JPH0311653A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0311653A JPH0311653A JP14640589A JP14640589A JPH0311653A JP H0311653 A JPH0311653 A JP H0311653A JP 14640589 A JP14640589 A JP 14640589A JP 14640589 A JP14640589 A JP 14640589A JP H0311653 A JPH0311653 A JP H0311653A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- container
- cap
- brazing material
- sealed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にセラミック封止型半導
体装置に関する。
体装置に関する。
従来のセラミック封止型半導体装置は、第３図に示すよ
うに、凹状部を有するセラミック製の容器７に半導体素
子８をロー材等により固着し、セラミック板］の下面に
Ｗ膜２、バリア膜としてのＮｉ膜３及びＡｕメツキ膜４
を設けたキャップを、Ａ ｕ −Ｓ ｎロー材５により
容器７の側壁部に、Ａｕ膜６を介して封止した構造とな
っていた。
うに、凹状部を有するセラミック製の容器７に半導体素
子８をロー材等により固着し、セラミック板］の下面に
Ｗ膜２、バリア膜としてのＮｉ膜３及びＡｕメツキ膜４
を設けたキャップを、Ａ ｕ −Ｓ ｎロー材５により
容器７の側壁部に、Ａｕ膜６を介して封止した構造とな
っていた。
上述した従来のセラミック封止型半導体装置は、キャッ
プを構成するセラミック板１の下面が封着用のＡ ｕ−
３ｒｌロー材５となじみの良いＡｕメツキ膜４で覆われ
ているため、封着用のＡｕＳｎロー材５が封着部より内
側に流れ込み、封着部のロー材量が少なくなり、封止の
ボイド等が発生して気密性が悪化し、半導体装置の信頼
性を低下させるという欠点がある。
プを構成するセラミック板１の下面が封着用のＡ ｕ−
３ｒｌロー材５となじみの良いＡｕメツキ膜４で覆われ
ているため、封着用のＡｕＳｎロー材５が封着部より内
側に流れ込み、封着部のロー材量が少なくなり、封止の
ボイド等が発生して気密性が悪化し、半導体装置の信頼
性を低下させるという欠点がある。
本発明の半導体装置は、凹状部を有するセラミック製容
器と、該容器内に搭載された半導体素子と、少くとも下
面が金属層からなりロー材により前記容器を封止する平
板状キャップとを有する半導体装置において、封止部を
除く前記キャップ下面の金属層の表面を酸化膜で覆った
ものである。
器と、該容器内に搭載された半導体素子と、少くとも下
面が金属層からなりロー材により前記容器を封止する平
板状キャップとを有する半導体装置において、封止部を
除く前記キャップ下面の金属層の表面を酸化膜で覆った
ものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
凹状部を有するセラミック製の容器７内には半導体素子
８が搭載されており、この半導体素子８は、Ａｕワイヤ
９を介して容器７の下面に固着された外部引出し電極１
０に接続されている。
８が搭載されており、この半導体素子８は、Ａｕワイヤ
９を介して容器７の下面に固着された外部引出し電極１
０に接続されている。
この容器７を封止するキャップは、セラミック板１とそ
の下面に順次設けられたＷ膜３とバリア膜としてのＮｉ
膜３とから構成されており、封止部のみにＡｕメツキ膜
４が設けられ、露出しなＮｉ膜３の表面は酸化ニッケル
膜１１で覆われている。そして・このキャップは、容器
７の側面とＡｕ膜６を介してＡｕ−３ｎロー材５により
封止されている。
の下面に順次設けられたＷ膜３とバリア膜としてのＮｉ
膜３とから構成されており、封止部のみにＡｕメツキ膜
４が設けられ、露出しなＮｉ膜３の表面は酸化ニッケル
膜１１で覆われている。そして・このキャップは、容器
７の側面とＡｕ膜６を介してＡｕ−３ｎロー材５により
封止されている。
このように構成された第１実施例によれは、封止部を除
いたＮｉ膜３の表面は酸化ニッケル膜１１により覆われ
ているため、Ａｕ−８ｎロー材５でキャップと容器７と
を封止した場合、ＡｕＳｎロー材５は封止部の内側に流
れ出ることはなくなる。
いたＮｉ膜３の表面は酸化ニッケル膜１１により覆われ
ているため、Ａｕ−８ｎロー材５でキャップと容器７と
を封止した場合、ＡｕＳｎロー材５は封止部の内側に流
れ出ることはなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
この第２の実施例においては、キャップはコバー板２１
からなっており、封止部を含む表面はＡｕメツキ膜４で
覆われているが、特にこのコバー板２１の下面では、封
止部以外は酸化膜２２で覆われている。
からなっており、封止部を含む表面はＡｕメツキ膜４で
覆われているが、特にこのコバー板２１の下面では、封
止部以外は酸化膜２２で覆われている。
このように構成された第２の実施例においても、封止時
のＡｕ−３ｎロー材５は、酸化膜２２が存在するため内
側に流れ出すことはない。更にキャップがコバー板で構
成されているため、第１の実施例に比べて、Ｗ膜やＮｉ
膜を形成する工程が少くなるという利点がある。
のＡｕ−３ｎロー材５は、酸化膜２２が存在するため内
側に流れ出すことはない。更にキャップがコバー板で構
成されているため、第１の実施例に比べて、Ｗ膜やＮｉ
膜を形成する工程が少くなるという利点がある。
以上説明したように本発明は、キャップの下面の封止部
を除く金属層の表面を酸化膜で覆うことにより、容器と
キャップを封止する際に封止用ロー材が内部へ流れ込む
のを防止でき、封着ロー材の量が均一になる。従って気
密性が改善され、半導体装置の信頼性が向上するという
効果がある。
を除く金属層の表面を酸化膜で覆うことにより、容器と
キャップを封止する際に封止用ロー材が内部へ流れ込む
のを防止でき、封着ロー材の量が均一になる。従って気
密性が改善され、半導体装置の信頼性が向上するという
効果がある。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の半導体装置の一例の断面図である
。
面図、第３図は従来の半導体装置の一例の断面図である
。
Claims (1)
- 凹状部を有するセラミック製容器と、該容器内に搭載さ
れた半導体素子と、少くとも下面が金属層からなりロー
材により前記容器を封止する平板状キャップとを有する
半導体装置において、封止部を除く前記キャップ下面の
金属層の表面を酸化膜で覆ったことを特徴とする半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14640589A JPH0311653A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14640589A JPH0311653A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0311653A true JPH0311653A (ja) | 1991-01-18 |
Family
ID=15406958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14640589A Pending JPH0311653A (ja) | 1989-06-07 | 1989-06-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0311653A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703397A (en) * | 1991-11-28 | 1997-12-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor package having an aluminum nitride substrate |
| KR100237669B1 (ko) * | 1992-11-28 | 2000-01-15 | 윤종용 | 다층 세라믹 패키지 |
| US6046074A (en) * | 1995-06-05 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules |
| US6388887B1 (en) | 1993-12-27 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Surface mount type package unit |
| JP2007281245A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電子装置 |
| US10183360B2 (en) | 2013-10-03 | 2019-01-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Hermetic sealing cap, electronic component housing package, and method for manufacturing hermetic sealing cap |
-
1989
- 1989-06-07 JP JP14640589A patent/JPH0311653A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5703397A (en) * | 1991-11-28 | 1997-12-30 | Tokyo Shibaura Electric Co | Semiconductor package having an aluminum nitride substrate |
| KR100237669B1 (ko) * | 1992-11-28 | 2000-01-15 | 윤종용 | 다층 세라믹 패키지 |
| US6388887B1 (en) | 1993-12-27 | 2002-05-14 | Hitachi, Ltd. | Surface mount type package unit |
| US6463804B2 (en) | 1993-12-27 | 2002-10-15 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
| US6561030B2 (en) | 1993-12-27 | 2003-05-13 | Hitachi, Ltd. | Acceleration sensor |
| US6566742B1 (en) * | 1993-12-27 | 2003-05-20 | Hitachi, Ltd. | Structure for mounting components |
| US6046074A (en) * | 1995-06-05 | 2000-04-04 | International Business Machines Corporation | Hermetic thin film metallized sealband for SCM and MCM-D modules |
| JP2007281245A (ja) * | 2006-04-07 | 2007-10-25 | Mitsubishi Electric Corp | 電子装置 |
| US10183360B2 (en) | 2013-10-03 | 2019-01-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Hermetic sealing cap, electronic component housing package, and method for manufacturing hermetic sealing cap |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58158950A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0311653A (ja) | 半導体装置 | |
| US4590672A (en) | Package for electronic device and method for producing same | |
| JPS5917271A (ja) | セラミツクパツケ−ジ半導体装置 | |
| JPS5856357A (ja) | 半導体装置用パツケ−ジ | |
| JPH04352131A (ja) | 平板型表示装置 | |
| JPH03148158A (ja) | 半導体素子用封止キャップ | |
| JPS588586B2 (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
| JPS5812736B2 (ja) | ジユシフウシガタハンドウタイソウチ | |
| JPH09289260A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS57112054A (en) | Semiconductor device | |
| JP2762980B2 (ja) | 半導体装置用容器 | |
| JPH01110767A (ja) | 固体撮像装置 | |
| JPS6066838A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS61276245A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS5940552A (ja) | 半導体装置のキヤツプ取付構造 | |
| JPS6482652A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH05211244A (ja) | セラミックケース | |
| JPS592355A (ja) | 半導体パツケ−ジ用リ−ドフレ−ム及びそれを用いた半導体装置 | |
| JPH023546B2 (ja) | ||
| JPH01276656A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH04303947A (ja) | 気密封止用セラミック製キャップ | |
| JPS5827347A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02185060A (ja) | 半導体装置用リードフレーム | |
| JPS62183547A (ja) | リ−ドフレ−ム |