JPH027388A - El素子 - Google Patents
El素子Info
- Publication number
- JPH027388A JPH027388A JP63157282A JP15728288A JPH027388A JP H027388 A JPH027388 A JP H027388A JP 63157282 A JP63157282 A JP 63157282A JP 15728288 A JP15728288 A JP 15728288A JP H027388 A JPH027388 A JP H027388A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- laminated
- layer
- film
- resistance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- -1 S and CaSe Chemical class 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000709341 Homo sapiens Replication protein A 30 kDa subunit Proteins 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 102100034373 Replication protein A 30 kDa subunit Human genes 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、EL素子に関し、特に直流型の薄膜EL素子
に関する。
に関する。
近年、EL素子は、発光表示装置や、情報機器端末とし
て用いられている自己発光型平面デイスプレィや、表示
ランプ等に利用されている。
て用いられている自己発光型平面デイスプレィや、表示
ランプ等に利用されている。
第2図、第3図は従来のEL素子の一例を説明するため
のチップの断面図である。従来のEL素子として、ガラ
ス基板1上にITO(Sn02とIn2O5の混合物)
等になる透明電8ii2.Zn5e:Mn等よりなる発
光層3.アルミニウム等よりなる背面電極7を順次積層
して、透明電極と背面電極の間に数Vから数10Vの電
圧を印加することにより発光が得られることが、例えば
、アイイーイーイートランザクションズ・オン・エレク
トロン・デバイシズ(I E E E Transa
ctionsElectron Devices)、第
ED−30巻、1983年、第4号、第282頁に記載
されている。
のチップの断面図である。従来のEL素子として、ガラ
ス基板1上にITO(Sn02とIn2O5の混合物)
等になる透明電8ii2.Zn5e:Mn等よりなる発
光層3.アルミニウム等よりなる背面電極7を順次積層
して、透明電極と背面電極の間に数Vから数10Vの電
圧を印加することにより発光が得られることが、例えば
、アイイーイーイートランザクションズ・オン・エレク
トロン・デバイシズ(I E E E Transa
ctionsElectron Devices)、第
ED−30巻、1983年、第4号、第282頁に記載
されている。
上述した従来のEL素子では、発光動作中に破壊を生じ
やすく、このため信頼性が低くなり、寿命が短いという
問題点があった。この破壊は、素子に電圧を印加すると
、ピンホール等の欠陥等により、発光層の抵抗が低くな
っている部分に電流が集中して多量に流れるため、この
部分が熱的に破壊するためと考えられる。この電流集中
は、薄膜発光眉の不均一性に起因しているなめ、素子の
外部に抵抗を取り付けても防止することはできない、そ
こで、発光層の低抵抗部においても電流を制限するため
に、第3図に示すように、発光層3に接した高抵抗N8
を設けることが、例えば、昭和52年春季第24回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集(第2分冊)33頁、
講演番号26p−に−14に記載されている。しがしな
がら、このような構造でも、抵抗層にピンホール等の欠
陥があると低抵抗の部分を生じ、破壊が起ってしまう、
しかも薄膜の低抵抗層は必ずしも安定でないため、経時
変化により、抵抗値が部分的に変化してしまい、破壊を
生じるばがってなく、多数の素子を製造した場合、各素
子間における抵抗層の特性置物を生じるなめ、素子特性
を生じてしまうという欠点があった。
やすく、このため信頼性が低くなり、寿命が短いという
問題点があった。この破壊は、素子に電圧を印加すると
、ピンホール等の欠陥等により、発光層の抵抗が低くな
っている部分に電流が集中して多量に流れるため、この
部分が熱的に破壊するためと考えられる。この電流集中
は、薄膜発光眉の不均一性に起因しているなめ、素子の
外部に抵抗を取り付けても防止することはできない、そ
こで、発光層の低抵抗部においても電流を制限するため
に、第3図に示すように、発光層3に接した高抵抗N8
を設けることが、例えば、昭和52年春季第24回応用
物理学関係連合講演会講演予稿集(第2分冊)33頁、
講演番号26p−に−14に記載されている。しがしな
がら、このような構造でも、抵抗層にピンホール等の欠
陥があると低抵抗の部分を生じ、破壊が起ってしまう、
しかも薄膜の低抵抗層は必ずしも安定でないため、経時
変化により、抵抗値が部分的に変化してしまい、破壊を
生じるばがってなく、多数の素子を製造した場合、各素
子間における抵抗層の特性置物を生じるなめ、素子特性
を生じてしまうという欠点があった。
本発明の目的は、発光層の一部に電流が集中することを
防止し、発光層の破壊が起きないEL素子を提供するこ
とにある。
防止し、発光層の破壊が起きないEL素子を提供するこ
とにある。
本発明のEL素子は、一対の電極と前記電極間に設けた
発光層から成るEL素子において、少なくとも一方の前
記電極と前記発光層の間に半導電性の薄膜と絶縁性の薄
膜を交互に積層した積層抵抗層を2層以上配置すること
を含んで構成される。
発光層から成るEL素子において、少なくとも一方の前
記電極と前記発光層の間に半導電性の薄膜と絶縁性の薄
膜を交互に積層した積層抵抗層を2層以上配置すること
を含んで構成される。
本発明のEL素子において、電極と発光層の間に設けた
半導電性の第1薄膜4と絶縁性の第2薄膜5からなる積
層抵抗層に電圧を印加すると、まず第1薄膜4から電子
が第2 N plA5に注入される。次に注入された電
子のうちエネルギーの高い電子は主としてトンネル効果
により第2薄膜5を通過し次の第1薄膜4に到達する。
半導電性の第1薄膜4と絶縁性の第2薄膜5からなる積
層抵抗層に電圧を印加すると、まず第1薄膜4から電子
が第2 N plA5に注入される。次に注入された電
子のうちエネルギーの高い電子は主としてトンネル効果
により第2薄膜5を通過し次の第1薄膜4に到達する。
以下この過程をくり返すことにより電子は積層抵抗層6
を通過することができる。この積層抵抗層は異質な薄膜
の積層構造をとっているため、一部の薄膜内に欠陥が発
生しても、積層プロセスを経るうちにこの欠陥が異質の
薄膜によりカバーされ、欠陥の発生率が低下する。これ
により積層抵抗層では、部分的に低抵抗な個所がなくな
るため、薄膜の一部に電流が集中することができなくな
り、素子の破壊防止が可能となる。
を通過することができる。この積層抵抗層は異質な薄膜
の積層構造をとっているため、一部の薄膜内に欠陥が発
生しても、積層プロセスを経るうちにこの欠陥が異質の
薄膜によりカバーされ、欠陥の発生率が低下する。これ
により積層抵抗層では、部分的に低抵抗な個所がなくな
るため、薄膜の一部に電流が集中することができなくな
り、素子の破壊防止が可能となる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第1図は本発明のEL素子の第1の実施例を説明するた
めのチップの断面図である。同図に示すように、ガラス
基板1上に例えば厚さ200nmのITOよりなる透明
電極を形成し、次にZn5i:Mnよりなる発光層を真
空中における抵抗加熱蒸着法により成膜した。Mnfi
度は低すぎると励起されるMnの数が少なくなり、高す
ぎるとMnとMnの相互作用により、いわゆる濃度クエ
ンチングを生じて輝度が低下するので、0.1〜2モル
%、望ましくは0.5から1モル%とし、膜厚は300
0人とした。第1薄膜4はSiよりなり積層抵抗層6を
構成する。ここで第1薄膜4として導電性の良好なAI
やMo、W、Cr。
めのチップの断面図である。同図に示すように、ガラス
基板1上に例えば厚さ200nmのITOよりなる透明
電極を形成し、次にZn5i:Mnよりなる発光層を真
空中における抵抗加熱蒸着法により成膜した。Mnfi
度は低すぎると励起されるMnの数が少なくなり、高す
ぎるとMnとMnの相互作用により、いわゆる濃度クエ
ンチングを生じて輝度が低下するので、0.1〜2モル
%、望ましくは0.5から1モル%とし、膜厚は300
0人とした。第1薄膜4はSiよりなり積層抵抗層6を
構成する。ここで第1薄膜4として導電性の良好なAI
やMo、W、Cr。
Niなどを用いると、導電性が良好すぎて第2薄膜5の
欠陥部分でショート状態となり、第1薄膜4の各層間が
短絡してつながってしまい、積層抵抗層が抵抗層として
働かなくなるので用いられない。そこで半導電性物質と
してStを用いた。第1薄膜4の一層の厚さは、あまり
厚いと面方向に導電性を示すばかりでなく、第1薄膜4
における電圧降下が増し、EL素子の動作電圧が上昇し
てしまうが、極端に厚さを薄くすると電気伝導性が失わ
れてしまう。実験の結果、第1薄膜4の一層の厚さは、
1〜20nmの範囲が適当で、望ましくは3〜8nmで
あった。このような範囲の膜厚を選ぶことにより膜に垂
直方向に対して適度な電気伝導度を保ちつつ、膜と平行
な方向での伝導度を低く保つことができる。第2薄膜5
はS i 02などの絶縁性材料を用いる。膜厚として
は、トンネル電流を流す程度に薄くして使用するが、極
端に薄くすると平面的に連続な膜の作成が困難となる。
欠陥部分でショート状態となり、第1薄膜4の各層間が
短絡してつながってしまい、積層抵抗層が抵抗層として
働かなくなるので用いられない。そこで半導電性物質と
してStを用いた。第1薄膜4の一層の厚さは、あまり
厚いと面方向に導電性を示すばかりでなく、第1薄膜4
における電圧降下が増し、EL素子の動作電圧が上昇し
てしまうが、極端に厚さを薄くすると電気伝導性が失わ
れてしまう。実験の結果、第1薄膜4の一層の厚さは、
1〜20nmの範囲が適当で、望ましくは3〜8nmで
あった。このような範囲の膜厚を選ぶことにより膜に垂
直方向に対して適度な電気伝導度を保ちつつ、膜と平行
な方向での伝導度を低く保つことができる。第2薄膜5
はS i 02などの絶縁性材料を用いる。膜厚として
は、トンネル電流を流す程度に薄くして使用するが、極
端に薄くすると平面的に連続な膜の作成が困難となる。
実験の結果、第2N膜5の厚さとしては3〜20nmが
適当で、望ましくは4〜10nmであった。このような
範囲の膜厚を選ぶことにより膜に垂直方向に対して適度
の電気抵抗性を持たせることができる。第1薄膜4、第
2薄膜5はどちらもRFマグネトロンスパッタ法により
Siターゲットを用いて作成し、第1薄膜4を作成する
場合はスパッタガスとしてArを、第2薄膜5を作成す
る場合はスパッタガスとしてArに02を10〜50%
混合したものを用いて化成スパッタにより作成した。第
1薄膜4と第2薄膜5は各々2〜100層望ましくは各
々20〜50層積層して積層抵抗層6を形成した。f&
後に背面電極としてAIを200nm真空蒸着しEL素
子とした。
適当で、望ましくは4〜10nmであった。このような
範囲の膜厚を選ぶことにより膜に垂直方向に対して適度
の電気抵抗性を持たせることができる。第1薄膜4、第
2薄膜5はどちらもRFマグネトロンスパッタ法により
Siターゲットを用いて作成し、第1薄膜4を作成する
場合はスパッタガスとしてArを、第2薄膜5を作成す
る場合はスパッタガスとしてArに02を10〜50%
混合したものを用いて化成スパッタにより作成した。第
1薄膜4と第2薄膜5は各々2〜100層望ましくは各
々20〜50層積層して積層抵抗層6を形成した。f&
後に背面電極としてAIを200nm真空蒸着しEL素
子とした。
この第1薄rpA4と第2薄膜5の積層膜からなる積層
抵抗層6に電圧を印加すると、まず第1薄膜4から電子
が第2薄膜5に注入される。更に注入された電子のうち
エネルギーの高い電子は主としてトンネル効果により第
2薄膜5を通過し次の第1薄膜4に到達する。以下この
過程をくり返すことにより電子は積層抵抗N6を通過す
ることができる。この積層抵抗層6は異質な薄膜の積N
III造をとっているため、一部の薄膜内に欠陥が発生
しても、積層プロセスを経るうちにこの欠陥が異質の薄
膜によりカバーされ、欠陥の発生率が非常に低下した。
抵抗層6に電圧を印加すると、まず第1薄膜4から電子
が第2薄膜5に注入される。更に注入された電子のうち
エネルギーの高い電子は主としてトンネル効果により第
2薄膜5を通過し次の第1薄膜4に到達する。以下この
過程をくり返すことにより電子は積層抵抗N6を通過す
ることができる。この積層抵抗層6は異質な薄膜の積N
III造をとっているため、一部の薄膜内に欠陥が発生
しても、積層プロセスを経るうちにこの欠陥が異質の薄
膜によりカバーされ、欠陥の発生率が非常に低下した。
この効果により積層抵抗層では部分的に低抵抗な個所が
なくなるため、薄膜の一部に電流が集中することができ
なくなり、素子の破壊を防止することができた。また積
層抵抗層では異質な性質の薄膜が積層されるため、直流
電圧印加による薄M tfl成イオンのドリフトが押え
られる。従って積層抵抗層では長時間の動作における安
定性が著しく改善され特性の経時変化が少なく、このた
め動作中に破壊してしまうことが少な・くなった。また
積層抵抗層は多数の層を積み重ねていくため、一部分膜
質の不均一があっても全体として平均化される。このた
め積層抵抗層を用いたEL素子では、素子製造時の均一
性がよく、各素子間における発光特性の再現性が良好に
なった。
なくなるため、薄膜の一部に電流が集中することができ
なくなり、素子の破壊を防止することができた。また積
層抵抗層では異質な性質の薄膜が積層されるため、直流
電圧印加による薄M tfl成イオンのドリフトが押え
られる。従って積層抵抗層では長時間の動作における安
定性が著しく改善され特性の経時変化が少なく、このた
め動作中に破壊してしまうことが少な・くなった。また
積層抵抗層は多数の層を積み重ねていくため、一部分膜
質の不均一があっても全体として平均化される。このた
め積層抵抗層を用いたEL素子では、素子製造時の均一
性がよく、各素子間における発光特性の再現性が良好に
なった。
次に、本発明のEL素子と、第3図に示すように、積層
抵抗層6のかわりにやはりRFマグネトロンスパッタ法
で作成した酸素欠損のある膜厚200nmのTa205
抵抗層8を有する従来型素子とを、その歩留りで比較し
たところ、良品率が3倍以上に改善された。また長時間
の寿命試験においても、輝度半減時間が本発明のEL素
子は、従来型素子の5倍以上にのび、著しい改善が見ら
れた。さらに素子特性のバラツキも従来型素子に比較し
て半分程度となった。また本発明の素子では背面電極7
に負電圧を印加した場合、特に強い発光が見られた。こ
れは積層抵抗層6から発光層3に高エネルギーの電子が
注入されるためと孝えられ、これにより輝度の効率が従
来型の1.5倍以上になるという効果も認められた。
抵抗層6のかわりにやはりRFマグネトロンスパッタ法
で作成した酸素欠損のある膜厚200nmのTa205
抵抗層8を有する従来型素子とを、その歩留りで比較し
たところ、良品率が3倍以上に改善された。また長時間
の寿命試験においても、輝度半減時間が本発明のEL素
子は、従来型素子の5倍以上にのび、著しい改善が見ら
れた。さらに素子特性のバラツキも従来型素子に比較し
て半分程度となった。また本発明の素子では背面電極7
に負電圧を印加した場合、特に強い発光が見られた。こ
れは積層抵抗層6から発光層3に高エネルギーの電子が
注入されるためと孝えられ、これにより輝度の効率が従
来型の1.5倍以上になるという効果も認められた。
なおここでは透明電極上に発光層を作成し、その上に積
層抵抗層を作成した例について述べたが、これとは逆に
透明電極上にまず積層抵抗層を作成し、次に発光層を作
成してもよい。ただしこの場合は第1薄膜として透明な
材料を用いる必要がある。
層抵抗層を作成した例について述べたが、これとは逆に
透明電極上にまず積層抵抗層を作成し、次に発光層を作
成してもよい。ただしこの場合は第1薄膜として透明な
材料を用いる必要がある。
また発光層の材料はZn5i:Mnに限らず、母体材料
としてはZn5e’?ZnO,SrS、5rSe、Ca
S、CaSeなどの化合物、発光中心としてはTb、S
m、Pr、Ce、Euやそのフッ化物などの希土類元素
やその化合物を用いることができる。また発光層の膜厚
は上述した範囲に限らず必要な輝度や動作電圧に応じて
適当に設定できる。
としてはZn5e’?ZnO,SrS、5rSe、Ca
S、CaSeなどの化合物、発光中心としてはTb、S
m、Pr、Ce、Euやそのフッ化物などの希土類元素
やその化合物を用いることができる。また発光層の膜厚
は上述した範囲に限らず必要な輝度や動作電圧に応じて
適当に設定できる。
また第1薄膜はSLに限らずGe、GaP。
GaAs、5n02 、In203 、ITO,Zn5
e等の半導電性材料を用いることができる。
e等の半導電性材料を用いることができる。
また第2薄膜は5i02に限らすY2O,。
SiN、Ta2 o2.A1203.5iONなどの絶
縁性の材料を用いることができる。
縁性の材料を用いることができる。
以上説明したように、本発明は、電極と発光層の間に、
半導電性の薄膜と絶縁性の薄膜を交互に積層した積層抵
抗層を2N以上配置することにより、積層抵抗層に部分
的な低抵抗部がなくなり、発光層の一部に電流が集中す
ることがないため、発光層の破壊が起こらない。したが
って、高歩留、長寿命、高信頼性でしかも高輝度、高効
率な特性のそろったEL素子を得ることができる。
半導電性の薄膜と絶縁性の薄膜を交互に積層した積層抵
抗層を2N以上配置することにより、積層抵抗層に部分
的な低抵抗部がなくなり、発光層の一部に電流が集中す
ることがないため、発光層の破壊が起こらない。したが
って、高歩留、長寿命、高信頼性でしかも高輝度、高効
率な特性のそろったEL素子を得ることができる。
第1図は本発明のEL素子の第1の実施例を説明するた
めのチップの断面図、第2図、第3図は従来のEL素子
の一例を説明するためのチップの断面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・発光
層、4・・・第1薄膜、5・・・第2薄膜、6・・・積
層抵抗層、7・・・背面電極、8・・・抵抗層。
めのチップの断面図、第2図、第3図は従来のEL素子
の一例を説明するためのチップの断面図である。 1・・・ガラス基板、2・・・透明電極、3・・・発光
層、4・・・第1薄膜、5・・・第2薄膜、6・・・積
層抵抗層、7・・・背面電極、8・・・抵抗層。
Claims (1)
- 一対の電極と前記電極間に設けた発光層から成るEL
素子において、少なくとも一方の前記電極と前記発光層
の間に半導電性の薄膜と絶縁性の薄膜を交互に積層した
積層抵抗層を2層以上配置することを特徴とするEL素
子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63157282A JPH027388A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | El素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63157282A JPH027388A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | El素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH027388A true JPH027388A (ja) | 1990-01-11 |
Family
ID=15646256
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63157282A Pending JPH027388A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | El素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH027388A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174361A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Nippon Steel Corp | 焼入れ性と耐銹性の優れた低炭素マルテンサイト系ステンレス鋼 |
JP2006210204A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射性の改善された背面用基板およびこれを用いたディスプレイ |
JP2011103205A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63157282A patent/JPH027388A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61174361A (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-06 | Nippon Steel Corp | 焼入れ性と耐銹性の優れた低炭素マルテンサイト系ステンレス鋼 |
JPH027390B2 (ja) * | 1985-01-30 | 1990-02-16 | Nippon Steel Corp | |
JP2006210204A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射性の改善された背面用基板およびこれを用いたディスプレイ |
JP4515274B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-07-28 | 大日本印刷株式会社 | 無機発光ディスプレイ |
JP2011103205A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05182766A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS5823191A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH03141588A (ja) | 電界発光素子 | |
JPH027388A (ja) | El素子 | |
US4373145A (en) | Thin film electroluminescent device | |
JPH046795A (ja) | 有機el素子 | |
JPH0482197A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH03261182A (ja) | 多色有機発光素子 | |
JPH02251428A (ja) | 透明導電性フィルム | |
JPH05211093A (ja) | 直流エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPS60134278A (ja) | El表示装置 | |
JPS6396896A (ja) | エレクトロルミネツセンス素子 | |
JP2002083692A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
JPH06140157A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPS598040B2 (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS59154794A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH01122594A (ja) | 薄膜型エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH07106067A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法 | |
JPS6089098A (ja) | 薄膜el素子の電極構造 | |
JPS617595A (ja) | 薄膜el素子に於ける透明導電膜の製造方法 | |
JPH01315985A (ja) | Elパネルの製造方法 | |
JPS5991697A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPH04363895A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH07192871A (ja) | 薄膜el素子 |