JPH0283992A - 分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レーザ - Google Patents
分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レーザInfo
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- JPH0283992A JPH0283992A JP23704288A JP23704288A JPH0283992A JP H0283992 A JPH0283992 A JP H0283992A JP 23704288 A JP23704288 A JP 23704288A JP 23704288 A JP23704288 A JP 23704288A JP H0283992 A JPH0283992 A JP H0283992A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、回折格子を具備した半導体レーザに関するも
のである。
のである。
分布（ｉ還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レー
ザは、共振器軸内に、一定周期で分布する屈折率ステッ
プを有し、その屈折率ステップでの光の回折による帰還
または反射で発振するため、発振波長に選択性があり、
単一軸モードに発振する。通常、この屈折率ステップは
、活性層に近接する光ガイド層またはクラッド層に凹凸
（以下、グレーティングと称する）を設けることにより
得られる。第７図に、従来の分布帰還型半導体レーザの
一例、第８図に、従来の分布反射型レーザの一例を示す
。従来の分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導
体レーザの製造方法は、まず、１回目の成長でグレーテ
ィングを設けるべき光ガイド層５７．５８またはクラッ
ド層２．４を含む多層薄膜を成長し、次に、この基板上
に、グレーティング加工を施し、２回目の成長でこのグ
レーティングを埋め込む方法が、−ｉ的である。
ザは、共振器軸内に、一定周期で分布する屈折率ステッ
プを有し、その屈折率ステップでの光の回折による帰還
または反射で発振するため、発振波長に選択性があり、
単一軸モードに発振する。通常、この屈折率ステップは
、活性層に近接する光ガイド層またはクラッド層に凹凸
（以下、グレーティングと称する）を設けることにより
得られる。第７図に、従来の分布帰還型半導体レーザの
一例、第８図に、従来の分布反射型レーザの一例を示す
。従来の分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導
体レーザの製造方法は、まず、１回目の成長でグレーテ
ィングを設けるべき光ガイド層５７．５８またはクラッ
ド層２．４を含む多層薄膜を成長し、次に、この基板上
に、グレーティング加工を施し、２回目の成長でこのグ
レーティングを埋め込む方法が、−ｉ的である。
しかしながら、従来技術には、以下に示す二つの問題点
がある。まず、第１点は、光ガイド層５７．５８または
クラッド層２，４に、グレーティング加工を施す際には
、フォトリソグラフィーによる超微細加工を必要とする
ため、レーザ光の回折効率を決定する、グレーティング
形状の制御には、高い加工精度を必要とする。また、第
２点は、２回目の埋め込み成長で、グレーティングの形
状保存が難しいため、成長方法に何らかの工夫を必要と
する。本発明の目的は、素子特性上重要な、レーザ光の
回折効率が、加工形状によらず一定に決まる、製作容易
で、均一性、再現性の高い、分布帰還型半導体レーザお
よび分布反射型半導体レーザを提供することにある。
がある。まず、第１点は、光ガイド層５７．５８または
クラッド層２，４に、グレーティング加工を施す際には
、フォトリソグラフィーによる超微細加工を必要とする
ため、レーザ光の回折効率を決定する、グレーティング
形状の制御には、高い加工精度を必要とする。また、第
２点は、２回目の埋め込み成長で、グレーティングの形
状保存が難しいため、成長方法に何らかの工夫を必要と
する。本発明の目的は、素子特性上重要な、レーザ光の
回折効率が、加工形状によらず一定に決まる、製作容易
で、均一性、再現性の高い、分布帰還型半導体レーザお
よび分布反射型半導体レーザを提供することにある。
本発明の、分布帰還型半導体レーザは、２つありその１
つは、多重量子井戸構造よりなる活性層と、前記活性層
に、光およびキャリアの閉じ込めを行なうためのクラッ
ド層を少なくとも有する多層構造を備え、共振器軸方向
に、前記活性層を構成する多重量子井戸構造の無秩序化
による、一定周期の屈折率ステップを具備する構造にな
っている。また、もう１つの分布帰還型半導体レーザは
、活性層と、前記活性層に、光およびキャリアの閉じ込
めを行なうためのクラッド層と、多重量子井戸構造より
なる光ガイド層を少なくとも有する多層構造を備え、共
振器軸方向に、前記光ガイド層を構成する多重量子井戸
構造の無秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具
備する構成になっている。また、本発明の分布反射型半
導体レーザは、活性層と、前記活性層に、光およびキャ
リアの閉じ込めを行なうためのクラッド層と、多重量子
井戸構造よりなる光ガイド層を少なくとも有する多層構
造から成る活性領域と、活性層が存在しない多層構造か
ら成る分布反射領域とを備え、分布反射領域にのみ、共
振器軸方向に、前記光ガイド層を構成する多重量子井戸
構造の無秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具
備する構成になっている。
つは、多重量子井戸構造よりなる活性層と、前記活性層
に、光およびキャリアの閉じ込めを行なうためのクラッ
ド層を少なくとも有する多層構造を備え、共振器軸方向
に、前記活性層を構成する多重量子井戸構造の無秩序化
による、一定周期の屈折率ステップを具備する構造にな
っている。また、もう１つの分布帰還型半導体レーザは
、活性層と、前記活性層に、光およびキャリアの閉じ込
めを行なうためのクラッド層と、多重量子井戸構造より
なる光ガイド層を少なくとも有する多層構造を備え、共
振器軸方向に、前記光ガイド層を構成する多重量子井戸
構造の無秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具
備する構成になっている。また、本発明の分布反射型半
導体レーザは、活性層と、前記活性層に、光およびキャ
リアの閉じ込めを行なうためのクラッド層と、多重量子
井戸構造よりなる光ガイド層を少なくとも有する多層構
造から成る活性領域と、活性層が存在しない多層構造か
ら成る分布反射領域とを備え、分布反射領域にのみ、共
振器軸方向に、前記光ガイド層を構成する多重量子井戸
構造の無秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具
備する構成になっている。
本発明の分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導
体レーザの、共振器軸と垂直方向からみた断面模式図を
第１図、第２図、第３図に示す。
体レーザの、共振器軸と垂直方向からみた断面模式図を
第１図、第２図、第３図に示す。
第１図、第２図、第３図ともに、レーザ光の回折効率を
決定する、共振器方向の一定周期の屈折率差は、活性層
または光ガイド層を構成する、多重量子井戸構造の不純
物注入による無秩序化で与えられるため、レーザ光の回
折効率は、加工形状によらず一定に決まり、製作が容易
である。しかも、共振器軸方向の屈折率差の大きさは、
多重量子井戸構造の組成、層厚などで決まるため、現在
の有機金属気相成長法（以下、ＭＯＶＰＥ法と称する）
、分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法と称する）等
の高精度薄膜成長技術によれば、素子特性について、十
分高い、均一性、再現性が得られる。また、埋め込み成
長に際し、形状保存の必要がなく、平坦成長であるため
、埋め込み成長による素子特性の劣化が少ない。なお、
注入する不純物原子は、２回目の埋め込み成長中の拡散
を抑えるために、できるだけ拡散係数の小さい原子を選
ぶことが重要である。また、第１図、第２図については
、分布帰還型半導体レーザであるなめ、発光領域に不純
物注入しているため、２回目の成長前に、表面汚染層を
エツチング後、再成長を行なっている。不純物注入によ
るダメージに関ｉ−では、アニール等の方法で回復を図
り、光吸収係数の増大を抑えた。また、第１図の分布帰
還型を導体レーザについては、活性層を挟む両側の層に
不純物注入を行なっているため、リーク電流防止のため
に、無秩序化された活性層の平均組成が、多重量子井戸
構造よりも大きな禁制帯幅を持つように設定することが
必要である。
決定する、共振器方向の一定周期の屈折率差は、活性層
または光ガイド層を構成する、多重量子井戸構造の不純
物注入による無秩序化で与えられるため、レーザ光の回
折効率は、加工形状によらず一定に決まり、製作が容易
である。しかも、共振器軸方向の屈折率差の大きさは、
多重量子井戸構造の組成、層厚などで決まるため、現在
の有機金属気相成長法（以下、ＭＯＶＰＥ法と称する）
、分子線エピタキシー法（以下、ＭＢＥ法と称する）等
の高精度薄膜成長技術によれば、素子特性について、十
分高い、均一性、再現性が得られる。また、埋め込み成
長に際し、形状保存の必要がなく、平坦成長であるため
、埋め込み成長による素子特性の劣化が少ない。なお、
注入する不純物原子は、２回目の埋め込み成長中の拡散
を抑えるために、できるだけ拡散係数の小さい原子を選
ぶことが重要である。また、第１図、第２図については
、分布帰還型半導体レーザであるなめ、発光領域に不純
物注入しているため、２回目の成長前に、表面汚染層を
エツチング後、再成長を行なっている。不純物注入によ
るダメージに関ｉ−では、アニール等の方法で回復を図
り、光吸収係数の増大を抑えた。また、第１図の分布帰
還型を導体レーザについては、活性層を挟む両側の層に
不純物注入を行なっているため、リーク電流防止のため
に、無秩序化された活性層の平均組成が、多重量子井戸
構造よりも大きな禁制帯幅を持つように設定することが
必要である。
以下、本発明の分布帰還型半導体レーザおよび分布反射
型半導体レーザを製造工程に従って詳しく説明する。第
】図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を第４図に、
第２図の分布帰還型半導体１−・−ザの製造工程を第５
図に、第３図の分布反射型半導体レーザの製造工程を第
６図に示す。ここでは、例示のため、結晶材料を人ｅ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系とするが、他の半導体材料でも良
いはもちろんである。また、ここでは、結晶成長方法は
、ＭＯＶＰＥ法、不純物注入方法は、集束性イオンビー
ム法〈以下、ＦＩＢ法と称する）にて、説明を行なう。
型半導体レーザを製造工程に従って詳しく説明する。第
】図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を第４図に、
第２図の分布帰還型半導体１−・−ザの製造工程を第５
図に、第３図の分布反射型半導体レーザの製造工程を第
６図に示す。ここでは、例示のため、結晶材料を人ｅ
ＧａＡｓ／ＧａＡｓ系とするが、他の半導体材料でも良
いはもちろんである。また、ここでは、結晶成長方法は
、ＭＯＶＰＥ法、不純物注入方法は、集束性イオンビー
ム法〈以下、ＦＩＢ法と称する）にて、説明を行なう。
まず、第１図の分布帰還型半導体レーザについて説明を
行なう、ｎ形ＧａＡｓ基板７上に、常圧Ｍ ＯＶ Ｐ
Ｅ法による成長で、厚さ０．８ｕ、ｍのｎ＾ｅ ０．５
ＧａＯ−５＾Ｓでなるクラッド層２、ＧａＡｓとＡｆｆ
。、５ｃａｏ−ｓ＾Ｓの多重量子井戸構造よりなる活性
層１、厚さ０．３μｍのＰ Ａｊ？ ０−９ＧａＯ
−５八Ｓでなるクラッド層３をこの順に成長する〔第４
図（ａ＞）、ここで、活性層のＧａＡｓウェル層は、量
子化しない程度に十分厚くし、無秩序化した後の活性層
の平均組成は、Ａｅｏ−２ｃａｏ、ａ＾Ｓとなるように
設定した。次に、この基板に対し、ＦＩＢ法により、周
期０．５μｍ、注入幅０．１μｍ、注入深さ１）、＼μ
ｍの直線状繰り返しパターンのＳｉイオン注入を行なっ
た〔第４図（ｂ）〕。直線状のＳｉ注入領域】１は、共
振器面と平行となるようにし、共振器軸方向に走る光に
対し、分布屈折率を与えられるようにした。また、注入
領域１１の繰り遅し周期は、ＧａＡｓ系レーザの発振波
長に対し、４次の回折格子を形成する。次に、ＦＩＢプ
ロセスによる表面汚染層を除去するために、クラッド層
３を０．１．ｕｍエツチングし、０．２μｍとした〔第
４図（ｃ））、次いで、２回目のＭＯＶＰＥ成長により
、厚さ０．６μｍのｐ −ｋｅ ０．５ＧａＯ，５Ａ５
でなるクラッド層４、厚さ０．５μｍのｐ−ＧａＡｓで
なるキヤ・・ノブ層６を順次成長した。ｉ＆後に、ｎ電
極８、ｎ電極９を形成し、第４図（ｄ）及び第１図に示
す分布帰還型半導体レーザを製作した。
行なう、ｎ形ＧａＡｓ基板７上に、常圧Ｍ ＯＶ Ｐ
Ｅ法による成長で、厚さ０．８ｕ、ｍのｎ＾ｅ ０．５
ＧａＯ−５＾Ｓでなるクラッド層２、ＧａＡｓとＡｆｆ
。、５ｃａｏ−ｓ＾Ｓの多重量子井戸構造よりなる活性
層１、厚さ０．３μｍのＰ Ａｊ？ ０−９ＧａＯ
−５八Ｓでなるクラッド層３をこの順に成長する〔第４
図（ａ＞）、ここで、活性層のＧａＡｓウェル層は、量
子化しない程度に十分厚くし、無秩序化した後の活性層
の平均組成は、Ａｅｏ−２ｃａｏ、ａ＾Ｓとなるように
設定した。次に、この基板に対し、ＦＩＢ法により、周
期０．５μｍ、注入幅０．１μｍ、注入深さ１）、＼μ
ｍの直線状繰り返しパターンのＳｉイオン注入を行なっ
た〔第４図（ｂ）〕。直線状のＳｉ注入領域】１は、共
振器面と平行となるようにし、共振器軸方向に走る光に
対し、分布屈折率を与えられるようにした。また、注入
領域１１の繰り遅し周期は、ＧａＡｓ系レーザの発振波
長に対し、４次の回折格子を形成する。次に、ＦＩＢプ
ロセスによる表面汚染層を除去するために、クラッド層
３を０．１．ｕｍエツチングし、０．２μｍとした〔第
４図（ｃ））、次いで、２回目のＭＯＶＰＥ成長により
、厚さ０．６μｍのｐ −ｋｅ ０．５ＧａＯ，５Ａ５
でなるクラッド層４、厚さ０．５μｍのｐ−ＧａＡｓで
なるキヤ・・ノブ層６を順次成長した。ｉ＆後に、ｎ電
極８、ｎ電極９を形成し、第４図（ｄ）及び第１図に示
す分布帰還型半導体レーザを製作した。
次に、第２図の分布反射型半導体レーザについて説明す
る。ｎ型ＧａＡｓ基板７上に、厚さ０．８μｍのｎ−Ａ
ｅ ０６５ａａ０．５ＡＳでなるクラッド層２、ｎ−＾
ｔ？ ０−２Ｇａ０，８＾Ｓとｎ−人ｅ ０−５Ｇａ０
．５ＡＳの多重量子井戸構造でなる光ガイド層５、ｎ−
ＧａＡｓでなる表面保護層１２をこの順にＭＯＶＰＥ成
長する〔第５図（ａ）〕。次に、第１図の場合と同様に
、この基板に対し、ＦＩＢ法により、周期０，５μｍ、
注入幅０．１μｍ、注入深さ０．５μｍの直線状繰り返
しパターンの５１イオン注入を行なってＳｉ注入領域１
１を形成した〔第５図（ｂ））、次いで、ＦＩＢ法によ
る表面汚染層除去のため、表面保護層をエツチングによ
り除去する〔第５図（ｃ））、最後に、厚さ０．１μｍ
のＧａＡｓでなる活性層１゛、厚さ０．８μｍのｐ−人
＆ ０．５ＧａＯ−５＾Ｓでなるクラ・ンド層４、厚さ
０．５μＩｎのｐ −ＧａＡｓでなるキャンプ層６を順
次成長し、ｎ電極８、ｎ電極りを形成して、本発明の分
布帰還型半導体レーザを製作した〔第５図（ｄ）〕。
る。ｎ型ＧａＡｓ基板７上に、厚さ０．８μｍのｎ−Ａ
ｅ ０６５ａａ０．５ＡＳでなるクラッド層２、ｎ−＾
ｔ？ ０−２Ｇａ０，８＾Ｓとｎ−人ｅ ０−５Ｇａ０
．５ＡＳの多重量子井戸構造でなる光ガイド層５、ｎ−
ＧａＡｓでなる表面保護層１２をこの順にＭＯＶＰＥ成
長する〔第５図（ａ）〕。次に、第１図の場合と同様に
、この基板に対し、ＦＩＢ法により、周期０，５μｍ、
注入幅０．１μｍ、注入深さ０．５μｍの直線状繰り返
しパターンの５１イオン注入を行なってＳｉ注入領域１
１を形成した〔第５図（ｂ））、次いで、ＦＩＢ法によ
る表面汚染層除去のため、表面保護層をエツチングによ
り除去する〔第５図（ｃ））、最後に、厚さ０．１μｍ
のＧａＡｓでなる活性層１゛、厚さ０．８μｍのｐ−人
＆ ０．５ＧａＯ−５＾Ｓでなるクラ・ンド層４、厚さ
０．５μＩｎのｐ −ＧａＡｓでなるキャンプ層６を順
次成長し、ｎ電極８、ｎ電極りを形成して、本発明の分
布帰還型半導体レーザを製作した〔第５図（ｄ）〕。
最後に、第３図の分布反射型半導体レーザについて説明
する。ｎ型ＧａＡｓ基板７上に、厚さθ、１）ｔｍのｎ
−Ａｅ ｏ、；Ｇａｏ、５＾Ｓでなるクラッド層２、
厚さ０．３ｔｔｒｎのｎ −Ａｆｆ ｒ）、２Ｇａ□、
８Ａｓとｎ−Ａ（！、）、ｑＧａｏ、、、ＡＳの多重量
子井戸ｍ造でなる光ガイド層５、厚さ０．１μｍのＧａ
Ａｓでなる活性層１′、厚さ０．８μｍのｐＡｆ ｏ、
５Ｇａｏ、、ＡＳでなるクラッド層４、厚さ０．５μｍ
のｐ−ＧａＡｓでなるキャップ層６をこの順に成長した
〔第６図（ａ）〕。次に、分布反射領域となる部分のキ
ャップ層、ｐ−クラッド層、活性層をエツチングにより
除去した〔第６図（ｂ）〕。そして、分分布反射域にの
み、第１図、第２図の場合と同様に、ＦＩＢ法によるＳ
ｉイオン注入を行なって注入領域１１を形成した〔第６
図（ｃ）Ｅ、注入条件は、第１図、第２図と同様である
。最後に、分布反射領域にのみ、遷択的に、ｐｋｅ ０
−５Ｇａ０．５＾Ｓとｎ −Ａｊ’ Ｑ、５ｃａＱ、５
＾Ｓの２層でなる電流ブロック層１０、ｐ −ＧａＡｓ
でなるキャップ層６を成長し、ｎ電極８、ｎ電極９を形
成して、本発明の分布反射型半導体レーザを製作した〔
第６図（ｄ））。
する。ｎ型ＧａＡｓ基板７上に、厚さθ、１）ｔｍのｎ
−Ａｅ ｏ、；Ｇａｏ、５＾Ｓでなるクラッド層２、
厚さ０．３ｔｔｒｎのｎ −Ａｆｆ ｒ）、２Ｇａ□、
８Ａｓとｎ−Ａ（！、）、ｑＧａｏ、、、ＡＳの多重量
子井戸ｍ造でなる光ガイド層５、厚さ０．１μｍのＧａ
Ａｓでなる活性層１′、厚さ０．８μｍのｐＡｆ ｏ、
５Ｇａｏ、、ＡＳでなるクラッド層４、厚さ０．５μｍ
のｐ−ＧａＡｓでなるキャップ層６をこの順に成長した
〔第６図（ａ）〕。次に、分布反射領域となる部分のキ
ャップ層、ｐ−クラッド層、活性層をエツチングにより
除去した〔第６図（ｂ）〕。そして、分分布反射域にの
み、第１図、第２図の場合と同様に、ＦＩＢ法によるＳ
ｉイオン注入を行なって注入領域１１を形成した〔第６
図（ｃ）Ｅ、注入条件は、第１図、第２図と同様である
。最後に、分布反射領域にのみ、遷択的に、ｐｋｅ ０
−５Ｇａ０．５＾Ｓとｎ −Ａｊ’ Ｑ、５ｃａＱ、５
＾Ｓの２層でなる電流ブロック層１０、ｐ −ＧａＡｓ
でなるキャップ層６を成長し、ｎ電極８、ｎ電極９を形
成して、本発明の分布反射型半導体レーザを製作した〔
第６図（ｄ））。
以上述べたように、本発明によれば、素子特性上重要な
、レーザ光の回折効率が、加工形状によらず一定に決ま
り、製作容易で、均一性、再現性の高い、分布帰還型半
導体レーザおよび分布反射型半導体レーザが得られる。
、レーザ光の回折効率が、加工形状によらず一定に決ま
り、製作容易で、均一性、再現性の高い、分布帰還型半
導体レーザおよび分布反射型半導体レーザが得られる。
第１図は、本発明の分布帰還型半導体レーザの断面層構
造の模式図、第２図は、本発明の分布帰還型半導体レー
ザの断面層構造の模式図、第３図は、本発明の分布反射
型半導体レーザの断面層構造の模式図、第４図は、第１
図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す図、第５
図は、第２図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示
す図、第６図は、第３図の分布反射型半導体レーザの製
造工程を示す図、第７図は、従来の分布帰還型半導体レ
ーザの断面層構造の模式図、第８図は、従来の分布反射
型半導体レーザの断面層構造の模式図である。尚、第１
図から第８図まで、すべて、共振器軸に垂直な方向から
見た図である。 １・・・多重量子井戸構造よりなる活性層、１′・・・
活性層、２，３．４・・・クラッド層、５・・・多重量
子井戸構造よりなる光ガイド層、５′・・・光ガイド層
、６・・・キャップ層、７・・・基板、８，９・・・電
極、１０・・・電流ブロック層、１１・・・不純物注入
領域、１２・・・表面保護層。 代理人 弁理士 内 原 晋 、８を櫨 第２図 第１区 第３図 躬 ！刀 第４図 第６図 第７図 第８図 １゜ ２゜ ３゜ 手続補正帯（自発） ５」
造の模式図、第２図は、本発明の分布帰還型半導体レー
ザの断面層構造の模式図、第３図は、本発明の分布反射
型半導体レーザの断面層構造の模式図、第４図は、第１
図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示す図、第５
図は、第２図の分布帰還型半導体レーザの製造工程を示
す図、第６図は、第３図の分布反射型半導体レーザの製
造工程を示す図、第７図は、従来の分布帰還型半導体レ
ーザの断面層構造の模式図、第８図は、従来の分布反射
型半導体レーザの断面層構造の模式図である。尚、第１
図から第８図まで、すべて、共振器軸に垂直な方向から
見た図である。 １・・・多重量子井戸構造よりなる活性層、１′・・・
活性層、２，３．４・・・クラッド層、５・・・多重量
子井戸構造よりなる光ガイド層、５′・・・光ガイド層
、６・・・キャップ層、７・・・基板、８，９・・・電
極、１０・・・電流ブロック層、１１・・・不純物注入
領域、１２・・・表面保護層。 代理人 弁理士 内 原 晋 、８を櫨 第２図 第１区 第３図 躬 ！刀 第４図 第６図 第７図 第８図 １゜ ２゜ ３゜ 手続補正帯（自発） ５」
Claims (3)
- （１）多重量子井戸構造よりなる活性層と、前記活性層
に、光およびキャリアの閉じ込めを行なうためのクラッ
ド層を少なくとも有する半導体レーザにおいて、共振器
軸方向に、前記活性層を構成する多重量子井戸構造の無
秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具備するこ
とを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。 - （２）発光に与る活性層と、前記活性層に、光およびキ
ャリアの閉じ込めを行なうためのクラッド層と、多重量
子井戸構造よりなる光ガイド層を少なくとも有する多層
構造を備え、共振器軸方向に、前記光ガイド層を構成す
る多重量子井戸構造の無秩序化による、一定周期の屈折
率ステップを具備することを特徴とする分布帰還型半導
体レーザ。 - （３）発光に与る活性層と、前記活性層に、光およびキ
ャリアの閉じ込めを行なうためのクラッド層と、多重量
子井戸構造よりなる光ガイド層とを少なくとも有する多
層構造から成る活性領域と、少くとも前記光ガイド層を
有し、発光に与る活性層が存在しない多層構造から成る
分布反射領域とを具備し、前記分布反射領域にのみ、共
振器軸方向に、前記光ガイド層を構成する多重量子井戸
構造の無秩序化による、一定周期の屈折率ステップを具
備することを特徴とする分布反射型半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23704288A JPH0283992A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23704288A JPH0283992A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0283992A true JPH0283992A (ja) | 1990-03-26 |
Family
ID=17009542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23704288A Pending JPH0283992A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 分布帰還型半導体レーザおよび分布反射型半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0283992A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369492A (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Kamelian Ltd | (Ga,In)(N,As) Laser structures using distributed feedback |
| EP1705763A2 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-27 | Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. | Quantum cascade laser with grating formed by a periodic variation in doping |
| JP2010045066A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23704288A patent/JPH0283992A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2369492A (en) * | 2000-11-28 | 2002-05-29 | Kamelian Ltd | (Ga,In)(N,As) Laser structures using distributed feedback |
| WO2002045221A3 (en) * | 2000-11-28 | 2003-10-23 | Kamelian Ltd | (ga,in)(n,as) laser structures using distributed feedback |
| EP1705763A2 (en) * | 2005-03-24 | 2006-09-27 | Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. | Quantum cascade laser with grating formed by a periodic variation in doping |
| EP1705763A3 (en) * | 2005-03-24 | 2006-10-18 | Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. | Quantum cascade laser with grating formed by a periodic variation in doping |
| CN1874091A (zh) * | 2005-03-24 | 2006-12-06 | 阿瓦戈科技光纤Ip（新加坡）股份有限公司 | 具有在掺杂中周期性变化所形成的光栅的量子级联激光器 |
| JP2010045066A (ja) * | 2008-08-08 | 2010-02-25 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ装置 |
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