JPH0294527A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特に電気的特性を向上させ
た横型トランジスタを含む半導体装置に関する。

〔従来の技術〕

従来、横型トランジスタは、第３図の構造断面図にＰＮ
Ｐ　トランジスタで例示するように、Ｐ型半導体基板１
にＮ゛゛埋込層２とＰ゛型型埋領領域３形成し、その上
にベース領域としてのＮ型エピタキシャル層４を成長さ
せる。そして、前記Ｐ゛型型埋領領域につながるＰ゛゛
分離拡散領域５を形成してトランジスタを形成する島領
域を分離させる。そして、島領域内にＰ型エミッタ領域
６ｅ。

Ｐ型コレクタ領域６ｃ、及びＮ＋型ベースコンタクト領
域７を横方向に配列して形成する。更に、表面の酸化膜
８の開口領域を通してエミッタ、コレクタ、ベースの各
電極９，１０．１１を形成している。

〔発明が解決しようとする課題〕　　−上述した従来の
横型トランジスタでは、ベース・コレクタ間の耐圧を高
めるためにはエミッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃとの
間の距離を大きくする必要がある。しかしながら、横型
トランジス夕は横方向の電流が支配的であるため、エミ
ッタ領域６ｅとコレクタ領域６ｃとの間が大きくなれば
、それだけエミッタ領域６ｅから注入された正孔がコレ
クタ領域６Ｃに到達するまでにベース領域４内で電子と
再結合する確率が高くなり、電流増幅率（ｈｒｔ）が低
下される。

また、通常このコレクタ領域６ｃ及びエミッタ領域６ｅ
は、ＮＰＮ　）ランジスタのベースコンタクト領域と同
時に形成しているため、これらコレクタ領域６ｃ及びエ
ミッタ領域６ｅはＮＰＮ　）ランジスタの素子特性によ
って高濃度に形成することはできない。

この結果、トランジスタのｈｒｔを向上することが難し
くなり、コレクタ飽和抵抗（ｒｔｃ）の増大をひきおこ
し最大コレクタ電流（ＩＣ，、、）の低下及び利得帯域
幅積（ｆ、）の低下の原因となる。

本発明はｈｒＥ、ＩＣ□８．及びｆ７の向上を図った横
型トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的
とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の半導体装置は、第１導電型半導体基板に第２導
電型の埋込層とベース領域としてのエピタキシャル層を
形成し、この埋込層上において前記エピタキシャル層に
第１導電型のエミッタ領域。

コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト８Ｎ域を
形成して横型トランジスタを構成してなる半導体装置に
おいて、エミッタ領域、コレクタ領域の少なくともコレ
クタ領域には深さ方向に向けて第２導電型の高濃度第２
領域を形成し、かつコレクタの第２領域を埋込層上にお
いてエミッタ領域に向けて選択的に設けた第２導電型埋
込領域に接続させている。

〔作用〕

上述した構成では、特にコレクタ領域に高濃度の第２Ｎ
域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設けた埋
込領域に接続させることで、エミッタ・コレクタ間耐圧
を確保する一方で、ｈＦＥ＋ＩＣ□８．及びｆｒを向上
する。

〔実施例〕

次に、本発明を図面を参照して説明する。

第１図は本発明の第１実施例を示しており、特に横型Ｐ
ＮＰ　）ランジスタを示す構造断面図である。

図において、Ｐ型シリコン基板１の表面から砒素、アン
チモン等のＮ゛゛不純物を拡散してＮ゛゛埋込層２を形
成し、かつこのＮ゛゛埋込層２を囲む領域にボロン等の
Ｐ゛゛不純物を拡散してＰ゛゛込領域３を形成する。こ
のとき同時に、将来コレクタを形成する領域にもＰ゛゛
不純物を拡散してＰ゛゛込領域３′を形成する。そして
、気相成長法により表面にＮ型シリコンエピタキシャル
層４を成長させる。

このＮ型エピタキシャル層４には、前記Ｐ１埋込領域３
に対応する位置にＰ゛゛不純物を選択的に拡散してＰ°
型絶縁分離領域５を形成する。このとき同時に前記Ｐ゛
゛込領域３′に対応する領域にもＰ°型不純物を選択的
に拡散し、Ｐ゛゛コレクタ第２領域５′を形成する。

なお、これらの領域の形成時に、シリコン基板１に形成
されているＰ゛型型埋領領域３３′がエピタキシャル層
４の方へせり上がり、夫々Ｐ゛型絶縁分離領域５．Ｐ°
型コレクタ第２領域５′に夫々接続する。この結果、コ
レクタ領域においては、Ｐ３型埋込領域３′もコレクタ
の一部として構成されることになる。

そして、エピタキシャル層４の表面からＰ型不純物を拡
散し、エミッタ領域６ｅ及びコレクタ領域６ｃを形成す
る。また、同様にＮ°型不純物を拡散しＮ９型ベースコ
ンタクト領域７を形成する。

また、表面に形成した酸化膜８をエツチングして開口し
、アルミニウムからなるエミッタ、コレクタ、ベースの
各９．１０．１１の電極を形成している。

したがって、この構成では、コレクタ領域６Ｃとエミッ
タ領域６ｅとの横方向の距離を所定の寸法に保ってベー
ス・コレクタ間の耐圧を得る一方で、コレクタ領域６Ｃ
につながる高濃度の第２領域５′がエミッタ領域６ｅの
略近（にまで横方向に広げられているので、ｈＦｔを向
上でき、同時にＩＣ，、、、、、ｆＴを向上することが
できる。

また、この構成ではＰ゛型型埋領領域３′びコレクタ第
２領域５′は夫々従来から行われているＰ゛型型埋領領
域３びＰ＋型絶縁分離領域５と夫々同時に形成できるの
で、工程数を増大することはなく、簡単に構成できる。

第２図は本発明の第２実施例の構造断面図であり、第１
実施例と同様に本発明を横型ＰＮＰ　）ランジスタに適
用した例を示している。なお、第１図と同一部分には同
一符号を付しである。

この実施例では、コレクタ領域６ｃの下側に設けたＰ゛
型型埋領領域３′面積的に小さくしている。また、エミ
ッタ領域６ｅにもＰ゛型型埋領領域５を形成し、これで
エミッタ第２領域を構成している。

この構成においても、第１実施例と同様の効果を得るこ
とができる。但し、この実施例ではＰ“型埋込領域３′
を小面積にした分だけ耐圧を向上でき、かつエミッタ第
２領域５＃を設けたことによりＩＣ，、、、ｆ、を更に
向上できる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明は、コレクタ領域に高濃度の
第２Ｍ域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設
けた埋込領域に接続させているので、エミッタ・コレク
タ間耐圧を確保するとともに、高濃度第２領域及び埋込
領域によってｈ　ＦＥ。

ＩＣ□１．及びｆ、の高い横型トランジスタを構成でき
る効果がある。また、従来の製造方法に新たな製造工程
を付加することな〈従来と同程度のパターン寸法で製造
できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を横型ＰＮＰトランジスタに適用した第
１実施例の断面図、第２図は本発明の第２実施例の断面
図、第３図は従来の横型ＰＮＰ　トランジスタの断面図
である。 １・・・Ｐ型シリコン基板、２・・・Ｎ゛゛込層、３．
３′・・・Ｐ゛型型埋領領域４・・・Ｎ型エピタキシャ
ル層、５・・・Ｐ゛゛絶縁分離領域、５′・・・Ｐ゛゛
コレクタ第２領域、５“・・・Ｐ゛゛エミッタ第２領域
、６ｃ・・・コレクタ領域、６ｅ・・・エミッタ領域、
７・・・ベースコンタクト領域、８・・・酸化膜、９．
１０．１１・・・電極。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、第１導電型半導体基板に第２導電型の埋込層とベー
   ス領域としてのエピタキシャル層を形成し、この埋込層
   上において前記エピタキシャル層に第１導電型のエミッ
   タ領域、コレクタ領域と第２導電型のベースコンタクト
   領域を形成して横型トランジスタを構成してなる半導体
   装置において、前記エミッタ領域、コレクタ領域の少な
   くともコレクタ領域には深さ方向に向けて第２導電型の
   高濃度第２領域を形成し、かつコレクタの第２領域を前
   記埋込層上においてエミッタ領域に向けて選択的に設け
   た第２導電型埋込領域に接続させたことを特徴とする半
   導体装置。