JPH03113421A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置に
関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密度表
示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置に関
する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形
成している。選択された絵素電極とこれに対向する対向
電極との間に電圧が印加され、その間に介在する表示媒
体の光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パタ
ーンとして視認される。絵素電極の駆動方式として、個
々の独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞ
れにスイッチング素子を連結して駆動するアクティブマ
トリクス駆動方式が知られている。

絵素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、Ｔ
ＰＴ　（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ　（金属−絶
縁層−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオー
ド、バリスタ等が一般的に知られている。アクティブマ
トリクス駆動方式は、高コントラストの表示が可能であ
り、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンビ二一
夕の端末表示装置等に実用化されている。

（発明が解決しようとする課題） このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場合、
非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列する
ことが必要となる。しかしながら、スイッチング素子は
基板上に作製した時点で動作不良素子として形成される
ことがある。このような不良素子に連結された絵素電極
は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることになる。

絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭６１−１
５３６１９号公報に開示されている。この構成では、絵
素電極１個当り複数個のスイッチング素子が設けられる
。複数個のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に
接続され、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に
接続されたスイッチング素子が不良の場合は、レーザト
リマ、超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素
電極から切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極
に接続される。スイッチング素子と絵素電極との接続は
、微小な導体をデイスペンサ等で付着させることにより
、或いは基板上にＡｕ、Ａ１等を所定部位にコートする
ことにより行われる。

更に、特開昭６１−５６３８２号公報及び特開昭５９−
１０１６９３号公報には、レーザ光を照射して金属を溶
融させることにより、金属層相互間を電気的に接続する
構成が開示されている。

上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で行われなければならない。そ
の理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射に
よって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対
同電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、
表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。

従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装置組
立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス基板
製作プロセスで適用されている。

ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。

特に絵素数が１０万個〜５０万個以上もある大型表示装
置では、全ての絵素電極の電気的特性を検出して不良ス
イッチング素子を発見するには、極めて高精度の測定機
器等を使用しなければならない。このため、検査工程が
繁雑となり、量産性が阻害される。従って、コスト高に
なるという結果を招く。このような理由で、絵素数の多
い大型表示装置では、上述のレーザ光を用いた基板の状
態での絵素欠陥の修正を行なうことができないというの
が実情である。

表示装置の状態でレーザ光を用いた絵素欠陥の修正が可
能なアクティブマトリクス表示装置が、特願平１−１１
６６９４に示されている。第１Ａ図にこのような表示装
置の改良例に用いられるアクティブマトリクス基板の平
面図を示す。第１Ａ図の基板を用いて表示装置を組み立
て、第１Ａ図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿ったこの表示
装置の断面の構成を、第３図及び第４図に示す。ガラス
基板ｌ上にベースコート膜２が形成され、ベースコート
膜２上にはゲートバス配線３とソースバス配線４とが格
子状に配列されている。ゲートバス配線３とソースバス
配線４とに囲まれた矩形の領域には、透明導電膜（ＩＴ
Ｏ）から成る絵素電極５が設けられ、マトリクス状の絵
素パターンを構成している。

絵素電極５の隅部付近にはＴＰＴ６が配され、ＴＰＴ６
と絵素電極５とはドレイン電極１６によって電気的に接
続されている。絵素電極５の他の隅部付近には予備ＴＦ
Ｔ７が配され、予備ＴＦＴ７と絵素電極５とはドレイン
電極１６ａによって電気的に接続されている。ＴＰＴ６
及び予備ＴＦＴ７はゲートバス配線３上に並設され、Ｔ
ＰＴ６のソース電極１５とソースバス配線４とは枝配線
８によって接続されている。予＠ＴＦＴ７のソース電極
１５ａはソース電極延設端８ａによって、接続部２５に
導かれる。接続部２５ではソース電極延設端８ａは、非
導通状態で枝配線８に対置されている。従って、二つの
ＴＦＴ６及び７のうち、ＴＦＴ６のみがソースバス配線
４に電気的に接続され、予備ＴＦＴ７はソースバス配線
４には接続されていない。

ＴＦＴ６近傍の断面構成を第３図に従って説明する。尚
、予備ＴＦＴ７の構成もＴＦＴ６と同様である。ゲート
バス配線３の一部として形成されるゲート電極９上にゲ
ート絶縁膜１０が形成されている。この上から、ゲート
絶縁膜としても機能しているベース絶縁膜１１が基板全
面に亙って堆積すしている。ベース絶縁膜１１上にはア
モルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の真性半導体層１２、
真性半導体層１２の上面を保護する半導体層保護膜１３
が順次ＭＦＩされている。更にその上から、ａ−３ｊか
ら成るｎ型半導体層１４．１４が積層されている。ｎ型
半導体層１４．１４上にはそれぞれソース電極１５、及
びドレイン電極１６が形成されている。上記半導体層保
護膜１３は、エツチングによりソース電極及びドレイン
電極がパターン形成される際に、エツチングストッパと
して機能する。

絵素電極５は、ベース絶縁膜１１上にパターン形成され
る。ＴＦＴ６及び絵素電極５の上面を覆って基板全面に
保護膜１７及び配向層１９が堆積されている。

第４図に示すように接続部２５では、ベースフート膜２
上に継手金属９２４が形成されている。

継手金属層２４上には前述のベース絶縁膜１１が堆積さ
れている。ベース絶縁膜１１上には、予備ＴＦＴ７のソ
ース電極１５に接続されたソース電極延設端８ａと、ソ
ースバス配線４に接続された枝配線８とが載置されてい
る。ソース電極延設端８ａと枝配線８とは、互いに離隔
され非導通状態を維持している。従って、予＠ＴＦＴ７
はソースバス配線４とは電気的には接続されていない。

ソース電極延設端８ａと枝配線８とは保護膜１７によっ
て完全に被覆されている。保護膜１７は枝配線８とソー
ス電極延設端８ａとの間の電気的接続を、表示媒体であ
る液晶層１８と離隔した状態で行うために設けられてい
る。

ガラス基板１に対向する他方のガラス基板２０の内面に
は、カラーフィルタ２１が形成されている。カラーフィ
ルタ２１上の全面に、対同電極２２、及び配向層２３が
重畳形成されている。上記一対のガラス基板１．２０の
間には表示媒体として液晶層１８が封入されている。

このような構成を有する液晶表示装置の全絵素電極５に
、ＴＦＴ６を介して駆動電圧を印加する。

このように表示装置を全面駆動した状態では、絵素欠陥
が容易に視認される。ＴＦＴ６の不良による絵素欠陥が
発生している場合には、接続部２５を用いて容易に修正
することができる。即ち、下方のガラス基板１を介して
外部よりレーザ光等のエネルギーが継手金属層２４と、
枝配線８及びソース電極延設端８ａとの重畳部分に照射
される。

枝配線８と継手金属層２４との重畳部分では、レーザ光
が照射されるとベース絶縁膜１１の絶縁破壊が起こり、
枝配線８と継手金属層２４とは互いに溶融接続されて導
通状態となる。同様に、ソース電極延設端８ａと継手金
属層２４との重畳部分でも、ベース絶縁膜１１の絶縁破
壊が起こり、ソース電極延設端８ａと継手金属層２４と
は互いに溶融接続されて導通状態となる。このようにし
て枝配線８とソース電極延設端８ａとが継手金属層２４
を介して電気的に接続され、予＠ＴＦＴ７がソースバス
配線４によって駆動される。

ＴＦＴ６の絶縁不良等により、ＴＦＴ６を絵素電極５か
ら切り離す必要がある場合には、ＴＦＴ６のドレイン電
極１６の部分にレーザ光が照射され、該部分が切断され
る。ＴＦＴ６と絵素電極５とを切り離すことにより、絵
素電極５は予備ＴＦＴ７によって正常に駆動される。

この表示装置では、接続部２５の上方に保護膜１７が形
成されているので、上述のレーザ光照射による接続は基
板１と保護膜１７との間で行われる。従って、レーザ光
照射によって溶融した金属の表示媒体中への混入は起こ
らない。しかし、レーザ光の安定性、再現性、継手金属
層２４、べ〜ス絶縁膜１１、枝配線８、ソース電極延設
端８ａ、保護膜１７等の材料、形状等によっては、保護
膜１７が破壊される場合がある。保護膜１７の破壊が生
じると、レーザ光照射によって溶融した金属が表示媒体
である液晶層１８に混入され、更に対向電極２２に接触
することがある。このような接触が生じると、ソースバ
ス配線４と対向電極２２との間にリークを生ずることに
なる。このようなリークにより、レーザ光照射によって
絵素欠陥を確実に修正することができない。

本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のである。即ち、本発明の目的は、絵素欠陥の発生位置
を容易に特定できる表示装置の状態で、スイッチング素
子不良による絵素欠陥を確実に修正し得るアクティブマ
トリクス表示装置を提供することにある。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、少なくとも
一方が透光性を有する一対の対向する基板と、該基板間
に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調される
表示媒体と、該一対の基板の何れか一方の基板内面にマ
トリクス状に配された絵素電極と、該絵素電極にそれぞ
れ電気的に接続されたスイッチング素子及び予備スイッ
チング素子と、該スイッチング素子と該予備スイッチン
グ素子とに接続された走査線と、該スイッチング素子に
接続された信号線と、該一方の基板に対句する該基板の
内面に形成された対向電極と、を備え、該予備スイッチ
ング素子の信号入力端子の延設端と該信号線から分岐し
た枝配線とが、少なくとも絶縁膜を介して非導通状態で
近接対置する接続部が形成され、該対同電極が該接続部
と対句する部分以外の部分に形成されており、そのこと
によって上記目的が達成される。

（作用） 上記構成からなるアクティブマトリクス表示装置を全面
駆動すれば、絵素欠陥の発生位置を容易に確認すること
ができる。全絵素電極の駆動により、これに対応する表
示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しかし
、スイッチング素子が不良の場合は、この光学的変調が
起こらず絵素欠陥として視認される。この絵素欠陥は微
小な絵素電極が数十万個以上配列されている表示装置に
於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可能
である。

絵素欠陥の発生位置が確認されると、透光性の基板を介
して外部より接続部に、レーザ光等の光エネルギーが照
射される。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイ
ッチング素子の信号入力端子の延設端と、信号線から分
岐した枝配線とが互いに電気的に接続される。このよう
にして予備ＴＦＴ７と信号線とが接続部を介して電気的
に接続される。更に、必要に応じて絵素電極に接続され
ていた不良のスイッチング素子を、光エネルギーの照射
により切断して絵素電極と切り離すこともできる。

上記の光エネルギー照射による接続を行うと、信号入力
端子の延設端と枝配線とを構成する金属が溶融される。

溶融した金属は表示媒体中に混入し、更に対向基板側へ
接触することがある。このような接触が生じると、絵素
欠陥を生じる。しかし、本発明のアクティブマトリクス
表示装置では、対向基板上の対向電極が接続部に対向す
る部分以外の部分に形成されている。そのため、溶融し
た金属等が表示媒体中に混入した場合にも、対向電極に
接触することはない。従って、本発明の構成により絵素
欠陥が確実に修正され得る。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１Ａ図に本
発明の表示装置の一実施例に用いられるアクティブマト
リクス基板を示す。本実施例では、前述の改良例で説明
したものと同様のアクティブマトリクス基板が用いられ
ている。第１Ａ図の基板を用いた本実施例のＢ−Ｂ線及
びＣ−Ｃ線に沿った各断面の構成を、第１Ｂ図及び第１
Ｃ図に示す。ガラス基板１上にＴａ２０５、Ａ　ｌ　２
０３．５ｉ３ＮＪ等から成るベースコート膜２が厚さ３
０００人〜９０００Ａで形成されている。ベースコート
膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止してもよい。ベ
ースコート膜２上に走査信号を供給するゲ−トバス配線
３と、データ信号を供給するソースバス配線４とが格子
状に配列されている。ゲートバス配線３は一般にＴａ、
ＡＩ、Ｔ１、Ｎ１、ＭＯ等の単層又はこれらの多層金属
で形成されるが、本実施例ではＴａを使用している。ソ
ースバス配線４も同様の金属で形成されるが、本実施例
ではＴ１を使用している。ゲートバス配線３とソースバ
ス配線４との交差位置には、基板全面に形成されたベー
ス絶縁膜１１が介在している。

ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形
の領域には、透明導電膜（ＩＴＯ）から成る絵素電極５
が設けられ、マトリクス状の絵素パターンを構成してい
る。絵素電極５の隅部付近にはＴＦＴ６が配設され、Ｔ
ＦＴ６と絵素電極５とはドレイン電極１６によって電気
的に接続されている。絵素電極５の他の隅部付近には予
備ＴＦＴ７が配設され、予備ＴＦＴ７と絵素電極５とは
ドレイン電極１６ａによって電気的に接続されている。

ＴＦＴ６及び予６ｆｆｆ　Ｔ　Ｆ　Ｔ　７はゲートバス
配線３上に並設され、ＴＦＴ６のソース電極１５とソー
スバス配線４とは枝配線８によって接続されている。予
備ＴＰＴ７のソース電極１５ａはソース電極延設端８ａ
によって、接続部２５に導かれる。接続部２５ではソー
ス電極延設端８ａは、非導通状態で枝配線８に対置され
ている。従って、二つのＴＦＴ６及び７のうち、ＴＦＴ
６のみがソースバス配線４に電気的に接続され、予備Ｔ
ＦＴ７はソースバス配線４には接続されていない。接続
部２５の断面構成の詳細については後述する。

ＴＦＴ６近傍の断面構成を第１Ｂ図に従って説明する。

尚、予備ＴＦＴ７の構成もＴＦＴ６と同様である。ゲー
トバス配線３の一部として形成されるＴａのゲート電極
９上に、ゲート電極９の表面を陽極酸化して得られるＴ
ａ２Ｏ３がら成るゲート絶縁膜１０が形成されている。

この上がら、ゲート絶縁膜としても機能している５ｉＮ
ｘ（例えば５ｉａＮａ）のベース絶縁膜１１が基板全面
に亙って堆積されている。ベース絶縁膜ｌｌ上にはアモ
ルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）のＪｌ半導体１１２、真
性半導体ｆｆ１２の上面を保護するＳｉＮｇがら成る半
導体居保護膜１３が順次積層されている。

更にその上から、後に形成されるソース電極及びドレイ
ン電極とオーミックコンタクトを得るための、ａ−Ｓｆ
から成るｎ型半導体層１４が積層されている。ｎ型半導
体層１４上にはソース電極１５、及ヒトレイン電極１６
が形成されている。ソース電極１５及びドレイン電極１
６は、Ｔｆ、Ｎｌ５Ａ１等から成る。

絵素電極５は、ベース絶縁膜１１上にパターン形成され
る。ベース絶縁膜１１の厚さは１５００Ａ〜６ｏｏｏ八
程度が適切であるが、本実施例では２０００人〜３５０
０Ａに設定されている。ＴＦＴ６及び絵素電極５の上面
を覆って基板全面にＳ　ｉ　ＮＸから成る保護膜１７が
形成され、保護膜１７上に液晶層１８の液晶分子の配向
を規制する配向層１９が堆積されている。保護膜１７の
厚さは２０００Ａ〜１００００Ａ程度が適切であるが、
本実施例ではｊｏ００Ａ前後に設定されている。

ベース絶縁膜１１及び保護膜１７はＳｆＮ×以外に、Ｓ
’　ＯＸ％　　Ｔ　ａ　２０５、Ａｌ２Ｑ、その他の酸
化物或いは窒化物に−よって形成され得る。保護膜１７
は基板全面に形成せずに、ＴＦＴ６、予備ＴＦＴ７、バ
ス配線等の直接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素
７４極５の中央部で除去した窓あき構造としてもよい。

接続部２５の断面構成を第１Ｃ図を用いて説明する。ベ
ースコート膜２上に継手金属層２４が形成されている。

継手金属層２４の形状は、第１Ａ図に示すように平面視
矩形である。継手金属層２４は、ゲートバス配線３と同
様にＴ　ａｓ　　Ａ　１　ｓ　Ｔ１、Ｎｌ、Ｍｏ等から
成り、ゲートバス配線−３の形成と同時にパターン形成
することができる。継手金属層２４上には前述のベース
絶縁膜１１が堆積されている。ベース絶縁膜１１上には
、予＃ＩＴＦＴ７のソース電極１５に接続されたソース
電極延設端８ａと、ソースバス配線４に接続された枝配
線８とが載置されている。ソース電極延設端８ａと枝配
線８とは、互いに離隔され非導通状態を維持している。

従って、予１ＴＦＴ７はソースバス配線４とは電気的に
は接続されていない。ソースミ極延設端８ａと枝配線８
とは保護膜１７によって完全に被覆されている。

継手金属層２４と、ソース電極延設端８ａ及び枝配線８
との間に位置するベース絶縁膜１１は、これらの金属層
及び配線間の層間絶縁膜としても機能している。層間絶
縁膜としての厚さは１０００人〜７０００人が適してい
るが、本実施例ではＴＦＴ６及び７のゲート絶縁膜とし
ても機能するベース絶縁膜１１を利用しているので、前
述のように２０００人〜３５００人に設定されている。

保護膜１７は枝配線８とソース電極延設端８ａとの間の
電気的接続を、表示媒体である液晶層１８と離隔した状
態で行うためのものである。そのため、保護膜１７の厚
さは１５００Ａ〜１５０００人程度が適切である。本実
施例ではＴＦＴ６及び７の保護膜を利用しているため、
その厚さは５０００人前後に設定されている。

第１Ｂ図及び第１Ｃ図に示すように、絵素電極５の形成
されたガラス基板１に対向する他方のガラス基板２０の
内面には、カラーフィルタ２１が形成されている。カラ
ーフィルタ２１上には対向電極２８が形成されている。

本実施例では対同基板上のＴＦＴ６及び接続部２５に対
向する部分には、対同電極２８は形成されていない。こ
のような対向電極２８の形状は、エツチング等を用いた
バターニングにより容易に形成され得る。対ＭＥ極２８
上の全面には配向層２３が重畳形成されている。

上記一対のガラス基板１．２０の間には表示媒体として
、ツィステド不マチソク液晶層１８が封入されている。

液晶層１８は絵素電極５と対同電極２２との間の印加電
圧に応答して配向変換され、光学的変調が行われる。こ
の光学的変調が表示パターンとして視認される。

上記構成を有する液晶表示装置の全絵素電極５に、ＴＦ
Ｔ６を介して駆動電圧を印加する。このように表示装置
を全面駆動した状態では、絵素欠陥が容易に視認される
。ＴＦＴ６の不良による絵素欠陥が発生している場合に
は、接続部２５を用いて容易に修正することができる。

第２図に絵素欠陥の修正を行った後の接続部２５の断面
図を示す。第２図の矢印２６で示すように、下方のガラ
ス基板１を介して外部よりレーザ光、赤外線、電子ビー
ム、その他のエネルギーが継手金属層２４に照射される
。本実施例ではＹＡＧレーザ光を用いた。枝配線８とベ
ース絶縁膜１１と継手金属層２４との重畳部分では、レ
ーザ光が照射されるとベース絶縁膜１１の絶縁破壊が起
こり、枝配線８と継手金属層２４とは互いに溶融接続さ
れて導通状態となる。同様に、ソース電極延設端８ａと
ベース絶縁膜１１と継手金属層２４との重畳部分でも、
ベース絶縁膜１１の絶縁破壊が起こり、ソース電極延設
端８ａと継手金屑層２４とは互いに溶融接続されて導通
状態となる。このようにして枝配線８とソース電極延設
端８ａとが継手金属層２４を介して電気的に接続され、
予備ＴＦＴ７がソースバス配線４によって駆動される。

本実施例ではレーザ光をガラス基板１側から照射したが
、レーザ光を透過させる基板であれば何れの基板側から
照射してもよい。

ＴＦＴ６の絶縁不良等により、ＴＦＴ６を絵素電極５か
ら切り離す必要がある場合には、ＴＦＴ６のドレイン電
極１６の部分にレーザ光が照射され、該部分が切断され
る。ＴＦＴ６と絵素電極５とを切り離すことにより、絵
素電極５は予備ＴＦＴ７によって正常に駆動される。

このようにレーザ光を照射して絵素欠陥の修正を行って
も、本実施例では接続部２５及びＴＦＴ６の上方には保
護膜１７が形成されているので、溶融した金屑の液晶中
への混入は起こらない。また、保護膜１７は透明絶縁体
なので、レーザ光はこれを透過する。従って、保護膜１
７のレーザ光による破壊は通常では生じない。しかし、
レーザ光照射の条件、継手金屑層２４、ソース電極延設
端８ａ、枝配線８、保護膜１７等の材質、形状等によっ
ては保護膜１７が破壊される場合がある。

本実施例では対同基板２１上に設けられた対向電極２８
が、接続部２５及びＴＦＴ６と対向する部分以外の部分
に形成されているので、レーザ光照射によって保護膜１
７の破壊が生じ、溶融した金属が液晶層１８に混入して
も、対向電極２８に接触することはない。従って、本実
施例では接続部２５へのレーザ光照射によって、絵素欠
陥を確実に修正し得る。

上記の実施例では透過型の液晶表示装置を示したが、本
発明は反射型の表示装置にも同様に用し得る。また、上
記実施例ではＴＰＴを用いたアクティブマトリクス型液
晶表示装置について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではない。

本発明はＭＩＭ素子、ダイオード、バリスタ等の種々の
スイッチング素子を用いた広範囲の表示装置にも適用可
能である。更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散型
ＥＬ発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置に
も適用し得る。

また、上記実施例に於いて、ベースコート膜２は必ずし
も設ける必要はなく、廃止することもできる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、絵素欠陥の
発生位置を容易に特定できる表示装置の状態で、スイッ
チング素子の不良による絵素欠陥を確実に修正できるの
で、検査工程及び修正工程が容易となり、量産性が確保
される。従って本発明は、表示装置としてのコスト低減
に寄与するものである。

４、゛　　の。単な説明 第１Ａ図は本発明の表示装置の一実施例に用いられるア
クティブマトリクス基板の平面図、第１Ｂ図及び第１Ｃ
図は第１Ａ図のアクティブマトリクス基板を用いた表示
装置を、それぞれ第１Ａ図のＢ−Ｂ線及びＣ−Ｃ線に沿
った面で切断した断面図、第２図は絵素欠陥の修正に用
いられた接続部の断面図、第３図はアクティブマトリク
ス表示装置の改良例のＴＰＴ近傍の断面図、第４図はア
クティブマトリクス表示装置の改良例の接続部近傍の断
面図である。

ｌ、　２０・・・ガラス基板、３・・・ゲートバス配線
、４・・・ソースバス配線、５・・・絵素電極、６・・
・Ｔ　Ｆ　Ｔ。

７・・・予備ＴＦＴ、８・・・枝配線、８ａソース電極
延設端、９・・・ゲート電極、１１・・・ベース絶縁膜
、１５．１５ａ・・・ソース電極、１６，１６ａ・・・
ドレイン電極、１７・・・保護膜、１８・・・液晶層、
１９，２３・・・配ＲＭｔ、２１・・・カラーフィルタ
、２４・・・継手金属層、２５・・・接続部、２８・・
・対向電極。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、少なくとも一方が透光性を有する一対の対向する基
   板と、該基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特
   性が変調される表示媒体と、該一対の基板の何れか一方
   の基板内面にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵
   素電極にそれぞれ電気的に接続されたスイッチング素子
   及び予備スイッチング素子と、該スイッチング素子と該
   予備スイッチング素子とに接続された走査線と、該スイ
   ッチング素子に接続された信号線と、該一方の基板に対
   向する該基板の内面に形成された対向電極と、を備え、 該予備スイッチング素子の信号入力端子の延設端と該信
   号線から分岐した枝配線とが、少なくとも絶縁膜を介し
   て非導通状態で近接対置する接続部が形成され、該対向
   電極が該接続部と対向する部分以外の部分に形成されて
   いるアクティブマトリクス表示装置。