JPH03115834A - 薄い層の物理特性を検査する方法 - Google Patents
薄い層の物理特性を検査する方法Info
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- JPH03115834A JPH03115834A JP2115372A JP11537290A JPH03115834A JP H03115834 A JPH03115834 A JP H03115834A JP 2115372 A JP2115372 A JP 2115372A JP 11537290 A JP11537290 A JP 11537290A JP H03115834 A JPH03115834 A JP H03115834A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 91
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000013554 lipid monolayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- CITHEXJVPOWHKC-UUWRZZSWSA-N 1,2-di-O-myristoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical group CCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)OC(=O)CCCCCCCCCCCCC CITHEXJVPOWHKC-UUWRZZSWSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N icosanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O VKOBVWXKNCXXDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
- 238000012821 model calculation Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
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- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、偏光により薄い層の物理特性を検査する方法
に関する。
に関する。
従来の技術
ガス状及び液状の環境における表面の物理特性を検査し
かつ特性を示す結像光学法は、多くの技術分野において
興味を持たれている。とりわけ数μmからサブナノメー
トルまでの範囲の厚さを有する薄いかつ極めて薄い誘電
体層のための検査方法は、物理学、化学、マイクロリソ
グラフ、センサ解析及び免疫学においてますます必要に
なる。
かつ特性を示す結像光学法は、多くの技術分野において
興味を持たれている。とりわけ数μmからサブナノメー
トルまでの範囲の厚さを有する薄いかつ極めて薄い誘電
体層のための検査方法は、物理学、化学、マイクロリソ
グラフ、センサ解析及び免疫学においてますます必要に
なる。
すべての方法の目的は、できるだけ大きな横向き分解能
及び高いコントラストで表面構造を表示することにある
。
及び高いコントラストで表面構造を表示することにある
。
高いコントラストで簿いかつ極めて薄い層を検査するに
は、結像0だ円偏光法(ヨーロツノテ特許出願公開第1
9088号明細書参照)及び表面プラズモン顕微鏡光学
系(B、ローテンホイズラーW、クノール、ナツーレ3
32 、615 (1988)参照)が適している。結
像0だ円偏光法の欠点は、処理技術上の費用が高いこと
、及び単色光に限定されることにある。それに対して表
面プラズモン顕微鏡光学系の構成は、わずかな光学部品
から成るにすぎない。その上特にサブナノメートル範囲
においてこの方法のコントラストはさらに高い(B、ロ
ーテンホイズラー、学位論文ミュンヘン(1987)参
照)。しかし表面グラズモン顕微鏡光学系の欠点は、層
の厚さが100 nmより小さい層に限定されることに
ある。
は、結像0だ円偏光法(ヨーロツノテ特許出願公開第1
9088号明細書参照)及び表面プラズモン顕微鏡光学
系(B、ローテンホイズラーW、クノール、ナツーレ3
32 、615 (1988)参照)が適している。結
像0だ円偏光法の欠点は、処理技術上の費用が高いこと
、及び単色光に限定されることにある。それに対して表
面プラズモン顕微鏡光学系の構成は、わずかな光学部品
から成るにすぎない。その上特にサブナノメートル範囲
においてこの方法のコントラストはさらに高い(B、ロ
ーテンホイズラー、学位論文ミュンヘン(1987)参
照)。しかし表面グラズモン顕微鏡光学系の欠点は、層
の厚さが100 nmより小さい層に限定されることに
ある。
発明の目的
本発明の課題は、わずかな処理技術上の費用により高い
強度フントラスト、すなわち大きな垂直分解能、及び良
好な横向き分解能で薄いかつ極めて薄い層を表面構造及
び屈折率構造に関して検査できる方法を提供することに
ある。
強度フントラスト、すなわち大きな垂直分解能、及び良
好な横向き分解能で薄いかつ極めて薄い層を表面構造及
び屈折率構造に関して検査できる方法を提供することに
ある。
発明の構成
本発明の対象は、検査すべき層又は検査すべき層系に偏
光を照射し、かつ反射光又は透過光を結像系に導く、偏
光により薄い層の物理特性を検査する方法であり、この
方法は次のような特徴を有する。すなわち偏光の入射に
より検査すべき層又は検査すべき層系に光ガイドモード
を励起する。
光を照射し、かつ反射光又は透過光を結像系に導く、偏
光により薄い層の物理特性を検査する方法であり、この
方法は次のような特徴を有する。すなわち偏光の入射に
より検査すべき層又は検査すべき層系に光ガイドモード
を励起する。
その際検査すべき層又は検査すべき層系は、任意の固体
表面に、例えば金属層又は半導体層上に取付けることが
できる。
表面に、例えば金属層又は半導体層上に取付けることが
できる。
検査すべき層又は検査すべき層系内に光ガイドモードを
励起するため、カップリング装置を使用すると有利であ
る。
励起するため、カップリング装置を使用すると有利であ
る。
カップリング装置としてはプリズムを使用すると有利で
あり、その際検査すべき層又は検査すべき層系に対して
100〜400 nmの間隔を置いてプリズムの底面を
取付けるか、又は金属フィルム又は半導体フィルムで被
覆したプリズムの底面に検査すべき層又は検査すべき層
系を直接取付ける。
あり、その際検査すべき層又は検査すべき層系に対して
100〜400 nmの間隔を置いてプリズムの底面を
取付けるか、又は金属フィルム又は半導体フィルムで被
覆したプリズムの底面に検査すべき層又は検査すべき層
系を直接取付ける。
しかしカップリング装置として固体表面上の格子構造も
有利に使用でき、この固体表面上に検査すべき層又は検
査すべき層系を取付ける。
有利に使用でき、この固体表面上に検査すべき層又は検
査すべき層系を取付ける。
驚(べきことに本発明による方法によれば、わずかな装
置費用により0.1nm〜はぼ1■の層厚を有する層を
表面構造及び屈折率構造に関して検査することができる
。
置費用により0.1nm〜はぼ1■の層厚を有する層を
表面構造及び屈折率構造に関して検査することができる
。
薄い透明媒体中の光ガイドモードは、P、 K、ティー
ンによりRev、 Mod、 Phys、 49 、3
61 (1977)において論じられている。
ンによりRev、 Mod、 Phys、 49 、3
61 (1977)において論じられている。
光ガイドモードは、薄い透明媒体中で伝搬できる電磁波
である。この波は媒体の境界面に対して平行に伝搬し、
かつ伝搬方向に減衰する。電磁界は、媒体の境界面にお
いて指数関数状に減衰する。
である。この波は媒体の境界面に対して平行に伝搬し、
かつ伝搬方向に減衰する。電磁界は、媒体の境界面にお
いて指数関数状に減衰する。
薄い誘電体層における光ガイドモードの励起のためにだ
いたいにおいて2つのカップリング装置が使われ、すな
わちプリズムカップリング(P、K。
いたいにおいて2つのカップリング装置が使われ、すな
わちプリズムカップリング(P、K。
ティーン、R,ウルリヒ、Appl−PhyS、 Le
tt。
tt。
14 、291 (1969)参照)、及び格子カンブ
リング(D、 G、グルゲーテ、 C,D、 W、ウィ
ルキンソン。
リング(D、 G、グルゲーテ、 C,D、 W、ウィ
ルキンソン。
Appl、 0ptcs 、 14 、2983 (1
975)参照)が使われる。
975)参照)が使われる。
プリズムカップリングの場合、プリズムには平行に偏光
した光(= p )又は垂直に偏光した光(−5)が当
たり、この光は、プリズムの底面で全反射する。固体支
持体上にある検査すべき光ガイド層又は層系は、数11
00n、例えば100〜400 nm。
した光(= p )又は垂直に偏光した光(−5)が当
たり、この光は、プリズムの底面で全反射する。固体支
持体上にある検査すべき光ガイド層又は層系は、数11
00n、例えば100〜400 nm。
なるべく150〜250 nmまでプリズムの底面に近
付けられる。光の入射角を適当に選択した場合、検査す
べき層又は層系内に光ガイドモードが励起される。この
角度において反射光ビームの強度は最小値をとる。プリ
ズムと検査すべき層又は層系との間の媒体としては、ガ
ス又は液体が使用される。この構成の代りにプリズムと
検査すべき層又は層系との間のギャップを金属層又は半
導体装置置換えてもよい。この時検査すべき層又は層系
は金属層又は半導体層に取付けられる。
付けられる。光の入射角を適当に選択した場合、検査す
べき層又は層系内に光ガイドモードが励起される。この
角度において反射光ビームの強度は最小値をとる。プリ
ズムと検査すべき層又は層系との間の媒体としては、ガ
ス又は液体が使用される。この構成の代りにプリズムと
検査すべき層又は層系との間のギャップを金属層又は半
導体装置置換えてもよい。この時検査すべき層又は層系
は金属層又は半導体層に取付けられる。
格子カップリングの場合、固体の表面はスタンピング法
又はエツチング法により線状格子の形忙変調される。変
調されたこの表面には検査すべき層又は層系が取付けら
れる。プリズムカップリングの場合のように入射するp
又はS偏光の適当な入射角の場合、検査すべき層又は層
系内に光ガイドモードが励起される。ここでも反射光の
強度は最小値をとる。
又はエツチング法により線状格子の形忙変調される。変
調されたこの表面には検査すべき層又は層系が取付けら
れる。プリズムカップリングの場合のように入射するp
又はS偏光の適当な入射角の場合、検査すべき層又は層
系内に光ガイドモードが励起される。ここでも反射光の
強度は最小値をとる。
検査すべき層又は層系の横向き構造は、光ガイドに対し
て種々の力、ブリング条件を生じる。偏光が一定の角度
で前記試料装置の1つに当たると、検査すべき層又は層
系の横向き構造は、種々の反射、すなわち種々の輝度に
基づいて識別できる。
て種々の力、ブリング条件を生じる。偏光が一定の角度
で前記試料装置の1つに当たると、検査すべき層又は層
系の横向き構造は、種々の反射、すなわち種々の輝度に
基づいて識別できる。
角度を変えて入射した場合、種々の入射角において検査
すべき層又は層系の種々の範囲に対するカップリング条
件を満たすことができ、それにより横向き構造が見える
ようになる。
すべき層又は層系の種々の範囲に対するカップリング条
件を満たすことができ、それにより横向き構造が見える
ようになる。
横向き分解能は光ガイドモードの減衰によって作用を受
ける。光ガイドモードの減衰は、光ガイド媒体の吸収及
び表面品質により、がっ隣接する媒体の吸収により決ま
る。横向き分解能を良好にするためKは、光ガイドモー
ドの減衰をできるだけ大きくする。
ける。光ガイドモードの減衰は、光ガイド媒体の吸収及
び表面品質により、がっ隣接する媒体の吸収により決ま
る。横向き分解能を良好にするためKは、光ガイドモー
ドの減衰をできるだけ大きくする。
垂直分解能はサブナノメートルの範囲にあり、すなわち
1 nmよりわずかな光ガイド層の厚さの相違がはっき
りと異なった反射を生じ、従って観察可能なコントラス
トを生じる。
1 nmよりわずかな光ガイド層の厚さの相違がはっき
りと異なった反射を生じ、従って観察可能なコントラス
トを生じる。
薄い層の物理特性を検査するため本発明により使用すべ
き装置は、機械的及び光学的に簡単に構成されている。
き装置は、機械的及び光学的に簡単に構成されている。
この装置は光ガイドモード顕12鏡と称することができ
る。光ガイドモードを形成するためにプリズムカップリ
ングを使用すると有利であり、その際浸漬液によりプリ
ズム表面に物体支持体を接着し、この物体支持体の裏側
に金属層を取付け、がっその上に検査すべき層又は層系
を取付ける。その代りに金属層及び検査すべき層又は層
系はプリズム表面に直接取付けてもよい。そのため金属
としては、銀、金、m及びアルミニウム又はこれら金属
から成る層系が使われる。2〜5 nmのクロムと40
nmの金から成る層系を使用すると特に有利とわかっ
た。それにより形成された鏡は、浅い角度でプリズムの
空いた2つの側面のうち一方を通して平行な単色、着色
又は白色のp又はS偏光で照射され、かつ鏡上に焦点を
結ぶ短い焦点距離の色消しレンズによってプリズムの他
方の空いた何面を通ってスクリーン、ビデオカメラ又は
接眼レンズに結像する。
る。光ガイドモードを形成するためにプリズムカップリ
ングを使用すると有利であり、その際浸漬液によりプリ
ズム表面に物体支持体を接着し、この物体支持体の裏側
に金属層を取付け、がっその上に検査すべき層又は層系
を取付ける。その代りに金属層及び検査すべき層又は層
系はプリズム表面に直接取付けてもよい。そのため金属
としては、銀、金、m及びアルミニウム又はこれら金属
から成る層系が使われる。2〜5 nmのクロムと40
nmの金から成る層系を使用すると特に有利とわかっ
た。それにより形成された鏡は、浅い角度でプリズムの
空いた2つの側面のうち一方を通して平行な単色、着色
又は白色のp又はS偏光で照射され、かつ鏡上に焦点を
結ぶ短い焦点距離の色消しレンズによってプリズムの他
方の空いた何面を通ってスクリーン、ビデオカメラ又は
接眼レンズに結像する。
検査すべき層としては、屈折率及び厚さに関して特殊な
構造の薄い誘電体層(例えば有機ポリマシリコン含有ポ
リマー、金属酸化物層)、例えば100 nm〜1闘の
厚さを有するようなものが対象となる。層は、例えば蒸
着、めっき又はラングミューア・ブロードゲット法によ
り金属層に取付けることができる。さらに屈折率及び厚
さに関して特殊構造の、0,1〜100 nmの厚さを
有する極めて薄い層を検査することができる。そのため
まず金属上に、例えば蒸着、めっき又はラングミューア
・ブロードゲット法により光ガイド誘電体層を取付ける
と有利であり、それからその土に検査すべき層を、例え
ばラングミエーア・プロードゲッ)(LB)法、めっき
、液相からの吸着、注入又は蒸着によって取付ける。こ
のようにして例えばリピドモノ層、ポリマー、特殊構造
8102層及び特殊構造Cd・アラキダート・LB層が
検査できる。
構造の薄い誘電体層(例えば有機ポリマシリコン含有ポ
リマー、金属酸化物層)、例えば100 nm〜1闘の
厚さを有するようなものが対象となる。層は、例えば蒸
着、めっき又はラングミューア・ブロードゲット法によ
り金属層に取付けることができる。さらに屈折率及び厚
さに関して特殊構造の、0,1〜100 nmの厚さを
有する極めて薄い層を検査することができる。そのため
まず金属上に、例えば蒸着、めっき又はラングミューア
・ブロードゲット法により光ガイド誘電体層を取付ける
と有利であり、それからその土に検査すべき層を、例え
ばラングミエーア・プロードゲッ)(LB)法、めっき
、液相からの吸着、注入又は蒸着によって取付ける。こ
のようにして例えばリピドモノ層、ポリマー、特殊構造
8102層及び特殊構造Cd・アラキダート・LB層が
検査できる。
実施例
例l
5F57ガラスから成るプリズムの底面に30mのクロ
ム及び40 nmの金から成る層系な蒸着する。検査す
べき層としては特殊構造のS r 02蒸着層を使用す
る。製造は次のように行5゜すなわち第1の蒸着過程に
おいて金属層系上に310 nmのS r 02を蒸着
する。続いて組織化のために第2の蒸着過程においてマ
スク(電子顕微鏡ネット)を通してもう1度4 nmの
5IO2を蒸着する。
ム及び40 nmの金から成る層系な蒸着する。検査す
べき層としては特殊構造のS r 02蒸着層を使用す
る。製造は次のように行5゜すなわち第1の蒸着過程に
おいて金属層系上に310 nmのS r 02を蒸着
する。続いて組織化のために第2の蒸着過程においてマ
スク(電子顕微鏡ネット)を通してもう1度4 nmの
5IO2を蒸着する。
試料の均一な範囲において光の入射角に依存した反射強
度を測定する。光源としてはHeNeレーザー(λ=
633 nm )を使用する。測定はp及びS偏光で行
う。310 nmと314 nmの厚さの均一なS t
02層の光ガイドモードは、明らかに異なった入射角
の場合に生じた。この角度のずれはフントラストの形成
に利用される。第2図は特殊構造のSiO層のこのよう
な記録を示している。黒い棒は20μmの幅を有する。
度を測定する。光源としてはHeNeレーザー(λ=
633 nm )を使用する。測定はp及びS偏光で行
う。310 nmと314 nmの厚さの均一なS t
02層の光ガイドモードは、明らかに異なった入射角
の場合に生じた。この角度のずれはフントラストの形成
に利用される。第2図は特殊構造のSiO層のこのよう
な記録を示している。黒い棒は20μmの幅を有する。
記録は、入射角θ−31,3でp偏光(λ−633 n
m )によって行った。310μmの厚さのS + 0
2範囲内に光ガイドモードを励起する。反射強度は最小
である。それ故に記録においてこれら範囲は暗く見える
。314 nmの厚さのS+02範囲はカップリング条
件を満たしておらず、光ガイドモードは励起できない。
m )によって行った。310μmの厚さのS + 0
2範囲内に光ガイドモードを励起する。反射強度は最小
である。それ故に記録においてこれら範囲は暗く見える
。314 nmの厚さのS+02範囲はカップリング条
件を満たしておらず、光ガイドモードは励起できない。
これら範囲は像中で明るくなっている。入射角をθ−1
,10°だけ増加することにより、この時314 nm
の厚さのS i02範囲がカップリング条件を満たし、
すなわち光ガイドモードが励起されるので、コントラス
トを反転することができる。310 nmの厚さのS
r 02範囲内ではもはや光ガイドモードは励起できな
い。S偏光による記録は同じ結果を生じる。
,10°だけ増加することにより、この時314 nm
の厚さのS i02範囲がカップリング条件を満たし、
すなわち光ガイドモードが励起されるので、コントラス
トを反転することができる。310 nmの厚さのS
r 02範囲内ではもはや光ガイドモードは励起できな
い。S偏光による記録は同じ結果を生じる。
例2
SF57ガラスから成るプリズムの底面に50mmの銀
を被覆する。その上にポリ電解質フィルムを被覆する。
を被覆する。その上にポリ電解質フィルムを被覆する。
すべての検査はHeNeレーザーのp偏光によって行っ
た。光の入射角に依存した反射強度の測定により、被覆
したポリ電解質フィルム内にわずかなカップリングによ
る極めて幅広い光ガイドモードだけが励起できることが
わかった。
た。光の入射角に依存した反射強度の測定により、被覆
したポリ電解質フィルム内にわずかなカップリングによ
る極めて幅広い光ガイドモードだけが励起できることが
わかった。
考えられる原因は、光ガイドモードの減衰を増加するポ
リ電解質層の吸収、又は層の粗悪な表面品質である。後
者は本発明による方法により試験できる。第3図は、θ
−44,5°におけるポリ電解質フィルム表面の光ガイ
ドモード顕微鏡の相応した記録を示している。像部分の
大きさは570 X 420μm′である。暗い範囲内
だけに光ガイドモードが励起できる。その他の明るい範
囲は厚さに関して相違しており、それ故にθ−44,5
”の入射角の場合に光ガイドモードを励起することはで
きない。Δθ−0,4°毎に01−43゜1°からθ2
−45.9°までの角度に依存した記録によれば、レベ
ルダイヤグラムを作ることができる。そのためそれぞれ
の記録により最小のグレー値、従って最小の光反射を生
じる範囲が特定される。これは均一な厚さの範囲である
。
リ電解質層の吸収、又は層の粗悪な表面品質である。後
者は本発明による方法により試験できる。第3図は、θ
−44,5°におけるポリ電解質フィルム表面の光ガイ
ドモード顕微鏡の相応した記録を示している。像部分の
大きさは570 X 420μm′である。暗い範囲内
だけに光ガイドモードが励起できる。その他の明るい範
囲は厚さに関して相違しており、それ故にθ−44,5
”の入射角の場合に光ガイドモードを励起することはで
きない。Δθ−0,4°毎に01−43゜1°からθ2
−45.9°までの角度に依存した記録によれば、レベ
ルダイヤグラムを作ることができる。そのためそれぞれ
の記録により最小のグレー値、従って最小の光反射を生
じる範囲が特定される。これは均一な厚さの範囲である
。
フレネルの式による層系に関するモデル計算によ’l(
H,ウォルタ−「ハントブーツ・デア・フィジーク」、
S、フリュッゲ(版)、シュブリンガー出版、ベルリン
、1956参照)、それぞれの角度に対応する厚さが計
算できる。材料の屈折率は既知であり、かつn = 1
.63である。この評価によれば、570 X 420
μ−の大きさの検査した面積に関して層の平均厚さは3
38 nmであることがわかった。厚さの変動は±10
nmであった。表面のこの大幅な不均一は、光ガイド
モードの幅と粗悪なカップリングにより生じる。
H,ウォルタ−「ハントブーツ・デア・フィジーク」、
S、フリュッゲ(版)、シュブリンガー出版、ベルリン
、1956参照)、それぞれの角度に対応する厚さが計
算できる。材料の屈折率は既知であり、かつn = 1
.63である。この評価によれば、570 X 420
μ−の大きさの検査した面積に関して層の平均厚さは3
38 nmであることがわかった。厚さの変動は±10
nmであった。表面のこの大幅な不均一は、光ガイド
モードの幅と粗悪なカップリングにより生じる。
例3
リビドモノ層の例において、光ガイド誘電体層上の特殊
構造の極めて薄い層がどのようにして検査できるかを示
す。
構造の極めて薄い層がどのようにして検査できるかを示
す。
BK7ガラス物体支持体上に30mのクロム及び40
nmの金を蒸着した。続いて340 nmの厚さの5i
o2層を蒸着した。SiO2層は光ガイド層として使わ
れる。
nmの金を蒸着した。続いて340 nmの厚さの5i
o2層を蒸着した。SiO2層は光ガイド層として使わ
れる。
検査すべきリピドモノ層としてはジミリストイルホスフ
エーチド酸(DMPA )から成るラングミューア・ブ
ロードゲット・フィルムを使用する。
エーチド酸(DMPA )から成るラングミューア・ブ
ロードゲット・フィルムを使用する。
DMPA (クロロホルム中に溶解)は、純粋な水上に
広げられ、かつ溶媒を蒸発させた後にラングミューア・
ブロードゲット法により5〜6mN−m−’の圧力で(
共存相)前記のように準備したBK7ガラス物体支持体
上に移す。共存範囲においてリビドモノ層が結晶範囲と
無定形範囲から成る疑似2元系であることはわかってい
る。これら範囲を厚さ及び屈折率に関−て区別する。
広げられ、かつ溶媒を蒸発させた後にラングミューア・
ブロードゲット法により5〜6mN−m−’の圧力で(
共存相)前記のように準備したBK7ガラス物体支持体
上に移す。共存範囲においてリビドモノ層が結晶範囲と
無定形範囲から成る疑似2元系であることはわかってい
る。これら範囲を厚さ及び屈折率に関−て区別する。
このように準備した物体支持体を浸漬液(・てよりB
K、 7プリズムに接着し、かつ本発明による方法で検
査する。検査はI(eNeレーザーのp偏光によって行
った。θ=41°の光入射角における光ガイドモード顕
微鏡による記録により明らかなように、DMPAの結晶
範囲と無定形範囲のわずかな厚さの相違を横向き及び垂
直にはつきりと分解することがうまくいった。
K、 7プリズムに接着し、かつ本発明による方法で検
査する。検査はI(eNeレーザーのp偏光によって行
った。θ=41°の光入射角における光ガイドモード顕
微鏡による記録により明らかなように、DMPAの結晶
範囲と無定形範囲のわずかな厚さの相違を横向き及び垂
直にはつきりと分解することがうまくいった。
本発明による方法のために使用する装置の構成は第1図
に概略的に示しである。ここにおいて1は光源、2は検
査すべき層又は検査すべき層系(例えば特殊構造のS
r 02層又はS + 02層とりビドモノ層)、3は
金属層、4はガラス物体支持体、5は浸漬液、6はガラ
スプリズム、7はレンズ、8はビデオカメラを表わして
いる。
に概略的に示しである。ここにおいて1は光源、2は検
査すべき層又は検査すべき層系(例えば特殊構造のS
r 02層又はS + 02層とりビドモノ層)、3は
金属層、4はガラス物体支持体、5は浸漬液、6はガラ
スプリズム、7はレンズ、8はビデオカメラを表わして
いる。
■・・・光源、2・・・検査すべき層又は層系、3・・
・金属層、4・・・ガラス物体支持体、5・・・浸漬液
、6・・・ガラスプリズム、7・・・レンズ、8・・・
ビデオカメラFIG、2 FIG、3 手 続 捕 正 書 平成2年 7月13日
・金属層、4・・・ガラス物体支持体、5・・・浸漬液
、6・・・ガラスプリズム、7・・・レンズ、8・・・
ビデオカメラFIG、2 FIG、3 手 続 捕 正 書 平成2年 7月13日
Claims (8)
- (1)検査すべき層又は検査すべき層系に偏光を照射し
、かつ反射光又は透過光を結像系に導く、偏光により薄
い層の物理特性を検査する方法において、 偏光の入射により検査すべき層又は検査すべき層系に光
ガイドモードを励起することを特徴とする、薄い層の物
理特性を検査する方法。 - (2)検査すべき層又は検査すべき層系を任意の固体表
面に取付ける、請求項1記載の方法。 - (3)検査すべき層又は検査すべき層系を金属層又は半
導体層上に取付ける、請求項2記載の方法。 - (4)検査すべき層又は検査すべき層系内に光ガイドモ
ードを励起するため、カップリング装置を使用する、請
求項1〜3の1つに記載の方法。 - (5)カップリング装置としてプリズムを使用する、請
求項4記載の方法。 - (6)検査すべき層又は検査すべき層系に対して100
〜400nmの間隔を置いてプリズムの底面を取付ける
、請求項5記載の方法。 - (7)金属フィルム又は半導体フィルムで被覆したプリ
ズムの底面に検査すべき層又は検査すべき層系を直接取
付ける、請求項5記載の方法。 - (8)カップリング装置として固体表面上の格子構造を
使用し、この固体表面上に検査すべき層又は検査すべき
層系を取付ける、請求項4記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3914631A DE3914631A1 (de) | 1989-05-03 | 1989-05-03 | Verfahren zur untersuchung der physikalischen eigenschaften duenner schichten |
DE3914631.6 | 1989-05-03 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03115834A true JPH03115834A (ja) | 1991-05-16 |
Family
ID=6380021
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2115372A Pending JPH03115834A (ja) | 1989-05-03 | 1990-05-02 | 薄い層の物理特性を検査する方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5141311A (ja) |
EP (1) | EP0403769B1 (ja) |
JP (1) | JPH03115834A (ja) |
KR (1) | KR900018664A (ja) |
AT (1) | ATE108902T1 (ja) |
AU (1) | AU634771B2 (ja) |
CA (1) | CA2015920A1 (ja) |
DE (2) | DE3914631A1 (ja) |
FI (1) | FI902197A0 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357544A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4004088A1 (de) * | 1990-02-10 | 1991-08-14 | Basf Ag | Verfahren zur untersuchung physikalischer eigenschaften duenner schichten |
US5208648A (en) * | 1991-03-11 | 1993-05-04 | International Business Machines Corporation | Apparatus and a method for high numerical aperture microscopic examination of materials |
DE4211693A1 (de) * | 1992-04-08 | 1993-10-14 | Basf Ag | Verfahren zur Untersuchung der physikalischen Eigenschaften dünner Schichten und elektro-optisch aktiven dünnen Schichten |
DE4312812C2 (de) * | 1993-04-20 | 2001-02-22 | Deutsche Telekom Ag | Verfahren und Anordnung zur Endpunkt-Bestimmung von Silylierungs-Prozessen belichteter Lacke für Maskierungen |
DE4343663C1 (de) * | 1993-12-21 | 1995-04-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Vorrichtung zur polarisationsempfindlichen Spektroskopie |
EP1650550B1 (en) * | 1996-04-30 | 2012-10-17 | FUJIFILM Corporation | Surface plasmon sensor |
SE9700384D0 (sv) * | 1997-02-04 | 1997-02-04 | Biacore Ab | Analytical method and apparatus |
US6483580B1 (en) | 1998-03-06 | 2002-11-19 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
GB0013139D0 (en) * | 2000-05-30 | 2000-07-19 | Univ Nottingham | Improvements in and relating to microscopy |
DE10102623C2 (de) * | 2001-01-20 | 2003-04-10 | Geesthacht Gkss Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Bestimmung des Molekulargewichts von Polymeren |
US6992770B2 (en) * | 2001-01-25 | 2006-01-31 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Sensor utilizing attenuated total reflection |
DE10207163A1 (de) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vorrichtung und Verfahren für die indirekte Bestimmung der physikalischen Eigenschaften dünner Schichten auf einem nicht-metallischen Substrat mittels Ellipsometrie |
DE102004012125B3 (de) * | 2004-03-12 | 2005-09-01 | Nanofilm Technologie Gmbh | Ellipsometrisches Messverfahren mit ROI-gestützter Bildkorrektur |
US20060238868A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-10-26 | George Dube | Athermal abirefringent optical components |
WO2007047408A2 (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Pathologica, Llc. | Promac signature application |
FR2908186B1 (fr) * | 2006-11-03 | 2012-08-03 | Commissariat Energie Atomique | Structure amelioree de detection optique pour capteur par resonance plasmon |
CN101607995B (zh) | 2007-06-15 | 2013-05-01 | 厦门大学 | 特异性结合h5亚型禽流感病毒血凝素蛋白的单克隆抗体或其结合活性片段及其用途 |
JP5291378B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-09-18 | スタンレー電気株式会社 | フォトカソード装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2253410A5 (ja) * | 1973-12-03 | 1975-06-27 | Inst Nat Sante Rech Med | |
SE416681B (sv) * | 1979-04-17 | 1981-01-26 | Johan Emanuel Stenberg | Sett att jemfora tva ytors reflexionsegenskaper |
CH663473A5 (de) * | 1983-04-26 | 1987-12-15 | Volpi Ag | Verfahren zum optischen bestimmen der oberflaechenbeschaffenheit von festkoerpern. |
GB2156970B (en) * | 1984-01-06 | 1987-09-16 | Plessey Co Plc | Optical detection of specific molecules |
US4672196A (en) * | 1984-02-02 | 1987-06-09 | Canino Lawrence S | Method and apparatus for measuring properties of thin materials using polarized light |
US4612196A (en) * | 1984-08-23 | 1986-09-16 | Miller Brewing Company | Preparation of low alcohol beverages by reverse osmosis |
GB2197065A (en) * | 1986-11-03 | 1988-05-11 | Stc Plc | Optical sensor device |
DE3720387C1 (en) * | 1987-06-19 | 1988-11-24 | Benno Rothenhaeusler | Method and device for examining the physical properties of thin layers by means of polarised light |
-
1989
- 1989-05-03 DE DE3914631A patent/DE3914631A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-04-30 EP EP90108208A patent/EP0403769B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-04-30 AT AT90108208T patent/ATE108902T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-04-30 DE DE59006478T patent/DE59006478D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-05-02 JP JP2115372A patent/JPH03115834A/ja active Pending
- 1990-05-02 US US07/517,739 patent/US5141311A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-02 FI FI902197A patent/FI902197A0/fi not_active Application Discontinuation
- 1990-05-02 CA CA002015920A patent/CA2015920A1/en not_active Abandoned
- 1990-05-02 AU AU54597/90A patent/AU634771B2/en not_active Ceased
- 1990-05-03 KR KR1019900006238A patent/KR900018664A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002357544A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 測定装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0403769A2 (de) | 1990-12-27 |
FI902197A0 (fi) | 1990-05-02 |
AU634771B2 (en) | 1993-03-04 |
AU5459790A (en) | 1990-11-08 |
EP0403769B1 (de) | 1994-07-20 |
CA2015920A1 (en) | 1990-11-03 |
US5141311A (en) | 1992-08-25 |
DE59006478D1 (de) | 1994-08-25 |
KR900018664A (ko) | 1990-12-22 |
EP0403769A3 (de) | 1991-04-24 |
ATE108902T1 (de) | 1994-08-15 |
DE3914631A1 (de) | 1990-11-08 |
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