JPH0294527A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0294527A JPH0294527A JP24650988A JP24650988A JPH0294527A JP H0294527 A JPH0294527 A JP H0294527A JP 24650988 A JP24650988 A JP 24650988A JP 24650988 A JP24650988 A JP 24650988A JP H0294527 A JPH0294527 A JP H0294527A
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- Pending
Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特に電気的特性を向上させ
た横型トランジスタを含む半導体装置に関する。
た横型トランジスタを含む半導体装置に関する。
従来、横型トランジスタは、第3図の構造断面図にPN
P トランジスタで例示するように、P型半導体基板1
にN゛゛埋込層2とP゛型型埋領領域3形成し、その上
にベース領域としてのN型エピタキシャル層4を成長さ
せる。そして、前記P゛型型埋領領域につながるP゛゛
分離拡散領域5を形成してトランジスタを形成する島領
域を分離させる。そして、島領域内にP型エミッタ領域
6e。
P トランジスタで例示するように、P型半導体基板1
にN゛゛埋込層2とP゛型型埋領領域3形成し、その上
にベース領域としてのN型エピタキシャル層4を成長さ
せる。そして、前記P゛型型埋領領域につながるP゛゛
分離拡散領域5を形成してトランジスタを形成する島領
域を分離させる。そして、島領域内にP型エミッタ領域
6e。
P型コレクタ領域6c、及びN+型ベースコンタクト領
域7を横方向に配列して形成する。更に、表面の酸化膜
8の開口領域を通してエミッタ、コレクタ、ベースの各
電極9,10.11を形成している。
域7を横方向に配列して形成する。更に、表面の酸化膜
8の開口領域を通してエミッタ、コレクタ、ベースの各
電極9,10.11を形成している。
〔発明が解決しようとする課題〕 −上述した従来の
横型トランジスタでは、ベース・コレクタ間の耐圧を高
めるためにはエミッタ領域6eとコレクタ領域6cとの
間の距離を大きくする必要がある。しかしながら、横型
トランジス夕は横方向の電流が支配的であるため、エミ
ッタ領域6eとコレクタ領域6cとの間が大きくなれば
、それだけエミッタ領域6eから注入された正孔がコレ
クタ領域6Cに到達するまでにベース領域4内で電子と
再結合する確率が高くなり、電流増幅率(hrt)が低
下される。
横型トランジスタでは、ベース・コレクタ間の耐圧を高
めるためにはエミッタ領域6eとコレクタ領域6cとの
間の距離を大きくする必要がある。しかしながら、横型
トランジス夕は横方向の電流が支配的であるため、エミ
ッタ領域6eとコレクタ領域6cとの間が大きくなれば
、それだけエミッタ領域6eから注入された正孔がコレ
クタ領域6Cに到達するまでにベース領域4内で電子と
再結合する確率が高くなり、電流増幅率(hrt)が低
下される。
また、通常このコレクタ領域6c及びエミッタ領域6e
は、NPN )ランジスタのベースコンタクト領域と同
時に形成しているため、これらコレクタ領域6c及びエ
ミッタ領域6eはNPN )ランジスタの素子特性によ
って高濃度に形成することはできない。
は、NPN )ランジスタのベースコンタクト領域と同
時に形成しているため、これらコレクタ領域6c及びエ
ミッタ領域6eはNPN )ランジスタの素子特性によ
って高濃度に形成することはできない。
この結果、トランジスタのhrtを向上することが難し
くなり、コレクタ飽和抵抗(rtc)の増大をひきおこ
し最大コレクタ電流(IC,、、)の低下及び利得帯域
幅積(f、)の低下の原因となる。
くなり、コレクタ飽和抵抗(rtc)の増大をひきおこ
し最大コレクタ電流(IC,、、)の低下及び利得帯域
幅積(f、)の低下の原因となる。
本発明はhrE、IC□8.及びf7の向上を図った横
型トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的
とする。
型トランジスタを含む半導体装置を提供することを目的
とする。
本発明の半導体装置は、第1導電型半導体基板に第2導
電型の埋込層とベース領域としてのエピタキシャル層を
形成し、この埋込層上において前記エピタキシャル層に
第1導電型のエミッタ領域。
電型の埋込層とベース領域としてのエピタキシャル層を
形成し、この埋込層上において前記エピタキシャル層に
第1導電型のエミッタ領域。
コレクタ領域と第2導電型のベースコンタクト8N域を
形成して横型トランジスタを構成してなる半導体装置に
おいて、エミッタ領域、コレクタ領域の少なくともコレ
クタ領域には深さ方向に向けて第2導電型の高濃度第2
領域を形成し、かつコレクタの第2領域を埋込層上にお
いてエミッタ領域に向けて選択的に設けた第2導電型埋
込領域に接続させている。
形成して横型トランジスタを構成してなる半導体装置に
おいて、エミッタ領域、コレクタ領域の少なくともコレ
クタ領域には深さ方向に向けて第2導電型の高濃度第2
領域を形成し、かつコレクタの第2領域を埋込層上にお
いてエミッタ領域に向けて選択的に設けた第2導電型埋
込領域に接続させている。
上述した構成では、特にコレクタ領域に高濃度の第2N
域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設けた埋
込領域に接続させることで、エミッタ・コレクタ間耐圧
を確保する一方で、hFE+IC□8.及びfrを向上
する。
域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設けた埋
込領域に接続させることで、エミッタ・コレクタ間耐圧
を確保する一方で、hFE+IC□8.及びfrを向上
する。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1実施例を示しており、特に横型P
NP )ランジスタを示す構造断面図である。
NP )ランジスタを示す構造断面図である。
図において、P型シリコン基板1の表面から砒素、アン
チモン等のN゛゛不純物を拡散してN゛゛埋込層2を形
成し、かつこのN゛゛埋込層2を囲む領域にボロン等の
P゛゛不純物を拡散してP゛゛込領域3を形成する。こ
のとき同時に、将来コレクタを形成する領域にもP゛゛
不純物を拡散してP゛゛込領域3′を形成する。そして
、気相成長法により表面にN型シリコンエピタキシャル
層4を成長させる。
チモン等のN゛゛不純物を拡散してN゛゛埋込層2を形
成し、かつこのN゛゛埋込層2を囲む領域にボロン等の
P゛゛不純物を拡散してP゛゛込領域3を形成する。こ
のとき同時に、将来コレクタを形成する領域にもP゛゛
不純物を拡散してP゛゛込領域3′を形成する。そして
、気相成長法により表面にN型シリコンエピタキシャル
層4を成長させる。
このN型エピタキシャル層4には、前記P1埋込領域3
に対応する位置にP゛゛不純物を選択的に拡散してP°
型絶縁分離領域5を形成する。このとき同時に前記P゛
゛込領域3′に対応する領域にもP°型不純物を選択的
に拡散し、P゛゛コレクタ第2領域5′を形成する。
に対応する位置にP゛゛不純物を選択的に拡散してP°
型絶縁分離領域5を形成する。このとき同時に前記P゛
゛込領域3′に対応する領域にもP°型不純物を選択的
に拡散し、P゛゛コレクタ第2領域5′を形成する。
なお、これらの領域の形成時に、シリコン基板1に形成
されているP゛型型埋領領域33′がエピタキシャル層
4の方へせり上がり、夫々P゛型絶縁分離領域5.P°
型コレクタ第2領域5′に夫々接続する。この結果、コ
レクタ領域においては、P3型埋込領域3′もコレクタ
の一部として構成されることになる。
されているP゛型型埋領領域33′がエピタキシャル層
4の方へせり上がり、夫々P゛型絶縁分離領域5.P°
型コレクタ第2領域5′に夫々接続する。この結果、コ
レクタ領域においては、P3型埋込領域3′もコレクタ
の一部として構成されることになる。
そして、エピタキシャル層4の表面からP型不純物を拡
散し、エミッタ領域6e及びコレクタ領域6cを形成す
る。また、同様にN°型不純物を拡散しN9型ベースコ
ンタクト領域7を形成する。
散し、エミッタ領域6e及びコレクタ領域6cを形成す
る。また、同様にN°型不純物を拡散しN9型ベースコ
ンタクト領域7を形成する。
また、表面に形成した酸化膜8をエツチングして開口し
、アルミニウムからなるエミッタ、コレクタ、ベースの
各9.10.11の電極を形成している。
、アルミニウムからなるエミッタ、コレクタ、ベースの
各9.10.11の電極を形成している。
したがって、この構成では、コレクタ領域6Cとエミッ
タ領域6eとの横方向の距離を所定の寸法に保ってベー
ス・コレクタ間の耐圧を得る一方で、コレクタ領域6C
につながる高濃度の第2領域5′がエミッタ領域6eの
略近(にまで横方向に広げられているので、hFtを向
上でき、同時にIC,、、、、、fTを向上することが
できる。
タ領域6eとの横方向の距離を所定の寸法に保ってベー
ス・コレクタ間の耐圧を得る一方で、コレクタ領域6C
につながる高濃度の第2領域5′がエミッタ領域6eの
略近(にまで横方向に広げられているので、hFtを向
上でき、同時にIC,、、、、、fTを向上することが
できる。
また、この構成ではP゛型型埋領領域3′びコレクタ第
2領域5′は夫々従来から行われているP゛型型埋領領
域3びP+型絶縁分離領域5と夫々同時に形成できるの
で、工程数を増大することはなく、簡単に構成できる。
2領域5′は夫々従来から行われているP゛型型埋領領
域3びP+型絶縁分離領域5と夫々同時に形成できるの
で、工程数を増大することはなく、簡単に構成できる。
第2図は本発明の第2実施例の構造断面図であり、第1
実施例と同様に本発明を横型PNP )ランジスタに適
用した例を示している。なお、第1図と同一部分には同
一符号を付しである。
実施例と同様に本発明を横型PNP )ランジスタに適
用した例を示している。なお、第1図と同一部分には同
一符号を付しである。
この実施例では、コレクタ領域6cの下側に設けたP゛
型型埋領領域3′面積的に小さくしている。また、エミ
ッタ領域6eにもP゛型型埋領領域5を形成し、これで
エミッタ第2領域を構成している。
型型埋領領域3′面積的に小さくしている。また、エミ
ッタ領域6eにもP゛型型埋領領域5を形成し、これで
エミッタ第2領域を構成している。
この構成においても、第1実施例と同様の効果を得るこ
とができる。但し、この実施例ではP“型埋込領域3′
を小面積にした分だけ耐圧を向上でき、かつエミッタ第
2領域5#を設けたことによりIC,、、、f、を更に
向上できる。
とができる。但し、この実施例ではP“型埋込領域3′
を小面積にした分だけ耐圧を向上でき、かつエミッタ第
2領域5#を設けたことによりIC,、、、f、を更に
向上できる。
以上説明したように本発明は、コレクタ領域に高濃度の
第2M域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設
けた埋込領域に接続させているので、エミッタ・コレク
タ間耐圧を確保するとともに、高濃度第2領域及び埋込
領域によってh FE。
第2M域を形成し、かつこれをエミッタ領域に向けて設
けた埋込領域に接続させているので、エミッタ・コレク
タ間耐圧を確保するとともに、高濃度第2領域及び埋込
領域によってh FE。
IC□1.及びf、の高い横型トランジスタを構成でき
る効果がある。また、従来の製造方法に新たな製造工程
を付加することな〈従来と同程度のパターン寸法で製造
できる効果もある。
る効果がある。また、従来の製造方法に新たな製造工程
を付加することな〈従来と同程度のパターン寸法で製造
できる効果もある。
第1図は本発明を横型PNPトランジスタに適用した第
1実施例の断面図、第2図は本発明の第2実施例の断面
図、第3図は従来の横型PNP トランジスタの断面図
である。 1・・・P型シリコン基板、2・・・N゛゛込層、3.
3′・・・P゛型型埋領領域4・・・N型エピタキシャ
ル層、5・・・P゛゛絶縁分離領域、5′・・・P゛゛
コレクタ第2領域、5“・・・P゛゛エミッタ第2領域
、6c・・・コレクタ領域、6e・・・エミッタ領域、
7・・・ベースコンタクト領域、8・・・酸化膜、9.
10.11・・・電極。
1実施例の断面図、第2図は本発明の第2実施例の断面
図、第3図は従来の横型PNP トランジスタの断面図
である。 1・・・P型シリコン基板、2・・・N゛゛込層、3.
3′・・・P゛型型埋領領域4・・・N型エピタキシャ
ル層、5・・・P゛゛絶縁分離領域、5′・・・P゛゛
コレクタ第2領域、5“・・・P゛゛エミッタ第2領域
、6c・・・コレクタ領域、6e・・・エミッタ領域、
7・・・ベースコンタクト領域、8・・・酸化膜、9.
10.11・・・電極。
Claims (1)
- 1、第1導電型半導体基板に第2導電型の埋込層とベー
ス領域としてのエピタキシャル層を形成し、この埋込層
上において前記エピタキシャル層に第1導電型のエミッ
タ領域、コレクタ領域と第2導電型のベースコンタクト
領域を形成して横型トランジスタを構成してなる半導体
装置において、前記エミッタ領域、コレクタ領域の少な
くともコレクタ領域には深さ方向に向けて第2導電型の
高濃度第2領域を形成し、かつコレクタの第2領域を前
記埋込層上においてエミッタ領域に向けて選択的に設け
た第2導電型埋込領域に接続させたことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24650988A JPH0294527A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24650988A JPH0294527A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0294527A true JPH0294527A (ja) | 1990-04-05 |
Family
ID=17149450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24650988A Pending JPH0294527A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0294527A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014017487A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Freescale Semiconductor Inc | 高降伏電圧を有するバイポーラトランジスタ |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24650988A patent/JPH0294527A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014017487A (ja) * | 2012-07-10 | 2014-01-30 | Freescale Semiconductor Inc | 高降伏電圧を有するバイポーラトランジスタ |
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