■、の方法）場合の
フッ素残存量は３．１、同じく、残存フッ素の洗浄を行
なわなかった場合のフッ素残存量は５．５であった。

以上の結果より、シリコンウェハ表面の自然酸化膜を洗
浄除去した後に、メタノール蒸気を用いてシリコンウェ
ハの表面を洗浄すると、フッ素の除去効率が高いことが
分かる。尚、無水フッ化水素ガスとメタノール蒸気とを
用いてシリコンウェハ表面の自然酸化膜を除去した後に
。

メタノール蒸気によりシリコンウェハの表面を洗浄した
ときが、フッ素の残存量が最も少なかった。

また、洗浄処理後におけるシリコンウェハ表面の酸素濃
度（Ｓ　ｉ　０２におけるＯの量、従ってＳ　ｉ　Ｏ２
の膜厚に対応する）を測定した結果。

無水フッ化水素ガスとメタノール蒸気とを用いてシリコ
ンウェハ表面の自然酸化膜を除去したく上記■の方法）
後に、メタノール蒸気をシリコンウェハの表面に供給し
て残存フッ素を洗浄除去した（上記ｉ、の方法）場合の
酸素量（ＥＳＣＡピーク面積比０１５　／　Ｓ　ｘ　ｚ
ｐ　）を１とすると、シリコンウェハ表面の自然酸化膜
の除去方法を同じにして（上記■の方法）、純水中へシ
リコンウェハを浸漬して洗浄した（上記且、の方法）場
合のａ宏量は１．９、シリコンウェハにＵＶ光を照射し
た場合（上記用、の方法）の酸素量は１．４、残存フッ
素の洗浄を行なわずにＮ２ガスパージしただけの場合の
酸素量は０゜９であった。また、フッ化水素酸中ヘシリ
コンウエハを浸漬することによりウェハ表面の自然酸化
膜を除去した（上記■の方法）後に、メタノール蒸気を
シリコンウェハの表面に供給して残存フッ素を洗浄除去
した（上記ｉ、の方法）場合の酸素量は１．１、同じく
、純水中へシリコンウェハを浸漬して洗浄した（上記り
、の方法）場合の酸素量は２．７、同じく、残存フッ素
の洗浄を行なわなかった場合の酸素量は１゜５であった
。

以上の結果より、シリコンウェハ表面の自然酸化膜を洗
浄除去した後に、メタノール蒸気を用いてシリコンウェ
ハの表面を洗浄するようにした場合は、純水中へシリコ
ンウェハを浸漬したりシリコンウェハにＵＶ光を照射し
たりしてシリコンウェハ表面からフッ素を除去する従来
方法に比べて、ウェハ表面の酸素濃度を低く抑えること
ができ、すなわち自然酸化膜の二次的な再成長を抑える
ことができる。

次に、フッ素洗浄用のメタノール蒸気中に存在する水分
が、フッ素除去効率並びに洗浄処理後におけるシリコン
ウェハ表面の再酸化に及ぼす影響について検討した。

実験は、第１図に示した装置を使用し、無水ＨＦ−ＣＨ
，ＯＨ系のベーパーでシリコンウェハの表面の自然酸化
膜を除去した（上記■の方法）後に、メタノール蒸気を
シリコンウェハの表面に供給して残存フッ素を洗浄除去
する（上記ｉ、の方法）手順によって行ない、フッ素洗
浄用のメタノール中に種々の濃度で水分を不純物として
混入させるようにした。シリコンウェハ表面の再酸化に
よる自然酸化膜の膜厚は、それぞれ洗浄してから１時間
２０分後にエリプソメーターを用いて測定した。

その結果、メタノール蒸気及び窒素ガスの総量に対する
水分（水蒸気）が占める割合が５％以下であれば、フッ
素の除去効率はほとんど変わらなかった。また、洗浄処
理してから１時間２０分経過後におけるシリコンウェハ
表面の自然酸化膜膜厚は、メタノール蒸気及び窒素ガス
中の含有水分量が０．３％以下である条件では４．１人
であり、含有水分量が０．３％以上で１．０％未満であ
る条件では４．３〜４．６人、含有水分量が１．０％以
上で５．０％以下である条件では５．３〜５．８Ａであ
った。これらの実験結果より、反応系に少々の水分が存
在する程度では、洗浄処理後におけるシリコンウェハ表
面の再酸化に対してもそれほど影響が無いことが分かる
。

尚、上記実施例においては、シリコンウェハ表面の自然
酸化膜を洗浄除去した後、シリコンウェハの表面をメタ
ノール蒸気にさらすようにしたが、この発明は、シリコ
ンウェハをアルコール中へ浸漬したり、シリコンウェハ
の表面に対しアルコールを噴霧状態で吹き付ける、等の
方法によって実施することも可能である。

また、上記実施例は、シリコンウェハ表面のシリコン自
然酸化膜を、無ホップ化水素ガス及びメタノール蒸気で
除去した後において、メタノール蒸気を供給することに
よって、シリコンウェハ表面に残存するフッ化物を除去
することに関するものであるが、この発明は、以下に説
明するように、それに限定されるものではない。

すなわち、無水フッ化水素ガスの代わりに、ＮＦ、、Ｓ
ＦいＣＩ　Ｆ、、０１□等のハロゲン化物のガスを使用
するようにしてもよい。また、メタノール蒸気の代わり
に、エタノール等のその他のアルコールを使用するよう
にしてもよい６但し、その場合でも、ハロゲン化物のガ
スやアルコールは、上記実施例における場合と同様に無
水である。

また、シリコンウェハ表面のシリコン自然酸化膜の除去
に適用する場合に限定されず、ポリシリコン膜やアモル
ファスシリコン膜の表面に形成されるシリコン自然酸化
膜の除去に適用してもよい。尚、そのようなポリシリコ
ン膜やアモルファスシリコン膜は、シリコンウェハ上に
形成されている膜である場合に限らず、例えば、ガリウ
ム・ヒ素ウェハ等の各種半導体ウェハ上や、ガラス基板
やセラミック基板等の各種基板上に形成されていてもよ
い。

さらに、そのようなシリコン層表面のシリコン自然酸化
膜の除去に限定されず、シリコン熱酸化膜や、熱酸化以
外の手法（例えばＣＶＤ等）で形成したシリコン酸化ｊ
摸や、或いは、窒化シリコン籟、リン・ドープ・ガラス
膜、ボロン・リン・ドープ・ガラス膜、・ヒ素・ドープ
・ガラス膜等のシリコン＃ｌ！！縁膜のエツチングにも
適用できる。

以上のように、この発明の構成における「基板表面」と
は、シリコンウェハ表面だけでなく、ガリウム・ヒ素ウ
ェハ等の各種半導体ウェハ上や、ガラス基板やセラミッ
ク基板等の各種基板上に形成されているポリシリコン膜
やアモルファスシリコン膜の表面をも含む。また、この
発明の構成における「基板表面に被着形成された酸化膜
等の被膜を除去した後において」とは、シリコン絶縁膜
のエツチングを行なった後も含む。さらにまた、この発
明の構成における「基板表面に被着形成された酸化膜等
の被膜を除去した後において」とは、ハロゲン化物のガ
スとアルコールとを使用しての被膜の除去処理に限らず
、無水のハロゲン化物のガス単独を使用しての被膜の除
去処理の場合も含む。

〔発明の効果〕

この発明は以上説明したように構成されかつ作用するの
で、半導体デバイス等の製造工程に４ おいて、基板表面に形成された自然酸化膜やシリコン絶
縁膜、金属膜をフッ化水素等のハロゲン化物を用いてエ
ツチングしたり洗浄処理した後に、この発明に係る方法
によって基板表面に残存するハロゲン化物を洗浄除去す
るようにしたときは、従来の方法に比べて、二次的な酸
化膜の形成を格段に少なくするとともに、基板表面から
イオン性汚染を高い効率で除去することができ、また、
Ｕ■光照射やＡｒイオンスパッタによった場合における
ようなシリコンウェハに対するダメージもなく、半導体
デバイスの各種不良の原因を無くして高品質を維持する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の方法を実施するためのシリコンウ
ェハの洗浄装置の１例を示す概略構成図、第２図は、第
１図に示した装置によりシリコンウェハの洗浄を行なう
場合におけるガス蒸気の供給方法を説明するためのタイ
ムチャートである。 １０・・・シリコンウェハ（基板）、 １２・・・容器。 ３０・・・無水フッ化水素の供給源、 ３２・・・アルコールの供給源、 ３４．４４・・・窒素ガスの供給源。 第 図 −一一丁

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、基板に対しハロゲン化物を供給して基板表面をその
   ハロゲン化物にさらすことにより、基板表面に被着形成
   された酸化膜等の被膜を除去した後において、その基板
   表面に対しさらに無水アルコールを供給することにより
   、基板表面に残存するハロゲン化物を除去するようにし
   た、酸化膜等の被膜除去処理後における基板表面の洗浄
   方法。