JPS5917271A - セラミツクパツケ−ジ半導体装置 - Google Patents
セラミツクパツケ−ジ半導体装置Info
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- JPS5917271A JPS5917271A JP12615582A JP12615582A JPS5917271A JP S5917271 A JPS5917271 A JP S5917271A JP 12615582 A JP12615582 A JP 12615582A JP 12615582 A JP12615582 A JP 12615582A JP S5917271 A JPS5917271 A JP S5917271A
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- H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
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- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミック製の容器本体の凹所に半導体素子を
装着し、蓋をかぶせてろう利ヲ用いて封着したセラミッ
クパッケージ半導体装置に関する。
装着し、蓋をかぶせてろう利ヲ用いて封着したセラミッ
クパッケージ半導体装置に関する。
、このような従来のセラミックパッケージ半導体装置は
、第1図に示すような構造と力っている。
、第1図に示すような構造と力っている。
第1図において、セラミックの容器本体1の凹所に半導
体素子5が装着され、上部にセラミックの蓋2をかぶせ
、ろう材3によシ、蓋2と容器本体1との間は気密に封
着されている。ところが、従来の平板の蓋2をかぶせた
容器本体1の側壁上面は平坦になっているので、たまた
ま多い目のろう月3の1部は外側にはみ出してリード4
の上に垂れ落ちたシ、内部にはみ出したものは、ボンデ
ィング線6のボンディング用メタライズ層7の上に垂れ
下シ、蓋2とボンディング線6とを短絡させたり、中に
は半導体素子のボンディング線6の接着部にはね落ちて
、ボンディング線の短絡奮起すことなどの欠点があった
。また、はんだ付は時においてのはんだの盛上シやリー
ド加工の寸法精度が望めないという欠点もあった。
体素子5が装着され、上部にセラミックの蓋2をかぶせ
、ろう材3によシ、蓋2と容器本体1との間は気密に封
着されている。ところが、従来の平板の蓋2をかぶせた
容器本体1の側壁上面は平坦になっているので、たまた
ま多い目のろう月3の1部は外側にはみ出してリード4
の上に垂れ落ちたシ、内部にはみ出したものは、ボンデ
ィング線6のボンディング用メタライズ層7の上に垂れ
下シ、蓋2とボンディング線6とを短絡させたり、中に
は半導体素子のボンディング線6の接着部にはね落ちて
、ボンディング線の短絡奮起すことなどの欠点があった
。また、はんだ付は時においてのはんだの盛上シやリー
ド加工の寸法精度が望めないという欠点もあった。
本発明の目的は、蓋を容器本体にろう利ヲ用いて封着す
る際の、上記のようなろう制の流出が効果的に防止され
るセラミックパッケージ半導体装置を提供するにある。
る際の、上記のようなろう制の流出が効果的に防止され
るセラミックパッケージ半導体装置を提供するにある。
本発明のセラミックパッケージ半導体装置は、セラミッ
クの容器本体の凹所に半導体素子金装着し、蓋をかぶせ
てろう材によシ封着l−てなシ、かつ、前記容器本体の
封着部は傾斜面または段差のある形状に形成されている
。
クの容器本体の凹所に半導体素子金装着し、蓋をかぶせ
てろう材によシ封着l−てなシ、かつ、前記容器本体の
封着部は傾斜面または段差のある形状に形成されている
。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第2図は本発明の一実施例の断面図でおる。図−におい
て、第1図に示す従来例と違うところは、容器本体1の
側壁上面の蓋2との封着部は、外方に向いた傾斜面8と
なっていることである。そして、この傾斜面8にはメタ
ライズ9が施されている。このように封着部が傾斜面と
なっていることにより、封着用の多い目のろう材3はこ
の傾斜面8のメタライズ層9に吸着されると共に、蓋2
との大きな隙間に保留されて、外部に流出することはな
い。
て、第1図に示す従来例と違うところは、容器本体1の
側壁上面の蓋2との封着部は、外方に向いた傾斜面8と
なっていることである。そして、この傾斜面8にはメタ
ライズ9が施されている。このように封着部が傾斜面と
なっていることにより、封着用の多い目のろう材3はこ
の傾斜面8のメタライズ層9に吸着されると共に、蓋2
との大きな隙間に保留されて、外部に流出することはな
い。
第3図は本発明の他の実施例の断面図である。
図において、第2図に示す傾斜面8の代わシに。
段差10が封着部に形成され、かつ、この封着面はメタ
ライズ層9が設けられている。したがって、第2図の例
と同様に、多い目のろう材3はメタライズ層9に吸着さ
れると共に段差10の大きな隙間に保留されて外部に流
出することが防止され、よって、蓋とボンディング線と
の間の短絡、ま几は素子のボンディング線接着部での短
絡事故の発生もなくなる。
ライズ層9が設けられている。したがって、第2図の例
と同様に、多い目のろう材3はメタライズ層9に吸着さ
れると共に段差10の大きな隙間に保留されて外部に流
出することが防止され、よって、蓋とボンディング線と
の間の短絡、ま几は素子のボンディング線接着部での短
絡事故の発生もなくなる。
第1図は従来のセラミックパッケージ牛導体装置の断面
図、第2図は本発明の一実施例の断面図、第3図は本発
明の他の実施例の断面図でおる。 1・・・・・・容器本体、2・・・・・・蓋、3・・・
・・・ろう材、4・・・・・・リード、5・・・・・・
半導体素子、6・・・・・・ボンディング線、7・・・
・・・ボンディング用メタライズ層、8・・・・・・傾
斜面、9・・・・・・封着部メタライズ層、1o・・・
・・・段差部。
図、第2図は本発明の一実施例の断面図、第3図は本発
明の他の実施例の断面図でおる。 1・・・・・・容器本体、2・・・・・・蓋、3・・・
・・・ろう材、4・・・・・・リード、5・・・・・・
半導体素子、6・・・・・・ボンディング線、7・・・
・・・ボンディング用メタライズ層、8・・・・・・傾
斜面、9・・・・・・封着部メタライズ層、1o・・・
・・・段差部。
Claims (1)
- セラミックの容器本体の凹所に半導体素子を装着し、蓋
をかぶせてろう材によシ封着した゛セラミックパッケー
ジ半導体装置において、前記容器本体の封着部は傾斜面
または段差のある形状に形成されていることを特徴とす
るセラミックパッケージ半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12615582A JPS5917271A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツクパツケ−ジ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12615582A JPS5917271A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツクパツケ−ジ半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5917271A true JPS5917271A (ja) | 1984-01-28 |
Family
ID=14928031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12615582A Pending JPS5917271A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | セラミツクパツケ−ジ半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5917271A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247049U (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | ||
EP0739541A4 (en) * | 1994-01-14 | 1999-04-28 | Olin Corp | COMPONENT OF CHAMFREE ELECTRONIC MODULE |
FR2785449A1 (fr) * | 1998-10-29 | 2000-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites |
JP2006054304A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | セラミックパッケージ、集合基板及びその製造方法 |
JP2006108162A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 気密封止方法及び該方法を用いた気密封止体、並びに該方法に用いる加熱装置 |
JP2007001606A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Rinnai Corp | 容器 |
JP5915644B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-05-11 | 株式会社大真空 | 電子部品パッケージ、電子部品、及び電子部品パッケージの製造方法 |
CN108520866A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 焊接结构及半导体零件 |
JP2022025834A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法 |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP12615582A patent/JPS5917271A/ja active Pending
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0247049U (ja) * | 1988-09-27 | 1990-03-30 | ||
EP0739541A4 (en) * | 1994-01-14 | 1999-04-28 | Olin Corp | COMPONENT OF CHAMFREE ELECTRONIC MODULE |
FR2785449A1 (fr) * | 1998-10-29 | 2000-05-05 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites |
WO2000026958A1 (fr) * | 1998-10-29 | 2000-05-11 | Commissariat A L'energie Atomique | Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites |
JP2006054304A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Sanyo Electric Co Ltd | セラミックパッケージ、集合基板及びその製造方法 |
JP4511278B2 (ja) * | 2004-08-11 | 2010-07-28 | 三洋電機株式会社 | セラミックパッケージ |
JP2006108162A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | 気密封止方法及び該方法を用いた気密封止体、並びに該方法に用いる加熱装置 |
JP2007001606A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Rinnai Corp | 容器 |
JP4727317B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2011-07-20 | リンナイ株式会社 | 容器 |
JP5915644B2 (ja) * | 2011-03-18 | 2016-05-11 | 株式会社大真空 | 電子部品パッケージ、電子部品、及び電子部品パッケージの製造方法 |
CN108520866A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-11 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 焊接结构及半导体零件 |
JP2022025834A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体パッケージ、および、半導体パッケージの製造方法 |
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