JPH0270181A - 固体撮像装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野） 本発明は高速シャッタ動作を伴う固体撮像装置の５動力
式に関する。

〔従来技術とその問題点〕

固体撮像装置は従来の撮像管に比べ、小型、軽−畦、高
信頼性、特性面では図形歪がなく、残像が小さく、・尭
げきかない等の多くの利点を有していルタメ、ＩＴＶ　
、家庭ビデオカメラ用として広く使用され始めており、
特に最近では銀塩フィルムを弔いない、いわゆる電子カ
メラへの応用も考えられている。

しかるに従来の固体撮像装置は例えばＮＴＳＣ標準方式
に適合させるように駆動されており、従って固体撮像装
置の画素数を全て再生するために１は、上記成子カメラ
のシャッタｉ　１／３０秒以上開口させなけれ・ばなら
ないことになる。しかし通常シャッタ速度が１／３０秒
の場合は例えば三脚で固定するなどして撮像しない限り
、手振れがおこる。そのため１／３０秒以下での高速シ
ャッタ撮像を可能にするためには、読出し周波数を高く
して１フレ一ム時間の短縮で図る必要があるが、現在の
５００（垂直）　Ｘ　４００　（水平）画素のセンサに
おける読出し周波数：ｉ、７．１６１’ｖｆＨｚであり
、これを２陪の１４３２ＭＨｚにできたとしても、シャ
ッタ速度は高々１／６０秒にしかならなＡｏ一方、カメ
ラとしてのシャッタ速度は１／１０００秒程Ｖまで必要
であり、このような高速シャッタ動作を満足させるには
上記読出し周波数は２４０ＭＨｚとなってしまい、固体
撮像装置の駆動、信号処理が極めて困難となる。

このため従来の方式で高速シャッタ１像を行なおうとす
る揚台はインターレス撮像を行わずに撮像せざるを得す
、その結果画素数は垂直方向において半分になってしま
い、解像度が大幅に低下する。

以上の事項を図面を参照してもう少し詳しく説明する。

第１図はよく知られているインターライン転送方式のＣ
ＣＤ　（以下ＩＴ−ＣＣＤと称す）の、溝戎テ示す。

このＩＴ−ＣＯＤは例えばホトダイオード（以下ＰＤと
称す）で形成されたＭＸ２Ｎ個の感光部（”ｌ　１　＋
　”１１　ｒＰ１２　ｒ　Ｐ；２＋　”＋３　＋　”’
　＋　ＰＩＮ　＋ＰＩＮ　＋　Ｐ２１　＋Ｐ２１　ｔ　
”ｕ、”２２１　”２３１”’　ＩＰ２Ｎ、Ｐ、二、・
＋　ＰＭｌ　＋　ｐ、、　ｌ　”Ｍ２　＋　”Ｍｔ　ｒ
　２Ｍ３　＋・・ｒ　”ＭＮ　１　”ＭＮ　）（以下Ｐ
ｉ、Ｐｉ’で代表する）と、この感光部（Ｐｉ。

Ｐｉ’）で光電変換されて蓄積された信号電荷を読出す
ための垂直ＣＣＤ　（Ｃ，、Ｃ２，・・・ＣＭ）が図示
の如く水平方向に交互に配列されている。そして垂直Ｃ
ＣＤ（Ｃ４，Ｃ２，・、ＣＭ）の信号電荷は１段ごとに
水平ＣＣＤシフトレジスタ（１）に転送され、水平有効
期間において水平ＣＣＤシフトレジスタ（１）内を転送
さまた後、順次出力部１２）より読出される０ここで垂
直ＣＣＤ（Ｃ８，Ｃ２，・・・ｌ　”Ｍ　）　　におけ
る垂直方向転送段数は感光部（Ｐｉ、Ｐｉ’）の垂直方
向画素数の半数である。

通常のテレビジョン標準方式においては１フレームば２
フイールドより構成され、インターレス走査を行ってい
る。従ってＩＴ−ＣＣＤでもこれに適合した撮像動作を
行っている。すなわち先の２フイールドｉＡ　、Ｂフィ
ールドとすると、Ａフィールドでは垂直方向に連伏して
設けられた２個のＰＤ（Ｐ１２．Ｐ＋：）　、　（Ｐ１
２１　”＋２）　ｌ−、（Ｐ＋ｓ、　ＰＩＮ）　＋　（
Ｐ２、＋Ｐ２１）＋（Ｐ２ｔｒ　Ｐ２２　）　＋　、”
　ｒ　（”ｚＮ　＋　ＰｔＮ　）　＋　”’　ｒ　（”
ｌＪ＋　＋　”Ｍ＋）　＋　（ＰＭ２１ＰＭ２′）　＋
　”’　＋　（ＰＭＮ　ｌ　”ＭＮ　）で蓄積された信
号電荷が合せて読出され、Ｂフィールドでは、Ａフィー
ルドで読出された２個のＰＤ（Ｐｉ、Ｐｉ　）　　に対
して空間的に垂直方向に１８０度位相の異なる連続した
２個のＰＤ　（Ｐ、ＬＰ、□）、（Ｐ＋ｔ、Ｐ＋ｓ）、
−、（Ｐ２１．Ｐ　２□）、ω２２　＋　”２３　）　
＋”’（”）ｊ　ｌ’＋　ＰＭ□）　＋　（Ｐ）４２１
２Ｍ３　）置・で蓄積された信号電荷が合せて読出され
る。このような信号電荷転送モードはフィールド蓄積モ
ードと呼ばれる。この場合、垂直方向においてＡ、Ｂフ
ィールドで読出される信号の空間的位相が１８０度異な
るため、感光領域全域からは２ＮＸＭ個のサンプル点が
得られる。

なおＰＤ（Ｐｉ　、　Ｐｉ　）から垂直ＣＣＤ（Ｃ，・
Ｃ２パ°・ＣＭ）への信号電荷転送はＰＤと垂直ＣＣＤ
との間に設けられたフィールドシフトゲート（以下ＦＳ
Ｇと呼ぶ）（４）にパルス磁圧を印加して行う。

第２図（ａ）は第１図＋７）　ＩＴ−ＣＣＤニオはルＦ
ＳＧ（４）ニ印加するシ圧波形を、第２図（ｂ）は信号
出力波形を、第２ｄ（ｃ）は高速シャッタ時のシャッタ
開閉を各々示す。すなわち第２１図（ａｌに示すように
ＦＳＧ　（４１に高レベル底圧ＶＨが印加されている同
にＰＤに蓄積すれている信号電荷が垂直ＣＯＤへ移動さ
れ、第２図（ｂｌに示すように例えばＡフィールド期間
で蓄積された信号電荷が出力部（２）よりＢフィールド
期間に読出される。この信号出力を８人とすると、Ｂフ
ィールドでＰＤに蓄積された信号電荷による信号出力Ｓ
Ｂは１フイ一ル°ド期間遅れて続いて読出される。

この扇合第１図で説明しｉように全てのＰＤでＡフィー
ルド期間で蓄積された信号な荷が全て垂直ＣＣＤに移動
された後新たにＢフィールドでの信号蓄積が行われる。

従って第２図（ｂ）に示すようにＢフィールドでの信号
出力ＳＢが辱られるためには、Ｂフィールド期間に何ら
かの光入力が必要である。

しかるに第２図（ｃ）に示すように例えば１／１０００
秒だけ光学シャッタが開きその間だけ光入力があるよう
な高速シャッタ動作においては、Ａフィールド信号出力
ＳＡは得られるがＢフィールド信号出力ＳＢは傅らルな
いこと、／こなる。これは第１図で説明したところの感
光領域全域から２ＮＸＭ個のサンプル点が得られず、高
速シャッタ動作でｉ　Ｎ　Ｘ　Ｍ個のサンプル点しか得
られないこと全意味する。

従って高速シャッタ動作では前述したように垂直方向の
画素数が半分になり、解像度が大幅に低下してしまう。

以上述べたように、従来の方式で解像度を低下させずに
高速シャッタ動作を行うとしても高々１／６０秒までし
かできず、これ以上の高速シャッタ動作を行おうとする
と、解像度が大幅に低下してしまい、実用に供すること
ができない。

〔発明の目的〕

本発明は上記の点に鑑みなされたもので、解像度を低下
させることなく高速シャッタ動作を可能とした固体撮像
装置の駆動方式を提供することを目的とする。

〔発明の概要〕

本発明は固体撮像装置への入射光像の通過金制到するた
めの光学シャッタの開口期間を、感光部に蓄積された信
号電荷を読み出し部に同時に転送せしめる動作の前後に
２いて、同じ期間だけ設けるようにしたことを特徴とす
る０ 〔発明の効果〕 このようにした本発明によれば、信号電荷の読み出し部
への転送動作の前及び後で感光部で信号電荷が発生・蓄
積されるため出力部からはその両方の信号電荷が読み出
されることとなり、かつ１／１０００秒程度の高速シャ
ッタ動作が容易に達成されるため、特に成子カメラにと
って極めて有効となる。

〔発明の実施例〕

以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の固体撮像装置における駆動方式の一実
施例を示す図で、第１図（ａ）：ｒ’ｆ、フィールドシ
フトゲ−）　（Ｆ’ＳＧ）に印加する・成田波形を示す
。

すなわち第１図に示したＩＴ−ＣＣＤのＦＳＧ　（４１
に高レベル電圧ｖＨを印加することによりＰＤ　（ＰＩ
　、Ｐ＋　）に蓄積された信号電荷全垂直ＣＣＤ　（Ｃ
，、Ｃ，、、、、、ＣＭ）に移動せしめる。

ここで、例えばビデオカメラのように連続して各フィー
ルドの画像信号を得る場合は上記ＶＨ印加パルスは１フ
イールド毎に繰返し印加されるが、ル子カメラに２いて
は瞬時の画像を撮像するため、第１図（３３に示すよう
に少なくとも２個でよい。また印加パルス幅Ｔｓ１４　
Ｐ　Ｄから垂直Ｃ’ＣＤへの信号電荷移動期間で、１μ
〜１０μ秒である。

第１図（ｂｌはシャッタ開口期間を示す。この実施例に
よ仇ば本図に示すように、高レベル成圧ＶＨ保持期間に
またがる期間Ｔｏだけ開口させる。この期間Ｔｏは例え
ば１／１０００秒（１ｍ秒）である。ここで、シャッタ
が開口してＴｏ／２期間後、即ち開口期間の中心時期を
第１図（ａｌＯ高レベし電圧保持期間Ｔｓの終端に一致
させることが望ましい。これは、第１図（ａｌで示した
高レベル電圧印加期間にもＰＤに光照射があり、この光
照射によって発生した信号４荷が高レベル電圧印加期間
に垂直ＣＣＤに流入するからである。

このように高レベル電圧ｖＨの終端を中心ｆｃ　Ｌで、
その前後にＴｏ／２ずつ開口せしめることにより、前半
の開口期間Ｔｏ　／２でＰＤに発生し蓄積された信号電
荷は高レベル威圧Ｖｏ［Ｉｏｌの印加により垂直ＣＣＤ
に移送され、後半の開口期間Ｔｏ　／　２でＦＤに発生
し蓄積された信号電荷は、次の高しペルシ圧ＶＨ（１１
３の印加によシ垂直ＣＣ’Ｄに移送される。その結果信
号出力は第１図（Ｃ）ｌ／ｃ示すようにＡフィールドの
信号ＳＡとＢフィールドの信号ＳＢの両方が得られるこ
とになる。

ここで上述のようにシャッタ開口期間の中心が高しペル
シ圧■Ｈの終端に一致しているため、Ａフィールド、Ｂ
フィールドにおける光照射期間は一致しており、従って
信号出力ＳＡとＳＢのレベルば１ぼ同じである。

このようにＦＳＧへ印加する高レベル電圧■Ｈ保持期間
にまたがるようにシャッタを開口させて光入射を行うと
いう全く新規な方式を採用することにより、例えば１／
１０００秒という高速シャッタ動作を必要とする場合に
おいてもＡ　、　Ｂ’両タフイールド信号を出力するこ
とができる。従って解像度を低下させることなくシ子カ
メラに適用することができる。

尚、上述したとうシＶＨ印加パルスの終端時点とＴｏ　
／２時点を完全に一致させることが望ましいが、■Ｈ印
加パルスの幅Ｔｓは１μ秒程度であるため、シャッタ開
口期間Ｔｏを例えば１／１０００秒（１ｍ秒）とすると
、Ｔｓはシャッタ開口時間Ｔｏの０．１％程度と極めて
短い。よってＶＨ印加パルスの終端とシャッタ開口期間
の中心は多少のズレがあってもさしつかえない。

第４図は本発明の他の実施列を示すもので、第４図（ａ
）はＦＳＧに印加する電圧波形、第４図ｆｂ）はシャッ
タ開口期間、第４図（Ｃ）は信号出力を夫々示す。

本実施例の場合は第４図（ｂｌに示されているように、
ンヤツタ開口はＴｏの期間のうちのＴＩの期間に行われ
る。そしてこの期間ＴＩはｖＨ印・）０パルス００の前
後に位置する。言い換えればＴｏの期間中のシャッタ閉
期間ＴＭ内にＶＨ印加パルス００が位置する。

そして、＄１のシャツタ開期間１２においてＰＤに発生
し、蓄積された信号電荷がｖＨパルスａＯの印加によっ
て垂直ＣＯＤに移送され、その後第２のシャツタ開期間
ｔ１３１においてＰＬ）に発生・蓄積された信号４荷が
ＶＨハルスαＤの印刀口によって垂直ＣＣＤに移送され
る。従って出力信号は第４図（ｃｌのように、兆、ＳＢ
の両方が得られる。

この実施例によればシャッタ閉期間ＴＭ金設け、この期
間内にＶＨパルス印加（すなわちＰＤから垂直ＣＣＤへ
の信号電荷の移送）を行っているので、先の実施列のよ
りなりＨパルス印加期間内の光入射による問題もなく、
またＶＨパルス印加は期間ＴＭ内（Ｃ位置しておれば・
よいため、シャツタ開口と■Ｈパルスの時間位相のズレ
の許容範囲も大きくとれるという利点がある。

ここでシャッタ速度は、第１のシャッタ開口期間ｑｚの
始点から第２のシャッタ期間１１３の終点までの期間（
Ｔｏ）に相当する。

このように本実施夕１ｊにおいても先の実施例と同様、
解像度を低下させることなく、高速シャッタ動作が可能
となる。

以上説明したように本発明によれば高速シャッタ動作金
高解像度で達成させることができるが、本発明は水平解
像度を向上させる方式においても極めて都合良く適用す
ることができ、以下これについて説明する。

第５図（ａ）は、第１図に示したＩＴ−ＣＣＤにおける
一部の画素部分を示すもので、図において（１５−１）
。

（１５−２）　、（１５−３）・・は画素を示す。これ
らの画素は、本図で示すようにその全てが光入射（Ｃ対
する有効領域ではなく、図中実線で示された開口部（１
６−１）　。

（１６−２）　、（１６−３）・・のみが有効領域であ
る。上記の水平方向解像度を向上させる方式とは、この
点に着目して、固体撮像素子チップ基板を再生画像上で
水平方向に対応する方向に、入射像ｌｌｃ対して相対的
に１フレ一ム期間を１周期として振動させる方式である
。すなわち第５図（ｂ）は固体撮像素子チップの撮動モ
ードの一例を示し、この例によればチップはＸ軸方向（
水平方向）に三角波状に撮動される。ここでＡフィール
ド、Ｂフィールドの各フィールドでＰＤに蓄積された信
号電荷は、垂直ブランキング期間中の任意の期間に垂直
ＣＣＤに移動されるが、この移動期間と上述の固体撮像
チップ基板の撮動中心（第５図（ｂ）中のＡ、Ｂ、Ｃ・
）とが同期される。

その結果ダ］えばＡフィールドにおいて光入射に対する
有効領域が例えば第５図（ａ）の実線で示された開口部
（１６−１）　、（１５−２）　、（１６−３）　　の
位置にあったとすると、Ｂフィールドではこれらの開口
部は第５図（ａ）中の点線で示す位置（１７−１）　、
（１７−２）、（１７−３）・に移動し、これらの位置
で光入射による信号電荷の発生・蓄遺が行われることに
なる。これはとりもなおさず水平方向において１画素内
に２つのサンプル点が存在するため実効的に画素数が２
＠になったことを意味し、これによって水平方向の解像
度が２倍に同上されることになる。

このような方式に本発明を適用するには、第６図に示す
ようにすればよい。すなわち第６図（ａ）。

（ｂ）は第１図（ａｊ　、　（ｂｌと全く同様のＦＳＧ
への印加信号とシャッタ開口期間を示し、第６図（Ｃ）
が上記振動の様子を示す。第６図（Ｃ）からも明らかな
ようにシャッタ開口期間Ｔｏの中心（多少のズレは許容
できる）が振動の中心になるように固体撮像チップ基体
が水平方向に振動される。なお第６図（ｄｌは第１図ｆ
ｃ）と全く周環の出力信号図である。

このようにすることにより垂直方向の解像度はもとよシ
、固体撮像チップ基板を水平方向に振動させることによ
って水平方向の解像度をも向上させることができ、高速
シャッタ動作時でも垂直水平両方向の高解像度化が達成
される。

なお本実施例における固体、撮像チップ基板の移動は三
角波状の場合であるが、正弦波状２台形状。

階段状の変化でもよい。

第７図は第６図の変形例を示す。第７図（ａ）、　（ｂ
ｌは第６図（ａｌ　、　（ｂｌと同、猥に、ＦＳＧへの
印加電圧とシャツタ開口を各々示し、第７図（Ｃ）は振
動モードを示す。すなわち第６図の場合は固体撮像チッ
プ基板はシャッタが開口している期間のみ振動するよう
にしたが、第７図の場合は、第７図（Ｃ）かられかるよ
うに、シャッタ開口以前に振動を開始させ、シャッタが
閉じられた以後もこの振動が持続するようにしている。

このようにすれば振動が安定した状態でシャツタ開口を
行うことができ、シャッタ開口期間の中心と撮動中心と
を一致させるのが容易となる。また仮にシャッタ開口期
間の中心と振１中心との間（Ｃ第７図（ｄ）（シャッタ
開口期間内を実線で、それ以外を点線で示す）に示すよ
うに多少のズレが生じたとしても、出力信号Ｓ入とＳＢ
とで再生される各画素内で各々２個存在する見かけ上の
空間的画素内感度分布の重なりが犬きくなることによる
若干の解像度劣化が生ずるだけに止まり、横スジ発生に
は至らない。

第８図は第６図の他の変・杉例を示す。すなわちこの方
式は上述のシャッタ開口期間中、固体撮像チップ基板を
入射光学像に対して相対的に一方向に移動させるように
したものである。

例えばシャッタ開口期間Ｔｏにおいて画素（１５−１）
　。

（１５−２）　、　Ｉ’１５−３）・・・の水平ピッチ
をＰＭ１開口水平方向長をＬＡ、固体撮像基板の移動速
度をＶＢとしたとき、 の関係で撮像基板を移動させる。その、造果、画素（１
５−１）　、　（１５−２）　、　（１５−３）・・の
開口部（１６−１）　、　（１６−２）　。

（１６−３）・は、シャッタ開口期間の終端で、図示点
線で示す如く、元の開口部と接する位置まで移動される
。このよう；Ｃすれば撮像チップ基板の移動に関してシ
ャッタ開口期間との時間位相のズレを考麗する必要がな
くなるため、第７図において述べた位相ズレによる解像
度劣化の心配はなくなる。

なおシャッタ速度が変化した場合は上記ＶＢをそれに応
じて変化させればよい。

第９図は前述した撮像チップ基板振動方式に本発明を適
用する場合の他の列を示す図である。

纂９図（ａｔ　、　（ｂ）は第４図ｆａ）　、　（ｂ）
と同一の図で、第９図ｆｃ）が振動モードを示す図であ
る。すなわち第９図ｉｃｌのように、第１のシャッタ開
口期間（１２でＩｄチップ基板は第１の所定の位置に静
止せしめ、シャツタ閉期間ＴＭでチップ基板を振動（移
動）して、第２のシャッタ開口期間（１３１で第２の所
定の位置に静止ｔしめる。ここで移動用＠ｄは、第５図
で説明した各画素内に２つのサンプル点を形成する方法
により定められる。また上述のように撮像基板チップの
移動はシャッタ閉期間ＴＭ内で行われるが、Ｔｏ＜ＴＭ
が満足される限りシャツタ開口とチップ基板の時間位相
のズレ１ｄ問題とならなＩＡ。

以上詳しく説明したように本発明は近時注目をあびてき
たいわゆるシ子カメラに極めて有用であるが、本発明に
お叶る固体撮像チップ基板は第１図に示したＩＴ−ＣＣ
Ｄに限定されるもので−°はなく、各画素の感光部に発
生した信号載荷が任意の期間蓄積された後、同時に炉出
部に移動されるものであれば何でもよく、例えば光導濾
膜で光電変換を行ない信号電荷読出しを従来の固体、゛
最像素子で行ういわゆる２階建センサ等にも適用できる
。また第１図ではＰＤが垂直方向に一列に配列されｔも
せしめた場合について説明したが、この前後に複数個の
■Ｈパルスが印クロされても何ら本発明の効果は損なわ
れない。

また本発明は固体囁像チップ基板金１個、２個あるいは
３個用いてカラー撮像を行うシ子カメラにも適用でき、
２枚、３枚式シ子カメラにおいては本発明と絵素ずらし
法を共用することにより更に高解像度の画像を得ること
もできる。

さらに本発明の説明では２次元のセンサについて述べた
が、１次元センサに対しても高解像度化ができる。

また第１図のＩ’Ｉ’−ＣＣＤは垂直方向のＰＤ数が垂
直Ｃ（？Ｄの段数の２倍のものについて示したが、本発
明は垂直方向のＰＤ数と垂直ＣＣＤの段数が同じものに
ついても適用できる。

又、実施例では固体撮像チップ基板を再生画像上で水平
方向に対応する方向に相対的に移動せしめた場合につい
て説明したが、斜め方向に移動せしめる場合（Ｃついて
も適用できることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図はインターライン転送方式ＣＣＤの概略構成図、
第２図は第１図に示したＣＯＤを用いて高速シャッタ動
作を行なう場合の問題点を説明するための図、第１図は
不発明の固体撮像装置の駆動方式の一実施例を示す図、
第４図は本発明の固体撮像装置の駆動方式の他の実施例
を示す図、第５図乃至第９図は本発明の詳細な説明する
ための図である。 ＰＩＩ　＋　Ｐｌｌ　＊　ＰＩ３　＋　Ｐｌｌ　＋　”
’　＊　ＰＭＮ　＋　Ｐ≦：感光部ＣＩ　＋　”２　＊
・・・、ＣＭ：垂直ＣＣ’Ｄ（１）：水平ＣＣＤシフト
レジスタ （２）：出力部 （４）：フィールドシ７トゲート

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体基板上に１次元もしくは２次元的に配列さ
   れた感光部を有し、この感光部において光電変換された
   後蓄積された信号電荷を読み出し部に同時に転送せしめ
   て読み出す間、前記感光部が次につながる期間の光照射
   による信号電荷の蓄積動作を行う固体撮像装置と、この
   固体撮像装置に任意の期間入射光学像を照射するための
   光学シャッタとを備え、前記蓄積された信号電荷を前記
   読み出し部に同時に転送させる動作の前後において、前
   記光学シャッタを同じ期間開口させるようにしたことを
   特徴とする固体撮像装置の駆動方式。
2. （２）前記光学シャッタの開口期間は、前記感光部に蓄
   積された信号電荷を前記読み出し部に転送させるための
   制御パルス信号の終端を中心としてその前後に連続して
   同じ期間だけ設けられることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の固体撮像装置の駆動方式。
3. （３）前記光学シャッタの開口期間は、少なくとも前記
   感光部に蓄積された信号電荷を前記読み出し部に転送さ
   せるための制御パルス印加期間を除いて、この制御パル
   ス印加期間の前後に同じ期間だけ設けられることを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装置の駆動
   方式。
4. （４）前記固体撮像装置は、その固体撮像基板チップが
   、前記感光部に蓄積された信号電荷を前記読み出し部に
   同時に転送させる動作期間を移動中心として、再生画像
   上で水平方向に対応する方向に入射光像に対して相対的
   に移動されるものであることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の固体撮像装置の駆動方式。
5. （５）前記固体撮像装置は、その固体撮像基板チップが
   、前記感光部に蓄積された信号電荷を前記読み出し部に
   同時に転送させる動作期間を移動中心として、再生画像
   上で斜め方向に対応する方向に入射光像に対して相対的
   に移動されるものであることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の固体撮像装置の駆動方式。